JPS60191094A - Bνルツボの前処理方法 - Google Patents
Bνルツボの前処理方法Info
- Publication number
- JPS60191094A JPS60191094A JP4521984A JP4521984A JPS60191094A JP S60191094 A JPS60191094 A JP S60191094A JP 4521984 A JP4521984 A JP 4521984A JP 4521984 A JP4521984 A JP 4521984A JP S60191094 A JPS60191094 A JP S60191094A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- film
- impurities
- wall
- pulled
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明は、単結晶引き上げに使用されるBNルツボの前
処理方法に関するものである。
処理方法に関するものである。
最近、引き上げ法では液体カプセル(LEC)法が主流
とな9、副純度化および低転位化が進められている。L
EC法に使用されるルツボの中で、化学的および熱的に
8安定であり、しかもSi汚染のなイB N /レソボ
が注目されている。
とな9、副純度化および低転位化が進められている。L
EC法に使用されるルツボの中で、化学的および熱的に
8安定であり、しかもSi汚染のなイB N /レソボ
が注目されている。
父、このENルツボは一般に原料の浴融物とのぬれが少
なく、冷却時に共割れせず、数回の使用が可能である。
なく、冷却時に共割れせず、数回の使用が可能である。
しかしENルツボは使用毎に少しずつ剣難、信州が/4
=lZ、隙間に残った不純4勿は水洗、酸処理および那
熱処理等の処理では完全に除去できない。
=lZ、隙間に残った不純4勿は水洗、酸処理および那
熱処理等の処理では完全に除去できない。
そのため再使用した場合、原料融液へ残留不純物が浴解
する恐れがある。
する恐れがある。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、B
Nルツボを再使用した場合でもルツボから不純物汚染の
ない引き上げ単結晶を得ることができるBNルツボの前
処理方法を提供することにある。
Nルツボを再使用した場合でもルツボから不純物汚染の
ない引き上げ単結晶を得ることができるBNルツボの前
処理方法を提供することにある。
すなわち、本発明のENルツボの前処理方法は、単結晶
引き上げに1回以上使用されたBNルツボを洗浄および
熱処理を施し、その後該BNルツボの内壁に新しいEN
膜を形成することを特徴とするものである。
引き上げに1回以上使用されたBNルツボを洗浄および
熱処理を施し、その後該BNルツボの内壁に新しいEN
膜を形成することを特徴とするものである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1
LEC法で使用したEN、ルツボを水洗および酸処理し
、十分に残留不純物を除去した後、熱処理をする。その
後BNルツボの内壁にCVD法により50 tt mの
BN)dを形成させる。この反応は(1)に示す通りで
ある。ただし、BN膜の形成はCVD法に限らないもの
でおる。
、十分に残留不純物を除去した後、熱処理をする。その
後BNルツボの内壁にCVD法により50 tt mの
BN)dを形成させる。この反応は(1)に示す通りで
ある。ただし、BN膜の形成はCVD法に限らないもの
でおる。
B、、II 6+ 2NIi 3−→2BN +6H,
↑ (1)実施例2 実施例1と同様の順序および方法で100μmのB N
、1摸を形成させる。
↑ (1)実施例2 実施例1と同様の順序および方法で100μmのB N
、1摸を形成させる。
比較例1
実施例1、実施例2および新しくBN膜を施さない従来
のBNルツボを使用してLEC法によりGaAaを製造
した場合のそれぞれのGaAs中のSi濃度について比
較する。濃度分析は二次イオン質量分析法<5INE)
によシ行なった。
のBNルツボを使用してLEC法によりGaAaを製造
した場合のそれぞれのGaAs中のSi濃度について比
較する。濃度分析は二次イオン質量分析法<5INE)
によシ行なった。
比較を表1に示す。
表1
このように従来のようなりNルツボを再使用してGaA
sを引き上げる場合よりも、新しくBN膜を施したBN
ルツボでは1/2あるいは1/1’0程度もSi濃度が
減少することがわかる。
sを引き上げる場合よりも、新しくBN膜を施したBN
ルツボでは1/2あるいは1/1’0程度もSi濃度が
減少することがわかる。
以上説明したように、本発明によれば、1回以上引き上
げに使用したBNルツボを洗浄及び熱処理した後に、新
しくBNルツボの内壁にBN膜を形成することにより、
このBNルツボを再使用してもSi不純物の混入の少な
い引き上げ単結晶が得られるという顕著な効果を奏する
ものである。
げに使用したBNルツボを洗浄及び熱処理した後に、新
しくBNルツボの内壁にBN膜を形成することにより、
このBNルツボを再使用してもSi不純物の混入の少な
い引き上げ単結晶が得られるという顕著な効果を奏する
ものである。
Claims (1)
- (1)単結晶引き上げに1回以上使用されたBNルツボ
を洗浄及び熱処理し、その後該BNルツボの内壁に新し
いEN膜を形成するを特徴とするENルツボの前処理方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4521984A JPS60191094A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | Bνルツボの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4521984A JPS60191094A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | Bνルツボの前処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60191094A true JPS60191094A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12713152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4521984A Pending JPS60191094A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | Bνルツボの前処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60191094A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4690841A (en) * | 1985-02-28 | 1987-09-01 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyrolytic boron nitride article |
JPH01112450U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
US5584929A (en) * | 1994-03-11 | 1996-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for preparing compound semiconductor crystal |
US5830269A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
WO2007064247A3 (fr) * | 2005-12-01 | 2007-08-16 | Spp Thermo A Ltd | Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1 |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP4521984A patent/JPS60191094A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4690841A (en) * | 1985-02-28 | 1987-09-01 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyrolytic boron nitride article |
JPH01112450U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
US5584929A (en) * | 1994-03-11 | 1996-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for preparing compound semiconductor crystal |
US5656077A (en) * | 1994-03-11 | 1997-08-12 | Sumitomo Electric Industries, Co., Ltd. | Crucible for preparing compound semiconductor crystal |
US5830269A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
WO2007064247A3 (fr) * | 2005-12-01 | 2007-08-16 | Spp Thermo A Ltd | Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1 |
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