JPS60178631A - X線転写装置 - Google Patents

X線転写装置

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JPS60178631A
JPS60178631A JP59061334A JP6133484A JPS60178631A JP S60178631 A JPS60178631 A JP S60178631A JP 59061334 A JP59061334 A JP 59061334A JP 6133484 A JP6133484 A JP 6133484A JP S60178631 A JPS60178631 A JP S60178631A
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JP
Japan
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mask
wafer
irradiation
chamber
holder
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JP59061334A
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English (en)
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Takuo Kariya
刈谷 卓夫
Yasuo Kawai
河合 靖雄
Masahiko Okunuki
昌彦 奥貫
Susumu Goto
進 後藤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS60178631A publication Critical patent/JPS60178631A/ja
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回路が高度に集積され九半導体デバイスを製
造するためのリングラフイエ和、特に転写工程において
使用されるX@転写装BK−する、 回路の集積度合が高まるに従って回路パターンを構成す
る線の幅はミクロンそしてサブミクロンのオーダーが要
求される様になって来ておシ、これを達成するため回路
パターンを転写する丸めの照射エネルギーも紫外、遠紫
外そして軟x#!と波長が増々短いものが使用されてい
る。
炊x椀を使用したリングラフィ装闇は既に10苑以上に
?iって実用化の努力がかされているが。
今日になっても未だ実用的な半導体デバイス生産用のX
FFQ転写装黄社完成していない、との原因は実用化の
要件である焼付分解能、アライメプ ント精度、スルージット、装置の信頼性、操作性、装置
価格等のバランス又は適正化が不十分なためであると考
えられる。
しかしながらX線転写埃!清を実現するため要件をより
詳細に検討すると、間ニー貝の1つは軟X線の取扱いが
可視光あるいは紫外光に比べて遥かに1月雌な点にある
。周知の1通り軟K 73!!け真空、マ器中で発生さ
せなければならないから、極近装本しくけWI着状態に
置かれたマスクとウェハ上へ軟X線を照射するために真
空容器にべ17 リュウム箔の窓を1して軟X線を導出
させる。ベリリュウムは軟KMを吸収する比率が極めて
小さいため礪げれたものではあるが、容器内の高真空と
マスク及びウェハの置かれた大気圧との気FE差に耐え
られる様に50ミクロン程度の厚さが要求される。ベリ
リウム箔はこの和度の厚さになると軟X線の吸収率が5
0%にもなってしまい不利である。
更にこれに加えて以下の様な稚魚が本件の発明者達によ
って注目され九。@24図は加速した電子線をターゲッ
トに照射して発生させた軟X線の強度(縦軸)とエネル
ギとの関係を示したものである。なめらかな右下がりの
曲線は連続線で、途中突出したピークが特性線である。
特性線はターゲットの材9IK関係する。
ここで約4 KeVより小さい方の側が感材の照射に利
用されるが、破線より左側の領域はベリリュウムで吸収
されてしまうため、実際に照射に利用されるエネルギは
約4 KeVの位置と破線で挾まれた領域に過ぎない。
即ち、軟X線を真空部分から取出す際に大きなエネルギ
ー損失を伴うわけである。
また別の問題の1つは発散性の軟X線でマスクを照射す
ることから生じる。マスクとウェハが極近接状態で維持
され、と終に発散性の軌x。
梓が当たる場合、もし仮りにウニ/Sが傾いたとすると
、マスクとフェノ・が近づいた部位と遠ざかった部位で
はマスク像の寸法が変化する。従って、マスクとフェノ
1の平行度を厳密に維持する必要はあるが、機械的に実
現するのけ著しく困難である、寸だ、発散束で1川射し
た場合、中心部と周辺部でマスク便の寸法が異なる特性
があるから、転写の度に1スクとフェノ・の整合のみな
らず、マスクの中心とxl源の軸とを正確に合わせる必
要がある。
更に他の問題の1つはパターンの転写を終rしたウェハ
にエツチング等の化学処理を施した時にウェハに伸縮が
起きることである。特に、最近ウェハ径の拡大化が著1
7<、6インチあるいは8インチの直径のフェノ・に転
写が行われることが要望されており、フェノ・の伸縮を
無視することはで負ない、このためノくターン像に及埋
すウェハの伸縮の影欅をで%21+Uり少fr くする
必1シがある。
それ放水発明の主要が目的は、xgI源からのエネルギ
をマスクの照射に効果的に利用することができるX線転
写装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、マスクのパターンをウェハへ正確
に転写する際に不都合を及ぼすX線の発散性部分を除去
することができるX線転写装置を提供干ることにある。
本発明の他の目的は、−回の焼付けでパターンを転写さ
れるフェノ・の区域を縮小量ることによってパターン慣
に及ぼすフェノ・への伸縮の影身を可能1艮り少なくす
ることガできるX線転写装置を提供するととKある。
一方、/C空中に物質を放償し九場合、その物質の表面
層に吸蔵されていたガスが放出されるため真空度を著し
く損ない、あるいはX@発生源のターゲット部で発生し
たガスが他の部所に悪影響を与える恐れがあるが、本発
明はこの種の稚点を除去することをも更なる目的として
いる。
次に添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を説
明する。$1図は本発明に従って構成されたx#i!転
写装転写装体的に示した図である。このX線転写装置は
、メインチャンバ1と、メインチャンバ1の両側にそれ
ぞれ配置されたウェハロードカセット収納チャンバ2お
よびウェハアンロードカセット収納チャンバ5と、同じ
くメインチャンバ1の片側にウェハアンロードカセット
収納チャンバ5と並んで配置されたマスクカセット収納
チャンバ4と、照射チャンバ51L、51)と、サブチ
ャンバ6とから構成されている。
メインチャンバ1社、画側にロード用収納チャンバ2お
よびアンミード用収納チャンバ5がそれぞれ連結されて
