JPS60153121A - 半導体装置の形成方法 - Google Patents
半導体装置の形成方法Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明線半導体装置の形成方法にかがシ、とくにコンタ
クトの形成方法に関する。
クトの形成方法に関する。
近年、集積回路が高密度化、高速化するにともなって浅
い接合が要求され、この浅い接合に対するコンタクトの
形成方法が検討されている。従来技術ではアイ拳ビー・
エム技術公開公報（１，Ｂ。
い接合が要求され、この浅い接合に対するコンタクトの
形成方法が検討されている。従来技術ではアイ拳ビー・
エム技術公開公報（１，Ｂ。
Ｍ、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕ
ｌｌｅｔｉｎ、 ２５工１２：］Ｐ。
ｌｌｅｔｉｎ、 ２５工１２：］Ｐ。
６３９８−６３９９（１９８３，米））に窒化チタン（
１品）とチタン７リサイド（ＴｉＳｉ２）を用いたコン
タクトの形成方法か示されている。。
１品）とチタン７リサイド（ＴｉＳｉ２）を用いたコン
タクトの形成方法か示されている。。
記１図を参照し乃、がら上記の方法を脱明する。
第１図１にし：示されている妬く窒化チタン（ＴｉＮ）
７＄１１１はチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）層１１３
とアルミニウム膜１１４との相互間の拡散バリヤとして
作用し、チタンサイド層１１３はシリコン基板とよシ良
い電気的コンタクトをとる作用をする。コンタクトの形
成は以下の如くして行なう。
７＄１１１はチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）層１１３
とアルミニウム膜１１４との相互間の拡散バリヤとして
作用し、チタンサイド層１１３はシリコン基板とよシ良
い電気的コンタクトをとる作用をする。コンタクトの形
成は以下の如くして行なう。
Ｎ型拡散層１１２が形成されているＰ型シリコン基板１
０１上のＳ １（１２ｈ１！、１０２にコンタクト穴を
開孔する。次にコンタクト穴に一様にｍ素（Ｎ２）をド
ープしたチタン（１゛ｉ）膜を蒸着する。蒸着中チタン
と室先の比率（Ｔｉ／Ｎ）は１に近く保たれる。
０１上のＳ １（１２ｈ１！、１０２にコンタクト穴を
開孔する。次にコンタクト穴に一様にｍ素（Ｎ２）をド
ープしたチタン（１゛ｉ）膜を蒸着する。蒸着中チタン
と室先の比率（Ｔｉ／Ｎ）は１に近く保たれる。
蒸湘後、杉崩形成された願ｄへ２．ＮＨ３，真空。
ＮＨａ、プンスマ、Ｈｅ、Ａｒ又−他の不活性ガスのう
ちのいずれかの雰囲気中で８００℃近傍又はそれよシ高
會、で３０分間アニールする。コンタクト穴の領域では
Ｎ型拡散層１１２に接１７てＴｉＳｉ２ 層１１３が形
成され、これと同時にチタンシリサイド層１１３上には
ｌｌｌｉＮ層１１１７！に形成される。アニール恢、ア
ルミニウム膜１１４が初光形成され、アルミニウムと糖
化チタンがパターンニングされて、コンタクト形成が完
成する１、シかし々から上記の如く、屋素を含むＴｉ脱
をシリコン半導体基板に形成した不純物拡散層と反応さ
せてチタンシリサイド層を形成ブる方法は、シリサイド
化の反応がコンタクト穴の領域全面で均一に進行しない
ため’ｌ’１ｂｉｚ 層の再現性及び均一性に乏しいと
いう欠点かあった。
ちのいずれかの雰囲気中で８００℃近傍又はそれよシ高
會、で３０分間アニールする。コンタクト穴の領域では
Ｎ型拡散層１１２に接１７てＴｉＳｉ２ 層１１３が形
成され、これと同時にチタンシリサイド層１１３上には
ｌｌｌｉＮ層１１１７！に形成される。アニール恢、ア
ルミニウム膜１１４が初光形成され、アルミニウムと糖
化チタンがパターンニングされて、コンタクト形成が完
成する１、シかし々から上記の如く、屋素を含むＴｉ脱
をシリコン半導体基板に形成した不純物拡散層と反応さ
せてチタンシリサイド層を形成ブる方法は、シリサイド
化の反応がコンタクト穴の領域全面で均一に進行しない
ため’ｌ’１ｂｉｚ 層の再現性及び均一性に乏しいと
いう欠点かあった。
本発明はコンタクト穴の領域全面にチタン膜を被着形成
し、このチタン膜の上からコンタクト穴を通して、シリ
コン半導体基板中に不純物原子をイオン注入し、続いて
同じコンタクト穴からチタン膜とシリコン半導体基板と
の界面近傍に窒素原子をイオン注入することによって、
チタン膜中のチタン原子とシリコン半導体基板中のシリ
コン原子との混合を行ない、次に加熱によって不純物原
子の活性化と、チタンシリサイトル、の形成、並びに窒
化チタン層の形成とを同時に行うことによって上記の欠
点を解消した半梼体装条用コンタクトの形成方法を提供
するものである。
し、このチタン膜の上からコンタクト穴を通して、シリ
コン半導体基板中に不純物原子をイオン注入し、続いて
