JPS60177277A - 集積回路の特性試験方法 - Google Patents
集積回路の特性試験方法Info
- Publication number
- JPS60177277A JPS60177277A JP59032326A JP3232684A JPS60177277A JP S60177277 A JPS60177277 A JP S60177277A JP 59032326 A JP59032326 A JP 59032326A JP 3232684 A JP3232684 A JP 3232684A JP S60177277 A JPS60177277 A JP S60177277A
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- JP
- Japan
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- circuit
- circuits
- state
- integrated circuit
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野Ｊ
本発明は半導体集積回路の特性試験方法に係シ。
％妃、集積回路の一般的試験では検出不可能な素子欠陥
を有する不良品を検出するに好適な集積回路の特性試験
方法に関する。
を有する不良品を検出するに好適な集積回路の特性試験
方法に関する。
〔発明の背景Ｊ
従来の半導体集積回路の電気的特性を測定する試験では
、各論理回路毎に個々の直流特性、交流特性を測定し、
これ等の測定結果によシ集積回路の特性の良否を判定し
て因る。直流特性試験では静的動作状態における入出力
端子での電圧、電流レベルを測定し、交流特性試験では
動的動作状態における入出力端子での伝搬遅延時間を測
定して騒る。そして、これ等の測定結果によシ、設計。
、各論理回路毎に個々の直流特性、交流特性を測定し、
これ等の測定結果によシ集積回路の特性の良否を判定し
て因る。直流特性試験では静的動作状態における入出力
端子での電圧、電流レベルを測定し、交流特性試験では
動的動作状態における入出力端子での伝搬遅延時間を測
定して騒る。そして、これ等の測定結果によシ、設計。
製造上に基本的欠陥を有する集積回路を検出しこれを排
除するようにしている。しかし、前記試験方法は直流特
性を動的動作状態において測定するものではなく、各論
理回路相互間に働く影響を検知することができないため
に、実装段階で誤動作する虞のある論理回路を有する集
積回路を検出してこれを排除することができな−という
不具合がある。斯かる不具合は、集積回路の大型化、動
作スピードの高速化、高密度集積化、アナログとデジタ
ルの混在化等に伴い、寄生素子等による同一チップ内の
各論理回路間の相互の影響やノイズに基づくトラブルと
して顕在化してきている。
除するようにしている。しかし、前記試験方法は直流特
性を動的動作状態において測定するものではなく、各論
理回路相互間に働く影響を検知することができないため
に、実装段階で誤動作する虞のある論理回路を有する集
積回路を検出してこれを排除することができな−という
不具合がある。斯かる不具合は、集積回路の大型化、動
作スピードの高速化、高密度集積化、アナログとデジタ
ルの混在化等に伴い、寄生素子等による同一チップ内の
各論理回路間の相互の影響やノイズに基づくトラブルと
して顕在化してきている。
本発明の目的は、実用動作状態で該動作を起こす虞のあ
る集積回路を検出する集積回路の特性試験方法を提供す
ることにある。
る集積回路を検出する集積回路の特性試験方法を提供す
ることにある。
氷見Ｆ３Ａは、集積回路内の一つの論理回路を非動作状
態にし、残りの論理回路を動作状態にせしめ。
態にし、残りの論理回路を動作状態にせしめ。
非動作状態にした論理回路の出力端子に現れる電圧或Ｖ
ｉ電流を測定するよう姉なしたことを特徴とする。
ｉ電流を測定するよう姉なしたことを特徴とする。
そして、この測定した電圧或は電流が論理回路を駆動す
る電圧或は電流レベルを超える場合には集積回路は動作
状態で誤動作する虞があると判定できる。
る電圧或は電流レベルを超える場合には集積回路は動作
状態で誤動作する虞があると判定できる。
以下本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して説
明する。
明する。
第１図は被測定用の半導体集積回路１の回路図を示し１
本実施例では同一チップ内に複数のナンド（ｒｑ Ａ
Ｎ Ｄ ）回路ＡＩ ｒ Ａ２ ＋’・・、Ａｎが集積
されて込る。
本実施例では同一チップ内に複数のナンド（ｒｑ Ａ
Ｎ Ｄ ）回路ＡＩ ｒ Ａ２ ＋’・・、Ａｎが集積
されて込る。
ナンド回路Ａ、を非動作状態にするために、即ち、ナン
ド回路Ａ、の出力端子Ｃ１に論理レベル「０」が現われ
るようにするために、入力端子Ｂ。
ド回路Ａ、の出力端子Ｃ１に論理レベル「０」が現われ
るようにするために、入力端子Ｂ。
に「１」レベルの電圧を印加しておく。そして、他の全
ての論理回路、即ちナンド回路Ａ２ｒ・・・＋Ａｎを動
的動作状態にするために、ナンド回路Ａ２．・・・。
ての論理回路、即ちナンド回路Ａ２ｒ・・・＋Ａｎを動
的動作状態にするために、ナンド回路Ａ２．・・・。
Ａｎの入力端子Ｂ２．・・・、Ｂｎをマルチ接続状態に
してクロック２に接続し、出力端子ｃ２．・・・、ｃｎ
け開放状態とする。このように、クロックバＡ／ ス（
ｗ 号によシナンド回路Ａ２．・・・、Ａｎを動作させ
ているときに、ナンド回路Ａ、の出力端子Ｃ７に現れる
電圧或は電流を測定器３で測定する。
してクロック２に接続し、出力端子ｃ２．・・・、ｃｎ
け開放状態とする。このように、クロックバＡ／ ス（
ｗ 号によシナンド回路Ａ２．・・・、Ａｎを動作させ
ているときに、ナンド回路Ａ、の出力端子Ｃ７に現れる
電圧或は電流を測定器３で測定する。
第２図に第１図のクロック２のパルス波形とナンド回路
Ａ、の出力端子Ｃ１に現れるノイズ波形との関係を示す
。
Ａ、の出力端子Ｃ１に現れるノイズ波形との関係を示す
。
第２図（ａ）に示すクロックパルスがナンド回路Ａ２．
・・・、Ａｎに印加されると、このパルスの立上シ１２
や立下Ｊ７１５に対して、出力端子Ｃ２には第２図（ｂ
）に示すようにこの立上り１２．立下シ１３に対応した
ノイズ１４．１５が発生する。
・・・、Ａｎに印加されると、このパルスの立上シ１２
や立下Ｊ７１５に対して、出力端子Ｃ２には第２図（ｂ
）に示すようにこの立上り１２．立下シ１３に対応した
ノイズ１４．１５が発生する。
このノイズ１４．１５が被測定集積回路１の動的特性に
係わる不具合である。即ち、このノイズ１４゜１５の波
