JPS60151273A - セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法 - Google Patents
セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はセラミック被膜付き金属化合物の微粉末の製造
方法に関する。
方法に関する。
本発明により得られた金属化合物の微粉末は、焼結材料
等に好適である。
等に好適である。
窒化ケイ素等の金属化合物粉末を用いて焼結を行う場合
、金属化合物粉末のみでは焼結を円滑に進めることはで
きない。そのため、従来は金属化合物粉末に酸化イツト
リウム、酸化アルミニウム等の焼結助剤を添加している
。
、金属化合物粉末のみでは焼結を円滑に進めることはで
きない。そのため、従来は金属化合物粉末に酸化イツト
リウム、酸化アルミニウム等の焼結助剤を添加している
。
ところで、焼結を円滑に進めるに当たっては、」二記金
属化合物粉末と焼結助剤を均一に混合し、お互いの接触
面積を大きくすることが望ましい。
属化合物粉末と焼結助剤を均一に混合し、お互いの接触
面積を大きくすることが望ましい。
しかしながら、金属化合物粉末と焼結助剤は共に粉末で
あるため、実質的に均一に混合するのは困ゲIEであり
、混合の均一性の程度により焼結体の強度が十分でない
という問題がある。
あるため、実質的に均一に混合するのは困ゲIEであり
、混合の均一性の程度により焼結体の強度が十分でない
という問題がある。
また、従来は金属化合物の粉末の粒径が大きく、焼結体
とし−どの強度が十分上がらないという問題がる。
とし−どの強度が十分上がらないという問題がる。
本発明もよ、−ヒ記従来技術の問題を解決するためにな
されたもので、粒径が非常に小さく、かつ実質的に均〜
である金属化合物の微粉末の表面にセラミック被膜が均
一に何着したセラミック被膜イ」き金属化合物の微粉末
を高合成率で製造することのできる方法を提供すること
を目的とする。
されたもので、粒径が非常に小さく、かつ実質的に均〜
である金属化合物の微粉末の表面にセラミック被膜が均
一に何着したセラミック被膜イ」き金属化合物の微粉末
を高合成率で製造することのできる方法を提供すること
を目的とする。
〔発明の構成〕
かかる目的は、本発明によれば、金属化合物を構成する
少な(とも一つの金属と、この金属のキャリヤガスとを
含む気体状混合物を、50〜2000m/秒の速度で、
前記金属の融点の8割以下の/Iμ度とされた前記金属
化合物を構成する他の元素もしくは他の元素を含む気体
雰囲気中に噴出させることにより、前記金属と他の元素
を急冷させつつ反応さセで金属化合物の微粉末を製造し
、続いてこの金属化合物の微粉末を他の金属蒸気または
他の金属化合物蒸気中を通ずことによって金属化合物の
表面にセラミックを被覆することを特徴とするセラミン
ク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法によって達成
される。
少な(とも一つの金属と、この金属のキャリヤガスとを
含む気体状混合物を、50〜2000m/秒の速度で、
前記金属の融点の8割以下の/Iμ度とされた前記金属
化合物を構成する他の元素もしくは他の元素を含む気体
雰囲気中に噴出させることにより、前記金属と他の元素
を急冷させつつ反応さセで金属化合物の微粉末を製造し
、続いてこの金属化合物の微粉末を他の金属蒸気または
他の金属化合物蒸気中を通ずことによって金属化合物の
表面にセラミックを被覆することを特徴とするセラミン
ク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法によって達成
される。
本発明による製造方法に於ける金属化合物を構成すべき
