SU927863A1 - Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната - Google Patents

Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната Download PDF

Info

Publication number
SU927863A1
SU927863A1 SU802956164A SU2956164A SU927863A1 SU 927863 A1 SU927863 A1 SU 927863A1 SU 802956164 A SU802956164 A SU 802956164A SU 2956164 A SU2956164 A SU 2956164A SU 927863 A1 SU927863 A1 SU 927863A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
gallium
acid
carried out
gadolinium garnet
washing
Prior art date
Application number
SU802956164A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Иванович Николаев
Надежда Григорьевна Макарова
Любовь Евгеньевна Яремчук
Виктор Васильевич Парамонов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2836
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2836 filed Critical Предприятие П/Я В-2836
Priority to SU802956164A priority Critical patent/SU927863A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU927863A1 publication Critical patent/SU927863A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ ПОДЛОЖЕК ГАЛЛИЙГАДОЛИНИЕВОГО ГРАНАТА
1 .. .
Изобретение относитс  к электронной технике и может быть использовано при обработке монокристаллических подложек галлийгадолиниевого граната (ГГГ) перед эпитаксиальным наращиванием пленок с- цилиндрическими магаитными доменами.
Известен способ химической полировки монокристаллов гранатов с общей формулой
MjiyiesOiz где Me - 3-х валентный металл (галлий или
алюминий);
М - иттрий или один из редкоземельных элементов с атомным номером между 62 и 71 или их смеси; О - кислород, включающий обработку
гор чей ортофосфорной кислотой, насыщенной вод ным паром в течение 2-5 мин при 250-45 0°сГохлаждение в масле при 60° С, отмывку с применением стандартного очистител  и гидроокиси кали  1 , Недостатками способа  вл ютс : использование ортофосфорной кислоты при высоких температурах представл ет опасность с точки
зрени  техники безопасности, так как кислога разбрызгиваетс , вьщел ет  довитые пары фосфорного ангидрида; длительный процесс подготовки кислоты к полировке (4-5 ч); применение масла в качестве охлаждающей жидкости приводит к усложнению процесса отмывки.
Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевых гранатов (ГГГ), включа10 ющий обработку ортофосфорной кислотой в течение 10 с при 350-400° С, охлаждение и отмывку в деионизованной воде и изопропиловом спирте 2.
Недостаток способа - применение орто15 фосфорной кислоты при высоких температурах , привод щее к ухудщению условий труда из-за интенсивного выделени  паров фосфорного ангидрида.
Цель изобретени  - улучщение условий
20 труда.
Поставленна  цель .достигаетс  тем. что подложки ГГГ обрабатывают пирофосфорной кислотой при 220-240° С, а охлаждение провод т

Claims (3)

  1. Формула изобретения
    1. Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната, включающий обработку поверхности горячей фосфорсодержащей кислотой, охлаждение в «сидкой среде и отмывку, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий труда, в качестве фосфорсодержащей кислоты используют пирофосфорную кислоту при 220-240° С, а охлаждение проводят в пиро- или ортофосфорной кислоте при 70-100° С.
  2. 2. Способ по π. 1, отличающийс я тем, что обработку кислотой ведут при перемещении подложки по спирали и наложении вибрационных колебаний частотой 20— 100 Гц.
  3. 3. Способ по π. 1 или 2, о т л и ч а ю щ и й-| с я тем, что отмывку ведут в деионизованной воде при наложении вибрационных колебаний.
SU802956164A 1980-07-14 1980-07-14 Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната SU927863A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802956164A SU927863A1 (ru) 1980-07-14 1980-07-14 Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802956164A SU927863A1 (ru) 1980-07-14 1980-07-14 Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU927863A1 true SU927863A1 (ru) 1982-05-15

Family

ID=20908169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802956164A SU927863A1 (ru) 1980-07-14 1980-07-14 Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU927863A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69415033D1 (de) Verfahren zur herstellung von calciumaluminaten ausgehend von aluminiumschlacken-rückständen
SU927863A1 (ru) Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната
US4900363A (en) Method and liquid preparation for removing residues of auxiliary sawing materials from wafers
DE2428696A1 (de) Mittel und verfahren zur chemischen oberflaechenbehandlung
JPS5588322A (en) Treatment of semiconductor substrate
US3480474A (en) Method for preparing semiconductor crystals
US5913980A (en) Method for removing complex oxide film growth on silicon crystal
CA1245956A (en) Method of chemically polishing quartz crystal blanks
JPS6424098A (en) Heat treatment of compound semiconductor single crystal
SU1682417A1 (ru) Травитель дл эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната
JPS5717496A (en) Liquid phase growing method for single crystal of compound semiconductor
Kaliński Preparation of sapphire substrates for Gas phase GaN epitaxial processes
USH532H (en) Method of chemically polishing fused quartz
SU198893A1 (ru) Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов
Staines et al. Surface hardening of stainless steels by plasma nitriding techniques
SU1172946A1 (ru) Способ удалени налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира
SU643437A1 (ru) Способ подготовки силикатных компонентов шихты
SU606053A1 (ru) Способ сушки покрытий самовулканизирующихс компаундов
SU773156A1 (ru) Раствор дл электрохимического полировани титана и его сплавов
SU891567A1 (ru) Способ получени п тиокисей ниоби и тантала
JPS55121644A (en) Method of fabricating semiconductor substrate
SU1127648A1 (ru) Способ разрушени пирофорного соединени @ на поверхности технологического оборудовани
JPH02251912A (ja) 薄膜導波型光アイソレータの製造方法
JPS60167333A (ja) 無機化合物エピタキシヤルウエハ表面のしみ除去方法
SU1082874A1 (ru) Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца