JPS60191094A - Bνルツボの前処理方法 - Google Patents

Bνルツボの前処理方法

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Publication number
JPS60191094A
JPS60191094A JP4521984A JP4521984A JPS60191094A JP S60191094 A JPS60191094 A JP S60191094A JP 4521984 A JP4521984 A JP 4521984A JP 4521984 A JP4521984 A JP 4521984A JP S60191094 A JPS60191094 A JP S60191094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
film
impurities
wall
pulled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4521984A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Seki
実 関
Junkichi Nakagawa
中川 順吉
Harunori Sakaguchi
春典 坂口
Tomoki Inada
稲田 知己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPS60191094A publication Critical patent/JPS60191094A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景と目的〕 本発明は、単結晶引き上げに使用されるBNルツボの前
処理方法に関するものである。
最近、引き上げ法では液体カプセル(LEC)法が主流
とな9、副純度化および低転位化が進められている。L
EC法に使用されるルツボの中で、化学的および熱的に
8安定であり、しかもSi汚染のなイB N /レソボ
が注目されている。
父、このENルツボは一般に原料の浴融物とのぬれが少
なく、冷却時に共割れせず、数回の使用が可能である。
しかしENルツボは使用毎に少しずつ剣難、信州が/4
=lZ、隙間に残った不純4勿は水洗、酸処理および那
熱処理等の処理では完全に除去できない。
そのため再使用した場合、原料融液へ残留不純物が浴解
する恐れがある。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、B
Nルツボを再使用した場合でもルツボから不純物汚染の
ない引き上げ単結晶を得ることができるBNルツボの前
処理方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
すなわち、本発明のENルツボの前処理方法は、単結晶
引き上げに1回以上使用されたBNルツボを洗浄および
熱処理を施し、その後該BNルツボの内壁に新しいEN
膜を形成することを特徴とするものである。
〔実施例〕
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1 LEC法で使用したEN、ルツボを水洗および酸処理し
、十分に残留不純物を除去した後、熱処理をする。その
後BNルツボの内壁にCVD法により50 tt mの
BN)dを形成させる。この反応は(1)に示す通りで
ある。ただし、BN膜の形成はCVD法に限らないもの
でおる。
B、、II 6+ 2NIi 3−→2BN +6H,
↑ (1)実施例2 実施例1と同様の順序および方法で100μmのB N
 、1摸を形成させる。
比較例1 実施例1、実施例2および新しくBN膜を施さない従来
のBNルツボを使用してLEC法によりGaAaを製造
した場合のそれぞれのGaAs中のSi濃度について比
較する。濃度分析は二次イオン質量分析法<5INE)
によシ行なった。
比較を表1に示す。
表1 このように従来のようなりNルツボを再使用してGaA
sを引き上げる場合よりも、新しくBN膜を施したBN
ルツボでは1/2あるいは1/1’0程度もSi濃度が
減少することがわかる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、1回以上引き上
げに使用したBNルツボを洗浄及び熱処理した後に、新
しくBNルツボの内壁にBN膜を形成することにより、
このBNルツボを再使用してもSi不純物の混入の少な
い引き上げ単結晶が得られるという顕著な効果を奏する
ものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)単結晶引き上げに1回以上使用されたBNルツボ
    を洗浄及び熱処理し、その後該BNルツボの内壁に新し
    いEN膜を形成するを特徴とするENルツボの前処理方
    法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690841A (en) * 1985-02-28 1987-09-01 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Pyrolytic boron nitride article
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WO2007064247A3 (fr) * 2005-12-01 2007-08-16 Spp Thermo A Ltd Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1

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