JPS60169182A - 半導体レ−ザ保護方式 - Google Patents
半導体レ−ザ保護方式Info
- Publication number
- JPS60169182A JPS60169182A JP2409284A JP2409284A JPS60169182A JP S60169182 A JPS60169182 A JP S60169182A JP 2409284 A JP2409284 A JP 2409284A JP 2409284 A JP2409284 A JP 2409284A JP S60169182 A JPS60169182 A JP S60169182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- counter
- output
- comparator
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体レーザ出力制御装置におけろ半導体レー
ザ保護方式に関する。
ザ保護方式に関する。
（従来技術）
半導体レーザの光出力は温度に対し゛Ｃ非常に不安定で
ある為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下では
何らかの手段により半導体レーザの光出力を安定化する
必要がある。レーザプリンタの光源として使われている
半導体レーザのｉｔ小出力制御する装置にはカウンタを
用いる方式がある。
ある為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下では
何らかの手段により半導体レーザの光出力を安定化する
必要がある。レーザプリンタの光源として使われている
半導体レーザのｉｔ小出力制御する装置にはカウンタを
用いる方式がある。
牙１図はこの方式ケ採用したレーザブリックの一例を示
す。
す。
この例では半導体レーザ１より発生したレーザビームは
コリメータレンズ２Ｖｃよりコリメートされて回転多面
鏡６で偏向され、ｆθ し／ズ４により感光体ドラム５
の帯電された表面に結像されてその結１象スポットが回
転多面鏡６の回転で矢印Ｘ方向に反復して移動すると同
時に感光体ドラム５が回転する。光検出器６は清報書込
み領域外に設けられ、回転多面鏡６で偏向されたレーザ
ビームを検出して同期信号を発生する。信号処理回路７
は情報信号な半導体レーザ駆動回路ａ ＶＣ印加するが
、そのタイミングを光検出器６かもの同期信号により制
御する。半導体レーザ枢動回路８は信号処理回路７から
の情報信号に応じて半導体レーザ１を駆動し、したがっ
て情報信号で変調されたレーザビームが感光体ドラム５
に照射されて静電潜１オが形成される。この静電潜１砂
は現１象器で現像されて転写器で紙等に転写される。ま
た半導体レーザ１かも後方に出射されるレーザビームは
光検出器９Ｖｃ入射してその光強度が検出され、制御回
路１Ｕ が光検出器９の出力信号に応じて半導体レーザ
駆動回路８を制御して半導体レーザ１の出力光量を一定
に制御する。
コリメータレンズ２Ｖｃよりコリメートされて回転多面
鏡６で偏向され、ｆθ し／ズ４により感光体ドラム５
の帯電された表面に結像されてその結１象スポットが回
転多面鏡６の回転で矢印Ｘ方向に反復して移動すると同
時に感光体ドラム５が回転する。光検出器６は清報書込
み領域外に設けられ、回転多面鏡６で偏向されたレーザ
ビームを検出して同期信号を発生する。信号処理回路７
は情報信号な半導体レーザ駆動回路ａ ＶＣ印加するが
、そのタイミングを光検出器６かもの同期信号により制
御する。半導体レーザ枢動回路８は信号処理回路７から
の情報信号に応じて半導体レーザ１を駆動し、したがっ
て情報信号で変調されたレーザビームが感光体ドラム５
に照射されて静電潜１オが形成される。この静電潜１砂
は現１象器で現像されて転写器で紙等に転写される。ま
た半導体レーザ１かも後方に出射されるレーザビームは
光検出器９Ｖｃ入射してその光強度が検出され、制御回
路１Ｕ が光検出器９の出力信号に応じて半導体レーザ
駆動回路８を制御して半導体レーザ１の出力光量を一定
に制御する。
牙２図は上記半導体レーザ駆動回路８及び制御回路１Ｕ
を詳細に示す。
を詳細に示す。
半導体レーザ１から後方に出射されたレーザビームはフ
ォトダイオードよ・りなる光検出器９に入射し、フォト
ダイオード９はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器１１により電圧に変換さ
れ、比較器１２で基準電圧Ｖｒｅｆ と比較される。比
較器１２の出力電圧は比較器１２０両入力電圧の大小関
係により高レベル又は低レベルとなりアップダウ／カラ
／り１６のカウントモードを制御する。例えば半導体レ
ー′＋１１からのレーザビームの強度が基準値より弱い
時には比較器１２の出力が低レベルになり、アップダウ
／カウンタ１６はアノプカウノタとして動作する状態と
なる。タイミング信号Ｔ、［よりエツジ検出回路１４
がアップダウンカウンタ１６へのイネーブル信号を解除
すると、アップダウ／カウンタ１３は発振器１５かもの
クロック信号によりその計数値が増加して行く。このア
ップダウ／カラ／り１３の計数出力はデジタル／アナロ
グ変換器１６でアナログ量に変換されて半導体レーザ駆
動回路８に入力される。
ォトダイオードよ・りなる光検出器９に入射し、フォト
ダイオード９はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器１１により電圧に変換さ
れ、比較器１２で基準電圧Ｖｒｅｆ と比較される。比
較器１２の出力電圧は比較器１２０両入力電圧の大小関
係により高レベル又は低レベルとなりアップダウ／カラ
／り１６のカウントモードを制御する。例えば半導体レ
ー′＋１１からのレーザビームの強度が基準値より弱い
時には比較器１２の出力が低レベルになり、アップダウ
／カウンタ１６はアノプカウノタとして動作する状態と
なる。タイミング信号Ｔ、［よりエツジ検出回路１４
がアップダウンカウンタ１６へのイネーブル信号を解除
すると、アップダウ／カウンタ１３は発振器１５かもの
クロック信号によりその計数値が増加して行く。このア
ップダウ／カラ／り１３の計数出力はデジタル／アナロ
グ変換器１６でアナログ量に変換されて半導体レーザ駆
動回路８に入力される。
半導体レーザ駆動回路８は信号処理回路７かもの情報１
ら号により半導体レーザ１を駆動するか、その駆動電流
をデジタル／アナログ変換器１６の出力に応じて変化さ
せる。したがってアップダウ／カウンタ１６の計数値が
徐々に増加することにより半導体レーザ１からのレーザ
ビームの強度が徐々に増加し、増幅器１１の出力を増加
する。そして比較器１２の出力が低レベルから高レベル
に反転すると、エツジ検出回路１４が比較器１２の出力
の立上りエンジを検出してアップダウ／カラ／り１３Ｖ
ｃイネ一ブルイ１号を加える。よってアップダウ／カウ
ンタ１６はイネーブル状態になってその計数値を保持し
、従って半導体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま
保持される。次にタイミング信号Ｔ１Ｖｃよりエツジ検
出回路１４がアップダウ／カラ／り１６のイネーブル状
態を解除すると、比較器１２の出力が高レベルであれば
（半導体レーザの出力強度が強ければ）アップダウ７カ
ウンタ１６はダウ７カウ／りとして動作し発振器１５か
らのり０．７り１ぎ号により計数値が減少して行く。よ
ってデジタル／アナログ変換器１６の出力が減少して半
導体レーザ１の駆動電流が減少し、増幅器１１の出力が
減少する。そして増幅器１１の出力が基準電圧Ｖｒｅｆ
より小さくなって比較器１２の出力が高レベルから低
レベルに反転すると、エツジ検出回路１４は比較器１２
の出力の立下り工７ノジを検出してアップダウ７カウン
ク１６ をイネーブル状態にする。したがってアップダ
ウ／カラ／り１６が計数値な保持することになり、半導
体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま保持される。
ら号により半導体レーザ１を駆動するか、その駆動電流
をデジタル／アナログ変換器１６の出力に応じて変化さ
せる。したがってアップダウ／カウンタ１６の計数値が
徐々に増加することにより半導体レーザ１からのレーザ
ビームの強度が徐々に増加し、増幅器１１の出力を増加
する。そして比較器１２の出力が低レベルから高レベル
に反転すると、エツジ検出回路１４が比較器１２の出力
の立上りエンジを検出してアップダウ／カラ／り１３Ｖ
ｃイネ一ブルイ１号を加える。よってアップダウ／カウ
ンタ１６はイネーブル状態になってその計数値を保持し
、従って半導体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま
保持される。次にタイミング信号Ｔ１Ｖｃよりエツジ検
出回路１４がアップダウ／カラ／り１６のイネーブル状
態を解除すると、比較器１２の出力が高レベルであれば
（半導体レーザの出力強度が強ければ）アップダウ７カ
ウンタ１６はダウ７カウ／りとして動作し発振器１５か
らのり０．７り１ぎ号により計数値が減少して行く。よ
ってデジタル／アナログ変換器１６の出力が減少して半
導体レーザ１の駆動電流が減少し、増幅器１１の出力が
減少する。そして増幅器１１の出力が基準電圧Ｖｒｅｆ
より小さくなって比較器１２の出力が高レベルから低
レベルに反転すると、エツジ検出回路１４は比較器１２
の出力の立下り工７ノジを検出してアップダウ７カウン
ク１６ をイネーブル状態にする。したがってアップダ
ウ／カラ／り１６が計数値な保持することになり、半導
体レーザ１の駆動電流の大きさがそのまま保持される。
この場合エツジ検出回路１４はタイミング信号Ｔ１ に
よりアップダウ／カウンタ１６のイネーブル状態を解除
して比較器１２の出力が低レベルから高レベルに反転し
た時にのみアップダウ／カラ／り１３なイネーブル状態
にするように構成しておけば比較器１２の出力が低レベ
ルでタイミング信号Ｔｊ ｖｃよりアップダウ／カラ／
り１６のイネーブル状態か解除されている時に比較器１
２の出力か低レベルから高レベルに反転すると、アップ
ダウ／カウンタ１３はイネーブル状態になって計数値る
′保持する。比較器１２の出力か高レベルでタイミング
（、ｉ″号Ｔ１ によりアップダウ／カウンタ１６のイ
ネーブル状態が解除されている時に比較器１２の出力が
高レベルから低レベルになると、アップダウ／カラ／り
１３はイネーブル状態が解除されたままで比較器１２の
出力によりアノプカウノタとして回１作することになる
。そして半導体レーザ１の駆動型ｊＪ］１・。
よりアップダウ／カウンタ１６のイネーブル状態を解除
して比較器１２の出力が低レベルから高レベルに反転し
た時にのみアップダウ／カラ／り１３なイネーブル状態
にするように構成しておけば比較器１２の出力が低レベ
ルでタイミング信号Ｔｊ ｖｃよりアップダウ／カラ／
り１６のイネーブル状態か解除されている時に比較器１
２の出力か低レベルから高レベルに反転すると、アップ
ダウ／カウンタ１３はイネーブル状態になって計数値る
′保持する。比較器１２の出力か高レベルでタイミング
（、ｉ″号Ｔ１ によりアップダウ／カウンタ１６のイ
ネーブル状態が解除されている時に比較器１２の出力が
高レベルから低レベルになると、アップダウ／カラ／り
１３はイネーブル状態が解除されたままで比較器１２の
出力によりアノプカウノタとして回１作することになる
。そして半導体レーザ１の駆動型ｊＪ］１・。
が増加し比較器１２の出力が高レベルから低レベルに反
転すると、エツジ検出回路１４がその立下りエツジを杉
・ｊ出してアップダウ７カウ／り１３？イネーブル状態
にしその計数値な保持させる。ここに半導体レーザ駆動
回路８．増幅器１１及び比較器１２を含む回路１Ｚは±
１２ Ｖが矛１の直流電源より印加され、アノプダウノ
カウノタ１６．エツジ検出回路１４゜発振器１５及びデ
ジタル／アナログ変換器１６は＋５Ｖが牙２の直流電源
より印加される。また半導体レーザが使用されるレーザ
プリ／り等では環境温間の変化がゆるやかであり半導体
レーザとその取付金具の熱容量の影響で半導体レーザの
出力変動は短時間では無視できる。このため上記クイミ
／グＩｉｊ号Ｔ＋ に例えばレーザプリンタの記録開始
毎のグリ／トスタート信号又は′酸源投入時のパワーオ
／リセット信号を用いることにより半導体レーザの出力
変動を少なく押えて高品知の記録向１！ ＆得ることが
できる。またレーザを使用した機器は安全規格によりレ
ーザビームが人間の目に入らないようにしなければなら
す、レーザプリッタでは」二カバー等が開けられること
によりインターロックスイッチで上記牙１の直流′電源
を切るようになっている。
転すると、エツジ検出回路１４がその立下りエツジを杉
・ｊ出してアップダウ７カウ／り１３？イネーブル状態
にしその計数値な保持させる。ここに半導体レーザ駆動
回路８．増幅器１１及び比較器１２を含む回路１Ｚは±
１２ Ｖが矛１の直流電源より印加され、アノプダウノ
カウノタ１６．エツジ検出回路１４゜発振器１５及びデ
ジタル／アナログ変換器１６は＋５Ｖが牙２の直流電源
より印加される。また半導体レーザが使用されるレーザ
プリ／り等では環境温間の変化がゆるやかであり半導体
レーザとその取付金具の熱容量の影響で半導体レーザの
出力変動は短時間では無視できる。このため上記クイミ
／グＩｉｊ号Ｔ＋ に例えばレーザプリンタの記録開始
毎のグリ／トスタート信号又は′酸源投入時のパワーオ
／リセット信号を用いることにより半導体レーザの出力
変動を少なく押えて高品知の記録向１！ ＆得ることが
できる。またレーザを使用した機器は安全規格によりレ
ーザビームが人間の目に入らないようにしなければなら
す、レーザプリッタでは」二カバー等が開けられること
によりインターロックスイッチで上記牙１の直流′電源
を切るようになっている。
しかしこのレーザプリ／りの半導体レーザ出力制御装置
にあってはインターロックスイッチで＋１２ｖ の直流
電源か切られた場合アップダウ７カウ／り１３はイネー
ブル状態でなければ比較器１２の出力が低レベルのまま
であるから計数値がどんどん増加してしまい、その後に
インターロックスイッチが復帰して＋１２ｖ の直流電
源か入った時には半導体レーザ１は大きな電流が流れて
破壊してしまう。
にあってはインターロックスイッチで＋１２ｖ の直流
電源か切られた場合アップダウ７カウ／り１３はイネー
ブル状態でなければ比較器１２の出力が低レベルのまま
であるから計数値がどんどん増加してしまい、その後に
インターロックスイッチが復帰して＋１２ｖ の直流電
源か入った時には半導体レーザ１は大きな電流が流れて
破壊してしまう。
（目 的）
本発明はカウンタを用いた半導体レーザ出力制御ｌＩＩ
装置において半導体レーザ駆動回路の電源か入切されて
も半導体レーザの破壊を防止１−ることかできる半導体
レーザ保護方式を提供することを目的とする。
装置において半導体レーザ駆動回路の電源か入切されて
も半導体レーザの破壊を防止１−ることかできる半導体
レーザ保護方式を提供することを目的とする。
（構 成）
以下図面な参照しながら本発明を実症例に基づき説明す
る。
る。
牙６図は本発明を応用した半導体レーザ出力制御装瞳の
一例を示す。
一例を示す。
この例は前述したレーザプリンタにおいて上記±１２Ｖ
の直流電源が投入された時にリセット回路１９でリセ
ット信号を発生させこのリセット信号をインバータ２０
を介してアップダウ７カウ／り１６に加えてこれをリセ
ットするようにしたものである。したがってインク−ロ
ックスイッチで＋１２ｖの直流電源が切られてアップダ
ウ７カウ、ンタ１ろノ！＋ 数値カ増加してもインター
ロックスイッチの復帰で＋１２ｖ の直流電源が入った
時はアップダウ／カウンタ１６がリセットされ、半導体
レーザ１は大きな電流が流れなくなって破壊しなくなる
。
の直流電源が投入された時にリセット回路１９でリセ
ット信号を発生させこのリセット信号をインバータ２０
を介してアップダウ７カウ／り１６に加えてこれをリセ
ットするようにしたものである。したがってインク−ロ
ックスイッチで＋１２ｖの直流電源が切られてアップダ
ウ７カウ、ンタ１ろノ！＋ 数値カ増加してもインター
ロックスイッチの復帰で＋１２ｖ の直流電源が入った
時はアップダウ／カウンタ１６がリセットされ、半導体
レーザ１は大きな電流が流れなくなって破壊しなくなる
。
牙４図は上記リセット回路１９を示し、牙５図はそのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
リセット回路１９はトラフジスクン１．ツエナーダイオ
−トン２．コンデンサ２５及び抵抗２４〜２７よりなり
、＋１２ｖ の直流電源が入った時にはその１２Ｖ が
抵抗２４及びコンデンサ２３により積分されてこの積分
出力かツェナーダイオード２２によと）基準電圧Ｒｅｆ
（２〜３Ｖ）Ｋ達するまでトランジスタ２１がオフし高
レベルのリセット信号な出力する。
−トン２．コンデンサ２５及び抵抗２４〜２７よりなり
、＋１２ｖ の直流電源が入った時にはその１２Ｖ が
抵抗２４及びコンデンサ２３により積分されてこの積分
出力かツェナーダイオード２２によと）基準電圧Ｒｅｆ
（２〜３Ｖ）Ｋ達するまでトランジスタ２１がオフし高
レベルのリセット信号な出力する。
なお、本発明は上記実症例に限定されるものではなく、
カラ／りを用いた他の半導体レーザ出力制御装置でも半
導体レーザ駆動回路の電源が切れた時にカウンタの計数
値が大きくなり、またこのカウンタの計数値に応じた駆
動直流を半導体レーザ駆動回路の半導体レーザに流すも
のであれ一同様に本発明を用いることができる。
カラ／りを用いた他の半導体レーザ出力制御装置でも半
導体レーザ駆動回路の電源が切れた時にカウンタの計数
値が大きくなり、またこのカウンタの計数値に応じた駆
動直流を半導体レーザ駆動回路の半導体レーザに流すも
のであれ一同様に本発明を用いることができる。
（効 果）
以上のように本発明によればカウンタを用いた半導体レ
ーザ出力側側１装＃において半導体レーザ駆動回路の電
源が入った時にカラ／りｔ″リセツトるので、半導体レ
ーザは大きな電流が流れなくなって破壊しなくなる。
ーザ出力側側１装＃において半導体レーザ駆動回路の電
源が入った時にカラ／りｔ″リセツトるので、半導体レ
ーザは大きな電流が流れなくなって破壊しなくなる。
之・１図はレーザプリ／りの一例を示す系統図、オン図
は同レーザプリンタの一部を示すブロック図、牙６図は
本発明を応用した半導体レーザ出力制御装置の一例を示
すブロック図、牙４図はりセソト回路の一例を示す回路
図、矛５図は同リセット回路のタイミングチャートであ
る。 １・・・半導体レーザ、８・・・半導体レーザ駆動回路
、９・・・光検出器、１２・・比較器、１６・・・カウ
ンタ、１６・・・デジタル／アナログ変換器、１９・・
・リセント回路。 虎５ イ１ 処？ Ｘ
は同レーザプリンタの一部を示すブロック図、牙６図は
本発明を応用した半導体レーザ出力制御装置の一例を示
すブロック図、牙４図はりセソト回路の一例を示す回路
図、矛５図は同リセット回路のタイミングチャートであ
る。 １・・・半導体レーザ、８・・・半導体レーザ駆動回路
、９・・・光検出器、１２・・比較器、１６・・・カウ
ンタ、１６・・・デジタル／アナログ変換器、１９・・
・リセント回路。 虎５ イ１ 処？ Ｘ
Claims (1)
- 半導体レーザの光出力を検出する光検出器と、この光検
出器の出力信号を基準信号と比較する比較器と、この比
較器の出力信号により制御されるカラ／りと、このカラ
／りづカウント出力をアナログ量に変換するデジタル／
アナログ変換器と、このデジタル／アナログ変換器の出
力信号に比例した電流を前記半導体レーザに流す半導体
レーザ駆動回路とな有し前記半導体レーザ駆動回路が前
記カウンタとは別個に矛１の直流電源により給電される
半導体レーザ出力制御装置において、前記〕・１の直流
′６源の投入時にリセット信号な発生して前１カウンタ
′をリセットするリセット手段を備えた半導体レーザ保
護方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409284A JPS60169182A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザ保護方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409284A JPS60169182A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザ保護方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169182A true JPS60169182A (ja) | 1985-09-02 |
Family
ID=12128733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2409284A Pending JPS60169182A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザ保護方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116260U (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-23 | ||
| US4734914A (en) * | 1985-03-15 | 1988-03-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Stabilized laser apparatus |
| WO1998018184A1 (en) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Maxim Integrated Products, Inc. | Laser diode having smooth enable apc circuit |
