SU927863A1 - Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната - Google Patents
Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната Download PDFInfo
- Publication number
- SU927863A1 SU927863A1 SU802956164A SU2956164A SU927863A1 SU 927863 A1 SU927863 A1 SU 927863A1 SU 802956164 A SU802956164 A SU 802956164A SU 2956164 A SU2956164 A SU 2956164A SU 927863 A1 SU927863 A1 SU 927863A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- gallium
- acid
- carried out
- gadolinium garnet
- washing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ ПОДЛОЖЕК ГАЛЛИЙГАДОЛИНИЕВОГО ГРАНАТА
1 .. .
Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано при обработке монокристаллических подложек галлийгадолиниевого граната (ГГГ) перед эпитаксиальным наращиванием пленок с- цилиндрическими магаитными доменами.
Известен способ химической полировки монокристаллов гранатов с общей формулой
MjiyiesOiz где Me - 3-х валентный металл (галлий или
алюминий);
М - иттрий или один из редкоземельных элементов с атомным номером между 62 и 71 или их смеси; О - кислород, включающий обработку
гор чей ортофосфорной кислотой, насыщенной вод ным паром в течение 2-5 мин при 250-45 0°сГохлаждение в масле при 60° С, отмывку с применением стандартного очистител и гидроокиси кали 1 , Недостатками способа вл ютс : использование ортофосфорной кислоты при высоких температурах представл ет опасность с точки
зрени техники безопасности, так как кислога разбрызгиваетс , вьщел ет довитые пары фосфорного ангидрида; длительный процесс подготовки кислоты к полировке (4-5 ч); применение масла в качестве охлаждающей жидкости приводит к усложнению процесса отмывки.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевых гранатов (ГГГ), включа10 ющий обработку ортофосфорной кислотой в течение 10 с при 350-400° С, охлаждение и отмывку в деионизованной воде и изопропиловом спирте 2.
Недостаток способа - применение орто15 фосфорной кислоты при высоких температурах , привод щее к ухудщению условий труда из-за интенсивного выделени паров фосфорного ангидрида.
Цель изобретени - улучщение условий
20 труда.
Поставленна цель .достигаетс тем. что подложки ГГГ обрабатывают пирофосфорной кислотой при 220-240° С, а охлаждение провод т
Claims (3)
- Формула изобретения1. Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната, включающий обработку поверхности горячей фосфорсодержащей кислотой, охлаждение в «сидкой среде и отмывку, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий труда, в качестве фосфорсодержащей кислоты используют пирофосфорную кислоту при 220-240° С, а охлаждение проводят в пиро- или ортофосфорной кислоте при 70-100° С.
- 2. Способ по π. 1, отличающийс я тем, что обработку кислотой ведут при перемещении подложки по спирали и наложении вибрационных колебаний частотой 20— 100 Гц.
- 3. Способ по π. 1 или 2, о т л и ч а ю щ и й-| с я тем, что отмывку ведут в деионизованной воде при наложении вибрационных колебаний.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802956164A SU927863A1 (ru) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802956164A SU927863A1 (ru) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU927863A1 true SU927863A1 (ru) | 1982-05-15 |
Family
ID=20908169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802956164A SU927863A1 (ru) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU927863A1 (ru) |
-
1980
- 1980-07-14 SU SU802956164A patent/SU927863A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69415033D1 (de) | Verfahren zur herstellung von calciumaluminaten ausgehend von aluminiumschlacken-rückständen | |
SU927863A1 (ru) | Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната | |
US4900363A (en) | Method and liquid preparation for removing residues of auxiliary sawing materials from wafers | |
DE2428696A1 (de) | Mittel und verfahren zur chemischen oberflaechenbehandlung | |
JPS5588322A (en) | Treatment of semiconductor substrate | |
US3480474A (en) | Method for preparing semiconductor crystals | |
US5913980A (en) | Method for removing complex oxide film growth on silicon crystal | |
CA1245956A (en) | Method of chemically polishing quartz crystal blanks | |
JPS6424098A (en) | Heat treatment of compound semiconductor single crystal | |
SU1682417A1 (ru) | Травитель дл эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната | |
JPS5717496A (en) | Liquid phase growing method for single crystal of compound semiconductor | |
Kaliński | Preparation of sapphire substrates for Gas phase GaN epitaxial processes | |
USH532H (en) | Method of chemically polishing fused quartz | |
SU198893A1 (ru) | Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов | |
Staines et al. | Surface hardening of stainless steels by plasma nitriding techniques | |
SU1172946A1 (ru) | Способ удалени налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира | |
SU643437A1 (ru) | Способ подготовки силикатных компонентов шихты | |
SU606053A1 (ru) | Способ сушки покрытий самовулканизирующихс компаундов | |
SU773156A1 (ru) | Раствор дл электрохимического полировани титана и его сплавов | |
SU891567A1 (ru) | Способ получени п тиокисей ниоби и тантала | |
JPS55121644A (en) | Method of fabricating semiconductor substrate | |
SU1127648A1 (ru) | Способ разрушени пирофорного соединени @ на поверхности технологического оборудовани | |
JPH02251912A (ja) | 薄膜導波型光アイソレータの製造方法 | |
JPS60167333A (ja) | 無機化合物エピタキシヤルウエハ表面のしみ除去方法 | |
SU1082874A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца |