JPS60159761A - 静電複写作像装置 - Google Patents

静電複写作像装置

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JPS60159761A
JPS60159761A JP59282129A JP28212984A JPS60159761A JP S60159761 A JPS60159761 A JP S60159761A JP 59282129 A JP59282129 A JP 59282129A JP 28212984 A JP28212984 A JP 28212984A JP S60159761 A JPS60159761 A JP S60159761A
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voltage
image
conductive
cylinder
insulating layer
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JP59282129A
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エドワード シー.サベジ
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Original Assignee
Xerox Corp
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • G03G15/065Arrangements for controlling the potential of the developing electrode
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/04Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • G03G15/045Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material with means for charging or discharging distinct portions of the charge pattern on the recording material, e.g. for contrast enhancement or discharging non-image areas

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Developing For Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般に、静電複写、とくに静電複写作像部材
の帯電電位を制御する新しい装置に関する。
従来の技術 複写技術においては、導電基板上に支持された絶縁層の
作像表面上に静電潜像が形成される。この静電潜像は、
帯電針(5tylus )書込入、マスクを通すコロナ
荷電、形状電極、静電潜像転写法(TESI )などの
各種のよく知られた技術によって直接に形成される。静
電潜像は蓋た電子写真技術によっても形成され、この場
合静電荷を光導電絶縁層上に一様に堆積させそしてこの
光導電絶縁層を光などの活性化電磁放射による形状に露
出させこの電磁放射の形状が光導電絶縁層の照射された
区域内の電荷を消散させると共に照射されない区域に静
電潜像を残す。この静電潜像は、微細に分割され静電ト
ナー粒子を作像表面上に堆積させることによって現像さ
れて可視像ヲ形成する。その結果の可視トナー像はこれ
を紙などの受像部材に転写することができる。この像処
理乞、たとえば、再使用可能の光導電噛を使って多くの
回数繰返すことが可能である。
一般に、電子写真作像装置におい′ては、電子写真作像
部材と現像装置は、利用される特定の材料の、たとえば
感光度、現像領域績度などに対して、また、複写品質要
求、たとえば、低背景堆積、低濃度線複写等に対して、
適正化される。適正化の後、受像部材と現像装置は固定
されており、重要でない変更だけを、特定の使用者の要
求を満すために、帯電又は露出の段階でできるようにし
である。はとんどの場合、使用者にできる階調複写に対
する直接の制御は、複写濃淡側@ざタンでありこれらは
、磁気ブラシ附着器ローラの導電部材などの現像電極の
バイアス電圧を変化させる。ある電子写真作像装置にお
いては、現像電極に対するバイアスは所与の値に固定さ
れ、操作者には露出を変化させることが許されるだけで
ある。これらの解決は、本質的には同じであってきわめ
て限定された制御を複写品質の上に及ぼす。この欠点は
、複写製制御ヴタンは低濃度像を助長し、一方、複写淡
制御メタンは像情報を抑制すると共にべた区域コントラ
ストを低下させる。
コロナ電極によつ℃電荷が堆積される複写装置において
可変制御な可能とする特徴はあってもこれは複雑かつ高
価な回路な必要とする。高いコストと複雑性並びに制御
回路に必要な空間か余計いるために、これらの解決は、
小形、小容量の複写機及び印刷機には好ましくない。
実施例 本発明の目的は、前述した欠点な解決する作像部@を提
供することにある。
本発明の他の目的は、静電複写作像部材の作は表面の表
面電位を制御する装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、現像電極バイアス電位を制御する
装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、浮動現像電極バイアス電位を達成
させる装置乞提供することにある。
1掲の目的及びその他の目的は、本発明に従う静電複写
作像装置tを提供することによって達成されるが、この
作像装置は、作像表面を持つ絶縁層、この絶縁層に対す
る導電基板、作像表面上に靜電潜I#v形成する装置、
この静電潜像に従って作像表面上にトナーgIt形成す
る装置、及び可変直流電圧を導電基板に供給する装置を
具備する。この静電複写作像装置は、また、作家表面に
平行かつこれと間隔を置いた導電部材、及び導電基板に
印加される直流電圧の値に応じてこの導電部材に可変電
気的バイアスを供給する装置、を含む。導電部材は、導
電性現像材料を作像表面のごく近くに輸送する装置、こ
の輸送装置を大地に対して電気的忙絶縁する装#を含み
、このP!練の結果作像表面上の電荷がこの輸送装置上
に電荷を誘導しこの電荷が輸送装置を作像表面に記録さ
れた像領域の電位と作像表面の無像領域の電位との中間
の電位忙バイアスする。絶縁層は、少くとも1つの作像
絶縁層、少くとも1つの光導電1@又は電荷発生層、及
び電荷転写層を含むことができる。
本発明の前述の目的及びその他の利点は、付図を参照し
て行われる次の詳細な説明によってより完全に理解され
るであろう。
本発明は、以下に好適実施例及びこれを使用する方法に
関連して説明されるけれども、本発明をこれらの実施例
と使用法に限定することを主張するものでないことは、
云うまでもない。むしろ、前掲の特許請求の範囲に明か
にされている本発明の精神と範囲に含まれる全℃の変更
、変形及び等価に適用されることを主張するものである
本発明の特徴の全般的な理解のために、付図を参照する
。これらの付図を通して、同じ引用番号は同等の要素を
指示するのに使用されている。
静電複写作像装置はよく知られているが、第1図の装置
に採用されている各種処理ステーク、ヨンをu下に概略
的に述べまたその動作な@ m−に説明する。
第1図を参照すると、静電複写作像装置は、体として描
かれている、電子′B−真げラム10を含み、このVラ
ムは導電軸12上に支持されて矢印13の向きに回転し
てダラムの運動通路に浴って配置された各種の処理ステ
ーションを順次通過するように、描かれでいる。Vラム
10は導電シリンダ11を有し、このシリンダは導電材
料すなわちアルミニウムなどででき℃おり、これが電子
写真絶縁層14で被徨され、この−はアモルファスセレ
ン、セレン合金などの適当な光導電材料と電荷発生層及
び電荷転送IWl等との組合せからなる。シリ ′ンダ
11の導電材料は導電軸12と電気的に接触している。
瞬間的な露出の目的のために、いくつかの複写作業ステ
ーションがVラム10のまわりに配置して示されている
。1ず、荷電ステーション16がVラム10の外側作像
表面170近くに配置され電子写真絶縁層14をこれに
所定電位の一様な静電荷乞印加することによって一様に
帯電させる。
荷電ステーション16は技術的によく知られ℃いるいず
れか適当なコロナ荷電装置を含む。
露出ステーション18におい℃、電子写真絶縁層14は
、従来の光学レンズ系などのような適当な装置によって
像の形状に従う活性化放射に露出される。これに代えて
、活性化放射と像形状乞、同じく技術的によく知られて
いる電子計算機料−下のレーず光源によって供給するこ
とができる。
活性化放射は、電子写真絶縁層の露出区域内の静電荷を
消散させる。
技術的によく知られているように、第1図及び第2図に
描かれている磁気ブラシ現像ステーションは、アルミニ
ウムなどの導電性かつ非磁性附着器シリンダ22の囲う
ブラシ形成磁石23aとピックアップ磁石23bを具備
する。シリンダ22は、導電固定軸24上の備キャツ−
f(図には示されそいない)によって支持されている。
シリンダ22と軸2Aとの間の電気的接触は、スリップ
リング結合25などのようないずれか適当ブZ従来装置
によって実施される。シリンダ22とVラム100両方
が電動機Mによって従来の歯車列を経由しで駆動される
。本発明に従って使用することができる適当な磁気ブラ
シの例は米国特許第3,764,866号に示されてj
Jす、その開示全体が不明細書に全体的に含まれている
。磁気プラン現像ステーション20は磁気ブラシ現畝装
置26’a’電子冗真給縁層14の作像表面と接触にも
たらすが、磁気ブラシ現像装置26は検電性のトナー粒
子を含入このトナー粒子は静電m像の静電荷と反対極性
の静電荷?持っている。検電性トナー粒子は電子写真絶
縁層14の作像表面に吸引されかつこれに像の形状に従
って堆積してトナー像を形成する。過剰の現像材料、つ
まりトナー粒子は、磁気吸上げf1!27によって現像
ステーション20の上側表面から取り去られ再循環して
現像ステーション20の下側表面に達する。絶縁層14
上のトナー像は、次いで、転写ステーション28におい
て受像部材に転写される。固定されていないトナー像の
受像部材への転写の後、この受像部材は従来装置によっ
て融着ステーション30に輸送されここで、像が受像部
材に固定される。絶縁1−14の清掃は、清掃ステーシ
ョン32において実施される。
用語「I#コントラスト」は、受像部材の明区域と暗区
域の間の差として定義される。暗像が明るい色の受像部
材上に形成されるとき、この受像部材上の明区域と暗区
域の間のコントラストは、明区域の強度が一定にとどま
る限り、暗像な増加を伴う。このコントラストは、トナ
ー像濃度の差としてまた受像部材の明区域と暗区域に対
応する絶縁層14上の及び電圧差(電圧コントラスト)
として現れる。
用語「電圧コントラスト」は、受像部材の暗区域に相関
する絶縁層14上の像電圧V、 とそmAgB の明区域に相関する絶縁層14上の像電圧V との間の
差として定義される。[電圧コmaglB ントラスト」が大きいほど、「像コントラスト」が現像
飽和を起こさない程度が大きい。
用語「輝度」は、作像部材上に可視トナー像を形成する
最小入力濃度として定義される。
符号「vddp Jは、静電潜像の暗現像電位として定
義される。これは、帯電後しかし露出前の光導電層の表
面上の電荷である。
符号「v 」は、露出後に電圧計によってmage 読まれる受光器表面上の電位(磁気ブラシ現像装置附着
器から「見る」電位)として定義される。
この電位は静電潜像1忙堆積されるトナーの量に影響す
る。
符号「vBo」は、帯電しかつ活性化放射vcB出した
後の背景内又は放電した区域内の受光器表面上の電位と
して定犠される。
従来のプログラム制御低電圧電源33によってスイッチ
33b及び軸12を経由して導電シリンダ11に印加さ
れろ直流電位はボテンシオメータ33aによって変化さ
せられる。したがって、単にボテン7オメータ33a’
Y調節する□ことによって、軸12ケ通して導電シリン
ダ11に印加される直流電圧が変化させられその結果光
受容器の放電曲線の傾斜を小さくしたり大きくしたりす
ることができる。たとえば、もし受光器の電子写真絶縁
層14の作像表面を荷電ステーション16において一定
正電位に一様に帯電されるようにするならば、軸12を
通しての一ラム10への負直流電子の印加は、あたかも
光受容器が高電位に帯電させられており次いで放電して
低電位になるように、光受容器の放電曲線の傾斜を変化
させる。この作用は第3図の曲線A及びBに表わされで
いるが、これらの曲線は約60マイクロメータの厚さヲ
有する電子写真絶縁1i!14を使って得られたもので
ある。これらの曲線に対する値は、導電シリンダ11が
大地又はO(零)電位になり得るようにスイッチ33b
+v設定しておいて、コロナ線電極34に印加される電
圧と軸12に印加される直流電圧とは、最終像に得られ
るコントラストの程度を決定する。
ここで、第5図を参照すると、第4図に示されてる高B
E電源35はスイッチ33bを通して接地されているシ
リンダ11によって+250ボルトのvd(lpVC設
定された。7]eテンンオメータ33aの設定によって
調整される電源33からの多様な入力端子が次いで軸1
2とスイッチ33bY通しでシリンダ11に印加された
。v1工g8が、約20マイクロメータの厚さを有する
電子写真絶縁層14を利用して第5図に示されたように
4つの異なる入力濃度ごとに5つの異なる基板電圧に対
してプロットされた。曲HA、B、C,Dは、それぞれ