金属および他の元素は、互いに化合する任意の金属およ
び元素の組合わせであってよいが、特に金属としてはケ
イ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウムなど、若し
くはそれらの組合わせが好ましい。
金属および他の元素は、互いに化合する任意の金属およ
び元素の組合わせであってよいが、特に金属としてはケ
イ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウムなど、若し
くはそれらの組合わせが好ましい。
また、他の元素としては窒素、炭素、酸素、更には他の
金泥元素(この場合得られる金属化合物は金属間化合物
となる)を用いることができる。
金泥元素(この場合得られる金属化合物は金属間化合物
となる)を用いることができる。
またこの場合、気体状混合物の一部をなす他の元素は、
その元素自体よりなる気体のみならず当該元素を含みそ
の元素を分離し得る物質より生成したものでもよい。例
えば他の元素が窒素である場合には、窒素ガスのみなら
ず、アンモニアの如き物質を使用することができ、また
他の元素が炭素である場合には、メタン、エタン、プロ
パン等の低級脂肪族炭化水素を用いることができる。
その元素自体よりなる気体のみならず当該元素を含みそ
の元素を分離し得る物質より生成したものでもよい。例
えば他の元素が窒素である場合には、窒素ガスのみなら
ず、アンモニアの如き物質を使用することができ、また
他の元素が炭素である場合には、メタン、エタン、プロ
パン等の低級脂肪族炭化水素を用いることができる。
金属化合物の微粉末の表面に被覆される他の金属または
他の金属化合物は、焼結助剤としての働きを期待するも
のであり、イツトリウム、アルミニウム、マグネシウム
や塩化イツトリウム、塩化アルミニウム等を用いること
ができる。
他の金属化合物は、焼結助剤としての働きを期待するも
のであり、イツトリウム、アルミニウム、マグネシウム
や塩化イツトリウム、塩化アルミニウム等を用いること
ができる。
本発明において、キャリヤガスは金属を円滑に運搬する
と共に、炉内の圧力を所定の値に調整するのに用いられ
る。このキャリヤガスとしては、アルゴン等の不活性ガ
スを用いることができるが、金属化合物を構成する他の
元素もしくは他の元素を含む気体を用いるごともできる
。なお、キャリヤガスとして他の元素もしくは他の元素
を含む気体を用いた場合には、この他の元素は一部金属
と反応するため、より合成率を高めることができる。
と共に、炉内の圧力を所定の値に調整するのに用いられ
る。このキャリヤガスとしては、アルゴン等の不活性ガ
スを用いることができるが、金属化合物を構成する他の
元素もしくは他の元素を含む気体を用いるごともできる
。なお、キャリヤガスとして他の元素もしくは他の元素
を含む気体を用いた場合には、この他の元素は一部金属
と反応するため、より合成率を高めることができる。
また、得られた金属化合物の微粉末に他の金属または金
属化合物を被覆させる室には、温度と圧力を所定値に保
つよう窒素、アルゴン等の不活性ガスを導入するのが望
ましい。
属化合物を被覆させる室には、温度と圧力を所定値に保
つよう窒素、アルゴン等の不活性ガスを導入するのが望
ましい。
本発明において、急冷前の金属とキャリヤガスとを含む
気体状混合物は、例えば窒化ケイ素の微粉末を製造する
場合には、温度は実質的に2000゛C以上で、かつそ
の圧力は10−′気圧以下であることが望ましい。すな
わち、金属が范気として安定的に存在できる温度、気圧
にすることが必要である。
気体状混合物は、例えば窒化ケイ素の微粉末を製造する
場合には、温度は実質的に2000゛C以上で、かつそ
の圧力は10−′気圧以下であることが望ましい。すな
わち、金属が范気として安定的に存在できる温度、気圧
