JPS60191323A - モノリシツク集積回路 - Google Patents
モノリシツク集積回路Info
- Publication number
- JPS60191323A JPS60191323A JP59248104A JP24810484A JPS60191323A JP S60191323 A JPS60191323 A JP S60191323A JP 59248104 A JP59248104 A JP 59248104A JP 24810484 A JP24810484 A JP 24810484A JP S60191323 A JPS60191323 A JP S60191323A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- time constant
- fets
- output
- power supply
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、オートクリア回路+(初期状態設定回路)
を有するモノリシック集積回路に関する。
を有するモノリシック集積回路に関する。
電子式卓上計算機等のディジタル制御回路にあっては、
種々の記憶回路を有し、電源投入時には、これらの内容
が不定であるので、これらをクリアして一定の初期値に
設定してから動作させる必要がある。
種々の記憶回路を有し、電源投入時には、これらの内容
が不定であるので、これらをクリアして一定の初期値に
設定してから動作させる必要がある。
これを電源投入時に自動的に行なうのがオートクリア回
路である。
路である。
電源電圧の立ち上りを利用したオートクリア回路として
、第3図に示すような回路がある。この回路は、電源電
圧が電子回路の最底動作電圧を超えた所定の電圧になっ
たことを検出して、電源投入から上記電圧検出に至るま
での間の電源電圧信号をクリア信号として用いるもので
ある。すなわち、電源電圧を入力信号とする第1のソー
スフォロワ回路((L 、Q2 )と、このソースフォ
ロワ出力を入力とする第2のソースフォロワ回路(Q3
゜Q、)と、この第2のソースフォロワ出力を入力とし
て、クリア信号(ACL)を形成するインバータ回路(
Q、、Q、)とによりオートクリア回路を構成するもの
である。この回路において、第2のソースフォロワ出力
は、M I S F E T (Q 1tQs )がオ
ンした後に出力されたものであることより、電源電圧(
vDo)が少なくとも2倍のしきい値電圧以上、換言す
れば、電子回路の最底動作電圧を超えた後、インバータ
回路のMI 5FET(Q6 )がオンして、クリア信
号を解除するものであるため、“上記MI8FET(Q
l 、Qs )がオンした時点からインバータ回路が反
転重力を形成するまでの間に電子回路はクリア動作を行
なうものである。
、第3図に示すような回路がある。この回路は、電源電
圧が電子回路の最底動作電圧を超えた所定の電圧になっ
たことを検出して、電源投入から上記電圧検出に至るま
での間の電源電圧信号をクリア信号として用いるもので
ある。すなわち、電源電圧を入力信号とする第1のソー
スフォロワ回路((L 、Q2 )と、このソースフォ
ロワ出力を入力とする第2のソースフォロワ回路(Q3
゜Q、)と、この第2のソースフォロワ出力を入力とし
て、クリア信号(ACL)を形成するインバータ回路(
Q、、Q、)とによりオートクリア回路を構成するもの
である。この回路において、第2のソースフォロワ出力
は、M I S F E T (Q 1tQs )がオ
ンした後に出力されたものであることより、電源電圧(
vDo)が少なくとも2倍のしきい値電圧以上、換言す
れば、電子回路の最底動作電圧を超えた後、インバータ
回路のMI 5FET(Q6 )がオンして、クリア信
号を解除するものであるため、“上記MI8FET(Q
l 、Qs )がオンした時点からインバータ回路が反
転重力を形成するまでの間に電子回路はクリア動作を行
なうものである。
この回路にあっては、電源電圧の立ち上り速度が数10
m5ある場合は、電子回路のクリア動作がなされるが、
電源電圧の立ち上りが速くなると上記クリア動作期間が
短かくなりクリア動作が完全になされなくなる虞れが生
じ、電源電圧の立ち上りの速いものには適用できないと
いう問題がある。
m5ある場合は、電子回路のクリア動作がなされるが、
電源電圧の立ち上りが速くなると上記クリア動作期間が
短かくなりクリア動作が完全になされなくなる虞れが生
じ、電源電圧の立ち上りの速いものには適用できないと
いう問題がある。
この発明の目的は、確実にクリア動作を行なうことが可
能なオートクリア回路を有するモノリシック集積回路を
提供することにある。
