JPS60178627A - X線転写装置 - Google Patents

X線転写装置

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JPS60178627A
JPS60178627A JP59033611A JP3361184A JPS60178627A JP S60178627 A JPS60178627 A JP S60178627A JP 59033611 A JP59033611 A JP 59033611A JP 3361184 A JP3361184 A JP 3361184A JP S60178627 A JPS60178627 A JP S60178627A
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wafer
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刈谷 卓夫
Yasuo Kawai
河合 靖雄
Masahiko Okunuki
昌彦 奥貫
Susumu Goto
進 後藤
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回路が高度に集積された半導体デバイスを製
造するためのりソゲラフイエ程、特に転写工程において
使用されるX線転写装置に関する0回路の集積度合が高
まるに従って回路パターンを構成する線の幅はミクロン
そしてサブミクロンのオーダーが要求される様になって
来ており、これを達成するため回路パターンを転写する
ための照射エネルギーも紫外、遠紫外そして軟X線と波
長が増々短いものが使用されている0 軟X線を使用したりソグラフイ装置Fi既に10年以上
に渡って実用化の努力がなされているが、今日になって
も未だ実用的な半導体デバイス生産用のX線転写装置は
完成していない。この原因は実用化の要件である焼付分
解能、アライメント精度、スループット、装置の信頼性
、操作性、装置価格等のバランス又轄適正化が不十分な
ためであると考えられる。
しかしながらX線転写装置を実現するため要件をより詳
細に検討すると、問題の1つは軟X線の取扱いが可視光
あるい祉紫外光に比べて遥かに困難な点にある。周知の
通り軟X線は真空容器中で発生させなければならないか
ら、極近接もしくは密着状態に置かれたマスクとウェハ
上へ軟X@を照射するために真空容器にべ17 ’+7
ユウム箔の窓を通して軟X線を導出させる。ベリリュウ
ムは軟X線を吸収する比率が極めて小さいため選ばれた
ものではあるが、容器内の高真空とマスク及びウェハの
置かれた大気圧との気圧差に耐えられる様に50ミクロ
ン程度の厚さが要求される0ベリリウム箔祉この程度の
厚さになると軟X線の吸収率が50チにもなってしまい
不利である。
更にこれに加えて以下の様な難点が本件の発明者達によ
って注目された。第24図は加速した電子線をターゲッ
トに照射して発生させた軟X線の強度(縦軸)とエネル
ギとの関係を示したものである。なめらかな右下がりの
曲線は連続線で、途中突出したピークが特性線である。
特性線はターゲットの材質に関係する。
ここで約4Ke■よシ小さい方の側が感材の照射に利用
されるが、破線より左側の領域はべりリュクムで吸収さ
れてしま5ため、実際に照射に利用されるエネルギは約
4 KeVの位置と破線で挾まれた領域に過ぎない。
即ち、軟X線を真空部分から取出す際に大きなエネルギ
ー損失を伴うわけである。
また別の自照の1つは発散性の軟X線でマスクを照射す
ることから生じる。マスクとウェハが極近接状態で維持
され、これに発散性の軟X線が当たる場合、もし仮りに
ウェハが傾いたとすると、マスクとウェハが近づいた部
位と遠ざかった部位ではマスク像の寸法が変化する。従
って、マスクとウェハの平行度を厳密に維持する必要は
あるが、機械的に実現するのは著しく困難である。また
、発散束で照射した場合、中心部と周辺部でマスク像の
寸法が異なる特性があるから、転写の度にマスクとウェ
ハの整合のみならず、マスクの中心とX線源の軸とを正
確に合わせる必要がある。
更に他の問題の1つはパターンの転写を終了したウェハ
にエツチング等の化学処理を施した時にウェハに伸縮が
起きることである。特に、最近ウェハ径の拡大化が著し
く、6インチあるいは8インチの直径のウェハに転写が
行われることが要望されており、ウェハの伸縮を無視す
ることはできない。このためパターン像に及ぼすウェハ
の伸縮の影響をできる限り少なくする必要がある。
それ数本発明の主要な目的は、X線源からのエネルギを
マスクの照射に効果的に利用することができるX線転写
装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、マスクのパターンをウェハへ正確
に転写する際に不都合を及ぼすX線の発散性部分を除去
することができるX線転写装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、−回の焼付けでパターンを転写さ
れるウェハの区域を縮小することによってパターン像に
及ぼすウェハへの伸縮の影響を可能な限り少なくするこ
とができるX線転写装置を提供することにある。
一方、真空中に物質を放置した場合、その物質の表面層
に吸蔵されていたガスが放出されるため真空度を著しく
損ない、あるいはX線発生源のターゲット部で発生した
ガスが他の部所に悪影響を与える恐れがあるが、本発明
はこの種の難点を除去することをも更なる目的としてい
る。
次に添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を説
明する。第1図は本発明に従って構成されたX線転写装
置を全体的に示した図である。このX#!転写装置は、
メインチャンバ1と、メインチャンバlの両側にそれぞ
れ配置されたウェハロードカセット収納チャンバ2およ
びウェハアンロードカセット収納チャンバ3と、同じく
メインチャンバlの片側にウェハアンロードカセット収
納チャンバ3と並んで配置されたマスクカセット収納チ
ャンバ4と、照射チャンバ5a、5bと、サブチャンバ
6とから構成されている。
メインチャンバ1は、両側にロード用収納チャンバ2お
よびアンロード用収納チャンバ3がそ九ぞれ連結されて
いるmlのメインチャンバ部′+7と、マスク用収納チ
ャンバ4が片側に連結されている第2のメインチャンバ
部分8とから構成されている。第1のメインチャンバ部
分7とロード用収納チャンバ2およびアンロード用収<
1’lチヤンバ3の各々との連結部、並びKpp。
うに構成されている。
#判真空状態を維持できるように構成されており、又両
者の間には都合に応じて各チャンバをお互いに隔離する
ための仕切弁9が配置されている。例えば照射チャンバ
5a、5b内のX線管球を取り替え又は修理等の必要が
生じた場合には、仕切弁9を閉じてから作業をおこなう
ことにより他のチャンバl、6内の真空状態を維持する
ことができる。これにより作業後X線転写装置の作動を
再び開始する前に照射チャンバ5a、5bだけを排気す
れば良く、必要な排気空ポンプ(図示せず)と各チャン
バを接続するための管10が取り付けられている。
ここで前述したチャンバ内に収容されている装置、1し
びにチャンバ内で行なわれる作業を主要なものについて
第2図、第3図および第4図を参照して概略的に説明す
る。第4図に示されているようにウエノ・ロードカセッ
ト収納チャンノ(2には、X線転写装置によって回路パ
ターンを転写するためにFめ面上にフォトレジストを塗
<tiされた複数枚のウェハ12を収納したカセット1
3をjle、 Rさせるだめの装置が設けられている。
この装(預はカ七ツ)13を上下方向へ昇降させること
ができ、複数枚のウエノ・を7f、tのメインチャンバ
部分7内へ順次搬入するのに寄与する。
llL 1のメインチャンバ部分7内には、チャンバ2
内のカセットI3からウエノ・を一枚ずつチャンバ7内
へ搬入するだめの搬入装]dがチャンバ2に近接して配
置されている。史にメインチャンバ部分7の長さ方向中
央イ;J近にはウエノ・のIV・行・拍面出し装置が配
置されており、ここで照射台ヒに支持され〆こウェハホ
ルダの基準面に対してウェハの表面が平rテになるよう
にウエノ・の(1γ1滲を、凋甲乏し固定する。又ウェ
ハアンロードカセット収納チャンバ3に近接した第1の
メインチャンバ部分7内の位置には、ウェハの全面に回
路パターンを転写する工程を終了したウェハを、チャン
バ3内へ搬出するだめの搬出装置が設けられている。
ここでチャンバ3にはチャンバ2と同じく、ウェハを収
納するカセツ)14を載置させるだめの装置が配置され
ている。この装置はカセツ)14を上下方向へ昇降させ
ることができ、照射作業を終えたウェハを一枚ずつカセ
ツH7C収容するのに寄与する。
次に第3図を参照してマスク収納チャンバ4および第2
のメインチャンバ部分8に関連した主要な装置4、作業
について説明する。マスク収納チャンバ4はその内部に
マスフカセラ)15を有し、一方このマスクカセット1
5内にハ複数のマスク16が保持されている。更に転写
工程に従って複数のマスクのうちの任意のマスク】6を
マスク取り出し位1σへ割り出すためにマスクカセット
15を回転させる装置も設けられている。
第2のメインチャンバ部分8内にはマスクチ 。
ヤンバ4に近接した位(6に、マスクをカセットから1
反り出すあるいはマスクをカセットへ戻すときに使用さ
れるマスク(多動装置が配置されている。そして第2の
チャンバ部分8の内部上方にはマスクボルダ−を保持す
るだめの上下11i1+ if能なマスクハンドラがあ
る。第2のチャンバ部分8の長さ方向中央付近上部には
マスクとウェハの粗い位置合わせを行なうためのプリア
ライメント用光学顕微鏡17が取り(=Jけられている
一方第2のチャンバ部分8の上部にはプリアライメント
用光学顕#鏡17と近接した位置に、マスクとウェハの
精密な位16合わせを行なうだめのファインアライメン
ト用1毬子顕微鏡18が取り付&Jられている。更に第
2のチャンバ部分8の内側にはチャンバ部分8の長さ方
向に亘って4.8動できる徂微動装置が配置され、プリ
アライメントおよびファインアライメントの1祭にはの
位置を移動させる。
サブチャンバ6に関連した主要な装置および作業につい
ては、マスクをカセットから取り出すあるいはマスクを
カセットへ戻すときに使用されるマスク移動装置を有し
ていない点を除き。
第2のメインチャンバ部分8に関連して上述した説明と
同様である。
第2図に示されているとおり照射チャンバ5 a +5
bは内部にX森管球を有しており、マスクおよびウェハ
は台にのせられてこのチャンバを通過するとき移動しな
がら照射される。このときマスクのパターンはウェハに
転写される。
ここでウェハを4つの照射区域に分割した場合を例にと
って、X、%1転写装置の全体的な作動を概略的に説明
する。
第5図にはマスク16の平面図が示されているが、この
マスク16はX線透過性の基板に回路パターン20およ
び一組のアライメントマーク21をX線非透過性物質に
よって形成したも破線22.23によって照射区域を4
つに分割されている。照射は4つに分割されたウェハの
照射区域のうちの一つとマスク16とを重ね台わせた状
態で行なわれ、従ってウェハの全面を照射するために照
射工程を4回実施しなければトマーク24.25.26
は各照射区域に一組ずつ形成されている。
このようにアライメントマーク24 、25 、26 
’c影形成れたウェハ12はウェハロードカセット13
に複数枚重ねて収容されている。ウェハ12は搬入装置
によってチャンバ7内へ一枚スつ引き取られた後、ウェ
ハのオリフラ部27が所定の方向を向くように位16調
整される。次にウェハを照射台上に支持されたウェハホ
ルダ内へ移ようにウェハ12の位14を1整する。その
結果ウェハホルダに載せられるマスクホルダにょっここ
でウェハを載せた照射台を第2のチャンバ部分8の中央
部プリアライメント位置へ移動させる。
一方、マスクカセット15から取り出され、マスクハン
ドラによって挾持されたマスクボルダ−に固着されたマ
スク16は、粗微動装置によってマスクハンドラからマ
スクホルダとともに受け取られる。粗微動装#はマスク
ボルダをプリアライメント位置に時期している照射台上
のウェハホルダ上へ持っていき両者を重ね合わせる。こ
仁でマスク16とウェハ12の第1の照射域との粗い位
置合わせを行ない、続いて一/d精密軽位置合わせを行
なうために隣接したファインアライメント位置へ照射台
を移動させる。
このようにして精密に位置合わせされたマスク16とウ
ェハ12は照射台に乗せられて照射チャンバ5a内へ移
送され、X線にょっ゛て走査照射される。なおこのとき
ウェハ12け第1の照射域以外が照射されるととのない
ように、′Mc2、第3および第4の照射域は遮へいさ
れている0 照射台が照射チャンバ5aを通過してサブチャンバ6へ
移送されたところで、ウェハの照射域を切り換える。照
射域の切り換え操作によってマスクとウェハの第2の照
射域とを重ね合わせ/こら、照射台をプリアライメント
位置およびファインアライメント位1丘へ順次移動させ
る。
これによってマスクとウェアの第2照射域との狙い位置
合わせおよび精密な位置合わせがおこなわれる。
次に+m述し/このと同様にマスクとウェハは照射台に
のすられて1ift射チヤンバ5b内へ移送され、X線
によって短連照射される。このとき第1、f:4↓3お
よび第4の照射域は遮へいされており、第2の照射域以
外が照射されることはない。
照射台が照射チャンバ5bをJ111過して第2のメイ
ンチャンバ部分8へ移送されたところで、ウェハの照射
域を再び切り喚える。このようにして前述の操作を繰り
返し、ウニノーの第3および第4の照射域も照射し終わ
り、ウェハ全面の照射が完rしたら、第2のメインチャ
ンバ部分8から第1のチャンバ部分7へ照射台を移動さ
せる。そしてウェハの全面に回路パターンを転写された
ウェハ12は、搬出装置によってチャンバ3内のウェハ
アンロードカセット14に一枚ずつ収容される。なおマ
スク16の交換の必要があればマスク移動装置によって
マスクをカセット15へ戻し、別のマスクをカセットか
ら取り出すことができる。
以上一枚のウェハの照射処理について説明しだが、本発
明のX線転写装置におりては、複数の照射台を使用して
複数枚のウェハ12を平行して照射処理することができ
る。
続いて前述したX線転写装置の全体的な作動を−j―明
確に理解するため1重要な項目について以下に詳細に説
明する。
(11ウェハのロード、平行平面出しおよびアンロード
第4図に示されているように第1のメインチャンバ部分
70両側部K、ウェハロードカセット収納チャンバ2お
よびウェハアンロードカセット収納チャンバ3がそれぞ
れ連結さハ12を収容したウエノ・カセット13を載置
するための台30が設けられており、この台30は昇降
装置131によって支持されている。
台上は支持されたカ七ツ)13は、ウェハを第1のメイ
ンチャンバ部分7内へ一枚cつ搬入したらその都度順次
垂直方向F方へ昇降装置附31によって降ドされる。
カセット13から第1のメインチャンバ部分7内へのウ
ェハの搬入は第7図に示されたウェハ搬入装置32によ
って行なわれる。搬入−Jkit32は、ウェハ12を
L面に載せてカセット13から引き出す台33およびこ
の鈴33をガイド34に沿って水平方向へ摺動させるだ
めの摺動部35を有している。台33上に載1道された
ウェハ12は、摺−動部:!5を移動させることによっ
てウェハ押上げ装置36の上方まで移される。押上げ装
置36は5回転可能なウェハ支承面37およびこの面か
ら一段下がった位if K取り付けられたオリフラ検出
器38を有している。ここで押上げ装置36を駆動させ
てウェハ支承面37を上昇させ、との支承面37によっ
て台33からウェハ12を受けとる。このときウェハ1
2の位置は、オリフラ検出器38を使用しオリフラ27
を所定の方向に向けるように支承面37を回転させて位
置決めされる。
押し上げ装置36を駆動させて、上昇した位置に面37
によって支承されたウェハ12は、第8図に示されたウ
ェハハンド40によって周囲を挾持される。このハンド
4oけ、ガイド41に沿って摺動する摺動部42に連結
されており、又同じく上下動可能な上下シリンダー43
にも連結されている。
ハンド40はウェハ支承面37上方の位置まで摺動部4
2をガイド41に沿って摺動させることにより移動し、
この位置で上下シリンダー43を作動させることにより
降下させられる。そしてハンド40はウェハ12を支承
面37から受けとっだ後再びシリンダー43を作動させ
て上昇し、同じく摺動部42をガイド4]K沿ってイ多
動させること姉より、ウェハの平行平面出し位置44(
第4図)まで動かされる。
この平行平面出し位置44には、レール45゜45に沿
って移動する照射台46が時期している。第9図に示さ
れている様にこの照射台46にはその上面にウェルホル
ダー47が取り(=Jけられており、一方ホルダー47
の内部にはその底面から上方に向かい順次、ビfiわ照
射1jlj移動台48、球面座49、ウェハチャック5
0が配置されている。
照射台46およびホルダー47の底部にはピエゾ素子5
1を挿通させるための開口52゜53がそれぞれ形成さ
れている。この開口52゜53は好ましくは3個形成さ
れる。ピエゾ素一方チャック50の底部には棒状突起5
5が保持されており、開口52.53を通してホルダー
47内へ挿通された素子51の上端と当接するようにな
っている0又球面座49はチャック50に固定されてお
り、その周囲には球面座49の位置を固定するためのピ
エゾ素子56が当接している。
平行平面出し位置44にはメインチャンバ一部分7の上
面に設置された昇降装置57によって上下動するキャリ
ブレータ−58が配置されている。このキャリブレータ
−58は底板59を有し1底板59蹟はギャップセンサ
−60挿通用開口61およびチャック賦勢段62挿通用
開口63が形成されている。
ここで前述したように平行平面出し位置44までハンド
40によって運ばれたウェハ12は、同じく位置44に
時期しているウェハホルダー47とキャリブレータ−5
8との間に位置することになる。次に上下シリンダー4
3を作動させてウェハハンド40をチャック50へ向け
て降下させ、ウエノ・がチャック50の上面付近に達し
たらノ・ンド40を作動させてウェハを解放し、チャッ
ク50の面上に載せる。ウェハ12は静電方式によって
チャック50に固着される。
ハンド40はウェハ12をチャック50へ受け渡した後
上下シリンダー43の作動により上昇し、摺動部42を
ガイド41に沿って移動させることによりチャンバ2の
方向へ移される。
このようにしてチャック50の上に固着されたウェハ1
2の平行平面出しの機構について説明する。まず昇降装
置57を作動させてキャリブレータ−58をその底板5
9の下面がホルダー47の上端基準面65と当接するま
で降ドさせる。
次に素子支持台54を駆動してピエゾ素子51を開口5
2,53を通して上昇させ、棒状突起55の下端面を突
きあげる。仁のときギャップセンサー60を用いて、ウ
ェハ12の上面とホルダー47の上端基準面65との間
隔を測定する。測定の結果に応じて素子51の上下微調
整をおこない、ウェハの平行平面出し作業が終わったら
、素子56を作動させて球面座49の周囲に突き当て球
面座49、従ってチャック50の位置を固定する。
かる後ホルダー47をのせた照射台46は、駆動装置(
図示せず)を作動させる仁とによりレール45.45に
沿って平行平面出し位置44からプリアライメント位置
へ移動する。
次に照射を終了したウェハのアンロードについて説明す
る。ウェハアンロードカセット収納チャンバ3にはウェ
ハロードカセット収納チャンバ2と同じくウェハを収納
するカセツ)14を載置するための台30が設けられて
おり、この台30は昇降装置31によって支持されてい
る。台30上に支持されたカセット14は、第1のメイ
ンチャンバ部分7からウェハを収納した後垂直上方へ昇
降装置31によって順次上昇される。
第1のメインチャンバ部分7からカセット14へのウェ
ハの収容は、第8図に示されたのと同じ構成を有するウ
ェハハンドおよび第10図に示されたウェハ搬出装置6
6を使用することによっておこなわれる。装置66は、
台67および摺動部68を有している。
第11図に示されているように照射を終rした照射台4
6上からマスクホルダー70をホルダーハンド71によ
って取り除いた後、照射台46はレール45.45に沿
ってウェハハンドに向かって進み停止する。ここでハン
ドによってウェハチャック50上に載置されたウェハ1
2の周囲を挾持し、ウェハ搬出装置11i66の台67
上へ移し代える。台67上にウェハをのせた状態で摺動
部68はガイド69に沿ってチャンバ3内のカセット1
4に向かつて進む。以上の手順を繰り返すことにより照
射を終えたウエノ・は順次アンロードカセット収納チャ
ンバ3内のカ七ツ1−14に収容される。
(2) マスクのロードおよびアンロード次にマスクの
ロード、アンロードを第3図および第11図を参照して
説明する。
マスクカセット収納チャンバ4内へ収納されたマスクカ
セット15a、15bを、カセットふたあけ装置72を
作動させてカセツ)15の下ぶた15bを降下させる。
カセツ)15は上ぶた15aと下ぶた15bを組み合わ
せた構成を有し、その内部に複数のマスク16を上ぶた
15a側に磁力で保持している。
マスクの上ぶた15aけ回転装置174を駆動する仁と
により回転可能であり、前述した複数のマスク16のう
ち所望のものを取り出し位lji%収納位置へ割り出す
ことができる。
チャンバ4の排気は、チャンバ4ふた75とによって行
なわれる。チャンバ4内の真空度がノブ「定の値に達し
たら、閉じていたスライド弁76をあけてマスク移動部
材’ki2のメインチェンバ一部分8側よりチャンバ4
内へ伸通させる。マスク移動部材の先端には、カセット
の上ぶたl 5a 1klll K m力で保持された
マスク16を引き出すつめが形成されている。
向かつ一〇マスク移動部材を引込め、マスク16をチャ
ンバ4内からメインチャンバ部分8内のマスクステージ
77へ移動はせる。
マスクステージ77には、マスク16を保持するだめの
マスクハンドラ78およびマスクの位1aを「y<知す
るためのマスク位置センサ79、(にはマスクハンドラ
78によって保持されたマスクをその状〃、鴫で4に直
上方へ押し上げるだめのマスク押し上げ装置8oが設け
られている。 特開昭GO−178G27 (8)マス
クハンドラ78け移動部材上に載せられてステージ77
に位置したマスクを保持し、又一方センサ79によりマ
スクの位置を検知した結果に応じてマスクの位置ぎめを
おこなうべく回転することができる。
このようにしてマスクの正確な位置決めが終了したらマ
スクハンドラ78によってマスク16を国ミ保持し、 
′ 押し上げ装置80を作動さ せて、マスクハンドラ78を垂直上方へ移動させる。
ここでセンサ79は水平方向に移動でき、マスクの位置
を検知する際にはハンドラ78によって保持されたマス
クの上方に位置し、マスクの正確な位置ぎめが終了した
後には再びもとの位置へ引込み、マスクハンドラ78の
垂直方向への移動にあたって障害とはならない。
マスクステージ77の垂直上方にはマスクホルダーハン
ド71が配置されている。このマスクホルダーハンド7
1は、マスクホルダ70を両側からはさみつけるための
当接部材81.81と、マスクホルダ70を当接部材8
1゜81の間にはさみつけた状態で上下に移動させるだ
めの軸部材82.82とから構成されている。この軸部
材82.82はメインチャンバ一部分8の上部拠設置さ
れた昇降装置83によって上下動させられる。又当接部
材81゜81は軸部材82.82に対して回動自在に連
結されており、照射を終了して送られてくるマスクホル
ダー70を受けとる際に回動して、いったんホルダー7
0を一方の当接部材81に対して当接する位置まで通過
させる。しかる陵、前述のとおり回動じてマスクホルダ
70の移動径路から離れていた当接部材81を、tすび
回動させてホルダ70を2つの当接部側81.81によ
って挾持する。
このようにしてハンド71によって挾持されるマスクホ
ルダ70には、マスクハンドラ78によって保持された
状態で垂直上方へ移動してくるマスクを部分的に収容す
るための開口部84と、マスクを磁力で保持するために
底部に埋設された磁性体とを有している。
従ってハンドラ78によって保持された状態でマスク押
し上げ装[80によって垂直上方へ移動してきたマスク
は、マスクホルダ70によって保持され、一方ハンドラ
78はマスクを解放して後マスク押し上げ装置80の作
動により垂直丁方へ降下する。
次に前述したのとは反対にマスクホルダ70によって保
持されているマスク16をマスフカセラ)15内へ収納
する手順について説明する。
まず押上げ装置80を作動させてマスクハンドラ78を
マスクホルダ70の下側に保持されているマスク−16
の近傍まで移動させる。
そしてハンドラ78を作動させマスクの周囲を挾持させ
る。ここでホルダ70の底部に設けられた磁性体を消磁
する。このようにしてホルダ70からマスクを引きはな
してから押上げ装置80を駆動させて、ハンドラ78に
よって挾持した状態でマスクを垂直下方に移動させる。
次にマスク移動部材の先端に形成されたつめによって、
ハンドラ78により挾持されマスクステージ77に位置
しているマスクを受けとる。このときつめがマスクを受
けとったらハンドラ78を作動させてマスクからはなれ
るようにする。この後マスク移動部材をチャンバ4内へ
挿通するように移動し、カセッ)15の上ぶた15aと
Fぶた15bの間に先端を位置させる。ここでカセット
の上ぶた15aに設けられた磁性体を使ってマスク移動
部材の先端に位置したマスク16を上ぶた15aの下+
Mに吸着、保持する。
(3)照射台および移動f″! i:lW 12図を使って移動台および照射台を説明す
る。図中、85は移Rib台で、縦移動レール86,8
6.hを不図示の駆動装置により自由忙移動する。縦移
動レール86.86は移動台85がファインアライメン
ト位置人とマスク着脱位置Cを移動できる長さ釦なって
いる。
移動台85上には横移動レール45.45が固設され、
横移動レール45.45上を照射台46が自由に移動す
る。横移動レール45.45の一端は、照射台46がフ
ァインアライメント位置AK在る時、中継レール87.
87に接続され、他端は、照射台46が横移動レール上
を移動した時、ウェハロード位置りおよびウェハアンロ
ード位+vt Eを占める様に決められている。即ち、
移動台85がプリアライメント位置BK在り、その位置
から照射台46が横移動レール45.45上を移動する
とウェハロード位置DlC達することができる。又移動
台85がマスク着脱位置CKあり、その位置から照射台
46がレール45.45を移動するとウェハアンロード
位置EVc達する。照射台46上にマグネットチャック
で保持される部材47はウェルホルダで、正方形の窪み
が設けられており、照射域移動台48が挿み中を移動し
くする。ウェハホルダ47と照射域移動台48の相対移
動については後述する。台48上にはウェハチャック5
0が設けられていて、ウェハをチャラギングする。
第6図(A)S動台85と照射台46の」三方にはgj
 13図に示す横方向に移動可能な粗微動装置88が配
置σされる。この粗微動装置88はマスクとウェハをア
ライメントするために使用するもので、横移動レール8
6.86と平行に設けられた別の横移動レール89.8
9tC案内されて移動する。
第14図は+14微動装置88のiト細を描いている。
90は粗微動枠で、横移動レール89゜89が1通する
梁から4ケ所で釣り下けられ、両者の間には衝突エネル
ギー吸収用圧縮バネが挿入されていて枠をF方で固定し
ている。
そして枠の内I$にマスクホルダ70とウェハホルダ4
7が不図示の移動台押上げ4m構(詐細は後述)で押上
げられて進入する。粗微動枠90の外側には積層された
ピエゾ素子で支えられた粗動機構91a、91b等が設
けられており、粗動機構91a・・・のブツシュロッド
92aは枠90の内部へ突出している。粗動機構1 91aは第15図に示されているように精動モータ93
aの回転力が例えばラック・ビニオンの組合せによりブ
ツシュロッド92aの直線移動に変換される構造となっ
ている。ブツシュロッド92aの軸承は、7字カットの
なされたブロック94aとブツシュロッド92aを上側
から押圧する片持ち状の板バネ95aから形成さ 〜れ
ている。板バネ95aは更にピエゾ素子棒96aで加圧
される構成となっており、ピエゾ素子棒96a K通電
されると、ブツシュロッド92aは板バネ95aを介し
て押圧され、ブロック948 Kクランプされる。97
.97は積層されたピエゾ素子で、粗動機構91aを微
小量前後させる機能を持ち、一端は粗動機構91a I
c同定され、他端は粗微動枠90の外部処固定される。
又以上と同様の粗動機構91b・・・が積層されたピエ
ゾ素子で粗微動枠90の外部に固定される。
次に第16図を使って+l−を微動調整について説明す
る。図中、92a〜92eは粗微動枠90の上段から突
出したブツシュロッドでマスクホルダ70に当接し、9
2f〜92JはF段から突出したブツシュロッドでウェ
ハホルダ47に当接する。即ちブツシュロッド92a 
+!= 92bけマスクホルダ70の一辺に当接し、そ
の対辺にはブツシュロッド92dが当接してマスクホル
ダ70を挾持し、左右の辺には各々92Cと92eが当
接して挾持する。ウェハホルダ47モ同様にブツシュロ
ッド92fとブツシュロッド9211と921が対向し
、又ブツシュロッド92gとブツシュロッド92Jが対
向しで挟持する。
例工ばマスクホルダ70のx、 y、θの調整をする場
合、X方向の調整ではブツシュロッド92Cと926を
若干緩めてブツシュロッド92aと92bの組及びブツ
シュロッド92dを相互に押出し、引き込むことで実現
する。その際、初期状態では粗動モータ93aを駆動し
てブツシュロッド92aを前後させて粗い調整を行った
後、ピエゾ素子棒96aを駆動しブツシュロッド92a
をクランプする。次いで積層されたピエゾ素子97へ通
電すると粗動機構91a全体が微細に前後してマスクホ
ルダ70の位置を精密に位置決めすることができる。ま
たY方向の調整ではブツシュロッド92eとブツシュロ
ッド92Cを相互に押し引きして位置決めすることがで
きる。
一方、θ方向の調整の際はブツシュロッド92cと92
eを若干緩め、ブツシュロッド92aとブツシュロッド
92bの突出量を変えればブツシュロッド92dの先端
を中心にマスクホルダ70は回転するととになる。ウェ
ハホルダ47についても上述と同様の操作で位置調整が
可能である。
(4) プリアライメントおよびファインアライメント
第12図へ戻ってプリアライメント及びファインアライ
メントの説明を行う。まず、マスク着脱位置Cで、マス
クを装着されたマスクホルダ70を粗微動装置88に取
付ける工程が行われる。そのためマスクホルダー・\ン
ド71を一旦)′降させた陵、租做動装は88をマスク
着脱位置Cまで移動させて、粗微動装置88をマスクホ
ルダ70の上方に整合させる。次いでマスクホルダーハ
ンド71をヒ昇させてマスクホルダ70を粗微動装置1
188の粗微動枠90にはめ込み、各ブツシュロッド9
2a〜92eを突出させてマスクホルダ70を挾持する
一方、ウェハロード位置りでウェハチャック50にウェ
ハが装着され、また前述の平行平面出し工僅が終了する
と、照射台46は横移!助し−ル45.45上を移J助
してプリアライメント位置Bに位置する。この時、粗微
動装(樅88は縦移動レール89.89(第13図)に
沿って移動し、プリアライメント位1σBで停[ヒし、
ウェハホルダ47と整合される。
第3図に示された照射台押上げ機構98で。
移動台85の中央に開けられた図示されない開口を通し
て3本の爪をもつ押上げ棒で照射台46を押上げ、照射
台46の基準面46a。
46bを粗微動装置の枠90の基準下面に押付けて高さ
を定めるとともにイコライジングを行う。
第17図はマスクホルダ7・0とウェハホルダ47を図
示されない静電チャックで結合した様子を描いており、
前述した通9ウェハ表面の平行平面出し及びウェハホル
ダ47の上端面65(基準面)からの間隔決定が成され
ているから、マスクホルダ70の下端面(基準面)と正
確に当接させればマスク16の下面とウェハ120表面
は数ミクロン程度の間隔を置いて極ぜt接設定される。
ここで照射台46とウェハホルダ47間のマグネットチ
ャック99は解除され、第16図を使って前述した操作
に従ってマスクとウェハのアライメントが行われる。
ウェハ上のアライメントマークは、ウエハを有効K :
、l−!I用するためにスクライプ線上に配置されるが
