SU727469A1 - Способ обработки кристаллов - Google Patents

Description

(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относитс  к оезласти обработки кристаллов, а именно, к способам химической обработки кристаллов . Известен способ обработки кристаллов , включающий травление кристалла в расплавах при температуре 1100-1200°С 1. Недостаток способа заключаетс  в том, что одновременно с процессом травлени  осуществл етс  п роцесс перекристаллизации вещества, что снижает качество обработки. Наиболее близким к изобретению п технической сущности и достигаемому результату  вл етс  способ обработки кристаллов, включающий травление кристалла в расплаве смеси веществ/ содержащей окислы металлов 2. Недостаток известного способа заключаетс  в по влении сколов и ми трещин в местах контакта кристалла затвердевшими капл ми смеси веществ обусловленных различным тепловым расширением :ме.си веществ и кристал ла,что снижает качество обработки Целью изобретени   вл етс  повышение качества обработки. Поставленна  це.ль достигаетс  те что в способе обработки кристаллов, включающем травление кристалла в расплаве смеси веществ, содержащей окислы металлов, травление осуществл ют с изотермической выдержкой в течение 0,01-0,1 часа в области температур на ниже температуры плавлени  кристалла и на выше температуры плавлени  смеси веществ, ai в качестве смеси веществ используют компоненты, вход щие в состав обра батываемого кристалла, при избытке одного из компонентов,в количестве 5-20% мол. Способ обработки кристаллов обеспечивает услови , близкие к услови м выращивани  кристаллов, что обеспечивает равномерность обработки поверхности кристалла и исключает возможность ее загр знени  или повреждени . На чертеже изображена диаграмма системы трех кристаллических сое-. динений А, В, С. Состав и температура плавлени  соединений А, В, С, определ етс  точками 1, 3 и 5. Крива  1-2-3-4-5  вл етс  линией ликвидуса системы.

Способ обработки кристаллов осуществл ют следующим образом.

При погружении кристалла в распЯав СмеСйвеществ , вход щих в состав обрабатьшаемого кристалла, при температуре на 1-5°С ниже температуры плавлени  кристалла и на 1-5 С выше температуры плавлени  смеси веществ, происходит растворение части кристалла, так как он находитс  в неравновесных услови х с расплавом .

Так как расплав не содержит иных компонентов кроме вход щих в соста кристалла, то обрабатываема  поверхность не загр зн етс  посторонними примес ми в процессе травлени .

Равномерность травлени  обеспечиваетс  изотермической вьвдержкой кристалла в расплаве в течение 0,01-0,1 часа.

Скорость травлени  поверхности в глубину составл ет 1-3 мм в минуту , а продолжительность выдержки кристалла в расплаве зависит от ТОЛЩИНЫснимаемого сло .

Обработка кристалла состава А может проводитьс  в области температур и составов расплава, смеси компонентов А и С, лежащей внутри замкнутой кривой 1-2-3-4-5-7-1. Область составов итемператур расплава дл обработки кристалла С ограничиваетс  замкнутой кривой 6-2-3-4-5-6, дл  обработки кристалла В существуют две области составов и температур расплава, ограниченные кривыми 8-2-3-8 и 3-4-9-3.

Диапазон составов и температур расплавов дл  обработки конкретных кристаллов определ етс  диаграммой состо ний конкретной системы. Пример.

Пластинка граната УЗ Alg О (температура плавлени  1930°С) размером 40x15x15 мм состава 65,5% мол. AlgOg + 37,5 мол. V Од при температу{ е 1830с помещена в расплав состава 58% мол. +.42% мол. и выдержана при этой температуре в .течение двух минут. Поверхность Пластинки селективно протравлена на глубину 2,3 мм со всех сторон, поJryyeiHd полированна , поверхность, на которой четко вы вл ютс  дислокации по оси {110) и (1П) в видо Ямок травлени . П р и м е р 2.

Пластинка кристалла ортоалюмината иттри . VAlOjy состава 50% мол. V-iOg- 50% мол. размером 15x10x10 мм помещена в расплав состава 75% мол. AlgOj f 25% мол. при температуре 1830° ,j; и вьщержана при зтой температуре в, течение 0,5 минут. Поверхность пластинки протравлена на глубину 0,5 мм со всех сторон с удалением всех дефектов (царапин,. микротрёщин и т. п.) механической обработки. П р и м е, р 3.

Кристалл КзНЖМоОд), размером 5 5x5x5 мм состава 35,7,% мол. KjO + 7,15% мол. Нб12Оз + 57% мол. МоО (температура плавлени  ) помещен в расплав состава 15,7% мол. + 7,15% мол. + 77,15% мол. МоО при температуре 865с и выдержан при этой температуре в течение 1 минуты. В результате все грани кристалла протравлены на глубину 0,6 мм с вы влением дефектов структуры в виде  мок травлени  на полированной поверхлости.

Claims (2)

1. Патент США № 3878005, кл. 156-2, 1975.

50

2. Авторское свидетельство СССР № 231336, кл. В 24 в 9/16, 1966.