いる第1のメインチャンバ部分7と、マスク用収納チャ
ンバ4が片側に連結されているりπ2のメインチャンバ
部分8とから49成されている。第1のメインチャンバ
部分7とロート°用収納チャンバ2およびアンロード用
収梢チャンバ3の各々との連結部、並びに第2のチャン
バ部分8とマスク用収納チャンバ4との連結部はそれぞ
れが独立してIIc空伏咽を維持できるように構成され
ている、 照射チャンバsa 、 sbとメインチャンバ1シよび
サブチャンバ6の各々との連結部もそれぞれ真空状態を
維持できるように構成されており、又両者の間には都合
に応じて各チャンバをお互いに隔離するための仕切弁9
が配置されている。
例えば照射チャンバsa、sb内のX線管球を取り砕え
又は修理等の必要が生じた場合には、仕切弁9を閉じて
から作業をおこ々うことによシ他のチャンバ1,6内の
真空状態を維持するととができる。これによね作業後X
線転写装置の作動を再び開始する前に照射チャンバFi
a、5bだけを排気すれば良く、必要な排気時間を極め
て短縮することができる。なお各チャンバ1,2j、4
゜5a、5b、6の好適面には排気用真空ポンプ140
(第2図)と各チャンバを接続するための管10が取り
付けられている。
ここで前述し九チャンバ内に収容されている瑛#甚びに
チャンバ内で行なわれる作業を主要な本のについて第2
図、N3図およびN4図を参照して概略的に説明する。
第4図に示さ引ているようにウェハロードカセット収納
チャンバ2には、X線転写装置によって回路パターンを
転写するために予め面上にフォトレジストを塗布された
複数枚のウェハ12を収納し几カセット13を載做させ
るための装置斤が設けられている。この装置はカセット
15を上下方向へ昇降させることができ、4518枚の
ウニノ1を第1のメインチャンバ部分7内へ順次搬入す
るのに寄与する。
第1のメインチャンバ部分7内には、チャンバ2内のカ
セット15からウェハを一枚ずつチャンバ7内へ搬入す
るための搬入装置kがチャンバ2に近接して配置されて
いる。更にメインチャンバ部分7の憂さ方向中央付近に
はウェハの平行平面出し装置が配置されてお抄、ここで
照射台上に支持されたウニノ・ホルダの基準面に対して
ウェハの表面が平行になるようにウニノーの位置を鯛整
し固定する7又ウエハアンロードカセツト収納チヤンバ
3に近接した第1のメインチャンバ部分7内の位t(で
は、ウェハの全面に回路パターンを転写する工程を終了
し之ウェハを、チャンバ3内へ毫出するための搬出装量
が設けられている。
ここでチャンバ3にはチャンバ2と同じく、ウェハを収
納するカセット14を載置させるための装置が配置され
ている。この装置はカセット14を上下方向へ昇降させ
ることができ、照射作楯を終え九ウェハを一枚ずつカセ
ッ)K収容するのに寄与する。
次に第3図を参照してiスフ収納チャンバ4および第2
のメインチャンバ部分8に関連し九主要な装置、作業に
ついて説明する。1スク収納チヤンバ4はその内部にi
スフカセット15を有し、一方このマスクカセット15
内には複数のマスク16が保持されている。、!!に転
写1桿に従って複数の1スクのうちの任意のマスク16
をマスク取り出し位置へ割り出すために!スフカセット
15を回転させる装置も設けられている、 第2のメインチャンバ部分8内にはマスクチャンバ4に
近接した位置に、マスクをカセットから取り出すあるい
はマスクをカセットへ戻すときに使用されるマスク移動
装置が配置されている、そして@2のチャンバ部分8の
内部上方にはマスクホルダーを保持するための上下動可
能なマスクハンドラがある。第2のチャンバ部分8の長
さ方向中央付近上部にはマスクとウェハの粗い位置合わ
せを行なうためのプリアライメント用光学顕微−17が
取り付けられているや一万第2のチャンバ部分8の上部
にはプリアライメント用光学顕微鏡17と近接し九位置
に、マスクとウェハの精密な位置合わせを行なうための
ファインアライメント用電子顕微鏡18が取り付けられ
ている。更に第2のチャンバ部分8の内側にはチャンバ
部分8の長さ方向に亘って移動できる粗微動装置が配置
され、プリアライメントおよびファインアライメントの
際にはこの粗做vh装置を使用してマスクおよびウェハ
の位置をs?lthさせ、る7 サブチャンバ6に関連した主要な装置および作業につい
ては、マスクをカセットから取ね出すあるいはマスクを
カセットへ戻すと%[使用されるマスク移動後gtを有
していない点を除き、第2のメインチャンバ部分8に関
連して上述し九説明と同樟である。
第2図に示されているとおり照射チャンバ5a。
5bは内部にX線管球を有してお秒、マスクおよびウェ
ハは台にのせられて仁のチャンバを通過するとき移動し
ながら照射される。このときマスクのパターンはウェハ
に転写される。
ここでウェハを4つの照射区域に分割した場合を例にと
って、X線転写装置の全体的な作動を概略的に説明する
第5図にはマスク16の平面図が示されているが、この
マスク16はxF4透過性の基板に回路パターン20お
よび一組のアライメントマーク21をX線非透過性物質
によって形成した本のである。第6図に示されたウェハ
は直交する破線22.25によって照射区域を4つに分
割されている。照射は4つに分割されたウェハの照射区
域のうちの一つとマスク16とを貫ね合わせた状輯で行
なわれ、従ってウニへの全面を照射するために照射工程
を4回実施しなければならない、なおウェハ側にもアラ
イメントマークを予め形成しておいても良く、アライメ
ントマーク24,25.26は各照射区域に一組ずつ形
成されている。
このようにアライメントマーク24,25,275を形
成されたウェハ12はウェハローFカセット13(第4
図)に複数枚重ねて収容されている。
ウェハ12は搬入装置によってチャンバ7内へ一枚ずつ
引き取られた後、ウェハのオリフラ部27が所定の方向
を向くように位電調幣される。
次にウェハを照射台上に支持されたウェハホルダ内へ移
し替え、平行平Wn出しAIIKよってウェハホルダの
基準面に対してウェハの表面が平行で所定の高さになる
ようにウェハ12の位置をW”A整する。その結果ウェ
ハホルダに載せられるマスクホルダによって保持された
マスク16とウェハ12とは対向する而が平行で所定の
間隔になる、 ここでウェハを載せた鼎射台を第2のチャンバ部分8の
中央部プリアライメント位置へ移動させる。
一方、マスクカセット15から取り出され、マスクハン
ドうによって挾持されたマスクホルダーに固着されたマ
スク16は、粗微動装置によってマスクハント0うから
マスクホルダとともに受け堰られる。粗微動装置はマス
クホルダをプリアライメント位置に時期している照射台
上のウェハホルダ上へ持っていき両者を重ね合わせる。
ここでマスク16とウェハ12の第1の照射域との粗い
位置合わせを行ない、続いて一層精密な位置合わせを行
なうために隣接しtファインナライメント位置へ照射台
を移動させる。
このようにして精密に位置合わせされ九マスク16とウ
ェハ12は照射台に乗せられて照射チャンバ5a内へ移
送され、K@J/Cよって走査照射される。なおこのと