| JP2007308190A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sharp Corp | 薄型電子機器用梱包構造及びそれに用いられる緩衝材 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP2409284A patent/JPS60169182A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4734914A (en) * | 1985-03-15 | 1988-03-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Stabilized laser apparatus |
| JPS62116260U (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-23 | ||
| WO1998018184A1 (en) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Maxim Integrated Products, Inc. | Laser diode having smooth enable apc circuit |
| US5802089A (en) * | 1996-10-22 | 1998-09-01 | Maxim Integrated Products, Inc. | Laser diode driver having automatic power control with smooth enable function |
| JP2007308190A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sharp Corp | 薄型電子機器用梱包構造及びそれに用いられる緩衝材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4856011A (en) | Semiconductor laser control circuit | |
| JP2575614B2 (ja) | 光出力安定化装置 | |
| JPS61175656A (ja) | 半導体レ−ザの出力制御装置 | |
| JPH0127623B2 (ja) | ||
| JPS63199372A (ja) | レーザプリンタ用光学ユニットの異常伝達装置及びレーザプリンタ | |
| JPS62281485A (ja) | 半導体レ−ザの出力制御装置 | |
| US4618958A (en) | Device for controlling the radiating output of a semiconductor laser | |
| JPS60169182A (ja) | 半導体レ−ザ保護方式 | |
| JPS60171863A (ja) | 半導体レ−ザの出力制御装置 | |
| JPH0363073B2 (ja) | ||
| JPS61174787A (ja) | 半導体レ−ザ保護方式 | |
| JP3255295B2 (ja) | 画像露光装置 | |
| JPS60169179A (ja) | 半導体レ−ザの異常処理装置 | |
| JPS62273863A (ja) | 発光素子アレイの出力制御装置 | |
| JPS63273380A (ja) | レ−ザ出力制御装置 | |
| JPS60170280A (ja) | 半導体レ−ザの出力制御装置 | |
| JPH07221377A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP2672527B2 (ja) | 半導体レーザ出力調整装置 | |
| JP2665219B2 (ja) | 半導体レーザアレイの出力制御装置 | |
| JP3511627B2 (ja) | 画像露光装置 | |
| JPS6065659A (ja) | 半導体レ−ザ光源装置 | |
| JPS6327162A (ja) | 半導体レ−ザアレイ出力制御装置 | |
| JPS61109371A (ja) | 半導体レ−ザの出力制御装置 | |
| JPH05259544A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPS61258486A (ja) | レ−ザ−駆動装置 |