DE1646804B2 - Verfahren zur verbesserung der oberflaechenqualitaet von anorganischen oxidmaterialien - Google Patents

Verfahren zur verbesserung der oberflaechenqualitaet von anorganischen oxidmaterialien

Info

Publication number
DE1646804B2
DE1646804B2 DE19671646804 DE1646804A DE1646804B2 DE 1646804 B2 DE1646804 B2 DE 1646804B2 DE 19671646804 DE19671646804 DE 19671646804 DE 1646804 A DE1646804 A DE 1646804A DE 1646804 B2 DE1646804 B2 DE 1646804B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sapphire
inorganic oxide
polishing
etching
fluoride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671646804
Other languages
English (en)
Other versions
DE1646804A1 (de
Inventor
Harold Murray Anaheim Calif. Manasevit (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North American Aviation Corp
Original Assignee
North American Aviation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North American Aviation Corp filed Critical North American Aviation Corp
Publication of DE1646804A1 publication Critical patent/DE1646804A1/de
Publication of DE1646804B2 publication Critical patent/DE1646804B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/26—Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenquaütät von feuerfesten anorganischen Oxidmaterialien, wobei ein gasförmiges Fluorid-Ätzmittel zum Ätzpolieren von Saphir und anderen Oxiden verwendet wird.
Die Qualität epitaxialer Filme, die auf einem Unterlagenmaterial wie z. B. Saphir, Spinell, MgO, BeO und Chrysoberyll gewachsen sind, wird bestimmt durch die Qualität der Oberfläche des Unterlagenmaterials. Bisherige Verfahren zur Verbesserung der Oberfläche umfassen die Verwendung von Diamant-Paste zum Polieren der Oberfläche. Jedoch blieben, wenn nicht außerordentliche Sorgfalt während des Polierens angewendet wurde, Kratzer verschiedener GröPe. sichtbar bei großer Vergrößerung (ζ. Β. υ 400), nach dem Polieren des Saphirs auf der Oberfläche zurück. Die Gegenwart solcher Kratzer beeinflußt den Kristallkcrnbildungsmcchanismus und so die Qualität epitaxial gewachsenen Siliziums oder anderen auf der Substratoberfläche abgelagerten Materials.
Häufig wird ein Aluminiumoxid-Policrvcrfahrcn zur Steigerung der Diamantpolierung verwendet, um die feinen Kratzer zu entfernen. Jedoch werden bei diesem Verfahren die lieferen Kratzer manchmal mit Aluminiumoxidpulver gefüllt, anstatt entfernt zu werden. Optisch scheint die Oberfläche von guter Qualität zu sein, jedoch zeigen sich die nicht entfernten Oberflächenschäden während der anschließenden Wasserstoffätzung und/oder des Filmwachstums.
Bestimmte sogenannte »nasse« chemische Verfahren *.:.!.rn nur teilweise zur Verbesserung des Substrates erfolgreich. Überdies besitzen sie den Nachteil, daß solche Flüssigkeitsverfahren nicht leicht innerhalb der Abscheidekammer selbst durchgeführt werden können. Daher muß das flüssig gereinigte Substrat vor der Aufbringung der epitaxialen Halbleiterschicht gehandhabt und der Atmosphäre und/oder anderen verunreinigenden Einflüssen ausgesetzt werden.
Einige Gasphasen-Ätzmittel sind teilweise früher verwendet worden, um die Oberfläche zur Verbesserung ίο ihrer Qualität zu ätzen. Jedoch entfernten diese gasförmigen Ätzmittel nach dem bisherigen Stand der Technik das Unterlagenmaterial langsam und hatten die Neigung, mit dem Unterlagenmaterial zu reagieren, und es so eher zu verschlechtern, ais zu verbessern. Zum Beispiel wurde Wasserstoffgas verwendet, jedoch ist die Ätzgeschwindigkeit sehr gering in Zeiträumen, die als praktisch erachtet werden können (etwa bis zu einer Stunde). Ätzen mit Chlorwasserstoff erfordert ebenfalls lange Zeiträume, und sollte ein polykristalliner Ausfüllblock als Träger für ein monokristallines Substrat verwendet werden, wurde das Auftreten ^on Stoffübertragung vom Ausfüllblock zum Substrat beobachtet.