同じコンタクト穴からチタン膜とシリコン半導体基板と
の界面近傍に窒素原子をイオン注入することによって、
チタン膜中のチタン原子とシリコン半導体基板中のシリ
コン原子との混合を行ない、次に加熱によって不純物原
子の活性化と、チタンシリサイトル、の形成、並びに窒
化チタン層の形成とを同時に行うことによって上記の欠
点を解消した半梼体装条用コンタクトの形成方法を提供
するものである。
本発明の一態様においては、シリコン半導体基板の一生
面側を覆った絶縁膜に￥ｌＩ記シリコン半導体基板と外
部配線金属とを接続するためのコンタクト穴を開孔する
工程と、前記シリコン牛湯体基板表面のコンタクト穴の
領域全面にチタン膜を被着形成する工程と、該チタン膜
の上から、前記コンタクト穴を逆して、このコンタクト
穴のｉσ１しるシリコン半導体基板に同じ導揶５型又は
反対溝部型を生起させる不純物原子をイオン注入する工
程と、前記チタン膜の上から前記コンタクト穴を通して
窒素原子をイオン注入することによシ少なくとも該チタ
ン膜と前記シリコン半導体基板との界面から該シリコン
半導体基板側に該チタン膜の一部を分布させる工程と、
窒素を構成原子としてふくむ雰囲気中でキセノンランプ
又はハロゲンランプによるシングアニール法を用いて前
記イオン注入で導入した不純物原子を活性化し、前記チ
タン膜と前記シリコン半導体基板とを反応せしめてチタ
ンシリサイド（Ｔｉ８ｉｚ）膜を形成し、か」記窒素原
子のイオン注入で導入された窒素原子をふくむ前記チタ
ン膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜に変換する工程と、前記
雪化チタン膜上に外部配線金属を被着形成する工程を含
むことを特徴とする半導体装置用コンタクトの形成方法
が得られる。
面側を覆った絶縁膜に￥ｌＩ記シリコン半導体基板と外
部配線金属とを接続するためのコンタクト穴を開孔する
工程と、前記シリコン牛湯体基板表面のコンタクト穴の
領域全面にチタン膜を被着形成する工程と、該チタン膜
の上から、前記コンタクト穴を逆して、このコンタクト
穴のｉσ１しるシリコン半導体基板に同じ導揶５型又は
反対溝部型を生起させる不純物原子をイオン注入する工
程と、前記チタン膜の上から前記コンタクト穴を通して
窒素原子をイオン注入することによシ少なくとも該チタ
ン膜と前記シリコン半導体基板との界面から該シリコン
半導体基板側に該チタン膜の一部を分布させる工程と、
窒素を構成原子としてふくむ雰囲気中でキセノンランプ
又はハロゲンランプによるシングアニール法を用いて前
記イオン注入で導入した不純物原子を活性化し、前記チ
タン膜と前記シリコン半導体基板とを反応せしめてチタ
ンシリサイド（Ｔｉ８ｉｚ）膜を形成し、か」記窒素原
子のイオン注入で導入された窒素原子をふくむ前記チタ
ン膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜に変換する工程と、前記
雪化チタン膜上に外部配線金属を被着形成する工程を含
むことを特徴とする半導体装置用コンタクトの形成方法
が得られる。
以下本発明を第２図を参照しながら実施例について説明
する。まず同図（υに示すようにべ型シリコン半導体基
板１を用い、この基板表面に絶縁膜２を被別形成し、通
常のホトリソグラフィ工程によってパターンニングし絶
縁膜のエツチングを行なってシリコン半導体基板１と外
部配線金属とを接続−ｔ−るためのコンタクト穴３を開
孔する。
する。まず同図（υに示すようにべ型シリコン半導体基
板１を用い、この基板表面に絶縁膜２を被別形成し、通
常のホトリソグラフィ工程によってパターンニングし絶
縁膜のエツチングを行なってシリコン半導体基板１と外
部配線金属とを接続−ｔ−るためのコンタクト穴３を開
孔する。
次に同図（２）に示すようにチタン（Ｔｉ）をターゲッ
トに用いて高周波スパタリングによってアルゴン雰囲気
中でスパッタリングを行ない２０ＯＮの厚みのチタン膜
４を上記構造体の表面の全面に被着形成する。
トに用いて高周波スパタリングによってアルゴン雰囲気
中でスパッタリングを行ない２０ＯＮの厚みのチタン膜
４を上記構造体の表面の全面に被着形成する。
次に同図（３）に示すように前記のチタン膜４の上から
ボロンイオンを１５０ＫｅＶ ドーｘｊｔｓＸＩＱ”／
ａｎ で全面にイオン注入を行なう。ボロンイオンはコ
ンタクト穴の頭載３でのみシリコン半導体基板中に注入
されボロン原子の注入領域６が形成され、その他の領域
ではシリコン半導体基板中への注入り生しない。このボ
ロン注入によってチタン膜４中のチタン原子のうちの若
干のものがイオン注入時のノックオン過程によってシリ
コン半導体基板１中に混合される。しかしながらボロン
原子が比較的軽い元素であるためにチタン原子とシリコ
ン原子の混合は十分には行なわれない。
ボロンイオンを１５０ＫｅＶ ドーｘｊｔｓＸＩＱ”／
ａｎ で全面にイオン注入を行なう。ボロンイオンはコ
ンタクト穴の頭載３でのみシリコン半導体基板中に注入
されボロン原子の注入領域６が形成され、その他の領域
ではシリコン半導体基板中への注入り生しない。このボ
ロン注入によってチタン膜４中のチタン原子のうちの若
干のものがイオン注入時のノックオン過程によってシリ
コン半導体基板１中に混合される。しかしながらボロン
原子が比較的軽い元素であるためにチタン原子とシリコ
ン原子の混合は十分には行なわれない。
次に同図（４）に示すように前記のチタン膜の上かラｉ
ｉ 集イオンを５ｏＫｅＶ、ドー：ｘ、ｆｆ＞ ５ Ｘ
１０ ／ ｃｍで全面にイオン注入を行なう。この窒
素イオンの注入に於いて注入イオンの飛程距離ａｐが窒
素を含んだチタン層とシリコン半導体基板１との界面１
０に位置するようにイオン注入条件の設定を行なうのが
好ましい。この窒素イオン注入によシチタン膜４中のチ
タン原子の若干のものがイオン注入前のノックオン過程
によってシリコン半導体基板中に混合される。該穿索イ
オン注入と前記のボロンイオン注入と２回のイオン注入
の結果、シリコン半導体基板表面にチタン原子と基板シ
リコン原子との混合層８が形成される。またこの９素イ
オン注入に於いて窒素イオンの飛程短期１几ｐは窒素を
含んだチタン層とシリコン半導体基板との界面１０の近
傍に位置しているが注入された窒素原子はシリコン半導
体基板中とチタン膜中にひろがって分布する。このうち
シリコン半導体基板中に注入された窒素原子のうちの大
部分は電気的に不活性であるので不純物濃度に影響を与
えない。一方チタン膜中にひろがった窒素原子によって
チタン膜４は窒素を含んだチタン膜９に変わる。。
ｉ 集イオンを５ｏＫｅＶ、ドー：ｘ、ｆｆ＞ ５ Ｘ
１０ ／ ｃｍで全面にイオン注入を行なう。この窒
素イオンの注入に於いて注入イオンの飛程距離ａｐが窒
素を含んだチタン層とシリコン半導体基板１との界面１
０に位置するようにイオン注入条件の設定を行なうのが
好ましい。この窒素イオン注入によシチタン膜４中のチ
タン原子の若干のものがイオン注入前のノックオン過程
によってシリコン半導体基板中に混合される。該穿索イ
オン注入と前記のボロンイオン注入と２回のイオン注入
の結果、シリコン半導体基板表面にチタン原子と基板シ
リコン原子との混合層８が形成される。またこの９素イ
オン注入に於いて窒素イオンの飛程短期１几ｐは窒素を
含んだチタン層とシリコン半導体基板との界面１０の近
傍に位置しているが注入された窒素原子はシリコン半導
体基板中とチタン膜中にひろがって分布する。このうち
シリコン半導体基板中に注入された窒素原子のうちの大
部分は電気的に不活性であるので不純物濃度に影響を与
えない。一方チタン膜中にひろがった窒素原子によって
チタン膜４は窒素を含んだチタン膜９に変わる。。
次に同図（５）に示すように上記構造体を窒素ガス雰囲
気中で１１００℃でキセノン（Ｘｅ）、ｙンプによるフ
ラッジ−ランプアニールを行なう。この工程によシボロ
ンイオン注入で形成されたボロン原子のイオン注入領域
６内のボロンは活性化されて、Ｐ型拡散層１２が形成さ
れる。これと同時にチタン原子とシリコン原子との混合
層８はチタンシリサイド（Ｔｉ８ｉｚ）層１３に変換さ
れる。、さらにこれと同時に窒素を含んだチタン膜９は
窃化チタン（Ｔ五Ｎ）膜１１に変換される４、 次に同図（６）に示すようにアルミニウムを全面に被着
しＢＣ４３ガスを使ったドライエッチでアルミニウムを
パターンニングし、次にＣＦ４ガスを使ったドライエッ
チで窒化チタンをパターンニングしてコンタクト形成が
完成する。
気中で１１００℃でキセノン（Ｘｅ）、ｙンプによるフ
ラッジ−ランプアニールを行なう。この工程によシボロ
ンイオン注入で形成されたボロン原子のイオン注入領域
６内のボロンは活性化されて、Ｐ型拡散層１２が形成さ
れる。これと同時にチタン原子とシリコン原子との混合
層８はチタンシリサイド（Ｔｉ８ｉｚ）層１３に変換さ
れる。、さらにこれと同時に窒素を含んだチタン膜９は
窃化チタン（Ｔ五Ｎ）膜１１に変換される４、 次に同図（６）に示すようにアルミニウムを全面に被着
しＢＣ４３ガスを使ったドライエッチでアルミニウムを
パターンニングし、次にＣＦ４ガスを使ったドライエッ
チで窒化チタンをパターンニングしてコンタクト形成が
完成する。
上記の方法でコンタクトを形成すると従来の窒素を含ん
だチタン膜を形成し、次にこれを熱処理することによっ
てチタンシリサイド層と窒化チタン層が積層された構造
を形成する方法に比へてチタン膜を被着形成した後、チ
タン膜の上から不純物原子をイオン注入し、続いて窒素
原子のイオン注入を行々い、前記２回のイオン注入によ
ってチタン原子と基板のシリコン原子を混合した後、熱
処理を行なってチタンシリサイド層と窒化チタン層とが
積層された構造を形成するので再現性、均一性にすぐれ
たチタンシリサイド層を形成することが出来る１゜ 以上詳細に説明したように本発明はシリコン半導体基板
表面のコンタクト穴の細枝全面にチタン膜な被着形成し
、このチタン膜の上からコンタクト穴を」４して不純物
原子をシリコン半導体基板中にイオン注入し、続いて同
じコンタクト穴から窒素原子をチタン膜とシリコン半導
体基板との界面近傍にイオン注入する。前記２回のイオ
ン注入によシリコン原子と基板シリコン原子の混合を行
ない、あわせてチタン膜中への窒素ドープとシリコン半
導体基板への不純物ドープを行なう。次に窒素を構成原
子として含む雰囲気中でランプアニールを行なってチタ
ンシリサイド層の形成と、窒化チタン層の形成と、不純
物拡散層の形成を行なう。
だチタン膜を形成し、次にこれを熱処理することによっ
てチタンシリサイド層と窒化チタン層が積層された構造
を形成する方法に比へてチタン膜を被着形成した後、チ
タン膜の上から不純物原子をイオン注入し、続いて窒素
原子のイオン注入を行々い、前記２回のイオン注入によ
ってチタン原子と基板のシリコン原子を混合した後、熱
処理を行なってチタンシリサイド層と窒化チタン層とが
積層された構造を形成するので再現性、均一性にすぐれ
たチタンシリサイド層を形成することが出来る１゜ 以上詳細に説明したように本発明はシリコン半導体基板
表面のコンタクト穴の細枝全面にチタン膜な被着形成し
、このチタン膜の上からコンタクト穴を」４して不純物
原子をシリコン半導体基板中にイオン注入し、続いて同
じコンタクト穴から窒素原子をチタン膜とシリコン半導
体基板との界面近傍にイオン注入する。前記２回のイオ
ン注入によシリコン原子と基板シリコン原子の混合を行
ない、あわせてチタン膜中への窒素ドープとシリコン半
導体基板への不純物ドープを行なう。次に窒素を構成原
子として含む雰囲気中でランプアニールを行なってチタ
ンシリサイド層の形成と、窒化チタン層の形成と、不純
物拡散層の形成を行なう。
上記の如く行なうことによシ従米法に比べて再現性、均
一性にすぐれたチタンシリサイド層を備えだ、窒化チタ
ン層とチタンシリサイド層が積層された構造を持つコン
タクト形成がなされる。
一性にすぐれたチタンシリサイド層を備えだ、窒化チタ
ン層とチタンシリサイド層が積層された構造を持つコン
タクト形成がなされる。
第１図は従来のコンタクト形成方法に係わる半導体装置
の断面図６、第２図（１）〜（６）目、不発明の一実施
例の各工程における断面図３゜ 図面で、１，１０１・・・・・・シリコン半導体部−板
、２゜１０２・・・・・・絶縁膜、１２，１１２ ・・
・・・・不純物拡散層、１３．１１３ ・・・・・・チ
タンシリサイド）Ｗ、１１，１１１・・・・・・窒化チ
タン７１．１４，１１４ ・・・・・アルミニウム膜、
３・・・・・・コンタクト穴、４・・・・・・チタン膜
、５・・・・・・不純物原子のイオン流、６・・・・・
・不純物原子の注入領域、７・・・・・・窒素原子のイ
メン流、８・・・・・・チタン原子とシリコン原子との
混合層、９・・・・・・窒素を含んだチタン層、１０・
・・・・・窪紫を含んだチタン層とシリコン半導体基板
との界面である。 カ Ｉ 閃 力？閃
の断面図６、第２図（１）〜（６）目、不発明の一実施
例の各工程における断面図３゜ 図面で、１，１０１・・・・・・シリコン半導体部−板
、２゜１０２・・・・・・絶縁膜、１２，１１２ ・・
・・・・不純物拡散層、１３．１１３ ・・・・・・チ
タンシリサイド）Ｗ、１１，１１１・・・・・・窒化チ
タン７１．１４，１１４ ・・・・・アルミニウム膜、
３・・・・・・コンタクト穴、４・・・・・・チタン膜
、５・・・・・・不純物原子のイオン流、６・・・・・
・不純物原子の注入領域、７・・・・・・窒素原子のイ
メン流、８・・・・・・チタン原子とシリコン原子との
混合層、９・・・・・・窒素を含んだチタン層、１０・
・・・・・窪紫を含んだチタン層とシリコン半導体基板
との界面である。 カ Ｉ 閃 力？閃
Claims (1)
- シリコン半導体基板の一生面側を保った絶縁膜に前記シ
リコン半導体基板へのコンタクト穴を開孔する工程と、
前記シリコン半導体基板表面のコンタクト穴の領域全面
にチタン膜を被着形成する工程と、該チタン膜の上から
、前記コンタクト穴を通して、このコンタクト穴の通じ
るシリコン半導体基板に同じ構電、型又ａ反対導％型を
生起させる不純物原子をイオン注入する工程と、前記チ
タン膜の土から前記コンタクト穴を通して蟹素原子をイ
オン注入する工程と、該処理によって前記イオン注入で
橢大した不純物原子の活性化とチタンシリサイド層の形
成と蟹化チタン層の形成とを同峙に杓なう工程とを含む
ことｆ：％徽とする半導体装置の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP881184A JPS60153121A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP881184A JPS60153121A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153121A true JPS60153121A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11703208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP881184A Pending JPS60153121A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153121A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240724A (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6289355A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6298723A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体デバイスの電極製造方法 |
| JPS62104174A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Nippon Texas Instr Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS62290128A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63128646A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Corp | 多層配線構造の製造方法 |
| JPS63131572A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS63175420A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6419763A (en) * | 1987-01-22 | 1989-01-23 | Advanced Micro Devices Inc | Improved integrated circuit structure and method of forming improved integrated circuit structure |
| JPH02232843A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ビデオ・テープレコーダ |
| KR100355605B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-10-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택전극의 배리어메탈 제조방법 |
| US6879043B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode structure and method for fabricating the same |
| JP2017118104A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-29 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 半導体本体上の接触層形成 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP881184A patent/JPS60153121A/ja active Pending
Cited By (14)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2017118104A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-29 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 半導体本体上の接触層形成 |
| US10002930B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-06-19 | Infineon Technologies Ag | Forming a contact layer on a semiconductor body |
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