JPS60163141A - シミユレ−タ - Google Patents

シミユレ−タ

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Publication number
JPS60163141A
JPS60163141A JP59017732A JP1773284A JPS60163141A JP S60163141 A JPS60163141 A JP S60163141A JP 59017732 A JP59017732 A JP 59017732A JP 1773284 A JP1773284 A JP 1773284A JP S60163141 A JPS60163141 A JP S60163141A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
value
change
simulation
storage means
Prior art date
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Pending
Application number
JP59017732A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Koike
小池 誠彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59017732A priority Critical patent/JPS60163141A/ja
Publication of JPS60163141A publication Critical patent/JPS60163141A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/26Functional testing
    • G06F11/261Functional testing by simulating additional hardware, e.g. fault simulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、論理装置のシミーレータに関する。
(従来技術〉 論理装置の開発において設計・製造上の誤り全発見する
ために実際の装置をうごかす前から論理シミュレーショ
ン全行って論理の検査をすることが一般的となっている
従来のソフトウニアシくユレーシ冒ンでは処理速度が遅
く、装置の規模が大きくなると、時間がかかりすぎるた
め近年、八−ドウヱアにより処理速度の向上と処理容量
の拡大をはかることが行われつつある。
ハードウェアの特徴を生かすために同時並列処理を行う
ことが重要である。並列処理は、次の2つにおいて行わ
れる。ひとつは、シミュレーション対象の素子を複数の
ハードウェアで分担する。
もうひとつは、素子のシミュレーション処理を複数のハ
ードウェアで分担する方式である。この両方の並列性全
利用することが一般的である。
しかし、並列処理を行うと各素子の論理演算とそれによ
る状態変化にともなう素子の状態更新が同時に行われる
ために、各素子の各時点での入出力状態の論理[直に矛
盾が生じないように制御する必要がある。従来性われた
方式は■論理素子の処理の順番を素子の配線の順番に行
う、■状態更新と論理演算が重ならない順番にする9等
の方式があるが従来の方式では、順番をそろえて処理を
行うためにハードウェア間で同期待時間の損失があり、
十分なハードウェアの並列性を生かすことができずシミ
ュレーション回路をそこなうという欠点がある。
(発明の目的) 本発明の目的はこの様な従来の欠点を除去せしめ装置の
論理ノミュレーシ目ンを高速に行うシミュレータを提供
することにある。
(発明の構成) 本発明の装置はシミュレーション対象の素子の状態値を
素子毎に記憶するilの記憶手段と、前記素子の状態変
化fili’r素子毎に記憶する第2の記憶手段と、前
記第1の記憶手段と前記第2の記憶手段とをシミュレー
ションサイクルごとに初めから順次アクセスするための
アドレスを発生するアドレス発生手段と、前記アドレス
で示される前記第1の記憶手段および第2の記憶手段の
記憶位置から前記素子に対する状態fi&と変化1直と
を読み出し前記素子に対する状態変化後の新しい状態値
を計算し前記第1の記憶手段の状態匝全前記新しい状態
1直によυ更新しさらに前記第2の記憶手段の変化値を
0で更新する読出し演算更新手段と、前記読出し演算更
新手段により読み出された状態値から前記素子の論理シ
ミュレーションを行い状態変化データ全出力するシミュ
レーション手段と。
前記状態変化データで示されるアドレスと前記アドレス
発生手段から供給されるアドレスの値と全比較し前記ア
ドレス発生手段から供給されるアドレスの値の方が大き
いが等しいときは、前記第1の記憶手段の状態Ill前
記状態変化データにより更新しそれ以外のときは前記第
2の記憶手段の変化値を前記状態変化データにより更新
する更新手段とを含んで構成される。
(実施例) 次に本発明の一実@例について図面を参照して詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。第
1図のシミーレータは状態メモリlと。
変化メモリ2と、カウンタ3と、取出し回路4と。
シミュレータ1フ回路5と、更新回路6とにより構成さ
れている。
取出し回路4はカウンタ3のカウント値18で示される
、状嘘メモリlのロケ−7ヨンから7ミユレーシヨン対
象の素子の状5lilO’r読出す。
同時に変化メモリ2から変化+[i11’(r読み出し
、取出し回路4は、新しい状態値12を計算し状態メモ
IJ 1へ書込む。この時変化メモリ2へは“0”なる
変化fil:l書込む。次に取出し回路4は、カウンタ
3ヘカウント信号16t−出しながら次々と素子の状態
値読出しと1JuiFiの処理全くシがえず。
シミュレーション回路5は、取出された状態1直10f
:入力し各素子の論理シミュレーションを行い、状態変
化を状態変化が生じた端子の接続先の素子番号および端
子首号を含むイベント17の形で出力する。更新側#!
r6はイベン)17’?入カレイベント17で示される
変化すべき素子の番号とヘ更新アクセス14ft行う。
それ以外の時は変化メモリ2へ更新アクセス15ft行
う。更新アクセス14または15は更新すべき素子の素
子番号。
ビット位置および更新指令金倉んでいる。
$2図は第1図における状態メモリ1の構成例を示すブ
ロック図である。第2図の状Lqメモリ1はアクセス回
路21と、メモリ22とから構成される。
アクセス回路21はカウンタ3のカウント値18と更新
アクセス14と金入力しメモリ22の素子に対応するア
ドレス201 ’&生成する。アクセス回路21は、カ
ウンタ3からカウントl1i18を受けるとメモリ22
ヘアド・レス201 k出し状態値10を読み出す。又
、新しい状態(直12を受けるとメモリ22へ書込みデ
ータ202 ’r出す。
アクセス回路21は更新アクセス14を入力すると更新
アクセス14から素子に対応するアドレス201 k生
成しメモリ22から状態値1(l続出し、更新アクセス
14で指定される更新を行いメモリ22に書込みデータ
202を出す。
第3図は第1図における変化メモリ2の構成例金示すブ
ロック図である。、第3図の変化メモリ2はアクセス回
路31と、メモリ32とから構成される。
アクセス回1@31.メモリ32は第2図で述べたアク
セス回路21.メモリ22とほとんど同じである。異る
のは、アクセス回路21は新しい状態値12を入力する
のに対しアクセス回路31は“0”なる変化値13を入
力することである。
アクセス回路31は、カウノNi18’&入力するとア
ドレス301 を生成し、変化1直11を読み出す。“
0″なる変化1直13?入力すると、メモIJ32へL
L 07′のデータをもって書込みデータ302全作り
書込み金行う。更新アクセス15を入力すると、更新ア
クセス15で示される素子番号のアドレス全アドレス3
01 に出力し変化1直11を続出し更新アクセス15
で示される状態変化全行い書込みデータ302 k作り
変化メモリ/、32へ書込みを行う。
第4図は第1図の取出し回路4の構成例を示すブロック
図である。第4図の取出し回路4は排他論理和群41と
、制御回路42とから構成される。
本実施例では論理状態値として“0”と“1”の2値に
限足している。この様にすれば各論理素子の端子の状態
値はそれぞれ1ビツトですませることができる。もちろ
ん多電論理の場合は、膜数のビットを素子の端子に対応
させればよい。2値を用いるので素子の新しい状態値は
今までの状態値と変化値との排他論理和をとることで計
算することができる。排他論理和群41は制御回路42
から指令401 ’に入力すると状態値10と変化値1
1とからビットごとに排他論理和をとり新しい状態値1
2を出力する。制御回路42はカウンタ3に対しカウン
ト信号16を出し、状11fiitoと変化筐11を得
ると排他論理和群41へ指令401を出し、さらに変化
メモリ2へ“0”なる変化1直13を出力する。
第5図は第1図のシミュレーション回路5の構成例を示
すブロック図である。第5図のシミュレーション回路5
は論理演算部51と、比較器52と、接続リスト53と
から構成される。
論理演算部51は、状態(直10を入力し各素子毎の、
論理演算全行す状態1iil 501 を出力する。
比較器52は、状態値501 と状態値10金比較し状
態変化を調べ変化した素子の端子番号502ft出力す
る。接続リスト53は各素子の端子番号ごとにその端子
が接続されている素子の番号及び端子番号のリストを持
ち、変化した素子の端子番号502を入力すると、接続
先の素子の番号及び端子番号をイベント17として出力
する。
第6図は第1図の更新回路6の構成例を示すブロック図
である。第6図の更新回路6はイベントデータレジスタ
61と、比較器62と、デコーダ63とから構成される
イベント17e入力すると、イベント17からイベント
データをイベントデータレジスタ61に取出す。イベン
トデータレジスタ61に取出されたイベントデータは、
素′子番号601 と端子番号602とからなる。比較
器62は素子番号601とカウンタ3からのカウント値
18とを比較し。
またそれ以外の時は更新指令604全出す。デコーダ6
3は、端子番号602をデコードし素子の状態と変化状
態とが記憶されている状態メモ+71及び変化メモリ2
の対応する端子のビット位置605全出力する。更新指
令603が出されると素子番号6o1.ビット位#6o
5及び更新指令603からなる更新アクセス14が状態
メモリ1に対して出される。また更新指令604が出さ
れると素子番号601.ビット位置605及び更新指令
604からなる。更新アクセス15が出される。
以上の説明で明らかな俤に本実施例の7ミーレータによ
れば、複数の素子からなるシミュレーション対象の装置
の各素子の論理シミュレーシヨンとそれにともなう状態
更新と全同時に進めることができ、一つのシミュレーシ
ョンサイクルにおける各素子の論理シミュレーションは
、シミュレーションサイクル開始時点での状態@をもっ
て行す。
しかもシミュレーションサイクル中に生じた論理状態変
化は、状態メモリあるいは変化メモリに記憶されシミュ
レーションサイクルが終了すると状態メモリに全ての状
態変化が記録されるのでただちに次のシミュレーション
サイクル金開始することができる。
本実施例ではシミュレーション対象の素子’t1つのハ
ードウェアで分担し、かつ素子のシミュレーション処理
を1つのハードウェアで分担する例を示し比が本発明は
これに限定されるものではなく複数のハードウェアで素
子全分担する場合にも。
また複数のハードウェアでシミュレーション処理金分担
する場合にも、またこれらの納会の場合にも適用できる
ことは明かである。
(発明の効果) 本発明には各素子の論理シミュレーションとそれに伴な
う状@更新と全同時に進めシミュレーションサイクル中
に生じた状態変化は状態メモリまたは変化メモリに記憶
させシミx L/−ジョンサイクル終了時には状態メモ
リに全ての状態変化が記憶されるのでただちに次のシミ
ュレーションサイクルを開始でき、従来のシミュレータ
のような同期待時間の損失をなくすことによりシミーレ
ーション時間全犬幅に短縮できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図。 第2図、第3図、第4図、第5図、第6図はそれぞれ第
1図における。状態メモリ、変化メモリ。 取出し回路、シミュレーション回路、更新回路の構成例
金示すブロック図である。 ■・・・・・・状態メモリ、2・・・・・・変化メモリ
、3・・・・・・カウンタ、4・・・・・・取出し回路
、5・・団・シミュレーション回路、6・・・・・・更
新回路、21.31・・団・アクセス回路、 22. 
32・旧・・メモリ、41・・川・排他論理和群、42
・・・・・・制御回路、51・・・・・・論理演算部、
52. 62・・・・・・比較器、53・・・・・・接
続リスト、61・・・・・・イベントデータレジスタ、
63・・団・デコーダ。 キlヅ 早3剖 茅40 // 茅を侶