能なオートクリア回路を有するモノリシック集積回路を
提供することにある。
この発明の他の目的は、小型化が可能なオートクリア回
路を有するモノリシック集積回路を提供することにある
。
路を有するモノリシック集積回路を提供することにある
。
なお、オートクリア回路については、例えば特開昭50
−28742号に開示されているものが公知である。
−28742号に開示されているものが公知である。
この発明の一実施例においては、時定数回路が設けられ
る。これに電源電圧の立ち上りの速いものに対しても充
分にクリア動作を行なうことができるようになる。
る。これに電源電圧の立ち上りの速いものに対しても充
分にクリア動作を行なうことができるようになる。
以下、実施例により、この発明を具体的に説明する。
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。
この回路は、電源電圧を入力とするソースフォロワ回路
(Ql 、Q2 )と、このソースフォロワ出力を入力
とするソースフォロワ回路(Q、 、 Q、)と、この
後段のソースフォロワ出力を入力とするインバータ回路
(Q= 、Qa )と、時定数回路を構成するM I
S F E T (Q ?〜Q、)及びコンデンサ(C
)と、上記コンデンサ(C)の出力を入力とするM I
S F E T (Q 11)と上記インバータ回路
(Q、、Q6 )の出力を入力とするMISFET(Q
r2)とによるバッファ回路と、上記インバータ回路(
Q5 、Qa )の出力で制御され上記コンデンサ(C
)に並列に設けられたMISFET(Qlo)と、上記
バッファ出力及びソースフォロワ出力をクリア解除入力
とするラッチ回路(Q13〜Q18)とにより構成され
る。
(Ql 、Q2 )と、このソースフォロワ出力を入力
とするソースフォロワ回路(Q、 、 Q、)と、この
後段のソースフォロワ出力を入力とするインバータ回路
(Q= 、Qa )と、時定数回路を構成するM I
S F E T (Q ?〜Q、)及びコンデンサ(C
)と、上記コンデンサ(C)の出力を入力とするM I
S F E T (Q 11)と上記インバータ回路
(Q、、Q6 )の出力を入力とするMISFET(Q
r2)とによるバッファ回路と、上記インバータ回路(
Q5 、Qa )の出力で制御され上記コンデンサ(C
)に並列に設けられたMISFET(Qlo)と、上記
バッファ出力及びソースフォロワ出力をクリア解除入力
とするラッチ回路(Q13〜Q18)とにより構成され
る。
上記時定数回路は、抵抗手段としてのMI 5FET(
Q7〜QQ )を通してコンデンサCC)に電源電圧(
V、D)で充電しようとするものである。
Q7〜QQ )を通してコンデンサCC)に電源電圧(
V、D)で充電しようとするものである。
このとき、コンデンサ(C)と、MI 5FET(Q、
)との時定数を実質的に大きくするため、クロック(φ
1 、φD)でスイッチングするMISFET(Qg
、QQ )を設けるものである。
)との時定数を実質的に大きくするため、クロック(φ
1 、φD)でスイッチングするMISFET(Qg
、QQ )を設けるものである。
この回路の動作は、第2図に示す動作波形図を参照して
説明する。電源投入(to)により、電源電圧が2倍の
しきい値電圧(2vth)に達する時刻(t、)におい
て、MISFET(Ql、Qg)がオンして、ソースフ
ォロワ出力(VA)が立ち上る。そして、このソースフ
ォロワ出力(VA)がしきい値電圧(Vt)1)に達す
る時刻(t2 )において、インバータ回路のMI S
F ET (Qa )がオンするため、コンデンサ(
C)と並列に設けたM I S F E T (Qlo
)がオフして、コンデンサ(C)K充電が開始される
。この充電動作は、クロックパルス(φ1 、φD)に
より間欠的になされるため、充電電圧(Vc)は、階段
状波形となる。コノ充電電圧(Va)がM I S F
E T (Q++ )のしきい値電圧を超えた時点(
t、)において、MISFET(Q++)がオンする。
説明する。電源投入(to)により、電源電圧が2倍の
しきい値電圧(2vth)に達する時刻(t、)におい
て、MISFET(Ql、Qg)がオンして、ソースフ
ォロワ出力(VA)が立ち上る。そして、このソースフ
ォロワ出力(VA)がしきい値電圧(Vt)1)に達す
る時刻(t2 )において、インバータ回路のMI S
F ET (Qa )がオンするため、コンデンサ(
C)と並列に設けたM I S F E T (Qlo
)がオフして、コンデンサ(C)K充電が開始される
。この充電動作は、クロックパルス(φ1 、φD)に
より間欠的になされるため、充電電圧(Vc)は、階段
状波形となる。コノ充電電圧(Va)がM I S F
E T (Q++ )のしきい値電圧を超えた時点(
t、)において、MISFET(Q++)がオンする。
さらに、充電電圧(Vc)が2倍のしきい値電圧(2v
th)に達した時(t4)において、ラッチ回路のMI
SFET(Ql4);がオンして、電源電圧(VDD)
の立ち上りとともに立ち上ったクリア信号(ACL)を
接地レベルに反転させ、クリア解除を行なう。
th)に達した時(t4)において、ラッチ回路のMI
SFET(Ql4);がオンして、電源電圧(VDD)
の立ち上りとともに立ち上ったクリア信号(ACL)を
接地レベルに反転させ、クリア解除を行なう。
なお、上記MISFET(Ql4)と直列関係にあるM
I 5FET(Qla)は、前記インバータ回路のMI
S F ET (Qa )がオンした時点(t2)で
オンするものである。
I 5FET(Qla)は、前記インバータ回路のMI
S F ET (Qa )がオンした時点(t2)で
オンするものである。
以上の動作説明で明らかなように、ソースフォロワ出力
(Va)が出力される時点(t、)からクリア動作解除
がなされる時点(t4 )の間にクリア動作がなされる
。この時間のうち、時A(t2〜14 )の間は、電m
電圧(MI)D)の立ち一ヒリに無関係の一定の値とな
るため、これをクリア動作に必要な時間に設定すること
により、確実なりリア動作を行なわせることができる。
(Va)が出力される時点(t、)からクリア動作解除
がなされる時点(t4 )の間にクリア動作がなされる
。この時間のうち、時A(t2〜14 )の間は、電m
電圧(MI)D)の立ち一ヒリに無関係の一定の値とな
るため、これをクリア動作に必要な時間に設定すること
により、確実なりリア動作を行なわせることができる。
すなわち、前記の第3図の回路にあっては、時点(t、
)から(t2 )に至る間を利用してクリア動作を行な
わせるものであり、この間は電源電圧の立ち上りに応じ
て変化′fろものである。これに対して、この実施例の
回路は、−1−記時定数回路により、一定の時間を確保
できるものであるため確実にクリア動作を行なわせるこ
とができる。
)から(t2 )に至る間を利用してクリア動作を行な
わせるものであり、この間は電源電圧の立ち上りに応じ
て変化′fろものである。これに対して、この実施例の
回路は、−1−記時定数回路により、一定の時間を確保
できるものであるため確実にクリア動作を行なわせるこ
とができる。
この発明は前記実施例に限定されず、極々の変形するこ
とができる。例えば、時定数回路として、クロックパル
ス(φ1 、φD)で制御されるMISFET(Q8
、Qll )はなくともよい。ただ、時定数を大きくす
る場合、コンデンサの容量値を大きくすることなく実現
できるので、コンデンサの占有面積を小さくする有効な
手段である。
とができる。例えば、時定数回路として、クロックパル
ス(φ1 、φD)で制御されるMISFET(Q8
、Qll )はなくともよい。ただ、時定数を大きくす
る場合、コンデンサの容量値を大きくすることなく実現
できるので、コンデンサの占有面積を小さくする有効な
手段である。
また、バッファ回路(Qll・Q12)は・省略するも
のをしてもよい。この場合、第2図において、時刻(t
3 )でクリア解除がなされる。すなわち、バッファ回
路(Q目、Q、、)は、コンデンサ出力(Vc)のレベ
ルシフト回路としての役割を果すものであり、クリア動
作期間を長くする必要がある場合に有効である。
のをしてもよい。この場合、第2図において、時刻(t
3 )でクリア解除がなされる。すなわち、バッファ回
路(Q目、Q、、)は、コンデンサ出力(Vc)のレベ
ルシフト回路としての役割を果すものであり、クリア動
作期間を長くする必要がある場合に有効である。
また、出力ラッチ回路は、これに替えてインバータ回路
であってもよい。出力回路として、ランチ回路利用した
のは、オートクリア信号として、(ACL)及びその反
転出力(ACL)を必要とする場合、及び急峻な出力波
形を得る場合に右投となるためである。また、このラッ
チ回路のセット入力として、ンースフォロワ出力を用い
ているが、これは電源電圧(VDD)が3Vthを超え
る迄MISFET(Q+a)がONLない事を用いてラ
ッチ回路をセットするものである。
であってもよい。出力回路として、ランチ回路利用した
のは、オートクリア信号として、(ACL)及びその反
転出力(ACL)を必要とする場合、及び急峻な出力波
形を得る場合に右投となるためである。また、このラッ
チ回路のセット入力として、ンースフォロワ出力を用い
ているが、これは電源電圧(VDD)が3Vthを超え
る迄MISFET(Q+a)がONLない事を用いてラ
ッチ回路をセットするものである。
この発明は、電子式卓上計算機等のディジタル制御回路
に広く利用でき、特に、MI 5FETによるモノリシ
ック集積回路に構成されたディジタル制御回路に適した
ものということができる。
に広く利用でき、特に、MI 5FETによるモノリシ
ック集積回路に構成されたディジタル制御回路に適した
ものということができる。
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、その動作波形図、第3図は、従来のオートクリア回路
の一例を示す回路図である。 第 1 図 第 2 図 第 3 図
、その動作波形図、第3図は、従来のオートクリア回路
の一例を示す回路図である。 第 1 図 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 電源投入に応答して、その出力信号の電位が第1電位と
なる初期状態設定回路と、上記出力信号の電位が第1電
位となることにより初期状態に設定される回路とを有す
るモノリシック集積回路であって、上記初期状態設定回
路は、タイミング信号によりスイッチ制御されるMI
8FETと、上記MISFETを介して間欠的に電圧が
供給されるキャパシタとを有し、上記キャパシタに保持
された電圧が所定の電圧に達することにより、初期状態
設定回路の出力信号の電位が、上記第1電位とは、異な
る第2電位にされることを特徴とするモノリシック集積
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59248104A JPS60191323A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | モノリシツク集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59248104A JPS60191323A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | モノリシツク集積回路 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15444977A Division JPS5487157A (en) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | Automatic clear circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60191323A true JPS60191323A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=17173278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59248104A Pending JPS60191323A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | モノリシツク集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60191323A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01201896A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
US5331209A (en) * | 1992-02-28 | 1994-07-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Auto-reset circuit with improved testability |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248104A patent/JPS60191323A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01201896A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
US5331209A (en) * | 1992-02-28 | 1994-07-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Auto-reset circuit with improved testability |
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