にすることが必要である。
この気体状混合物を、金属化合物を構成する他の元素も
しくは他の元素を含む気体雰囲気中に噴出させ、急冷差
させつつ金属と他の元素を反j、r−1させる。本発明
において、気体状混合物の急冷は、実質的に他の元素も
しくは他の元素を含む気体で行う。また気体状混合物を
噴出させるノズルの形状も大きく寄与する。すなわら、
ノズルとして末広ノズルを用いた場合には、その急冷’
Jノ果は太きい。
しくは他の元素を含む気体雰囲気中に噴出させ、急冷差
させつつ金属と他の元素を反j、r−1させる。本発明
において、気体状混合物の急冷は、実質的に他の元素も
しくは他の元素を含む気体で行う。また気体状混合物を
噴出させるノズルの形状も大きく寄与する。すなわら、
ノズルとして末広ノズルを用いた場合には、その急冷’
Jノ果は太きい。
惣、冷を他の元素もしくは他の元素を含む気体で行うた
めには、この他の元素もしくは他の元素を含む気体の温
度を気体状混合物より低塩にする必要がある。この場合
、温度は金属化合物を構成する金属の融点の8割り下に
することが望ましい。
めには、この他の元素もしくは他の元素を含む気体の温
度を気体状混合物より低塩にする必要がある。この場合
、温度は金属化合物を構成する金属の融点の8割り下に
することが望ましい。
急冷を行うと共に、金属と他の元素を反応させるために
、気体状混合物は50〜2000m/秒の速度で他の元
素もしくは他の元素を含む気体雰囲気中に噴出すること
が必要である。このとき、噴出速度が速すぎると、七分
反応が行われず合成率が低くなる。合成率を高めるため
には、噴出速度を50〜800m/秒とするのがより望
ましい。
、気体状混合物は50〜2000m/秒の速度で他の元
素もしくは他の元素を含む気体雰囲気中に噴出すること
が必要である。このとき、噴出速度が速すぎると、七分
反応が行われず合成率が低くなる。合成率を高めるため
には、噴出速度を50〜800m/秒とするのがより望
ましい。
また、得られた金属化合物の微粉末に他の金属または他
の金属化合物を被覆させるには、金完化合物の微粉末を
800℃〜1100°Cに加熱することが必要である。
の金属化合物を被覆させるには、金完化合物の微粉末を
800℃〜1100°Cに加熱することが必要である。
このとき、温度が低いと被覆層が形成されない。
以」二の如く、本発明によるセラミック被膜付き金属化
合物の微粉末の製造方法は金属化合物を構成すべき少な
くとも一つの金属を他の元素もしくは他の元素を含む気
体中に噴出さ−Uつつそれらを反応させ、得られた金属
化合物の微粉末にセラミ2り被膜を付着さ゛せることを
最大の特徴とするものである。
合物の微粉末の製造方法は金属化合物を構成すべき少な
くとも一つの金属を他の元素もしくは他の元素を含む気
体中に噴出さ−Uつつそれらを反応させ、得られた金属
化合物の微粉末にセラミ2り被膜を付着さ゛せることを
最大の特徴とするものである。
次に、気体状混合物を急冷することが非常に微細な金属
化合物粉末を得る上で如何に有効であるかについて、金
属ケイ素蔑気と窒素ガスとより窒化ケイ素の微わ)末を
製造する場合について説明する。
化合物粉末を得る上で如何に有効であるかについて、金
属ケイ素蔑気と窒素ガスとより窒化ケイ素の微わ)末を
製造する場合について説明する。
金属ケイ素は比較的気化しにくい金属であり、2000
℃の温度に於ても0.5 Torr (6,6X 10
−4気圧)の平衡蒸気圧しか有していない。従って、金
属ケイ素を2000°C以上の温度に加熱して得られる
金属ケイ素蒸気をもちいて窒化ケイ素の微粉末を製造す
る方法は、従来の方法に比して熱エネルギ的には得策で
はない。しかし、金属ケイ素蒸気を急冷することにより
、金属ケイ素はその蒸気の状態から固体に迅速に転換さ
れるので、本発明による方法によれば、0.01μm程