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 シミュレーション対象の素子の状態値を素子毎に記憶す
    る第1の記憶手段と。 前記素子の状態変化値を素子毎に記憶する第2の記憶手
    段と。 前記第1の記憶手段と前記第2の記憶手段と全シミュレ
    ーションサイクルごとに初めから順次アクセスするため
    のアドレスを発生するアドレス発生手段と。 前記アドレスで示される前記$1の記憶手段および第2
    の記憶手段の記憶位置から前記素子に対する状態値と変
    化1直とを読み出し前記素子に対する状態変化後の新し
    い状複埴を計算し前記第1の記憶手段の状態値を前記新
    しい状態値により更新しさらに前記第2の記憶手段の変
    化値vi−0で更新する読出し演1i、更新手段と。 前記読出し演算更新手段により読み出された状態値から
    前記素子の論理シミュレーションを行い状態変化データ
    を出力するシミュレーション手段と。 前記状態変化データで示されるアドレスと前記アドレス
    発生手段から供給されるアドレスの値とを比較し前記ア
    ドレス発生手段から供給されるアドレスの値の方が大き
    いか等しいときは、前記第1の記憶手段の状態1直を前
    記状態変化データにより更新しそれ以外のときは前記第
    2の記憶手段の変化値を前記状態変化データにより更新
    する更新手段とを含をことを特徴とするシミュレータ。
JP59017732A 1984-02-03 1984-02-03 シミユレ−タ Pending JPS60163141A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59017732A JPS60163141A (ja) 1984-02-03 1984-02-03 シミユレ−タ

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JP59017732A JPS60163141A (ja) 1984-02-03 1984-02-03 シミユレ−タ

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JPS60163141A true JPS60163141A (ja) 1985-08-26

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ID=11951921

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JP59017732A Pending JPS60163141A (ja) 1984-02-03 1984-02-03 シミユレ−タ

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JP (1) JPS60163141A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068812A (en) * 1989-07-18 1991-11-26 Vlsi Technology, Inc. Event-controlled LCC stimulation
US7465082B2 (en) 2005-04-27 2008-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Planar light-source device
US7742121B2 (en) 2003-10-28 2010-06-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and electronic equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068812A (en) * 1989-07-18 1991-11-26 Vlsi Technology, Inc. Event-controlled LCC stimulation
US7742121B2 (en) 2003-10-28 2010-06-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and electronic equipment
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