きウェハ12は第1の照射域以外が照射されることのな
いように、第2、第5および第4の照射域は遮へいされ
ている。
照射台が照射チャンバ5aを4逼してサブチャンバ6へ
移送されたところで、ウェハの照射域を切り換える。照
射域の切り換え操作によってマスクとウェハの@2の照
射域とを眞ね合わせたら、照射台のプリアライメントb
t [1およびファインアライメント位!Wへ順次移動
させる。
これによってマスクとウェアのNK2Iffl射域との
′咀い位置合わせおよび精密な位置合わせがおこなわれ
る。
次に前述し友のと同様にマスクとウェハは照射台にのせ
られて照射チャンバ5b内へ移送すれ、xsによって走
査照射される。このとき第1、第5および第4の照射域
は遮へいされておゆ、準2の照射域以外が照射されるこ
とはない。
照射台が照射チャンバ51)?!−通過して第2のメイ
ンチャンバ部分8へ移送されたところで、ウェハの照射
域を再び切や換える、このようにして前述の操作を繰り
返し、ウェハの第5および第4の照射域も照射し終わり
、ウェハ全面の照射が完了しえら、第2のメインチャン
バ部分8から第1のチャンバ部分7へ照射台を移動させ
るやそしてウェハの全面K[51路パターンを転写され
たウェハ12は、搬出装置によってチャ/ /< 3 
内のウェハアンロードカセット14に一枚ずつ収容され
る。なおiスフ16の交換の必要があればマスク移動装
置によってマスクをカセット15へ戻し、別のマスクを
カセットから取り出すことができる。
以上一枚のウェハの照射処理について説明したが、本発
明のX線転写装置においては、複数の照射台を使用して
複数枚のウェハ12を平行して照射処理することができ
る。
続いて前述したx#J転写装置の全体的表作動を一層明
確に理解する丸め、重要な項目について以下に詳細に説
明する。
ロード 第4図に示されているように第1のメインチャンバ部分
7の両四部に、フェノSo−ドカセット収納チャンバ2
およびフェノ・アンロードカセット収納チャンバ3がそ
れぞれ連結されている。
ロード用チャンバ2の内部には、予めxHに反応するレ
ジストを塗布した複数枚のウニ/・12を収揮したウェ
ハカセット13を載置するための台SOが設けられてお
り、仁の台SOは昇降装#ろ1によって支持されている
。台とは支持されたカセット15は、ウェハを第1のメ
インチャンバ部分7内へ一枚搬入したらその都度順次垂
直方向下方へ昇降装置51によって降下される。
カセット13から第1のメインチャンバ部分Z内へのウ
ェハの搬入は第7図に示されたウェハ搬入装@52によ
って行なわれる。搬入装置32は、ウェハ12を上面に
載せてカセット15から引き出す合53およびこの台5
3をガイド34に后って水平方向へ摺動さするための摺
動部35を有している。台53上に@資されたウェハ1
2は、摺動部35を移動させるととくよってウェハ押上
げ装MtS6の上方まで移される。押上げ装置t56は
1回転可能なウェハ支承面S7およびこの面から一段下
がった位置に取り付けられたオリフラ検出器58を有し
ている、ここで押上げ装置56を駆動させてウェハ支承
面57を上昇させ、との支承面67によって台S3から
ウェハ12を受けとる、このときウェハ12の位置は、
オリフラ検出器S8を使用しオリフラ27を所定の方向
に向けるように支承面57を回転させて位虐決めされる
押し上げ装置36を駆動させて、上昇した位置に而S7
によって支承されたウェハ12は、第8図に示され九ウ
ェハハンド\40によって周囲を挾持される。この)・
ンド40は、ガイド41に沿って摺動する摺動部42に
連結されておや、又同じく上下動可能な上下シリンダー
43にも連結されている。
ハンド40はウェハ支承面57上方の位置まで摺動部4
2をガイド41に沿って摺動させることにより移動し、
この位INで上下シリンダー43を作動させることによ
り降下させられる。そしてハンv40はウェハ12を支
承面37から受けとった殊再びシリンダー45を作動さ
せて上昇し、同じく摺動部42をガイド41に沿って移
動させることにょ抄、ウェハの平行平面出しに144(
第4図)まで動かされる。
この平行平面出し位置44には、レール45゜45に沼
って移動する照射台46が時期している。、P!T9図
に示されている様にこの照射台46にはその上面にウェ
ルホルダー47が取り付けられており、一方ホルダー4
7の内部にはその底面から上方に向かい順次、照射域移
動台48、球面座49、ウェハチャック5゜が配置#さ
れている。
球面)$49は、球体の中心を含む面から上に 下儲等距離離れた平行な2面で球体を切取った様な形状
をしている、 照射台46およびホルダー47の底部忙はピエゾ素子5
1を挿通させるtめの開口52゜53がそれぞれ形成さ
れている。この開口52゜53は好ましくは3@形成さ
れる。ピエゾ素子51は一ト下動可能な素子支持台54
の上面に好ましくは3本前述の開口に対向して垂直に取
やつけられている。
一方チャック50の底部には棒状突起55が保持されて
おり、開口52.55を通してホルダー47内へ挿通さ
れ九素子51の上端と当接するようになっている。又球
面座49はチャック50に固定されておシ、その周囲に
は球面座49の位置を固定するためのピエゾ素子56が
当接している。
平行平面出し位t44にはメインチャンバ一部分7の上
面に設償さt1九昇降装置57によって上下動するキャ
リブレータ−58が配置されている。このキャリブレー
タ−58は底板59を有し、底板59にはギャップセン
サ−60挿通用開口61およびチャック賦勢段62:l
?114用開口63が形成されている。
ここで前・水したように平行平面出し位@44オでハン
ド40によって運ばれたウェハ12岐、同じく位置44
に時期しているウェハホルダー47とキャリブレータ−
58との間に11″L時することになる。次にヒトシリ
ンダー43を作動させてウェハハンド40をチャック5
0へ向けて降下させ、ウェハがチャック50の上面付近
に通したらハンド40を作動させて・〉エバを解放し、
チャック50の面上に載せる。ウェハ12は静電方式に
よってチャック50に固着される。
/%7ド40はウェハ12をチャック50へ受け渡し友
後上下シリンダー45の作動により上昇し、摺動部42
をガイド41に宿って移動させることによりチャンバ2
の方向へ移される。
このようにしてチャック50の上に固着されたウェハ1
2の平行平面出しの機構について説明するやまず昇降緯
情57を作動させてキャリブレータ−58をその底板5
9の下面がホルダー47の上端某単面65と当接するま
で降下させる。
次に素子支持台54を駆動してピエゾ素子51を開口5
2.55を通して上昇させ、棒状突起55の下端面を突
きあげる、このときギャップセンサー60を用いて、ウ
ェハ12の上面とホルダー47の上端基醜面65との間
隔を測定する。測定の結果に応じて素子51の上下微l
!14整をおこない、ウェハの平行平面出し作業が終わ
つ九ら、素子56を作動させて球面座49の周囲に突き
当て球面座49、従りてチャツク500位電を固定する