、一方、マスクとウェハの最終アライメントは0.1ミ
クロンあるいはそれ以上の精度が要求されるため、本例
では走査型電子顕微鏡を使用して実現される。従って、
アライメントを行う際に電子線でウェハ上のアライメン
トマークを走査することになるが、もし電子線がスクラ
イプ線幅より大きく振れると実素子の形成される領域を
照射する不都合がある。従って、アライメントマークを
占有の区域に配置する場合、あるいは機械的初期設定精
度に比べて実素子間隔が大きく取れる用台を除けば、マ
スクとウェハのアライメント度合を10ミクロンオーダ
ーの誤差に追い込んでおくのが望ましい。
第18図およびd4 t 9図はダリアライメント用の
光学顕微g117の構成を概略的に示した図である。こ
の光学顕微@l 7は、マスク16のアライメントマー
ク21.21を検知する2本の顕微鏡と、ウェハ12上
のアライメントマーク26.26を検知する2本の顕微
鏡とから構成されている(第18図では各々1つのみ図
示)o4本の顕微鏡はそれぞれ対物レンズ系100.結
像レンズ系102.TV撮像装置103を有している。
前述したようにマスクホルダ70とウェハホルダ47は
粗微動装置i88によってそれぞれ独、立に位置調整が
おこなわれ、′−/スク16のアライメントマーク21
.21とウェハ12のアライメントマークは目盛板10
1の基準マークに合わされる。マスクとウェハのプリア
ライメントが終了するとマスクホルダ70とウェハホル
ダ47は靜′シチャックによって一旦結合され、粗微動
装置88のブツシュロード928〜92jケマスクホル
ダ70とウェハホルダ47から離れてこれらを解放する
。続いて照射台押上げ機構98の押上げ棒は下降し、照
射台46を移動台85上に接地させる。
ここで移動台85が照射台46をチャックすると、移動
台85はファインアライメント位置Aまで移動する。そ
の際、粗微動装置88もファインアライメント位置Aに
移動しており、フーアインアライメント位置Aの照射台
押上げ機構104が作動して照射台46を押上げる。押
上げ機構104は例えばカムにより上下する構造を採用
するのが好ましく、そうすれば最も上昇した位置で加速
度が零になるからマスクホルダ70とウェハホルダ47
が急激に衝突することは避けられる。
粗微動装置〃88のブツシュロッド928〜92jが再
びマスクホルダ70とウェハホルダ47ヲ把持し、マス
クホルダ70とウエノ・ホルダ47間及びウエノ・ホル
ダ47と照射計46間の固着用磁力が消去されると、フ
ァインアライメント用電子顕微鏡18によるアライメン
トマークの検知が行われる。
第20図にファインアライメント用日り子顕微鏡18の
概略図を示す。ファインアライメント用電子顕微境18
は独立に作動する4本の走査型電子顕微鏡を有し、この
うち2本はマスク16のアライメントマーク21.21
を検知し、他の2本はマスクホルダ70の窓105を通
してウェハ12のアライメントマーク26.26を検知
する(第20図には各々1本のみ図示)。なおこの窓1
05は照射チャンバ5a、5bでウェハを照射するとき
には閉じられるよう罠なっている。
106は電子銃で電子ビームを発生する。107はコン
デンザーレンズ、1084”i:対物レンズ。
109は2次元方向に電子ビームを振る静電偏向機であ
る。二次元走査電子ビームは基準プレート110のスリ
ットを11シてマスク16おは反射成子検出器Ill 
Kよつ−C検出され、この検出信号に基いてマスク、ウ
ェハのアライメントマークが基準プレート110のスリ
ット中央に位置す0るよう忙移動される。
この際も、粗微動装置88のブツシュロッド92a〜9
2jがマスクホルダ70及びウエハホルダ47の位置を
規制し、各アライメントマークが夫々対応する亀子顕微
鏡の軸に一致させられ、ファインアライメントが終了す
る。
マスクとウェハのファインアライメントが微動装置i8
8のダッシュロッド928〜92jはマスクホルダ70
とウェハホルダ47かう離れてこれらを解放する。ウェ
ハホルダ47と照射台46のチャッキングもおわったら
照射台押上は機構104の押上げ棒は丁降し、照射台4
6を移動台85上に接地させ両者をチャックする。
(5)照射 次に第1図と第2図を便って照射部を説明する。照射部
は他から独立した真空チャンバ中に設置されており、メ
インチャンバ1.サブチャンバ6とは気密仕切弁9,9
とベローズ様の自在継手112.112を介して結合さ
れている。仕切弁9は、1丘常゛開放されているが、例
えば照射部内を修理する必要がある場合、メインチャン
バ1等の他のチャンバの真空を) 114a、 114
bから成り、X#MWl13は第2図の部面に垂直に延
びたターゲラ) 115とその両側斜め上方に配された
長い電子銃116゜116そし7て偏向板117から成
る0偏向板117/fi電子銃116.116で発生し
た電子線を偏向させてターゲラ) 115の底部へ誘導
する機能を持つ。尚、電子銃とターゲットの長さは照射
されるマスクの幅より若干長くなる様に決定されている
114aと114bはそれぞれソーラースリットで、タ
ーゲラ) 115から発生した放射状軟X線の内、平行
な成分を取り出すコリメータの作用を持つ。このソーラ
ースリットは、例えばミリメーター・オーダーの厚さを
持ち。
10ミクロンオーダーの微細穴を無数に具えたガラスあ
るいは金属板で、発生した軟X4I束の内、微細穴を通
過する平行成分以外の成分を遮断する。ソーラースリッ
トは平行の度合に応じて複数個配置され、高解像力が便
求されるマスク程平行性の良い軟X線で照射する様にし
、あまり高い解像力が要5にされないマスクを使用する
扇合は多少平行度を落しても照射部の増加を計り、照明
時間の短縮を計ることができる。118はソーラースリ
ットの切替機構で、ハウジングの外から、高い平行度の
軟X線か得られるソーラースリットl 14aと通常の
平行度の得られるソーラースリット114bを真空を低
下させることなく切替えられる様にしている。
次に87は第12図に描いた中継レールで、仕切弁9と
9の内側で延びており、照射台46がウェハホルダとマ
スクホルダを栄せた豊ま定速で8@するのに役立つ、つ
まりマスクとウェハは極近接状態に保持されたまま、図
]niに垂直な方向へ延びた軟X線の平行束を横切−−
J= a−−> 1−−1−11− 、x +k 7二
り1.へ、−一。
射される。
(6) 照射域移動 照射が完了すると照射台46は照射域移動位11 Fへ
