JPS60172969A - インダゾ−ル誘導体の製造法 - Google Patents

インダゾ−ル誘導体の製造法

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JPS60172969A
JPS60172969A JP59026111A JP2611184A JPS60172969A JP S60172969 A JPS60172969 A JP S60172969A JP 59026111 A JP59026111 A JP 59026111A JP 2611184 A JP2611184 A JP 2611184A JP S60172969 A JPS60172969 A JP S60172969A
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JP
Japan
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formula
compound
group
general formula
lower alkyl
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Pending
Application number
JP59026111A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Kawakubo
弘 川久保
Kazunori Yamataka
山高 一則
Kentaro Fukuzaki
福崎 顕太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
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Publication date
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  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、治療掌上新規かつ有用な、一般式(11)で
表わされるインダゾール誘導体(式中、nは1から6の
整数でおC1Qは水素原子、低級アルキ低級アルキル基
またはフェニル基であるか、もしくはR1,几2のうち
一方が水素原子、もう一方が低級アルキル基まだはフェ
ニル基である。環式の場合は、窒素原子とともに5個も
しくは6個の炭素原子を有する飽和複素環、または窒素
原子の他に酸素原子またはイオウ原子とともに4個の炭
素原子を有する飽和複素環である。)の製造法に関する
ものである。
一般式(1りで表わされる化合物は、炎症状態を軽減し
、酸性非ステロイr系抗炎症薬の消化管の潰瘍形成性副
作用を抑制する能力を有する点で特に1曲イ直がある。
従来、一般式(n)で表わされるインダゾール誘導体は
、側鎖に対応する臭化物(一般式(ホ)、式中、n 、
 R1,IL2は一般式(IN)と同様である。)によ
る、3−アミノインダゾール誘導体(一般式(財)。式
中、Qは一般式(U)と同様である。)のアルキル化反
応を経て合成されていだが、副生成物として一般式(1
均で表わされる化合物(式中、n + Q + ”1 
+ IIL2は一般式(n)と同様である。)も生成し
く生成比は一般式(■)ニ一般式(n’) #3 : 
11、かつ、両者の分離精製は非常に困難であった(特
開57−54175、式1) (式1) 本発明者らは上記の如き問題点につき鋭意検討した結末
、出発原料としてチオアミド誘導体を使用し、かつ還元
手段として′1解還元を用いることにより、^収率で、
しかも副生成物なしに目的物を得られることを見い出し
、本発明を完成した。
本発明はかかる知見に基づいたもので、副生成物もなく
、高収率で一般式(11)で示すインダゾール誘導体の
製造法を提供することを目的としている。
すなわち、上記目的を達成した本発明のインダゾールめ
導体の製造法は、一般式(1)(式中、nは1/ハら6
の整数であり、(0,は水素原子、低級アルキル基、フ
ェニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、〕・ロゲケン
子またはγミノ基であル基でめるか、もしくは几l、几
2のうち一方が水素原子、もう一方が低級アルキル基ま
たはフェニル基である。環式の場合は、窒素原子ととも
に5個もしくは6個の炭素原子を有する飽和複素環、ま
たは窒素原子の他に酸素原子またはイメウ原子とともに