続いて昇降装置57を作動させてキャリゾ! レーダー58を上昇位置に、また素子支持台54を作動
させてピエゾ素子を降下位Rまで移動させる。しかる後
ホルダー47をのせ九照射台46は、駆#*t (図示
せず)を作動させることKよ妙し−/I’45.45に
沿って平行平面出し位+144からプリアライメント位
青ヘ欅やする7 次に照射を終rしたウェハのアンロード°について説明
する。ウェハアンミードカセット収納チャンバ3にはウ
ェハロート0カセツト収納チヤンバ2と同じくウェハを
収納するカセット14をatするための台50が設けら
れてお抄、この台30は昇降装f#51によって支持さ
れている。台50上に支持され九カセット14は、第1
のメインチャンバ部分7からウェハを収納した凌垂直上
方へ昇降装置1is1によって順次上昇される。
第1のメインチャンバ部分7からカセット14へのウェ
ハの収容は、第8図に示されたのと同じ構成を有するフ
ェノ・ノ・ンドおよび飢10図に示されたフェノ・(般
出装(dt66を使用することによっておこなわれる。
装置66は、台67+?よび摺@部68を有している。
2g11図に示されているように照射を終了した!−賢
射台46ヒからマスクホルダー70をホルダーハンド7
1によって敗や除いた後、照射台46はレール4F)、
45に沼ってウェハハント°に向かって進み停止する。
ここでハント。
によってウェハチャック50上に載置されたウェハ12
の周囲を挾持し、ウェハ搬出装置66の台67上へ移し
代える0台67上にウェハをのせた状態で摺動部6Bは
ガイド69に宿ってチャンバ3内のカセット14に向か
って進む。以上の手順を峰ね返すことにより照ltを終
えたウェハは順次°アンミードカセット収納チャンバ3
内のカセット14に収容される。
次にマスクのa−ド、アンミードf第3図および第11
図を参照して説明する。
マスクカセット収納チャンバ4内へ収納されたマスクカ
セット15a 、 15t)を、カセットふたあけ!A
+t72を作動させてカセット15の下ぶた15t)を
降下させる。
カセット15は上ぶた151Lと下ぶ71j15t)を
組み合わせた構成を有し、その内部に複数のマスク16
を上ぶた15eL側に磁力で保持している。
マスクのFぶた15Lは回転装f174を駆動すること
により回転可能であり、前述し九複数のマスク16のう
ち所望のものを取り出し位置、収納位置へ割り出すこと
ができる。
チャンバ4の排気は、チャンバ4、ふた75をあけてカ
セット15をチャンバ4内へ収納しふ7t75を閉じた
後排気装置(図示せず)を作動させること釦よって行な
われる。チャンバ4内の真空度が所定の値VC遅し友ら
、閉じていたスライド弁76をあけてマスク移動部材を
ぎ52のメインチャンバ一部分8側よりチャンバ4内へ
挿・鳴させる。1スフ移動部材の先端には、カセットの
上&7t15eL側に磁力で保持されたマスク16を引
き出すつめが形成されている、前記つめを選択された任
意のマスク16に当接させtら上ぶ7j15FLを上ぶ
た昇降@74bを作動させて上昇きせマスク16を上ぶ
た151Lから取り外し、$2のメインチャンバ部分8
内に向かってマスク移動部材を引込め、マスク16をチ
ャンバ4内からメインチャンバ部分8内のマスクステー
ジ77へ移動させる。
マスクステージ77には、マスク16を保持スるための
!スフハンドラフ8およびマスクの位置を検知するため
のマスク位置センサ79、更にはマスクハンドラ78に
よって保持さねぇマスクをその状態で垂直−上方へ押し
−Eげるためのマスク押し上げ装置80が設けられてい
る。
マスクハンドラ78は移動部材上に載せられてステージ
77に位置したマスクを保持し、又一方センサ79によ
i1スクの位置を検知し次結果に応じてマスクの位置ぎ
めをおこなうべく回転することができる、 このようにしてマスクの正確な位置決めが終了し几らマ
スクハンドラ78によってマスク16を保持し、押し上
げ装置80を作動貞せて、マスクハンドラ78を垂直上
方へ移動させる。
ここでセンサ79は水平方向に移動でき、マスクの位置
を検知する際にはハント°う78によって保持さfまた
マスクの上方に位置し、マスクの正確な位置ぎめが終了
した後には再びもとの位置へ引込み、マスクハンドラ7
8の垂直方向への移動にあたって障害とはからない。
マスクステージ77の垂直上方にはマスクホルダーハン
ド71が配置されているいこのマスクホルダーハンド7
1は、マスクホルダ70を両側からはさみつける友めの
当接部材81.81ト、マスクホルダ70を当接部材8
1゜B1の間にはさみつけた状態で上下に移動させるた
めの@部材82.82とから構成されている。この軸部
材R2、R2はメインチャンバー部外8の上部に設置さ
れた昇降袈I凄83によってE丁割させられる、又当接
部材R1,’11は軸部材82,82 K対して回動自
在に連結されてお秒、闇討を終了して送られてくるマス
クホルダー70を受けとる際に回動して、いったんホル
ダー70を一方の当接部材81に対して当接する位rf
tまで通過させる。しかる後、前述のとおり回動してマ
スクホルダ70の移動径路から離れていた当接部材81
を、再び回動させてホルダ70を2つの当接部材81.
81によって挾持する、 このようにしてハンド711Cよって挾持されるマスク
ホルダ70には、1スクハンドラ78によって保持され
た状態で垂直上方へ移動してくるマスクを部分的に収容
するための開口部84と、マスクを磁力で保持するため
に底部に埋設された磁性体とを有している。
従ってハンドラ78によって保持された状態でiスフ押
し上げ装置80によって垂直上方へ#勤してき九マスク
は、1スクホルダ70によって保持され、一方ハンドラ
7Bはマスクを解放して後iスフ押し上げ装置80の作
動により垂直下方へ降下する。
次に前述し九のとは反対にマスクホルダ70によって保
持されているマスク16をマスクカセット15内へ収L
“)する手順について説明する。
まず押上げ装P80を作動させてマスクI〜ント°う7
8をマスクホルダ70の下側に保持されているマスク1
6の近傍まで4動させる。
そしてハンドラ78を作動させマスクの周囲を挾持させ
る、ここでホルダ70の底部に設けられた磁性体を消磁
する。とのようにしてホルダ70からマスクを引きはな
してから押上げ装置80を駆動させて、ハンドラ78に
よって挟持した状IMでマスクを垂直下方に移動させる
、 次に1スフ移動部材の先端に形成され几つめによって、
パッドラフBにより挾持されマスクステージ77に立置
しているマスクを受けとる。このときつめがマスクを受
けとつ几らハント°う78を作動させてマスク751ら
はかわるようにする。この後マスク移I!11部材をチ
ャンバ4内へ挿通するように移動し、カセット15の上
ぶた15aと下ぶ7j15bの間に先端を位@きせる。
ここでカセットの上ぶた15aに設けられた磁性体を使
ってマスク移動部材の先端に位置し之マスク16を上ぶ
た15aの下面に吸着、保持する。
第12図を使って移動台および照射台を説明する。図中
、85は移動台で、縦移動レール86.86上を不図示
の駆動装置により自由に移動する。横移動レール86.