Aufgabe der Erfindung war es, ein Verfahren zum Ätzpolieren mit einem gasförmigen Ätzmittel zu entwickeln, welches bei relativ schneller Ätzgeschwindigkeit direkt vor Bildung der epitaxial gewachsenen Schicht auf dem Substrat durchgeführt werden kann. Das Verfahren sollte in der Abscheidungskammer durchgeführt sein, so daß das Substrat zwischen der Ätzpolier- und der nachfolgenden Abscheidungsstufe nicht weiter bearbeitet werden braucht. Das Ätzpolierverfahren soll auch für andere Zwecke als das Reinigen von Substratmaterial verwendbar sein. z. B. beim Ätzpolieren der Seiten und Ende" von Rubin-Laserstäben. Das Verfahren soll der Verbesserung der Oberflächenquaütät von feuerfasten anorganischen Oxidmaterialien wie Al2O3, Saphir, Berylliumoxid, Spinell. Chrysoberyll, Thoriumoxid und anderen dienen, speziell von solchem anorganischem Oxidmaterial, das als Unterlage für die epitaxiale Abscheidung von Halbleitermaterialien Verwendung findet. Das Verfahren zum Ätzpolieren der Oberfläche eines feuerfesten anorganischen Oxidmaterials sollte direkt vor der Abscheidung des Halbleitermaterials auf dieser Unterlagenoberfläche und in derselben Kammer wie diese erfolgen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Verbesserung der Obeiflächenqualität von feuerfesten anorganischen Oxidmaterialien, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Oberflächen dieses Materials ätzpoliert werden, indem das Material auf eine erhöhte Temperatur erhitzt und die Oberfläche des Materials einem fluoridhaltigen Gas ausgesetzt wird. Als fluoridhaltiges Gas dient gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung SF, oder SFn. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird als fluoridhaltiges Gas SF1, in Verdünnung mit Wasserstoff. Helium, Argon oder Stickstoff verwendet, während nach einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des crfindiingsgcmäßen Verfahrens als fluoridhaltiges Gas SF1, zusammen mit Helium als inertem Gas und Verdünnungsmittel Verwendung findet.
G5 Das Verfahren der Erfindung ist bevorzugt auf die feuerfesten anorganischen Oxidmatcrialicn AI2O;I, Saphir, BcO, Spinell. Thoriumoxid oder Chrysoberyll anwendbar.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß als feuerfestes anorganisches Oxidmaterial Saphir verwendet wird, der auf eine Temperatur im Bereich von annähernd 1300 bis 1600üC erhitzt wird.
Kurz gesagt, umfaßt die Erfindung das Ätzpolieren der Oberfläche eines (Einzelkristall-) feuerfesten anorganischen O.xidiinterlagenmatericls, wie z. B. Saphir, Berylliumnxid, Thoriumoxid, Zirkoniumoxid, Spinelle, Chrysoberyll usw., indem das Material einem fluoridhaltigen Gas, wie z. B. SF, und SF0. ausgesetzt wird. Während dieser Einwirkungszeit wird das Unterlagenmaterial bei erhöhter Temperatur gehalten, üblicherweise zwischen 1300 und 1500~C, obgleich auch niedrigere Temperaturen verwendet werden können, abhängig von dem Material, an dem die Ätzpolierung durchgeführt werden soll. Trägergase, wie z. B. Wasserstoff und Helium, können verwendet werden, um das Ätzmittel zu der Lmterlagenoberfläche zu leiten. Andere inerte Gase können ebenfalls als Verdünnungsmittel benutzt werden.
Das Verfahren der Erfindung gestattet das Ätzpolieren eines feuerfesten anorganischen Oxid-Unterlagenmaterials, um eine Oberfläche ohne Bearbeitungsschäden zur Erleichterung der epitaxialen Abscheidung von Halbleiterschichten mit niedrigen Dislokationswerten zu erhalten.
_ Darüber hinaus können durch das Verfahren zum Ätzpolieren auch die Seiten und Enden von Rubin-(oder anderen feuerfesten anorganischen Oxid-) Laserstäben behandelt werden.
F i g. 1 zeigt eine Vorrichtung, die bei der praktischem Durchführung des Verfahrens Anwendung finden kann; die
F i g. 2, 3 und 4 sind graphische Darstellungen, die den Gewichtsverlust pro Flächeneinheit (Ordinate in mg/cm2) als Funktion der Zeit (Abszisse in Minute) für drei verschiedene Konzentrationen des Ätzmittels SFe zeigen.
Wie in F i £. 1 dargestellt ist, wird das feuerfeste Materials 1, welches ätzpoliert werden soll, in ein vertikales Umsetzungsgefäß 2 auf ein Untergestell 3 und von diesem durch Ausfüllblock 4 getrennt gebracht. Untergestell 3 kann aus Kohlenstoff hoher Dichte bestehen, obwohl an Stelle dessen auch Silizium, Molybdän oder andere Stoffe, die induktiv erhitzt werden können und die keine unerwünschten Verunreinigungen in das System einführen, verwendet werden können. Ausfülrblock 4 besteht am besten aus einer Form des Materials, das äupoliert werden soll: dies setzt die Wechselwirkung -wischen dem Ausfüllblock und dem Material, das ätzpoliert werden soll, auf ein Minimum horab. So wäre z. B.. wenn Saphir ät^poliert werden soll, die Verwendung eines Ausfüllr.locks aus Aluminiumoxid geeignet.
Untergestell 3 ist in einem Raum angeordnet, der von Spule 5 umgehen ist, welche Spule durch eine Hochfrequcnzqucllc (nicht gezeigt) aktiviert wird, um die induktive Erhitzungr'. s Untergestells 3 7ii erzeugen. Das Syrern umfaßt Rohrleitung 6. die in die Kammer des Umsc'izungsgefäßes 2 mündet und die Verbindung zu tier Quelic 7 des Gasphascnätzmittcls SF, oder SF0 herstellt. Die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels wird clurrh vcntil 8 kontrolliert und durch Strömungsmesser 9 überwacht. Rohrleitung 6 ist noch mit einer Quelle 10 für Triigergas verbunden, welches Wasserstoff. Helium, Argon oder Stickstoff sein kann. Wird SF0 verwindet, ist ein inertes Gas. wie z. B.
Helium, das bevorzugte Trägercms, Ventil Il wird verwendet, um den Fluß des Trägergases zu kontrollieren, und die Strömung?geschwindigkeit wird durch Strömungsmesser 12 überwacht. Gase aus dem Umsetzungsgefäß 2 entweichen durch Abgaskanal 13, der mit Abzugsvorrichtungen (nicht dargestellt) verbunden ist. Rohrleitung 14 und das angeschlossene Ventil 15 sind vorgesehen, um die Einführung von Halbleiter-Ablagerungsmaterialien im Anschluß an
ίο den Ätzpoliervorgang zu gestatten.
Es ist klar, daß die Erfindung nicht auf die bestimmte dargestellte und beschriebene Vorrichtung beschränkt ist, sondern verschiedenartige Umsetzungsgefäß-Rohrleitungs-Anordnungen umfassen kann, wie sie in der Technik für die Behandlung von Substraten in gasförmiger Umgebung bekannt sind. Jedoch ist es erwünscht, daß das· Untergestell abflußseitrg von dem Material, welches ätzp;Iiert werden soll, angeordnet sei, um zu verhindern, daß Umsetzungsprodukte des
Untergestellmaterials mit dem gasförmigen Ätzmitte! das zu ätzpolierende Material verunreinigen.
Für Saphir als zu ätzpolierendes Material wurde bestimmt, daß geringe Mengen Schwefeltetrafluorid (SF4) (möglicherweise weniger als 1 Molprozent) in
einem Wasserstoff- oder Helium-Trägergas eine zufriedenstellende Ätzpolitur der Saphiroberfläche erzielen. Temperaturen von 1300"C oder darüber werden empfohlen. Von etwa 115O0C ab wurden Anzeichen eines beginnenden epitaxialen Wachstums,
vermutlich von AlF3, auf dem Saphir beobachtet. Bei etwa 1300cC ist der Dampfdruck des Materials offenbar hoch genug, um die Störung des Ätzprozesses zu verhindern.
Wird SF4 mit einer Konzentration von etwa 0,5 bis 1,0 Molprozent in einem Trägergas verwendet, können Saphir-Ätzgeschwindigkeiten von etwa 2 μ pro Minute bei einer Untergestelltemperatur von 145O0C erhalten werden. Saphir-Einzelkristalle guter Qualität, die auf diese Weise ätzpoliert worden waren,
zeigten eine hochpolier'e kratzerfreie Oberfläche, die zur Ablagerung epitaxialer Schichten gut geeignet war. Einige Hervorhebungen der Saphir-Maserungsgrenzen (grain boundries) wurde im Anschluß an das Ätzpolieren beobachtet.
Es wurde gefunden, daß die Verwendung von Schwefelhexafluorid (SF0) in einer Heliumverdünnung ebenfalls zu einer beachtlichen Ätzpolitur des Saphir führte. SFn ist sogar ein wünschenswerteres Gasphasen-Ätzpoliermittel als SF4. da das Hexafluorid in größerer Reinheit erhalten werden kann und billiger ist als SF4, und da es ohne Einwirkung auf Hartglas (Pyrex), Sauerstoff. Wasser usw. ist, ist es bei Raumtemperatur weniger bedenklich. Verwendet man jedoch zusammen mit SF„ Wasserstoff als Verdünnungsmittel, erhält
man sehr gerirgc Ätzpolierung des Saphirs bei den gleichen Bedingungen, bei denen man mit SF0 in einer Heliumverdünnung eine ausgezeichnete Ätzpolitur erreicht.
Be' Verwendung von SF0 in einer Hcliumver-
dünnung zum Ätzpolieren von Saphir wurde die optimale Ätzpolitur mit Sockeltemperaturcn zwischen 1300 und 1600C erzielt. Fig. 2, 3 und 4 enthalten graphische Darstellungen, die die typischen Werte des Saphirgewichtsverlustcs pro Flächeneinheit als Funktion der Zeit für drei Konzentrationen (0,22, 0.34 bzw. 0.60 Molprozcnt) für SF0 in Verdiinnung mit Helium bei Sockeltemperaturcn von 1350. 1450 und 155OC zeißcn. In iedcm Fülle wurden
gewählte Strömungsgeschwindigkeiten von 2,5 Litern pro Minute verwendet, mit einer Umsetzungskammer 2 von 60 mm Durchmesser, einem Sockel 3 aus Kohlenstoff hoher Dichte mit 38,1 mm Durchmesser und einem Ausfüilblock 4 aus polykristallinem Aluminiumoxid.
Aus F i g. 2 kann z. B. ersehen werden, daß bei Ätzpolierung des Saphirs mit einer 0,22molprozentigen Konzentration von SF4 in Helium über einen Zeitraum von 50 Minuten und bei einer Sockeltemperatur von 135O0C der Saphir einen Gewichtsverlust von 6 mg/cm2 zeigte. Dieser Punkt wird durch Punkt 16 in F i g. 2 angezeigt. Es ist ebenfalls zu beachten, daß dies einer Ätzpoliergeschwindigkeit von 0,1 mg/ cma/Min. entspricht.
Die genannten Verfahren können ebenfalls wirksam angewendet werden zur Ätzpolierung von Feinschliff-Saphiroberflächen (etwa 7,62 · 10~4 mm Oberflächenbearbeitung), eher als von diamantpolierten Unterlagenmaterialien. Dies hat den doppelten Vorteil, die »o Bearbeitungsschäden durch das Polieren auf einem Minimum zu halten und die Unterlagenmaterialkosten erheblich zu senken. Die Erfahrung hat gezeigt, daß Einwirkungszeiten in der Größenordnung der fünffachen Zeit, die zum Ätzpolieren diamantpolierter as Oberflächen benötigt werden, zur Durchführung solcher Ätzpolierung von Feinschliff-Saphiren erforderlich sind.
Eine Analyse der mit SF9 erhaltenen Ergebnisse zeigt daß es in seiner Ätzpolierfähigkeit selektiv für verschiedene Saphir-Orientierungen ist. Unter identischer Bedingungen, bei relativ hohen SF„-Konzentrationen zeigt Saphir (1Ϊ02) gewöhnlich eine etwa rauhe Ober fläche, während Saphir (1113) eine sehr glatte Ober fläche aufweist. Jedoch wurden bei niedrigen SF,, Konzentrationen annehmbar polierte (1T02)-Ober flächen auf Saphir guter Qualität erhalten, bei Abtra gungsgeschwindigkeiten von bis zu 0,4 mg/cm2/Min bei 155O°C (beobachtete Sockeltemperatur). Diamant' geschliffene Oberflächen, orientiert nach (1123), habet bei Ätzgeschwindigkeiten von 0,7 mg/cm2/Min. be 145O0C eine Politur erhalten.