向う。第12図に示す様にもう一つの移動台85が配置
されており、縦拶動レール119.119上を移動し得
る様になっている。
移動台85の上には横移動レール120. 120が設
けられており、移動台85が移動すればそれと共に移動
する。これら部材は気密性のサブチャンバ6内に収納さ
れている0このサブチャンバ6には池にプリアライメン
ト装置およびファインアライメント装置等が設けられて
おり、マスクやウェハの着脱部を除けばメインチャンバ
lと類似の構造になっている。
第12図の第2の移動台85は、照射台46が中継レー
ル87.87の端末に来た時、これらレールの延長上に
横移動レール120.120が整列する位置に静止して
いる。71は第2のマスクホルダーハンドで、前述した
マスクホルダーハント” J−INI jm Vマス々
衆ルi゛70を把持し、ウェハホルダ47から持ち上げ
る機能を持つ。
照射域移動台ftff1 Fには第2のマスクホルダー
ハンド71の池に照射域移動リフトが配置されている。
第21図において照射台46゜横移動レール120.1
20 、 #動台85.縦移動レール119,119は
前述の4りである。これに対し第2の移動台85には中
央に開口があり。
その部分に凹状の取付具121が設けられている。そし
てこの取付具121には積層されたピエゾ素子122a
と122bが取付けられており、その上部には更にソレ
ノイド123aと123bが夫々設けられている。
一方、照射域移動台4Bの底には下面が磁性を有する材
料で作られた吸着&124が支柱、を介して固定されて
おり、支柱はウェハホルダ47と照射台46の底部にあ
けられた開口を直l酉し、まだ吸7iIf版124は開
口中を移動し得る。11μ射域移動台48とウェハホル
ダ47間の4磁力を消去した後、ピエゾ素子122aに
連載するとピエゾ素子は伸長し、ソレノイド123aの
頭部は吸着板124を押し上げるので、照射域移動台4
8はウェハホルダ47から100分の2.3ミlJメー
トル程度離間する。
この段階で、ソレノイド123aを作動させて照射域移
動台48を移動台85に固定し、照射台46を横移動レ
ール120.120に沿って規定電送れば、ウェハホル
ダ47も照射台46と伴に移動するから、照射域移動台
48はウェハホルダ47に対して移動したことKなる。
・即ち照射域が変更されたわけである。
その債、ソレノイド123aへの通献を停止し、次いで
ピエゾ素子122aへの給電をやめれば、ピエゾ素子1
22aは収縮し、照射域移動台48はウェハホルダ47
上に接地する。
再び照射域移動台48とウェハホルダ47を吸着させれ
ば、第2のプリアライメント位置Gへの移動準備が終了
する。尚、もう−組のピエゾ素子122bとソレノイド
l 23bは照射台が2回目に回って来た時の照射域移
動に使用される。以後前述したのと同じ作業が繰り返さ
れる。即ち、マスクホルダ70を不図示の第2の粗微動
装置が把持してプリアライメント位11Gに移動し、そ
の位置で移動台85に果せられたウェハホルダ47と合
体されてプリアライメントされ、ファインアライメント
の後、照射が行われる。
照射域の移動はウェハアンロード位lfHにおいても行
なわれる。第4図に示された125は照射域移動リフト
で、操作は前述したリフトと同様である。第22図Aに
おいてチャンバ7の1面に取付けられた軸126上には
積層されたピエゾ素子127とソレノイド128が債み
III(ねて取付けられている。ピエゾ素子127の伸
長でソレノイド12Bは吸着板124を押上げる。しか
る後車22図Bに示す様に照射台46とウェハホルダ4
7そして移動台85を縦移動レール86に沿って移動さ
せる。その結果、照射!rll g lllb台48の
位14をウェハホルダ47に対して変位させることがで
負る。〃にソレノイド128、ピエゾ素子127への給
電を断ち、照射域移動台48とウニノーホルダ47との
結合を行なう。
前述の実施例では循環路に沿って配置された照射チャン
バ5aと5bはそれぞれ固有のX線管を具備していたが
、1つのX線管から複数の方向を照射し得る構成を備え
た照射チャンバに替えることもできる。
第23図A、Bに於いて、115′はターゲット、11
6′・116′は電子銃である。電子銃116′・11
6′を発した電子線はターゲラ) 115’に当り、軟
X線を発散する。1141と114“はX線発散角内に
配置されたソーラースリットで、その作用は前述と同様
である。但し、ソーラースリット114’。
114′の軸は傾斜しているから、照射台46を内向き
に傾斜させた状態で走査する必要がある。
本例では中継レール87.87の内、内側のレールを中
心に全体を傾斜させられる傾斜台130を設け、照射台
46が横移動レール45から中継レール87に乗り移っ
た処でこれらを傾ける。走査が終了すると再び水平状態
に戻して照射台46が次の横移動レール120に乗務る
のを可能にす&尚、残りのソーラースリット114′の
下を通る搬送路も同様の構成となっており、これらを収
容した照射チャンバをメインチャンバ1とサブチャンバ
6の間に連結すれば転写装置を構成することができる。
又、第1図に示す実施例では、メインチャンバ1とサブ
チャンバ6の間に1個づつ照射チャンバを配したが、各
々2個あるいはそれ以上並べて配置しても良い。この様
にすれば走査速度を速めることが可能であり、あるいは
仮にX線管の1本が故障しても、残りを使って照射工程
を続けることができる。
更にウニ八ロードカセット収納チャンバ2は外界に対し
てメインチャンバ1内の高真空を破らない為のみならず
、外界から搬入されるウェハ表面に吸蔵されていたガス
を十分に放出させるに十分な時間だけ待機させている。
しかしながら、ウェハが前工程のレジスト塗布装置から
、内部を真空に維持され慶大型管内を搬送されて来るの
であれば、チャンバ2は搬送管とメインチャンバ内の真
空度の相違を調定するために使用されるか、あるいは省
略され得る。
以上説明したとおり本発明のX線転写装置においては、
エネルギ発生源とマスクとの間にエネルギを導出させる
窓の様な部材か無いからマスクは極めて有効に照射され
、X線発生源の給電量を減少させあるいは照射時間を短
縮して高スループツトを達成することができる。
他方、本発明ではマスクがX線の平行束で照射されるか
ら、マスクとウェハを平行に維持した状態で照射する場
合でも平行度の設定は著しく緩和され、またマスクの中
心とX線発生源の軸との整合を不要にすることができる