86は移動台85がファインアライメント位置Aとマス
ク着脱位toを移動できる長さになっている。移動台8
5上には横移動レール45.45が固設され、横移動レ
ール45.45上を照射台46が自由に移動する。、横
移動レール45.45の一端は、照射台46がファイン
アライメント位置Aに在る時、中継レール87.87に
接続され、他端は、照射台46が横移動レール上を移動
した時、ウェハミード位置りおよびウェハアンミード位
置Eを占める様に決められている。即ち。
移動台85がプリアライメント位置Bl/(在り、その
位置から照射台46が横移動レール45゜45上を移動
するとウェハロード位@D[逆することができる。又移
動台R5がマスク着脱位fvt0にあり、その位置から
照射台46がL/ −/L/ 45.4F)を移動する
とウェハアンロード位fltlに達する。照射台46上
にマグネットチャックで保持される部材47はウェルホ
ルダで、正方形の窪みが設けられており、照射域移動台
48が窪み中を移動し得る2ウエルホルダ47と照射域
移動台4日の相対移動については後述する、台48上に
はウェハチャック50が設けられていて、ウェハをチャ
ッキングする、 ・、16図(Al移動台85と照射台46の上方には徂
161閾に示す横方向に移動可能な粗微動装置88が配
置さn、る。この粗微動装置88はマスクとウェハをア
ライメントするために使用するもので、横4勅レールF
36.8.’Sと平行に設けらfまた別の横移動レール
R9,R9に案内されて移動する、 814図は粗微動装置t8Bの詳細を描いている。90
は粗微動枠で、横移動レール89゜89が、ij通する
梁から4ケ所で釣り下げられ。
両者の間には衝突エネルギー吸収用王縮バネが挿入され
ていて枠を下方で固定している。
そして枠の内部にマスクホルダ70とウェハホルダ47
が不図示の移動台押上げ機構(詳細は後述)で押上げら
れて進入する。粗微動枠90の外側には積層さj、九ピ
エゾ素子で支えられた粗動機構91a、91b等が設け
られており、粗動機構91a・、・・のブツシュロット
92aは枠90の内部へ突出している、粗動機構91a
は第15[fiK示されているように粗動モータ93a
の回転力が例えばランク・ビニオンの組合せによりブツ
シュロット92にの直線移動に変換される構造となって
いる。ブツシュロット92aの軸承は、7字カットのな
されたブロック941Lとブツシュロット°921Lを
上側から押圧する片持ち状の板バネ951Lから形成さ
れている。板バネ95aは更にピエゾ素子棒9Saで加
圧される借成と々つており、ピエゾ素子t9!9Sa 
K4渭、されると、プツシ10ツド92八は板バネ9F
5aを介して押圧され、ブロック94aにクランプされ
るP97,97は積層されたピエゾ素子で、粗動機構9
1aを微小前前後させる機部を持ち、一端は粗動機構1
aK:同定され、他端は粗g1.動枠90の外部にP4
定される。又以上と同様のffl動枳iP:9 l b
・・・・が積層さtt7t−ピエゾ素子で粗微動枠90
の外部に固定される。
次に@16図を使って’m微動調整について説明する、
図中、926〜92eは1′且微動枠90の上段から突
出したブツシュロッドでマスクホルダ70に当接し、9
2f〜92jは下段から突出L7tブツシュロッドでウ
ェハホルダ47に壱接する。即ちブツクユロツ)” 9
2a ト921)はマスクホルダ70の一辺に当接し、
その対辺にはブツシュロット924が当接してマスクホ
ルダ70を挾持し、左右の辺には各々920と92eが
当接して挾持する。ウェハホルダ47モ同様にブツシュ
ロット092fとプッシュロツ)’92hと921が対
向し、又ブツシュロッド92gとブツシュロッド92j
が対向して挾持する0例えげマスクホルダ70のX、Y
、θの調整をする場合、X方向の調整ではプッシュロツ
)’ 920々92eを若干緩めてブツシュロッド?’