形は集積回路の回路設計、レイアウト、寄生素子、クロ
ストーク等の設計・製造技術に依存スるものでおり、こ
のノイズ１４．１５のレベルが論理回路のしきｂ値を超
えると次段に接続される論理回路は誤動作することにな
る。
係わる不具合である。即ち、このノイズ１４゜１５の波
形は集積回路の回路設計、レイアウト、寄生素子、クロ
ストーク等の設計・製造技術に依存スるものでおり、こ
のノイズ１４．１５のレベルが論理回路のしきｂ値を超
えると次段に接続される論理回路は誤動作することにな
る。
従って、上述のノイズのレベルが所定値以上になる集積
回路を排除すれば、動作状態でのみ誤動作が住じる素子
を排除することができる。
回路を排除すれば、動作状態でのみ誤動作が住じる素子
を排除することができる。
本発明によれば、高集積化、微細化、多機能化等が進ん
だ集積回路でも、動作状態でのみ誤動作するものを容易
に検出でき、これを排除することができる。
だ集積回路でも、動作状態でのみ誤動作するものを容易
に検出でき、これを排除することができる。
第１図は本発明の試験方法の一実施例を適用した測定回
路の回路図、第２図はクロックパルスとノイズとの関係
を説明する図である。 １・・・被測定集積回路、Ａ、 用非動作ゲート、Ａ２
・・・Ａｎ・・・動作ゲート、Ｂ、・弁動作ゲート入力
端子、３２〜Ｂｎ川動作ゲート入カ端子Ｉ Ｃ，・・・
非動作ゲート出力端子、０２〜ｃｎ・・・動作ゲート出
方端子、２・・・動作クロック、３・・・弁動作ゲート
出方測定器、１２°゛クロック立上り、１３・・・クロ
ック立下ｐ、１４・・・クロック立上シのノイズ、１５
・・クロック立下漫のノイズ。
路の回路図、第２図はクロックパルスとノイズとの関係
を説明する図である。 １・・・被測定集積回路、Ａ、 用非動作ゲート、Ａ２
・・・Ａｎ・・・動作ゲート、Ｂ、・弁動作ゲート入力
端子、３２〜Ｂｎ川動作ゲート入カ端子Ｉ Ｃ，・・・
非動作ゲート出力端子、０２〜ｃｎ・・・動作ゲート出
方端子、２・・・動作クロック、３・・・弁動作ゲート
出方測定器、１２°゛クロック立上り、１３・・・クロ
ック立下ｐ、１４・・・クロック立上シのノイズ、１５
・・クロック立下漫のノイズ。
Claims (1)
- 複数の論理回路を同一チップ内に集積した半導体集積回
路の特性試験方法において、前記複数の論理回路のうち
任意の一つの論理回路を非動作状態にし、他の論理回路
を動作状態にして前記非動作状態にした論理回路の出力
電圧或は電流を測定することを特徴とする集積回路の特
性試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032326A JPH0660930B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 集積回路の特性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032326A JPH0660930B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 集積回路の特性試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177277A true JPS60177277A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0660930B2 JPH0660930B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=12355815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032326A Expired - Lifetime JPH0660930B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 集積回路の特性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660930B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006274556A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Nippon Koki Kk | 吊り下げ式伸縮扉 |
| KR101013442B1 (ko) | 2007-04-13 | 2011-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적 회로의 전압 측정 장치 및 이를 포함하는 전압측정 시스템 |
| JP2011095102A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Advantest Corp | 測定装置および試験装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59032326A patent/JPH0660930B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006274556A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Nippon Koki Kk | 吊り下げ式伸縮扉 |
| KR101013442B1 (ko) | 2007-04-13 | 2011-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적 회로의 전압 측정 장치 및 이를 포함하는 전압측정 시스템 |
| US8013593B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-09-06 | Hynix Semiconductor Inc. | Voltage measuring apparatus for semiconductor integrated circuit and voltage measuring system having the same |
| JP2011095102A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Advantest Corp | 測定装置および試験装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660930B2 (ja) | 1994-08-10 |
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