、白、0.3 SAD 、 0.5 SAD 、及び[
]、7SAIl)人力濃度を使って得られた。SADは
、べた区域濃度、すなわち、べた区域パッチの中性濃度
値である。これらの曲線は、明かに、異なる入力濃度間
のコントラスト電圧が単に基板すなわちシリンダ11電
田’+r−iooボルトから一5’00.にルトに増分
変化させることによって際立って増大させられ得ること
乞、示している。
比較のために、導電シ11ンダ11は、軸12乞通して
スイッチ33bにより接地されている。導電シリンダを
接地又は0電位にしておいて、高電圧電源35が、その
後、+ 800 、leルトノ”ddp乞与えるように
設定される。”BGは+2oosルトであった。第6図
において、曲MAは、”imageを異なる入力濃度(
中性濃度)に対してプロットしたときに得られた傾@を
示しかつ導電シリンダーが大地又は0電位に維持されて
いるときに得られる。この曲線は第3図の曲線Aと同じ
である。曲線Bは、いかに露出だけの増大が高濃度像に
対しては傾斜を僅かに増大ししかし低譲度像には有意な
影粋も及ぼさないかを示している。第4図に示された高
電圧電源35を+800ボルトのv4゜を供給するよう
に初期的に設定した後得られた。
曲mAは、導電シリンダ11が大地又は0電位に維持さ
れたときに■ を異なる人力濃度単位1maglil (中性濃度単位)に対してプロットした場合に比較的緩
い傾斜が得られることを1示している。曲線Bは、導電
性シリンダ11が電源33及びスイッチ33bの適当な
設定によって、−800,lfシルト電位に維持された
ときにV を異なる入力mage 濃度単位(中性濃度単位)に対してプロットした場合に
比軸的急峻な傾斜が得られること乞、示している。した
がって、曲線Aにおけるよりも曲線BICおける方が隣
り合う中性濃度単位間の電位差又はコントラスが有意に
太きい。この大きな電位差が、最終トナー像を形成する
のに当ってより精細な灰色目盛差を現像する能力を与え
る。軸12に印加される正直流電圧はこれと逆の効果を
有する。換言すれば、荷電ステーション16内の曲線C
は、高圧電源35の出力の変化を通してのみ”ddpを
増大させた結果を示している。低濃度像に対する曲線C
の傾斜は増しているがしかし高濃度1象に対する曲tJ
 Cの傾斜の変化は僅かばかりである。これらの曲線は
、■(1dpの増大も露出だけの増大も受光器の放電曲
線の傾斜の全体的な増大を招くには充分でないことを表
している。第3図の曲線A1曲線Bは、コロナ放電電圧
レベル又は露出レベルを何ら変更しなくても光受容器の
導電シリンダ11に一8flO+tFルトの直流型FE
、を印加するならば、あたかもコロナ荷電電圧が上昇し
たように(第6図の曲線C)及びあたかも露出レベルが
上昇したかのように(第6図の曲線B)に先受容器放電
曲線全体が急峻になる結果をもたらすことを、示してい
る。
したがっで、電子写真絶縁層14の作像表面17が一様
な正電荷で帯電するところに、負極性の直流型E’に印
加するならば、あたかも荷電ステーション16のコロナ
線電極34の電圧を高作像電位乞与えるまでに上昇した
と同じ効果!生じることになる。荷電ステーション16
のコロナ線電極34の動量は高負性電圧が軸12に印加
されるとき向上するが、これはコロナ線電極34と導電
シリンダ11との間の電界がコロナ線電極34と接地さ
れているじゃへい36との間のそれよりも大きいからで
ある。したがって、単に軸12に印加される直流電圧の
大きさと極性を変化させることによって像コントラスト
が制御される。上述においては正電圧が電子写真絶縁1
−14に印加されたがこれは説明の目的のためにすぎな
(・。換言すれば、同じ効果を達成するために、望むな
らば、正電圧の代わりに負電圧も使用することも司書P
である。
露出設定を何ら変更しなくても、軸12に、印加される
直流電圧は、単にポテンシオメータ33a又はいずれか
他の適当な良く知られた負荷選定伎litを調節するこ
とによって容易に変化させられ、その結果あたかも露出
ケ実際に増したかのように放電極線がより急峻になる。
光の発生は印加電界の関数であるから、同偶の光がより
多くの電荷を消散することができしたがって放電曲線を
より急峻にする。また、露出レベルケ一定に維持しかつ
単に導電シリンダへの印加直流電圧を増大することによ
って、光@導放電曲線形状乞より急峻になるように変化
させることができる。
軸12はスイッチ33b又はいずれか適当な良く知られ
た負荷選定装置によって電気的に接地されたまた電子写
真絶縁層14は露出に先達って、高電圧電源35に警続
された荷電ステーション16のコロナ線電極34によっ
て帯電させ6れた。
絶縁層14の両端間の電圧は約+800ボルトであった
。W期荷軍、及びその後の暗減衰がプロットされたが、
これが第7図に曲@Aとして示されている。絶縁層14
はその後完成に放電された。約−800&ルトの直流電
圧がその後スイッチ33bを通して軸12に印加されそ
して電子写真絶縁層14が、露出に先達って、一定出力
高電圧電源35に接続された荷電ステーション16のコ
ロナ線電極34によって荷電された。露出罠先達って、
電子写真絶縁層14の両端間の電圧力ー軸12への印加
電圧を0ざルトに下げる前後において測定された。約−
8[)0+1?ルトの直流電EEY印加された絶@層1
4の両端間の電圧は約+800&ルトであった。しかし
ながら、−80Dがルトの直流電圧が取り去られたとき
、絶縁層140両瑞間の電圧は約1600メルトに記録
された。初期荷電及びこのような高初期荷電に基づき予
期されたその後の暗減衰が第7図に曲線Cとして示され
ている。
低暗減衰及びこのような高初期荷電における電荷注入の
消滅は総体的に予期されなかった。これらの試験は、セ
レン、ヒ素及び塩素の合金を含む光受容器を使って遂行
された。荷電に使用されたコロナ発生器の説明は、米国
特許第3,764,866号に先受けられ、その開示は
全面的に本出願に収録されている。
セレン、ヒ素及び塩素の合金を含む光受容器ン使用する
上に説明された手順が、セレンとテルルの合金層を持つ
光受容器がセレン、ヒ素及び塩素の合金を含む光受容器
に置換されたことを除いて、繰り返された。このセレン
・テルル合金光受容器もまた第7図に見られるような予
期されない暗減衰を示した。第8図の曲線Aは低暗減衰
と高初期荷電に対する電荷注入の消滅を示している。こ
の高初期荷電乞発生する手順は第7図の曲線Cに対して
使用されたのと同じであった。第8図の曲線Bは曲線C
よりも800メルトから550ざルトにかけて少い暗減
衰を示しており、これは予期されていなかった、という
のは、両曲線とも一300♂ルトにおける先受容器基板
である導電シリンダ11を使って生じたからである。
−2,OD Oボルトの負電圧を光受容器基板である導
電シリンダに印加することによって+4 、700ボル
ト直流電位にあるコロナ線電罹ヲ使って60マイクロメ
ータの厚さのセレン光受容器上に2400&ルトの高さ
までを発生できることが発見されている。直流−100
&ルトまでの低さの印加の下でコントラスト効果が可視
可能である。
公称動作設定点にある高圧電源7使って、現像装置の絶
縁破壊電圧7超える前に−1,200メルトまでの低さ
の直流電圧を元受容器に印加することができると考えら
れる。採用された直流電源は、ニューヨークのKEPC
OFlushing社の、調節電源、モデルABC15
00M、シリアル(5erial )E−17601で
あって、出力0−1500ボルト、0〜10マイクロア
ンペアを有する。高電圧荷電電源に対する仕様はd、2
00〜5,000ボルト直流200マイクロアンペアか
う4,200〜5.000メルト直R600マイクロア
ンペアの範囲にわたって調節可能な、一定電流調節忙対
して設定された。上記に対する覗r象装置ハウジングの
バイアス電圧は浮動(電気的に大地から絶縁)か又は5
0〜350ぜルトの清掃電界を維持するように適当に設
定されるかの両様が可能である。
もし■imageとvBoが電子写真作像装置内に一定
のままでありかつ現像装置の附着器シリンダのバイアス
電圧の入が変更化させられるならば、このバイアス電圧
の上昇は現蹟電界全体を低減させるしたがって線像とべ
た区域の両方を洗い除こうとする傾向を持つ。このバイ
アス電圧を低減させると現像電界を増強しかつ線濃度と
べた区域密度の両方を高める。慎重に低一度線1家を洗
い除くためには、現像装置上のバイアス電圧を上昇させ
なげればならないがしかし良好なべた区域議度を保つた
めに像電位も上昇させなければならない。しかしながら
、1家電位を上昇させると、背景電圧も上昇して好まし
からざる低譲度鎗が現れる。このことは、米国特許第A
j510,237号、同第2,956,487号及び英
国特許第1,559,341号などの先行技術において
、3つの独立の制御の使用を通しての解決の対象とされ
ている。
可変直流電EE′?:デログラム制御低電圧電源33に
よってぎテンジオメータ38、スイッチ40及び導電帯
42を通して附着器シリンダ22の軸24&C印加する
ことができこの結果最終トナー像の輝度?制御すること
ができる。直流電圧の現像電極への印加自体は技術的に
良く知られている。
しかしながら、コント、う予トと輝度制御の単一′の低
電圧電源との組合せは、導電コロナ線電極の高電圧電源
の調節の必要性をなくしかつまた複雑な光学器具、フィ
ルタ、マスク等による露出調節の必要性を回避する。第
5図を参照すると、バイアス電圧(曲線E)は、光受容
器基板すなわち導電シリンダ電圧を上昇させるにしたが
って上昇させられる。バイアス電圧範囲(垂直破線)も
示されており、これは輝度制御設定によって決定される
低電圧電源33は附着器シリンダ22を適当な極性と大
きさに、好ましくは、背景電圧レベルと電子写真絶縁層
14の作像表面上に記録された像電圧レベルの中間のそ
れに、電気的にバイアスする。
例として、低電圧電源33は印加器シリンダ22を約3
00ボルトから約800ボルトの電圧範囲に電気的にバ
イアスする。低電圧電源33はまた電気的大地に電気的
に接続されている。導電現像材料が採用される場合、現
像電極、すなわち、附着器シリンダ22の効果は、電子
写真絶縁層14の作像表面17のごく近くへ移動させら
れる。したがって、附着器シリンダ22が回転するに従
って、このシリンダは導電現像材料を進めて電子写真絶
縁層14の作像表面17と接触させる。先行技術の現像
装置においては、現像材料が導電性であるほど有効電極
は接近する。低電圧電源33は、現像電極、すなわち、
附着器シリンダ22を抵抗ブリッジを通してバイアス下
に保つ。抵抗ブリッジは、自動バイアス制御を達成する
装置のうちの1つに過ぎない。浮動バイアス(現像装置
ハウジングを大地から電気的に絶縁する)もこのうちの
他の1つである。低パーセント原稿区域適用に対しては
、バイアス電圧は、背景電圧(vBG)と像電圧(V、
 )の山間レベルをめる。制御回路image は、好ましくは、常圧源と直列に配置された定電流源又
はツェナーダイオ−Vなどのような浮動バイアスを備え
たものが採用される。低コスト固体制御器をプログラム
制御電源に置換してもよく、これは■ゎ1a8とvsu
bstrateの両方に対する電源出力を含んでいる。
これ忙代えて、独立したプログラム制御電源を利用して
これで導電シリンダと導電部材に可変電圧を供給しても
よい。
附着器シリンダ22が回転するに従って、導電現像材料
が電子写真絶縁1−14の作像表面17ごく近くに輸送
される。附着器シリンダ22と電子写真絶縁1814の
作像表面17との間の現像領域において、靜電溜像が担
体粒子からトナー粒子を吸引する。附着器シリンダ22
を全体的にスイッチ40によって周囲環境から電気的に
絶縁することもできる。したがって、附着器シリンダ2
2は、低電圧電源33によって供給される電気的バイア
スなくして電気的に浮動する。それゆえ、軸24は電気
的大地から有効忙電気的に絶縁される。第1図に醤略的
に示されているように、スイッチ40は、開位置のとき
、附着器シリンダ22と電気的大地との間の絶縁を模擬
する。このようにして、附着醋シリンダ22と電気的大
地との間の抵抗が無限大に近づき、附着器シリンダ22
がこれを囲う環境から電気的に絶縁される、すなわち、
電気的に浮動する。
好ましくは、C強気ゾラシ現像ステー7ヨン20内に採
用される4電現1象材料は担体粒子を含みこの粒子は尋
電性ン調節するために樹脂材料の不連続層で板積される
。適当な樹脂材料は、重合(フッ化ビニリデン)及び重
合(フッ化ビニリデンコウテトラフルオルエチレイ)を
含む。これに代えて、フェリ磁性体の心を樹脂材料の連
続層で破糧してもよい、ただし、樹脂材料が4電材料を
荷っている場合に限る。現像材料は担体粒子乞トナー粒
子と混合することによって準備される。一般に、技術上
既知のいずれか適当なトナー粒子が担体粒子と混合され
る。代表的なトナー粒子は切脂材料ン細かく研磨してこ
れン染料と混合することによつで準備される。例として
、この樹脂材料は、塩化ぎりぎニール、塩化ポリビニー
ルン、ポリビニール・アセテート、ポリビニール・アセ
タル、づゼリビニル・エチル、ポリアクリノート樹す旨
等のビニール重合体である。代表的な染料は黒色染原体
、黒色溶媒等である。現像材料は、(1体粒子?重情で
約95パーセントから99パーセントまたトナー粒子を
重量で約5パーセントfJ)ら1パーセント含む。これ
らの材料及び仙の材料が、たとえば、カスペル(Kas
pel )他に発行された米国特許第4,076,85
7号に記載されており、その開示は全体的に本明細番に
収録されている。好ましくは、導電磁気ブラシ現は材料
は約14ボルトから約1.000,1?ルトの範囲の電
気絶縁破壊電圧を有する。これよりも絶縁性の現像材料
も使用され〔さらに厚い光受容器(たとえば、約60マ
イクロメータ)に対して10−16オ一ム/七ンチメー
トルより低い導電惠を有するゼロックス310[]など
〕かつ適当な現1家電田に置かれる。現像材料の導電率
はガツトマン(Guttman )標準軍、池で測定さ
れた際に約10−10から10−16オ一ム/センチメ
ートルの間をとることができ、この電池は偏平電極から
約2.54センチメ一タ間隔ヲとった約38.1センチ
メータの直径7有する静止円筒状研気ブラシ印加電極ヲ
含む。10−10オーム/ナンチメータを超える導電本
は高電圧において電気的絶縁破壊のおそれを高める。も
し約1 (1−16オーム/センチメータの導電!!Y
超えると、べた区域現像が著しく−、とくに低電圧にお
いて減少し始める。比較的薄い光受容器は厚い光受容器
を使用する装置に比べて所与の基板すなわち導電シリン
ダ11の電圧に対して大きな応答を可能とし比較的厚い
光受容器は低電圧を可能としこれがさらに印加型制御回
路の使用を許しかつ高電圧に対して必要な変圧器その他
の設備の必要をなくする。
第1図を参照すると、附着器シリンダ22はそれを囲む
環境から電気的に絶縁されている。たとえば、軸24は
それを囲む環境から絶縁されそのため附着器シリンダ2
2は電気的に浮動する、すなわち、スイッチ40は開位
置にある。したがつて、附着器シ11ンダ22は大地に
対して電気的に浮動する。
動作中、Vラム10は回転しその結果電子n真絶縁層I
Aの潜像に近い方の細土の放電帯が、附着器シリンダ2
2と電子写真絶縁層14の作像表面17との間の現r象
ニップを通過する。この放電帯は、バイアス乞浮動から
高過ぎ又は低過ぎないように防止する制御機構の1つに
すぎない。他の制御機構は電圧源又は大地と直列に接続
されたツェナーダイオード、又は定電流源、又はこれら
の組合せ等を含む。制御回路は、装置の合理的動作のた
めに望ましい。このことは、先導車作像表面の安定した
コントラスト現f&iY可能としかつ低濃度コントラス
トを向上する。同時に、静電潜像が現像領域内へ移動す
る。導電現像材料は、摩擦電気的にトナー粒子乞自分に
接着させる磁性担体粒子を含入、ブラシ形成磁石231
)によって附着器シリンダ22に吸引されてこれと共に
現像ニップへ前進する。附着器シリンダ22から外方へ
延びる導電現像材料のブラシ状繊維は、現像ニップ(n
ip )内で静電潜像と接触する。現像ニップ内の附着
器シリンダ22の表面は導電印像市販として働く。現像
領域を通過する作像表面17上の電荷並びに電子写真絶
縁層14の作像表面17上の現1象材料のブラシの全て
の3擦電荷が、附着器シリンダ22上に電荷を誘導する
。この誘導電荷の贋は、附着器シリンダ22を作像表面
12上に記録された背景又は無像区域のレベルと1象領
域、すなわち、静電潜像のレベルとの中間レベルにバイ
アスする電荷ケ附着器シリンダ22上に確立するに充分
である。したがって、トナー粒子は担体粒子から像領域
、すなわち、附着器シリンダ22上に誘導された電位よ
り高い電位区域へのみ吸引される。このようにして、附
着器シリンダ22上に誘導された電気的バイアスは浮動
しかつ電子写真絶縁層14の作1象表面1T上の電荷に
依存しこの場合現像は作像表面上の背景電圧に実質的に
独立に起こる。このことが有意にこの装置の動作範囲を
拡げかつサイクルアップ又は残留電圧の影I#を減少さ
せる。電気的に浮動する附着器シリンダ22は導電現像
材料と組合さって低濃度べた区域及ヒ線の現像を最適化
するが、これは、バイアス電圧が、光受容器サイクルア
ップに普通許容可能であるよりは低い、増分電圧に設定
されるからである。
第1図に示された抵抗器B工+ R2h R11r R
4及びR5は任意付加されるものであって、低電圧電源
33の初期電圧出力範囲を設定するのに採用された。こ
れらの抵抗器の1つ又は2つ以上を選択された特定の電
源と所望の仕様電圧に応じて省くことができる。
要約すると、本発明の現1象装置は導電現像材料絶縁さ
れる結果電気的に浮動していることは、明かである。こ
のようにして、光導電表面すなわち作像表面上の電荷が
附着器シリンダ上の電荷を誘導し後者の電荷は背景電圧
と光導電表面上に記録された像電圧の中間の電気的バイ
アスを形成する。
したがって、附着器シリンダ上の電気的バイアスが浮動
する。本発明の現像装置は、コントラスト輝度制御を行
い、露出側@1の必要を除き、及び光導電体を初期高電
界に帯電させる能カ乞提供する。
コントラスト輝度制御は、■及び”bias ’r: 
2つの変数制御を使って同時に変化させまたは調節する
ことによって達成されこれは操作者に熟練を要求しない
。制御又は帰環信号が不必要である。さらに、高表面電
位が基板をバイアスすることによって得ることができ、
したがって、これ乞所与の放電装置に対して単にコロナ
緋電極の電位を上昇させることによって、得ることかで
きる。なおまた、高い先受容器表面電位において光受容
器のスポット欠陥事故にわざわいされるおそれか少くな
る。
このように、べた区域現1象を向上させることができ、
低改度線再生を有意に向上させることができ、背景を抑
制することができ、また、浮動バイアスを光受容器、現
像装置、高電圧電源又は光源乞変更させることなく利用
することが5I能である。
さらに、コントラストと輝度を未熟練の操作者によって
2つの簡単な制御な取扱うことによって制御することが
できこの場合コントラスト又は輝度のどちらかの変更は
仙に影174 y、−及ぼさない。したがって、たとえ
ば、コントラストが最終像を洗い除くことなく向上させ
られる。なおまた、所与の荷電装置に対して単にコロナ
線電極電位を上昇させることによって得られるよりも高
い表面電位が基板火バイアスすることによって得られる
。さらに、高い光受容型表面電位において光受容器スポ
ット欠陥事故にわざわいされるおそれが少くなる。
本発明の他の変更は、当業者にとって本発明を読めばこ
れに基づいて行いうると思われる。これらは、本発明の
範囲に属することを主張する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を含む複合静電複写作像装置
の部分断面、部分概略図、 第2図は、磁気ブラシ現像ステーションの部分断面、部
分概略図、 第3図は、本発明の実施例を先行技術と比較するグラフ
図、 第4図は、荷電ステーションの部分断面、部分概略図、 第5図は、本発明の詳細な説明するグラフ図、第6図は
、先行技術の実施例’l< %1.明するグラフ図、 第7図は、本発明の実施例を先行技術と比較するグラフ
図、 第8図は、本発明の実施例を先行技術と比較するグラフ
図、である。 10:電子写真Vラム 11:導電シリンダ(光受答器導電基板)12:導電軸 14:電子写真絶縁層 16:荷電ステーション 17:作像表面 18:露出ステーション 20:現1家ステーシヨン 22:附着器シリンダ 23a:ブラシ形成磁石 24:導電固定軸 25ニスリップリング結合 26:磁気ブラシ現像装置 27:6B気吸上げ機 28:転置ステーション 30:融着ステーション 32:清掃ステーション 33ニーfログラム制御低電圧電源 33a:ポテンシオメータ 33b:スイッチ 34:コロナ線電極 35:高電圧電源 36:じゃへい 38:ポテンシオメータ 40:スイッチ 42:導電帯 に写ステーション 28/ Fiグ、 l 基鈑電圧 Fig、5 人りコシトラスト;炭度 Fig、5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 導電基板と、作像表面を持つ少くとも1つの電子写真絶
    縁−と、前記作像表面上に静電潜像を形成する装置と、
    前記静電潜像に応じて前記作像表面上にトナー1象を形
    成する装置と、前記導電基板に可変直流型EEを供給す
    る装置を含むことを特徴とする静電複写作像装置。
JP59282129A 1984-01-03 1984-12-27 静電複写作像装置 Pending JPS60159761A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/567,729 US4491408A (en) 1984-01-03 1984-01-03 Electrostatographic system development modulation
US567729 1984-01-03

Publications (1)

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JPS60159761A true JPS60159761A (ja) 1985-08-21

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ID=24268412

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JP59282129A Pending JPS60159761A (ja) 1984-01-03 1984-12-27 静電複写作像装置

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EP (1) EP0148013B1 (ja)
JP (1) JPS60159761A (ja)
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