2aと92bの組及びブツシュロッド92aを相互に押
出し、引き込むことで実現する。その際。
初期状態では粗動モータ93#Lを駆動してブツシュロ
ット921Lを前後させて粗い調整を行つ友後、ピエゾ
素子@ 961kを」仙しブツシュロッド92aをクラ
ンプする。次いで積層さtl九ピエゾ素子97へ通電す
ると粗動機1f?91!L全体が微細に前任してマスク
ホルダ70の位置を精密に位置決めすることができる、
またX方向の調整ではブックユロツド92elとブツシ
ュロッド920を相互に押し引きして位置決めすること
ができる。
一方、0方向の調整の際はブツシュロット。
920と920を若干榎め、グツンユロンド92aとブ
ツシュロッド92bの突出背を変えればブツシュロッド
°92(lの先4を中心にマスクホルダ70は回転する
ことになる。ウェハホルダ47についてもヒ述と同様の
操作で位置調整が可能である。
ント 坑12図へ戻ってプリアライメント及びファ1ンアライ
メントの説明を行う。まず、マスク着脱位置Cで、マス
クを装着されたマスクホルダ70を粗微動装置88に取
付ける工程が行われる。そのためiスクホルダーハンド
71を−a下降させた後、粗#動装置1t8Bをマスク
着脱位taまで移動させて、粗微動装置88をマスクホ
ルダ70の上方に整合させる。次いでマスクホルダーハ
ンド71を上昇させてマスクホルダ70を粗微動椹訂8
Bの粗微動枠90にはめ込み、各プッシュロッ)j 9
2a〜92eを突出させてiスクホルダ7oを挾持する
一方、ウェハミーv位jRDでウェハチャック5G[ウ
ェハが装着され、また前述の平行平面出し工程が終了す
ると、照射台46は横移動レール4Fl 、45上を移
動してプリアライメント位置Bに位置する。この時、粗
微動装置88唸縦移動レール89.89 (第15図)
に宿って移動し、プリアライメント位flBで停止し、
ウェハホルダ47と整合される。
第5図に示され几照射台押上げ機構98て、移動台85
の中央に開けられ友図示されない開口を、へして5本の
爪をもつ押上げ棒で照射台46を押上げ、照射台46の
基準面46a。
46bをffl微動装置の枠90の基糸下面に押付けて
高さを定めるとともにイコフィジングを行う。
fi1719dマスクホルダ7oとウェハホルダ47を
図示されないマグネットチャックで結合した様子を描い
ており、前述し九通抄ウェハ表面の平行平面出し及びウ
ェハホルダ47の上′4面65(基準面)からの間隔決
定が成されている力1ら、マスクホルダ70の下端面(
基準面)と正確に当接させればマスク16のF面とウェ
ハ12の表面は数ミクロン程度の間隔をf#匹て極近接
設定される。ここで照射台46とウニ八ホルダ47間の
マグネットチャック99は解除され、@16図を使って
前述し九操作に従ってマスクとウニ/翫のアライメント
が行われる、 ウェハ上のアライメントマークは、フェノ1を有効に利
用するためにスクライブ線−ヒに配置されるが、一方、
マスクとウニ/Sの最終アライメントは0.1ミクσン
あるいはそれ以上の精度が要求される丸め、本例では走
査型電子顕微鏡を使用して実現される。従って、アライ
メントを行う@K il!子線でフェノh上のアライメ
ントマークを走査することになるが、もし電子線がスク
ライブ#幅より太きく振れると実素子の形成される領域
を照射する不都合がある。従って、アライメントマーク
を占有の区域に配置する場合、あるいは機械的初期設定
精度に比べて実素子間隔が大きく取れる場合を除けば、
1スクとウェハのアライメント度合を10ミクロンオー
ダーの誤差に追い込んでおくのが望ましい、 第18図卦よび勇19図はプリアライメント用の光学顕
微鏡17の構成を概略的に示し九図である。この光学顕
微鏡17は、マスク16のアライメントマーク21.2
1を検知する2本の顕微鏡と、ウェハ12上のアライメ
ントマーク26.26を検知する2本の顕微鏡と力1ら
構成されている(、J1a因では各々1つのみ図示)。
4本の顕微鏡はそれぞれ対物し/ズ系1001.m像V
7ズ系102、TVm*装置105を有している。前述
したようにマスクホルダ70とウェハホルダ47は粗微
動装置8BICよってそれぞれ独立に位置調整がお仁な
われ、マスク16のアライメントマーり21.21とウ
ェハ12のアライメントマーりは目盛板1010基準マ
ークに合わされる。マスクとウニ/Sのプリアライメン
トが終了するとマスクホルダ70とウェハホルダ47は
静電チャックによって−a結合され、粗微動装r#88
のブツシュロード92a〜92jけマスクホルダ70と
ウェハホルダ47から離れてこれらを解放する。
続いて照射台押上は機構98の押上げ陣は下降し、照射
台46を移動台85上に接地させる、 ここで(2)動台85が照射台46をチャックすると 
$*h台85はファインアライメントlff1芹Aまで
移動する。その際、粗微動装置88もファインアライメ
ント位置Aに移動しており、ファインアライメント位f
iAの照射台押上げ機構104が作動して照射台46を
押上げる。押上げ機構104は例えばカムによりヒ下す
る構造を採用するのが好ましく、そうすれば管も上昇し
定位置で加速IWが零になるからマスクホルダ70とウ
ェハホルダ47が急激に衝突することは避けらねる。
咀微Wth装慴88のブツシュロッド90〜92jが再
びマスクホルダ70とウェハホルダ47を杷持し、マス
クホルダ70とウェハytc y 147間及びウェハ
ホルダ47と照射台46間の固着用磁力が消去されると
、ファインアライメント用電子顕微鏡18によるアライ
メントマーりの検知が行われる。
第20図にファインアライメント用電子顕微ψ18の概
略図を示す、ファインアライメント用電子顕微鏡18は
独立に作動する4本の走査型電子顕微鏡を有し、このう
ち2本はマスク16のアライメントマーク21.21を
検知し、他の2本はマスクホルダ70の窓105を通し
てウェハ12のアライメントマーり26.26を検知す
る(第20図には各々1本のみ図示)、なおこの窓10
5は照射チャンバ5a。
5bでウェハを照射するときには閉じられるようになっ
ている。
106は電子銃で電子ビームを発生する。
107i1コンデンサーレンズ、108は対物レンズ、
109は2次元方向に電子ビームを根る静M、 lit
向機である。二次元走査電子ビームは基準プレート11
0のスリットを通してマスク16およびウェハ12ヒの
アライメントマークへ向けられる。マスク、ウェハから
の反射電子は反射電子検出器111によって検出され、
この検出信号に基いてマスク、ウェハのアライメント!
−りが基準プレート110のスリット中央に1正置する
ように移動される。
この際、粗微動装置88のブツシュロット92a〜92
5がマスクホルダ70及びウェハホルダ47の位置を規
制し、各アライメントマークが夫々対応する電子櫓微鏝
の軸に一致させられ、ファインアライメントが終了する
やマスクとウェハのファインアライメントが終了すると
マスクホルダ70とウェハホルダ47はマグネットチャ
ックによって結合される。用微動装置8Bのブツシュロ
ット°92a〜92jはマスクホルダ70とウェハホル
ダ47から晴れてこれらを解放する。ウェハホルダ47
と照射台46のチャッキングもおわった照射台押上げ機
構104の押上げ棒は下降し、照射台46を移動台85
上に接地させ両者をチャックする。
(5)照射 次にf41図と第2図を使って照射部を説明する2照射
部は他から独立し九真空チャンバ中に股にされており、
メインチャンバ1、サブチャンバ6とは気密仕切弁9.