4個の炭素原子を有する飽和複素環である。)を、溶媒
の存在下で電極還元し、一般式(■)(式中、’ + 
Q + J+ ttzは一般式(すと同様である。)、
のインダゾール誘導体を製造することを%徴としている
ちなみに、本発明者らの知見によれば、出発原料として
対応するアミド訪導体を選択し、その電極還元を試みて
もじゅうぶんではない。一方、チオアミド誘導体を別法
で還元しても、比較例(式2)に示すように満足いく収
率は得られず(II)の収率41兄、本発明の目的は達
成されない(式2)。
(式2) 次に本発明の実施の態様を詳述する。
まず、出発原料となるチオアミ)4誘導体(一般式(■
))は、新規な化学物質であり、下記の如く2通りの方
法で入手できる。
n = 2の場合は、一般式GV)(式中、Qは一般式
(1)と同様である。)とアクリル酸エチルを反応させ
て一般式(■の化合2力を得(式3)、これに用させた
後玉硫化リンで処理することにより得ることができた。
(式4) (式3) P、S。
(式4) ここで、一般式(資)で示される3−アミメインダゾー
ル@導体は、U、 B、 Kwartler et、 
al、 、 J、 Am。
Ohem、 Soc、、 65 、1804(1943
)に記載されている方法に従い、以前に検討されている
一般的合成法によって容易に製造される。また、一般式
(転)とアクリル酸エチルの反応はHo1ley et
、 al、 、 J、 AmOhem、 Soc、 、
 71 、2124 (1949)、H<7.すと一般
式(■の反応は0.F、I−1,AIIen eL a
l、 org、 Syn、、 Uoll。
vol、 pJ 、 80(1963)、一般式■の五
トイこ化リンとの処理はに、1udler、 K 、 
Ann 、 431 、187 (1923)に各々記
載されている方法に従った。
またn = 2以外の場曾一般式夏の別途合成法として
次の方法がある。
導体■を得た(式5)。これと一般式■の化合物を反応
させて (式5) これと一般式(財)の化合物を反応させてアミr誘導体
(一般式(110を1+j 、さらに五硫化リンと処理
することによって、一般式■へと導くことができた(弐
6)。
(弐6) N、0.V、Sonnlag、 Ohem、Rev、、
 52 、237(1953)、一般式(転)の化合物
とアミr誘導体■の反応は、WillseneL al
、、 ory、 syn、、 Ca11. vol、 
1 、102(1941)に記載されている方法に従っ
た。
このようにして容易に得られた出発化合物(1)を溶媒
の存在下で電極還元することにより、一般式(H)で表
わされるインダゾール訪導体を得ることができる(式7
)。
(式7) 電極還元は、一般的に用いられている手法に従って行う
が、出発原料のチオアミド誘導体が固体であるため、溶
媒は必ず必資である。
本発明において、電流密度は1.25〜5OA、/dm
”の範囲が望ましいが、I 5 A/dm2以上の場合
は、生成したインダゾール誘導体(一般式(n))の分
解も同時に若干進行する。従つ′〔,1,25〜12.
5 k/dmミその中でも1.25〜5 、 OA/d
 mZの範囲で行うことが最も望ましい。
また、系中に支持電解質が共存しない場合でも反応は進
行するが、副生成物が生成してしまうため、支゛持1k
L解質共存下での反応が望ましい。支持電解質は、有機
化合物系、無機化合物系いずれでもよい。
無機化合物系支持電解質を用いた場合、先に述べたチオ
アミド誘導体(一般式(1))の溶解性の問題から、有
機化合物系支持電解質を用いた場合に比べていずれも収
率は低下する。しかし、無機化合物系の中でも、ハロゲ
ン化物、硝敵塩、硫酸塩を用いた場合にはある程度の収
率で目的物を得ることができる。たとえば、環化リチウ
ム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化リチウム、臭
化ナトリウム、臭化カリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化
ナトリウム、ヨヮ化カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸カ
リウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、塩化カルシウ
ムなどが望ましい。
一般式(1)の水溶液への溶解性2増大させるためには
有機化合物系の方が望ましい。その中でも第四級アンモ
ニウム塩水溶液を用いた場合、顕著な効果が見られる。
たとえば、硫酸メチルテトラメチルアンモニウム、硫酸
エチルテトラエチルアンモニウム、フッ化テトラ−n−
ブチルアンモニウム、硫酸エチルエチルトリーn−ブチ
ルアンモニウム、硫酸ビステトンエチルアンモニウム、
水酸化テトラ−n−ブチルアンモニウム、水酸化N −
ベンノルトリメチルアンモニクム、臭化テトラ−n−ブ
チルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニクム、な
どが実用的であるが、そ扛らの中でも、立体的にこみ合
いの少ない、より小さなアルキル基を鳴する第四級アン
モニウム頃化合物を用いた場合、目的物であるインダゾ
ール誘導体(一般式(■))の収率は大きく向上する。
反応温度は、5〜95℃の範囲が望ましいが、収率の点
で、10〜40℃の範囲が最も望ましい。
また電極として、鉛、カドミウム、水銀のいずれを用い
ても目的とするインダゾール誘導体(一般式(■))が
44)られるが、収率の点で鉛が最も望ましい。
W 応m Hについては、ジビニルベンゼン−スチレン
−ブタジェン共重合ポリマーをスルホン化して得られた
陽イオン父換膜などの隔膜で陽極と陰極をし切って反応
を行うが、その際、陽極溶媒は10〜80V/V%の無
機酸水溶液が望ましい。さらに10〜30V/V%の無
機酸水浴液、たとえば硫酸、塩酸が最も望せしい。陰極
溶媒としては、一般式(1)で表わされるチオアミド誘
導体が塩基性を有するため、3〜80V/V%の硫酸、
塩酸などの無機酸水溶液が望ましい。さらに、副生成物
の生成による収率低下を避けるうえで、5〜20 V 
/V%の無機酸水溶液が最も望ましい。これら無機酸水
溶液にジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
酢酸、メタノール、エタノール、ジメチルアセトアミド
、ゾロノゼノ・−ル、n−ブタノールなどの極性有機溶
媒が共存しても反応は進行する。
また、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、メタノール、エタノールと水の
混合溶媒中、つまり中性溶媒中でも反応は進行する。
以上、本発明により、治療宇土有用なインダゾール誘導
体を高収率、かつ副生成物なしで得ることができ、さら
に、低コスト、安定性及び取扱い易さの点から、工業規
模的生産への適用がしゆうぶん期待さnる。
また、本法により合成された新規インダゾール誘導体と
しては、たとえば次のようなものを挙げることができる
1) 3−(3−(2,6−ジメチルピペリジノ)−ゾ
ロビルアミン〕イングゾール +1)3−(3−ジエチルアミノゾロビルアミノ)イン
ダゾール 1i1)3−(a−モルホリノプロピルアミノ)インダ
ゾール +V)3−(2−ピペリジノエチルアミノ)インダゾー
ル V)3−(6−ピペリジノへキシルアミノ)インダゾー
ル Vl)3−(3−ジエチルアミノゾロビルアミノ)−5
−クロロインダゾール vii)a−(2−ジエチルアミノゾロビルアミノ)−
5−メチルインダゾール vi++) 3−(3−モルホリノゾロビルアミン)−
5−フェニルインダゾール 1x)a −(3−ジエチルアミノゾロビルアミノ)−
5−メトキシインダゾール X)3−(7−モルホリノゾロルアミン)インダゾール XD3−(7−ジニチルアミノヘプチルアミン)−5−
クロロインダゾール xii)3−(6−ピペリジノへキシルアミノ)−5−
エチルインダゾール xni) 3− (4−ピペリジノエチルアミノ)イン
ダゾール 次に実施例により本発明をさらに評細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。
〈実施例1〉 反応装置に関しては、電解槽は容量LoomlのHWセ
ル、電極は鉛(4cIn”)、陽極溶媒は20V/V%
硫酸、隔膜はジビニルベンゼン−スチレン−ブタジェン
共重合ポリマーをスルホン化して得ら扛だ陽イオン交換
膜を用いた。
陰極側反応容器に3−(3−(2,6−ジメチルピペリ
ジノ)−3−チオゾロピオニルアミノ〕インダゾール0
.38f、濃硫酸2.5mlを加え、溶けるまで攪拌し
た。
水47.5rm、硫酸エチルテトラエチルアンモニウム
水溶液(24、5W/W%)20ゴを加え、14時間、
反応温度27〜30℃、電流密度2 、5 A/d m
2により電極還元を行った。
反応液を水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調Mした
後、クロロホルム60m1で3回抽出した。
クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を貿去すると、3−(3−(2,6−ジメチルピ
ペリジノ)プロピルアミンクインダゾール0.311の
白色結晶を得た(収、496.0%)。
IR4KBr、cyn’) : 3310,3210,
3030,1630゜1550 。
NMR(UDOIs 、 δ ) : 1.2o(d 
、611) 、 1.39(口+ 、6H)2.30 
(m 、 21() 、 2.80(m 、 214)
 、 3.80(q、2Il)4.23 (t 、 2
H) 、 7.20 (m 、 4H)M、S、(m/
e) ’、 286(M”) 、 1.74 、146
 、132 、112元素分析値(%) 理論値 実測値 0 : 71.29 71.36 H: 9.15 9.31 N : 19.56 19.49 〈実施例2〜8〉 電流密度を50〜1.25 A/dm2の範囲で変化さ
せる以外は実施例1と全く同様にして、3−(3−(2
,6−ジメチルピペリジノ)−3−チオゾロビ嵜オニル
アミノ)〕インダゾールの電極還元を行い、以下に示す
ような収率で3−(3−(2゜6、−ツメチルピペリジ
ノ)プロピルアミノコインダゾールを得た。結果を表1
に示した。
以下余白 表 1 〈実施例9〜18〉 ・ 支持電解質を用いないか、あるいは他種類の有機系
、無機系支持電解質を用いる以外は実施例1と全く同様
にして、a−(3−(2,6−シメチルピベリジノ〕−
3−チオゾロピオニルアミノ〕インダゾールの電極還元
を行い、以下に示すような収率で3−Ca −(2、6
−)メチルピペリジノ)プロピルアミン〕インダゾール
を得り。結果を光2に示した。
表 2 〈実施例19〜21> 反応温度を5〜95℃の範囲で変化させる以外は、実施
例1と全く同様にして、3−(3−(2,6−クメチル
ピペリジノ)−3−チオプロピオニルアミノコインダゾ
ールの電極還元を行い。以下に示すような収率で3−(
3−(2,6−シメチルビー’? 1J ジノ)プロピ
ルアミン〕インダゾールを得た。結果を表3に示しだ(
表3)。
衣 3 〈実施例22〜29〉 1 陰極溶媒を種々変化させる以外は、実施例1と全く
同様にして3−(3−(2,6−シメチルビペリジノ)
−3−チオプロピオニルアミノコインダゾールの電極還
元を行い、以下に示すような収率で3−〔3−(2,6
−ノメチルビペリジノ)プロピルアミ/〕インダゾール
を侍た。結果を表4に示した。
以下余白 表 4 〈実施例30〜34〉 反応原料として他のチオアミドを用いる以外は実施例1
と全く同様にして電極還元を行い、以下に示すような収
率でそれぞれ対応するインダゾール誘導体を得た。結果
を表5に示した。
以ト余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 H(1 (式中、nは1から6の整数であり、Qは水素原子、低
    級アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ
    基、ハロゲン原子またはアミ剪、几、はともに水素原子
    、低級アルキル基またはフェニル基であるか、もしくは
    几1+R2のうち一方が水素原子、もう一方が低級アル
    キル基またはフェニル基である。環式の場合は、蟹素原
    子とともに5個もしくは6個の炭素原子を有する飽和複
    素環、または窒素原子の他に酸素原子またはイオウ原子
    とともに4個の炭素原子を有する飽和複素環である。)
    を、溶媒の存在下で電極還元し、一般式(II) H(11) (式中、”IQ+南、鳥は一般式(りと同様であ、る。 )のインダゾール誘導体を製造する方法である。
JP59026111A 1984-02-16 1984-02-16 インダゾ−ル誘導体の製造法 Pending JPS60172969A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028720A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-10 Pharmacia Italia S.P.A. Aminoindazole derivatives active as kinase inhibitors, process for their preparation and pharmaceutical compositions containing them

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