マスクとウェハを一体に保持した状態で走査露光する場
合、複数のマスクを次々に送り込むことができる。特に
複数の照射系を並べて配置し、この照射系の下を順次走
査すれに、走査スピードを増加させ得るなどスループッ
トの向上に効果がある。
また複数の照射系を並べた場合、照射系の一方が故障し
ても、走査速度を低下させれば所定の照射量を与えるこ
とができるから、X線転写装置全体を停止させなくても
済む利点がある。
加うるに1枚のウェハを分割焼付をするから、ウェハの
プロセス歪の悪影響を受け難くなり、またマスクが小型
で済みあるいはエネルギ発生源を小型化し得る効果があ
る。
尚、上述の実施例ではメインチャンバに搬入される前に
、マスクおよびウェハはカセット収納チーVンバの真空
中に電相放置されるから、マスクおよびウェハの吸蔵ガ
スはこのチャンバ内で放出され、従ってメインチャンバ
の真空度が乱されることはない。また、マスクと照射系
のターゲットとの間にはソーラースリットを有する隔壁
が配され、ソーラースリットの開口は極めて微細である
から、ターゲット附近で生じたガスがマスク側に悪影響
を与えることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に従って構成されたX線転写装置の平
面図、 第2図は、第1図のI−■線に沿った図、第6図は、第
1図のト1線に沿った図、第4図は第1図の■−■線に
沿った図、第5図はマスクの平面図、 第6図はマスクとウェハを重ねた状態を示した図、 第7図はウェハ搬入装置の概略図、 M8図はウェハハンドの概略図、 第9図はウェハの平行平面出し機構を説明するための図
、 第10図はウェハ搬出装置の概略図。 第11図はウェハのアンロードを説明するための図、 第12図は移動台および照射台を説明するための図、 第16図は粗微動装置の斜視図、 第14図は粗微動装置の詳細図、 第15図は粗動機構の詳細図、 第16図は粗微動調整を説明するための図、第17図は
マスクホルダとウエハホルダヲ重ネ合せた状態を示した
図、 第18図はプリアライメント用の光学顕微鏡の光学系の
概略図、 第19図はプリアライメント用の光学顕微鏡でマスクと
ウェハのアライメントをしている状態を示した図、 第20図はファインアライメント用電子顕微鏡の概略図
、 第21図は照射域移動位置Fにおける照射域移動を説明
するための図、 第22図AおよびBはそれぞれ、照射域移動リフトによ
るウェハの照射域移動を説明するための図、 第26図AおよびBはそれぞれ、1つのX線源によって
複数のマスクを照射するための構成を示した図、 第24図はX線の強度とエネルギとの関係を示した図で
ある。 1・・−メインチャンノく、2・・・ウェハロードカセ
ット収納チャンバ、6・・・ウェハアンロードカセット
収納チャンバ、4・・・マスクカセット収納チャンバ、
5a、sb−・・照射チャンバ、6・・−サブチャンバ
、12@・−ウェハ、16・・−マスク。 出願人 キャノン株式会社 第5図 第ら図 兜/7図 4&I ・策H8図 第1q図 第20図 ×荊11ネル’v’aωV)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マスクおよび感応体にX線を照射することによっ
    て、マスクに形成されたパターンを感応体に転写するよ
    5に構成されたX線転写装置であって、 マスクおよび感応体に照射すべきX線をだすX線源と、 前記X線源からでたX線をマスクおよび感応体に照射す
    るために、内部にマスクおよび感応体を収容する照射チ
    ャンバと、 真空状態でマスクおよび感応体にX11Mを照射するた
    めに、前記照射チャンバの内部を排気するための排気手
    段と、 を有することを%徴とするX線転写装置。
  2. (2)マスクおよび感応体にX線を照射することによっ
    て、マスクに形成されたパターンを感応体に転写するよ
    5に構成されたX線転写装置であって、 マスクおよび感応体に照射すべきx5をだすX線源と、 前記X線源からでたX線をマスクおよび感応に 体に照射するために、内部マスクおよび感応体へ を収容する照射チャンバと、 真空状態でマスクおよび感応体にX線を照射するために
    、前記照射チャンバの内部を排気するための排気手段と
    、 を有することを特徴とするX線転写装置。
  3. (3)X線のひろがりを制限するための前記手段は1x
    5束の形状を平行になるように制限すること・を特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載のX線転写装置。
  4. (4)マスクおよび感応体KX線を照射することによっ
    て、マスクに形成されたパターンを感応体に転写するよ
    5に構成されたX線転写装置であって、 マスクおよび感応体に照射すべきX線をだすX線源と、 前記X線源からでたX線をマスクおよび感応体に照射す
    るために、内部にマスクおよび感応体を収容する照射チ
    ャンバと、 マスクおよび感応体を照射するX+1i1のひろがりを
    制限するための手段と、 マスクを感応体の一部分に重ね合わせた状態に保持する
    ための手段と) 真空状態でマスクおよび感応体にX線を照射するために
    、前記照射チャンバの内部を排気するための排気手段と
    、 を有することを特徴とするX線転写装置η。
  5. (5)マスクおよび感応体にX線を照射することによっ
    て、マスクに形成されたパターンを感応体に転写するよ
    うに構成されたX線転写装置であらて、 マスクおよび感応体に照射すべきX線をだすX線源と、 前記X線源からでたX線をマスクおよび感応体に照射す
    るために、内部にマスクおよび感応体を収容する照射チ
    ャンバと、 マスクおよび感応体を照射するX線のひろがりを制限す
    るための手段と、 マスクを感応体の一部分に重ね合わせた状態に保持する
    ための手段と、 真空状態でマスクおよび感応体°にX線を照射するため
    に、前記照射チャンバの内部を排気するための排気手段
    と、 マスクおよび感応体にX線を照射させた状態でマスクお
    よび感応体の被照射区域を変えるための手段と、 を有することを特徴とするX線転写装置〇
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