9とぺo −ズ様の自在継手112,112を介して結
合されている。仕切弁9は通常開放されているが、例え
ば照射部内を修理する必要がある場合、メインチャンバ
1等の他のチャンバの真をを維持するために閉鎖される
X線照射系はX#管113とソーラースリッ) 114
a、114bから成り、X#管113は第2図の面 に
垂直に延びtターゲット115とその両側斜め上方に配
さt’1.九長い電子銃116,116そして偏向板1
17から成る、偏向板117は電子銃116.11tS
で発生し几電子線を1向させてターゲット115の底部
へ誘導する機能を持つ。
尚、電子銃とターゲットの長さ唸照射されるマスクの幅
より若干長く)る様に決定されている。
114PLと114bはそれぞれソーラースリットで、
ターゲット115から発生した放射状軟X線の内、平行
な成分を取り出すコリメータの作用を持つ、このソーラ
ースリットは、例工ばミリメーター・オーダーの厚さを
持ち、10ミクロンオーダーの(阪細穴を無数に具えた
ガラスあるいは金属板で、発生した軟X線束の内、微細
穴を通過する平行成分以外の成分を遮断する。ソーラー
スリットは平行の度合に応じて複数個配置され、高′@
像力が要求さねるマスク程平行性の良い軟X線で照射す
る様にし、あまり高い解像力が要求されないマスクを使
用する場合は多少平行IIを落しても照射量の増加を計
り、照明時1’lJ1の短縮を計ることができる。11
8はソーラースリットの切埠機構で、ハウジングの外か
ら、高い平行・肥の軟X線が得らねるソーラースリット
114aと通常の平行度の得られるソーラースリット1
14bを真空を低下させることなく切薄えられる様にし
ている。
次に87は@12図に描いた中継レールで、仕切弁9と
9の内側で帆びており、照射台46がウェハホルダとマ
スクホルダを乗せたまま定速で移動するのに役立つ、つ
まりマスクとウェハは極近接状態に保持されたまま、図
面に垂直な方向へ延びた恢X線の平行束を横切って走査
されることになり、マスクは全面照射される。
この照射チャンバ5a内はX線W 115が正常に作動
する程度の真空度、即ちI X 101Torrに維持
されており、照射台46に保持された・マスクとウェハ
も同程度の真空中に青かれることになる、但しマスクと
ウェハが置かれる部所の真空度は、xmの減衰が問題と
ならない程度オで低下させて、排気装置の負荷を減らす
ことができ、その場合I Y 10−” Torrを満
たせば良い。
本例では照射チャンバ5a中のソーラースリットが通気
に対する抵抗として働くから、ソーラースリットよ炒ヒ
側とF側を別々の排気装置で排気すれば、上側の部所は
I X: 10−’TorrKm侍することができる、 照射が完了すると照射台46は11@射#!移動htf
i# Fへ向う。第12図に示す様にもう一つのS軸台
85が配置されており、縦移動レール119.119F
を移動し得る様になっている、(8動台85のヒには横
移動レール120,120が設はられており、件噛台8
5が移動すればそれと共に移1肋する、とわら部材は気
ぞ性のナブチャンバ6内に収納さnている、このナブチ
ャンバ6には他にプリアライメント装置Nおよびファイ
ン°Tライメント装置等が設けられており、マスクやウ
ニl〜の着脱部を1余けはメインチャンバ1と類似の構
為になっている。
第121匁の第2の移動台85は、照射台46が中2・
析レールQ7.87の端末に来た時、これらレールの延
長上に横移やレール120,120が整列する位置に静
+L Lでいる。71は第2のマスクホルダーハントで
、前述したマスクホルダーハント°と同様にマスクホル
ダ70を把持し、ウェハホルダ47から持ち上げる機能
を持つ、 照射城移動立tIFには第2のマスクホルダーハンド7
1の他に照射域移動リフトが配置されている。第21図
において照射台46、横移動レール120,120.移
動台85、縦移動レール119,119は前述の通りで
ある。これに対し第2の移動台85には中央に開口があ
り、その部分に凹状の取付具121が設けられている。
そしてこの取付具121には横1蒔されたピエゾ素子1
22aと122bが取付けられており、その上部には更
にゾレノイド123aと125bが夫々設けられている
一方、照射域移動台4Bの底には下面が磁性を有する材
料で作られた吸着板124が支柱を介してp・1定され
ており、支柱はウエハホルダ47と照射台46の底部に
あけられた開口を貫・へし、また吸着板124は開口中
を移動し得るや照射域移動台48とウェハホルダ47間
のN?a力を消去した後、ピエゾ素子122aに・t1
χするとピエゾ素子は伸長し、ソレノイド1231Lの
開部は吸着板124を押し上けるので、照射域移動台4
8はウェハホルダ47から100分の2,5ミ17メー
トル桿度離間する。
この段階で、ソレノイド123aを作動させて照射域移
動台4Bを惇葡台85に固定し、照射台46を横移動レ
ール120,120に沿って規定滑送れば、ウェハホル
ダ47も照射台46と伴に移・肋するから、照射域移動
台48はウェハホルダ47に対して移動し友ことになる
、FIIJち照射域が変更さn、之わけである。
その俣、フレノイド12鉾への通電を停正し、次いでピ
エゾ素子122aへの給電をやめれば、ピエゾ素子12
2aは収縮し、照射域移動台48はウェハホルダ47上
に接力!4する。
再び照射+4.J4動台4Bとウェハホルダ47を吸着
させれば、第2のプリアライメント位置Gへの移動準備
が終了する。尚、本う一組のピエゾ素子122bとソレ
ノイド125bは照射台が2回目に回って来九時の照射
域移動に使用される。以後前述し友のと同じ作業が繰り
返される。即ち、マスクホルダ70を不図示の第2の粗
fIk勤装置が把持してプリアライメント位&GK移動
し、その位置で移動台85に乗せられたウェハホルダ4
7と合体されてプリアライメントされ、ファインアライ
メントの後、照射が行われる。
照射域の移動はウェハアンロード位置ににおいても行な
われる。第4図に示され九125は照射域移1+++ 
+シフトで、操作は前述したリフトと同様である。第2
2図Aにおいてチャンバ7のF ffi+ K取付けら
t’tた軸126上には積層され次ピエゾ素子127と
ソレノイド128が積み重ねて取付けられている。ピエ
ゾ素子127の伸長でソレノイ)”12Bは吸着板12
4を押上げる。しかる後第22図Bに示す轡に照射台4
6とウェハホルダ47そして移動台85をQI[動レー
ル86に浴って移動させる。その結果、照射域移動台4
Bの位置をウェハホルダ47に対して変位させることが
できる。次に7レノイド128、ピエゾ素子127への
給電を断ち、1積11域移動台4Bとウェハホルダ47
との結合を行なう。
前!水の実施例では循環路に沿って配置されたs5Hチ
ャンバ5aと5bはそれぞわ固有のX線管を具備してい
たが、1つのX線管から複数の方向を照射し得る構成を
備えた照射チャンバに!#えることもできる、 第25図A、B [於いて、115′はターゲット、1
16’、116’)i電子銃である。ぺ子#rllld