Die Tabelle enthält typische Werte des Gewichts Verlustes, die beobachtet wurden, als 0,3 Molprozen SFe in Heliumverdünnung zum Ätzpolieren andere Materialien als Saphir verwendet wurden. Wie zuvo sind die gegebenen Werte als typisch zu betrachten sie variieren in Abhängigkeit von der Bauweise de Kammer, der Art des Trägergases, der Strömungs geschwindigkeit, der angewendeten Einwirkungszeit der z\.t)n Ätzpolieren exponierten Kristalloberflächer usw.
Wirkung der Ätzpolierung von feuerfesten anorganischen Oxiden mit 0,3 Molprozent SF6 in Heliumverdünnunj
bei 145O0C und 30 Minuten Dauer
Material
Physikalische Form
Gewicht (mg) nach Verlust
13,2
vor 226,4 0,4
13,6 52,7 23,4
249,8 81,3 8,7
61,4 6,3
87,6
Annähernde Gewichtsver-
ändemng
(1Vo)
Beobachtungen
ThO2
Spinell
Chrysoberyll
BeO
kleine Würfel (1 mm3)
Oval (9,5 · 12 mm)
Plättchen (6,5 · 3 mm)
Prisma (~-6 · 4 mm)
9,2
16,5
7,2
ätzpoliert
ätzpoliert
ätzpoliert
geätzt
Im allgemeinen sollte das Material, welches ätzpoliert werden soll, dem gasförmigen Ätzmittel so lange ausgesetzt werden, bis eine Schicht entfernt wird, die mindestens die gleiche Dicke besitzt wie der tiefste auf dem Material im Anschluß an das Vor- oder Diamantpolieren beobachtete Kratzer. Andernfalls kann auch eine Ätzpolierzeit gewählt werden, die ausreicht, um eine Materialdicke zi entfernen, die einen wesentlichen Anteil der Schädel
45 enthält.
Obgleich die Erfindung im einzelnen beschriebei und dargestellt worden ist, ist darauf hinzuweisen daß dies lediglich als Erläuterung und nicht al: Begrenzung zu verstehen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenqualität von feuerfesten anorganischen Oxidmaterialien, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen dieses Materials ätzpoliert werden, indem das Material auf eine erhöhte Temperatur erhitzt und die Oberfläche des Materials einem fluoridhaltigen Gas ausgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als fluoridhaltiges Gas SF4 oder SF0 verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als fluoridhaltiges Gas SF1 in Verdünnung mit Wasserstoff, Helium, Argon oder Stickstoff verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als fluoridhaltiges Gas SF6 zusammen mit Helium als inertem Gas und Verdünnungsmittel verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als feuerfestes anorganisches Oxidmaterial Al2O3. Saphir, BeO, Spinell, Thoriumoxid oder Chrysoberyll verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als feuerfestes anorganisches O.xidmaterii.; Sapl·'/ verwendet wird, der auf eine Temperatur in. Bereich von annähernd 1300 bis 1600 = C erhitzt wird.
DE19671646804 1966-06-13 1967-06-12 Verfahren zur verbesserung der oberflaechenqualitaet von anorganischen oxidmaterialien Pending DE1646804B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US55697766A 1966-06-13 1966-06-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1646804A1 DE1646804A1 (de) 1971-09-02
DE1646804B2 true DE1646804B2 (de) 1972-03-02

Family

ID=24223575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671646804 Pending DE1646804B2 (de) 1966-06-13 1967-06-12 Verfahren zur verbesserung der oberflaechenqualitaet von anorganischen oxidmaterialien

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3546036A (de)
BE (1) BE697181A (de)
DE (1) DE1646804B2 (de)
GB (1) GB1191172A (de)
NL (1) NL6706449A (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1900116C3 (de) * 1969-01-02 1978-10-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten
US3971684A (en) * 1973-12-03 1976-07-27 Hewlett-Packard Company Etching thin film circuits and semiconductor chips
US4033743A (en) * 1974-03-22 1977-07-05 General Electric Company Chemically polished polycrystalline alumina material
US4038117A (en) * 1975-09-04 1977-07-26 Ilc Technology, Inc. Process for gas polishing sapphire and the like
US4011099A (en) * 1975-11-07 1977-03-08 Monsanto Company Preparation of damage-free surface on alpha-alumina
US4052251A (en) * 1976-03-02 1977-10-04 Rca Corporation Method of etching sapphire utilizing sulfur hexafluoride
US4131496A (en) * 1977-12-15 1978-12-26 Rca Corp. Method of making silicon on sapphire field effect transistors with specifically aligned gates
US4509990A (en) * 1982-11-15 1985-04-09 Hughes Aircraft Company Solid phase epitaxy and regrowth process with controlled defect density profiling for heteroepitaxial semiconductor on insulator composite substrates
US4753895A (en) * 1987-02-24 1988-06-28 Hughes Aircraft Company Method of forming low leakage CMOS device on insulating substrate
US4826300A (en) * 1987-07-30 1989-05-02 Hughes Aircraft Company Silicon-on-sapphire liquid crystal light valve and method
US20040014327A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Bing Ji Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
US20070188717A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Melcher Charles L Method for producing crystal elements having strategically oriented faces for enhancing performance

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1238105B (de) * 1963-07-17 1967-04-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von pn-UEbergaengen in Silizium
USB389017I5 (de) * 1964-08-12

Also Published As

Publication number Publication date
BE697181A (de) 1967-10-02
GB1191172A (en) 1970-05-06
DE1646804A1 (de) 1971-09-02
NL6706449A (de) 1967-12-14
US3546036A (en) 1970-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1646804B2 (de) Verfahren zur verbesserung der oberflaechenqualitaet von anorganischen oxidmaterialien
DE2151073A1 (de) Verfahren zum chemischen Polieren von dielektrischen Einkristallen
DE2036621C3 (de) Schichtkörper aus Aluminiumoxidsubstrat und Zinkoxidüberzug
DE2942057C3 (de) Verfahren zum Czochralski-Ziehen eines Silicium-Einkristallstabs
DE2619965A1 (de) Verfahren zur einstellung des sauerstoffgehalts in siliciumkristallen
DE10205084A1 (de) Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe
DE10139648A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels
DE1185151B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere duennen halbleitenden Schichten
DE2122192A1 (de) Behandlungsverfahren für Verbindungshalbleiter
DE69209337T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Materials
DE3026030A1 (de) Vorrichtungsteile zur herstellung von halbleiterelementen, reaktionsofen und verfahren zur herstellung dieser vorrichtungsteile
DE3021074C2 (de) Thermodiffusionsverfahren zur Herstellung von Oberflächenschichten aus Hg↓1↓↓-↓↓x↓Cd↓x↓Te
DE2529747C3 (de) Verfahren zur Erzeugung von epitaktischen Aufwachsungen aus der flussigen Phase
DE3616427C2 (de)
DE1646804C (de) Verfahren zur Verbesserung der Ober flachcnquahtat von anorganischen Oxidma tenalien
DE69616429T2 (de) Herstellungsverfahren für eine einkristalline dünne Schicht
DE69601452T2 (de) Verfahren zur Aufbringung einer dünnen Schicht
DE1544281C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Silicium- Halbleitermaterial
DE2528585C3 (de) Verfahren zur Herstellung von dotierten a -Aluminiumoxid-Einkristallen
DE69223338T2 (de) Verfahren zur Diffundierung von Bor in Halbleiterplättchen
DE1521804A1 (de) Verfahren zum chemischen Polieren von Substraten der III-V Verbindungshalbleiter
DE1544292A1 (de) Verfahren zum Herstellen stabfoermiger Siliciumeinkristalle mit ueber die gesamte Stablaenge homogener Antimondotierung
DE1202616B (de) Verfahren zum Entfernen der bei der Epitaxie auf dem Heizer abgeschiedenen Halbleiterschicht
DE69623854T2 (de) Trockenätzverfahren
EP1081254B1 (de) Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotierten Halbleiterscheiben