’、116’を発し友は子線はターゲット115′に肖
9、恢X娘を発散する。114′と114“はX線発散
角内に配Jされtソーラースリットで、その作用は前・
水と同様である。但し、ソーラースリット114’、1
14“の軸は傾斜しているから、照射台46を内向負に
傾斜させた状郷で紺査する必要がある0本例では中継レ
ールR7,87の内。
内側のレールを中心に全体を傾斜させられる傾斜台13
0を設け、照射台46が横移動レール45から中継レー
ル87に千り移つ丸部でこれらを傾ける。走査が終了す
ると再び水平状態に戻して照射台46が次の横移動レー
ル120に乗移るのを可能にする。尚、残りのソーラー
スリット114“の下f通る搬送路も同様の構成とまっ
ており、とわらを収容した照射チャンバをメインチャン
バ1とサブチャンバ6の間に連結すれば転写装@を構成
することができる、 又、第1図に示す実施↑11では、メインチャンバ1と
サブチャンバ6の開に1個づつ照射チャンバを配し九が
、各々2個あるいはそれ以上並べて配置しても良い。こ
の様にすれば走査速度を速めることが可能であり、ある
いは仮にX#管の1木が故障しても、残りを使って照射
工程を続けることができる。
更にウェハa−ドカセット収納チャンバ2は外界に対し
てメインチャンバ1内の高真空を破らない為のみならず
、外界力1ら搬入されるウェハ表面に吸蔵されていたガ
スを十分に放出させるに十分な時間だけ待機させている
しかしながら、ウェハが前工程のレジスト塗布装置から
、内部を真空に維持された大型管内を重送されて来るの
であわば、チャンバ2は搬送管とメイン千ヤンバ内の真
空度の相違を調定するために使用さするか、あるいは省
略され得る。
ウェハ表面の吸蔵ガスについては、チャンバ2内に加熱
ヒータ141を設はチャンバ2内を加熱することによっ
て一層効率良く放出させることができる。
以上説明したとおり本発明のX線転写装置においては、
エネルギ発生源とマスクとの間にエネルギを導出させる
窓の様な部材が無いからマスクは極めて有効に照射され
、X線発生源の給礪i千を減少させあるいけ照射FPF
liJlを短縮して高スループツトを達成することがで
きる。
他方1本発明ではマスクがX線の平行束で照射されるか
ら、マスクとウェハを平行に維持した状態マ照射する場
合でも平行度の設定は著しく緩和され、を次マスクの中
心とX@発生源の軸との整合を不要にすることができる
マスクとウェハを一体に保持した状態で走査露光する場
合、複数のマスクを次々に送シ込むことができる。特に
複数の照射系を並べて配置し、この照射系の下を順次走
査すれば、走査スピードを増加させ得るなどスループッ
トの向上に効果がある。また複数の照射系を並べた場合
照射系の一方が故障して亀、走査速度を低下させれば所
定の照射量を与えることができるから、X線転写装置全
体を停止させたくて本済む利点がある。
加つるに1枚のウェハを分割焼付をするから、ウェハの
プロセス歪の態形/l[f受は稚くなり、またマスクが
小型で済みあるいはエネルギ発生源を小型化し得る効果
がある、 尚、上述の実施例ではメインチャンバVC#R入される
前に、マスク卦よびウェハはカセット収納チャンバの真
空中に一担放置されるから、マスク卦よびウェハの吸蔵
ガスはこのチャンバ内で放出され、従ってメインチャン
バの真空)・夏がへしされることケ土ない。また、マス
クと照射系のターゲットとの間にはソーラースリットを
有する隔壁が配され、ソーラースリットの開口は極めて
倣祠であるから、ターゲット附近で生じたカスがマスク
側に悪影膚を与えることはない。
更に上水の実施例では、に線管球側を固定し、マスクと
ウェハ側を′s効させてX Sを走査、照射させていた
が、これとは反対にマスクとウェハ側を同定し、X椀管
球側を移動させて、X線を走在、照射させても良いのは
明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
41南は、本発明に従って構成さfl、2X線転写埃f
#の平面1慎、 第2同は fil、1図の1−1椀に溢つt図、筆5図
は、第1図の11−1線に沼つ九図、第4図は第1図の
In−11棟に宿った図、第5図はマスクの平面図、 第61はマスクとウェハを重ねた状態を示した図。 Wc7図はウェハ搬入装置の戦略図。 $ 81Mtiウェハハント°の概略図、筆9図はウェ
ハの平行平面出し機構を説明する念めの図、 第10図はウェハ搬出装置の概略図、 第11図はウェハのアンロードを説明するための図、 第12図は移動台および照射台を説明するための図、 第15園は粗微動装置の斜視図、 第14図は粗微動装置の詳細図、 第15図は粗動機構の詳細図、 第16図は粗微動調整を説明するための図、g17図は
マスクホルダとウェハホルダを重ね合せた状態を示した
図、 第18図はプリアライメント用の光学顕微鏡の光学系の
概略図、 第19図はプリアライメント用の光学顕微鏡でマスクと
ウェハのアライメントをしている状利を示した図、 第20図はフ゛Tイン°アライメント用電子顕微鏡の概
略図、 第21図は照射域移動位置Fにおける照射域移動を説明
するための図、 2バク2図AおよびBはそれぞれ、照射域移動リフトに
よるウェハの照射域移動を説明するための図、 @23図AbよびBはそれぞれ、1つのX線源によって
複数のマスクを照射するための構成を示し九四、 第24図はX@の強度とエネルギとの関係を示した図で
ある。 1 ・・・メインチャン/く 2・・・ウニハロ〜ドカセット収納チャンバ3 ・・・
ウェハアンロードカセット収納チャンバ4 ・・・マス
クカセット収納チャンバ5a、5b・・・照射チャンバ 6・・・サブチャンバ 12・・・ウェハ 16・・・マスク 出願人 キャノン株式会社 第5図 穿痒引堝 第7図 /2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) ウェハ搬入機構、マスク搬入機構および搬入さ
    れたマスクとウェハとの相対的な位置合わせを行なうた
    めのアライメント機構を備えたメインチャンバと、 照射エネルギをだす照射源を端え7を照射チャンバとか
    ら成るX線転写装@6 (2) 前記照射チャンバは各々が独立して真空状聾を
    維持できるようにメインチャンバに連結される、特許請
    求の範囲@1項記載のX線転写装置、 (5) 11i1記照射チヤンバを少なくとも2つ以上
    有量る、特許請求の範囲第1項記載のXll;1転写体
    置、 (4) 照射チャンバは直列式にI<[!+ftされる
    、特許請求の範囲第3項記載のX線転写装置。 (勺 照射チャンバは並列式に配置される、特許請求の
    範囲第3項記載のX線転写装置。 る、前記し良特許請求の範囲のうちのいずれか1項に記
    載のx11転写装情。 (7) メインチャンバと照射チャンバとを着脱自在に
    連結する連結手段を有する、前記した特許請求の範囲の
    うちのいずれか1項に記載のX#転写装置。
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