度と非當に微細でありかつその粒径が実質的に均一であ
る金属化合物の微粉末を得ることができる。これに対し
従来の気相反応などを利用した方法に方今では、このよ
うに微細で均一な金属化合物粉末を得ることができない
。すなわち、金属ケイ素および窒素ガスは900〜17
00℃程度の比較的低し)温度に於て反応して窒化ケイ
素となり、この窒化ゲイ素は」二連の温度範囲に於て安
定である。従って、例えば900〜1700“Cの温度
に於て金属ケイ素発生ガス(シランガス(SiH、)な
ど、と窒素発生ガス(アンモニアガス(NH,)など)
との気相反応により窒化ケイ素を製造する場合Gこは、
金属ケイ素と窒素ガスとが化合して固体の窒化ゲイ素と
なる方向に容易に反応が進行して、極めて短時間のうぢ
に窒化ケイ素粒が成長し、粗大粒となってしまう。
℃の温度に於ても0.5 Torr (6,6X 10
−4気圧)の平衡蒸気圧しか有していない。従って、金
属ケイ素を2000°C以上の温度に加熱して得られる
金属ケイ素蒸気をもちいて窒化ケイ素の微粉末を製造す
る方法は、従来の方法に比して熱エネルギ的には得策で
はない。しかし、金属ケイ素蒸気を急冷することにより
、金属ケイ素はその蒸気の状態から固体に迅速に転換さ
れるので、本発明による方法によれば、0.01μm程
度と非當に微細でありかつその粒径が実質的に均一であ
る金属化合物の微粉末を得ることができる。これに対し
従来の気相反応などを利用した方法に方今では、このよ
うに微細で均一な金属化合物粉末を得ることができない
。すなわち、金属ケイ素および窒素ガスは900〜17
00℃程度の比較的低し)温度に於て反応して窒化ケイ
素となり、この窒化ゲイ素は」二連の温度範囲に於て安
定である。従って、例えば900〜1700“Cの温度
に於て金属ケイ素発生ガス(シランガス(SiH、)な
ど、と窒素発生ガス(アンモニアガス(NH,)など)
との気相反応により窒化ケイ素を製造する場合Gこは、
金属ケイ素と窒素ガスとが化合して固体の窒化ゲイ素と
なる方向に容易に反応が進行して、極めて短時間のうぢ
に窒化ケイ素粒が成長し、粗大粒となってしまう。
次に、気体状混合物を急冷する手段として、いかなる冷
却手段が適切であるかについて説明する。
却手段が適切であるかについて説明する。
本発明においては、冷却については他の元素もしくは他
の元素を含む気体の温度が大きく寄与する。気体状混合
物はこの他の元素もしくは他の元素を含む気体により急
冷される。一方、気体状混合物は、他の元素もしくは他
の元素を含む気体と接触する前に、気IEの差によりノ
ズルを介して他の元素もしくは他の元素を含む気体に噴
出されることによっても急冷される。このとき、ノズル
として第1図に示す如き細管を用いる場合は、第2図に
示す末広ノズル(ラバール ノズル)を用いる場合とで
は、冷却速度に大きな差が生しる。すなわぢ、細管を用
いた場合は、噴出速度は50〜880m/秒となる。従
って、急冷という点に関しては末広ノズルを用いた方が
効果は大きいが、本発明においては冷却速度があまり大
き過ぎると金属と他の元素もしくは他の元素を含む気体
が充分反応を行う余裕がなくなるため、例えば、窒化ケ
イ素の微粉末を製造する場合には、末広ノズノ3.・よ
りも細管を用いた方が合成率が高い。
の元素を含む気体の温度が大きく寄与する。気体状混合
物はこの他の元素もしくは他の元素を含む気体により急
冷される。一方、気体状混合物は、他の元素もしくは他
の元素を含む気体と接触する前に、気IEの差によりノ
ズルを介して他の元素もしくは他の元素を含む気体に噴
出されることによっても急冷される。このとき、ノズル
として第1図に示す如き細管を用いる場合は、第2図に
示す末広ノズル(ラバール ノズル)を用いる場合とで
は、冷却速度に大きな差が生しる。すなわぢ、細管を用
いた場合は、噴出速度は50〜880m/秒となる。従
って、急冷という点に関しては末広ノズルを用いた方が
効果は大きいが、本発明においては冷却速度があまり大
き過ぎると金属と他の元素もしくは他の元素を含む気体
が充分反応を行う余裕がなくなるため、例えば、窒化ケ
イ素の微粉末を製造する場合には、末広ノズノ3.・よ
りも細管を用いた方が合成率が高い。
次に、気体状混合物の急冷前後、すなわち、断熱膨張前
後に於ける温度および圧力条件としては如何なる条件が
適切であるかについて、窒化ケイ素の微粉末を製造する
場合を例にとり説明する。
後に於ける温度および圧力条件としては如何なる条件が
適切であるかについて、窒化ケイ素の微粉末を製造する
場合を例にとり説明する。
如何なる温度および圧力条件下に於て窒化ケイ素が分解
しまたは化合状態に留まるカ弓号へカ学の第二法則に従
う。ずなわら、金属ケイ素遊気と窒素ガスとの化合反応
は下記の式(1)にて表される。
しまたは化合状態に留まるカ弓号へカ学の第二法則に従
う。ずなわら、金属ケイ素遊気と窒素ガスとの化合反応
は下記の式(1)にて表される。
:3 (Si) +2 (N 、) :ゴ(sll N
a )−−−(1) この反応(1)の自由エイ、ルギ変化Δドは下記の式(
2)または式(3)に−0表される。
a )−−−(1) この反応(1)の自由エイ、ルギ変化Δドは下記の式(
2)または式(3)に−0表される。
ΔF−△F、4− RT] n ’
(1°・〕ノ )′・ (1:“rl・)′(2)
△Fo二標lV自山エネルギ変化
R:ガス定数
1” ニー1.債度 (”’K)
[匂、1 :金属ケイ素荘気の分圧
PI・+2:窒素ガスの分圧
ΔF −−495853−7,755’rIogT +
2(15,22T−4,575ゴX (3IoRPs
]、+ 2 log P+q。
2(15,22T−4,575ゴX (3IoRPs
]、+ 2 log P+q。
−(3)
の窒化ケイ素が安定であり、ΔFが正の場合には気体と
しての金属ケイ素蒸気および窒素ガスが安定である。
しての金属ケイ素蒸気および窒素ガスが安定である。
第3図は窒素ガス分圧(2間、)が10−2気圧(7,
6T orr)の場合の窒化ケイ素が安定である領域と
金、光ケイ素蒸気および窒素ガスが気体として安定であ
る領域を示す反応状態図である。この第2図より、1o
−2気圧程度の真空下に於ては、塩度が2000℃以上
の場合に金属ケイ素蒸気および窒素ガスの方が窒化ケイ
素によりも安定であることが解る。
6T orr)の場合の窒化ケイ素が安定である領域と
金、光ケイ素蒸気および窒素ガスが気体として安定であ
る領域を示す反応状態図である。この第2図より、1o
−2気圧程度の真空下に於ては、塩度が2000℃以上
の場合に金属ケイ素蒸気および窒素ガスの方が窒化ケイ
素によりも安定であることが解る。
従って、本発明による金属化合物の微粉末の製造方法に
於ては、金属蒸気の安定領域に於て金属蒸気とキャリヤ
ガスとを混合し、その気体くに混合物をノズルを介して
低温の他の元素もしくは他の元素を含む気体中に噴出す
ることにより急冷して反応させ、更に粒成長させずに冷
却し続りることが望ましいことが判る。
於ては、金属蒸気の安定領域に於て金属蒸気とキャリヤ
ガスとを混合し、その気体くに混合物をノズルを介して
低温の他の元素もしくは他の元素を含む気体中に噴出す
ることにより急冷して反応させ、更に粒成長させずに冷
却し続りることが望ましいことが判る。
本発明においては、金属とキャリートガスの気体状混合
物を所定の速度で他の元素もしくは他の元素を含む気体
に噴出させるため、気体状混合物はノズルを通過するご
とによる断熱膨張と低温の他の元素もしくは(叶の元素
を含む気体との接触により、金属と他の元素が反応する
温度範囲まで急冷され、そこで反応が行われるとともに
、その後更に金属化合物が安定に存在する領域まで急冷
される。
物を所定の速度で他の元素もしくは他の元素を含む気体
に噴出させるため、気体状混合物はノズルを通過するご
とによる断熱膨張と低温の他の元素もしくは(叶の元素
を含む気体との接触により、金属と他の元素が反応する
温度範囲まで急冷され、そこで反応が行われるとともに
、その後更に金属化合物が安定に存在する領域まで急冷
される。
続いて、得られた金属化合物の@粉末は分解しない、所
定の温度まで加熱された後、他の金属蒸気または他の金
属化合物蒸気中に噴出され、表面に他の金属または金属
化合物を付着させた状態で細管またはラバール管を通過
することGこより急冷され、引続き表面の酸化、安定化
が行われる。これにより、セラミック被膜付き金属化合
物の微粉末が得られる。
定の温度まで加熱された後、他の金属蒸気または他の金
属化合物蒸気中に噴出され、表面に他の金属または金属
化合物を付着させた状態で細管またはラバール管を通過
することGこより急冷され、引続き表面の酸化、安定化
が行われる。これにより、セラミック被膜付き金属化合
物の微粉末が得られる。
本発明は以」二の如く構成されるため、以下の効果を奏
する。
する。
(イ)気体状混合物を構成する金属蒸気はノズルを通過
する際の自己断熱膨張および他の元素との接触によって
ん、その気体状態に於りる大きさのまま固体の微粉末に
急冷され、またこれと同時に金属化合物を構成すべき他
の元素と反応するので、粒径が極めて小さく、かつ粒径
が実質的に均一であるセラミック被膜付き金属化合物の
微粉末を得ることができる。
する際の自己断熱膨張および他の元素との接触によって
ん、その気体状態に於りる大きさのまま固体の微粉末に
急冷され、またこれと同時に金属化合物を構成すべき他
の元素と反応するので、粒径が極めて小さく、かつ粒径
が実質的に均一であるセラミック被膜付き金属化合物の
微粉末を得ることができる。
(ロ)蒸気はノズルおよび他の元素もしくは他の元素を
含む気体との接触によって気相状態より固相状態に迅速
かつ連続的に転換されるので、高純度のセラミック被膜
付き金属化合物を能率良く連続的に製造することができ
る。
含む気体との接触によって気相状態より固相状態に迅速
かつ連続的に転換されるので、高純度のセラミック被膜
付き金属化合物を能率良く連続的に製造することができ
る。
(ハ)気体状混合物を反応させる他の元素もしくは他の
元素を含む気体に噴出させることおよび適宜な冷却速度
を得るごとにより、セラミック被膜イ」き金属化合物の
合成率が大幅に向上する。
元素を含む気体に噴出させることおよび適宜な冷却速度
を得るごとにより、セラミック被膜イ」き金属化合物の
合成率が大幅に向上する。
(ニ)得られたセラミック被膜付き金属化合物の微粉末
は、表面にセラミック被膜が形成されているため、内部
の金属化合物の変質が防止でき、か一つ取扱いが容易と
なる。
は、表面にセラミック被膜が形成されているため、内部
の金属化合物の変質が防止でき、か一つ取扱いが容易と
なる。
(ボ)iUられたセラミック被膜付き金属化合物の1′
、”’に粉末は、焼結助剤が表面に均一に(=1着して
いるため焼結性が良く、高強度の焼結体が得られる。
、”’に粉末は、焼結助剤が表面に均一に(=1着して
いるため焼結性が良く、高強度の焼結体が得られる。
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明する。
〔第1実施例〕
第4図は本発明の第1実施例に用いたセラミック被膜付
き金属化合物の微粉末の製造装置を示す概略構成図であ
る。
き金属化合物の微粉末の製造装置を示す概略構成図であ
る。
図中、lは実質的に密閉の容器をなす炉殻を示しており
、この炉殻1内は仕切壁2.3.4により上下4室5.
6.7.8に分割されている。第1の室5内には、第1
のるつぼ9が配置されている。第1のるりはっはキャリ
ートガス導入ボート10を有するガス予熱室11と、こ
のガス予熱室11と連通ずる混合室12とを有している
。第1のるつは9の周りには、ガス予熱室11および混
合室12内を所定の温度′■゛、に署1持する第1のヒ
ータ13が配置されており、ごの第1のし−タ13によ
り混合室12内に装入された金属が溶削;されて金属溶
/A14とされ、更には金属苺気として気化されるよう
になっている。
、この炉殻1内は仕切壁2.3.4により上下4室5.
6.7.8に分割されている。第1の室5内には、第1
のるつぼ9が配置されている。第1のるりはっはキャリ
ートガス導入ボート10を有するガス予熱室11と、こ
のガス予熱室11と連通ずる混合室12とを有している
。第1のるつは9の周りには、ガス予熱室11および混
合室12内を所定の温度′■゛、に署1持する第1のヒ
ータ13が配置されており、ごの第1のし−タ13によ
り混合室12内に装入された金属が溶削;されて金属溶
/A14とされ、更には金属苺気として気化されるよう
になっている。
この第1のるつは9の底壁には、ごの底壁および仕切壁
2を貫通して、混合室】2と第2の室6を連通ずるφ7
mmの第1の細管15が設けられている。また、第2の
室6には、この第1の細管15と直交する向きに金属化
合物を構成する他の元素もしくは他の元素を含む気体を
第2の室6内に導入する反応ガス導入管16が取り付け
られており、この反応ガス導入管16は、図示しないホ
ンへ等に接続されている。
2を貫通して、混合室】2と第2の室6を連通ずるφ7
mmの第1の細管15が設けられている。また、第2の
室6には、この第1の細管15と直交する向きに金属化
合物を構成する他の元素もしくは他の元素を含む気体を
第2の室6内に導入する反応ガス導入管16が取り付け
られており、この反応ガス導入管16は、図示しないホ
ンへ等に接続されている。
第2の室6と第3の室7ば、第2の細@17により連通
されている。この第2の細@17の直下には第2のるつ
ぼ1Bが設けられており、内部には金属または金属化合
物が装置I五されている。また、第2の細管17および
第2のるつぼ18の周りには、それぞれ第2のヒータ1
9、第3のヒータ20が取り付けられており、第2の細
管17および第2のるつけ18内を加gIハ可能とされ
る。また、第3の室7には、窒素、アルゴン等の不活性
ガス不活4IJガス導入管21が取りイ旧ノられてお勺
、図示しないボンへ等に接続されている。更に、第2の
るつは18の底部と第4の室8を連通して第3の却1〒
(22が設りられている。
されている。この第2の細@17の直下には第2のるつ
ぼ1Bが設けられており、内部には金属または金属化合
物が装置I五されている。また、第2の細管17および
第2のるつぼ18の周りには、それぞれ第2のヒータ1
9、第3のヒータ20が取り付けられており、第2の細
管17および第2のるつけ18内を加gIハ可能とされ
る。また、第3の室7には、窒素、アルゴン等の不活性
ガス不活4IJガス導入管21が取りイ旧ノられてお勺
、図示しないボンへ等に接続されている。更に、第2の
るつは18の底部と第4の室8を連通して第3の却1〒
(22が設りられている。
また、第4の室8の底部で第3の細管22の直下には、
合成されたセラミック被膜付き金属化合物の微粉末を捕
集する捕集管23が設けられている。この捕集管23は
IPI製のパイプからなり、内8131こば冷却水が通
されている。
合成されたセラミック被膜付き金属化合物の微粉末を捕
集する捕集管23が設けられている。この捕集管23は
IPI製のパイプからなり、内8131こば冷却水が通
されている。
また、第4の室8には、酸素導入管24が取り付りられ
ている。
ている。
更に、第4の室8の一部は図示しない真空ポンプ等の1
)1気手段に接続されている。この真空ポンプにより第
2の室6および混合室12内がそれぞれP2および))
、の所定圧力に減圧される。なお、第3の室7は不活性
ガスにより第2の室6より3〜5 =l’ o r r
低く設定される。
)1気手段に接続されている。この真空ポンプにより第
2の室6および混合室12内がそれぞれP2および))
、の所定圧力に減圧される。なお、第3の室7は不活性
ガスにより第2の室6より3〜5 =l’ o r r
低く設定される。
かかる構成のセラミック被膜付き金属化合物の微粉末の
製造装置を用いて、以下の要領にて酸化イソ1−リウム
被股イマ1き窒化ケイ素の微粉末を製造した。
製造装置を用いて、以下の要領にて酸化イソ1−リウム
被股イマ1き窒化ケイ素の微粉末を製造した。
まず、金属ケイ素を混合室12内に装入し、炉壁1内を
真空ポンプにより10−2Torr (1,3X10−
5気圧)程度まで減圧する。続いて、キャリヤガス導入
ボート10から窒素ガスをガス予熱室11を経て混合室
12内へ導入し、同時に第1の七−り13により炉殻1
内に収容された第1のるつぼ9を急速加熱し、混合室1
2内の温度′1゛、を約2200℃とした。これにより
金属ケイ素は溶削:してケイ素/8湯14を形成した。
真空ポンプにより10−2Torr (1,3X10−
5気圧)程度まで減圧する。続いて、キャリヤガス導入
ボート10から窒素ガスをガス予熱室11を経て混合室
12内へ導入し、同時に第1の七−り13により炉殻1
内に収容された第1のるつぼ9を急速加熱し、混合室1
2内の温度′1゛、を約2200℃とした。これにより
金属ケイ素は溶削:してケイ素/8湯14を形成した。
また、窒素ガス導入量を5IV、/minに制御して混
合室8内の圧力P、を約15 Torr (2X 10
−’気圧)にA17J f7した。
合室8内の圧力P、を約15 Torr (2X 10
−’気圧)にA17J f7した。
一方、第2省室6には反応ガス導入管16を介して第1
の細管15と直交する向きに常温のアンモニアガス(N
H,)を12g/minの割合で導入し、下室4内圧力
を約8To r r (1,I X 10−2気圧)と
した。
の細管15と直交する向きに常温のアンモニアガス(N
H,)を12g/minの割合で導入し、下室4内圧力
を約8To r r (1,I X 10−2気圧)と
した。
また、第2のるつは18には塩化イツトリウム粉末が装
入されており、第3のヒータ20により800°C〜1
100″(゛に加りハされ、蒸気化されている。そし゛
C1約1000°Cに加熱したアルゴンガスを不活性ガ
ス導入管21より導入し、第3の室7を第2の室6より
5 To r r程低くした。
入されており、第3のヒータ20により800°C〜1
100″(゛に加りハされ、蒸気化されている。そし゛
C1約1000°Cに加熱したアルゴンガスを不活性ガ
ス導入管21より導入し、第3の室7を第2の室6より
5 To r r程低くした。
更に、第4の室8において、酸素導入管24から酸素を
イj(給した。
イj(給した。
この結果、混合室12内で形成させたケイ素蒸気と窒素
ガスの気体状混合物は、混合室12内と第2の室6内の
圧力の差によって、第1の細管15を通って第2の室6
に噴出した、このとき、噴出した気体状混合物は、ケイ
素蒸気を約18/minを含zl、噴出直後には180
0°Cまで冷JλDされる。この気体状混合物は、アン
モニアガスと接触して更に急冷され、窒化ケイ素の微粉
末となり、アンモニアガスにより更に急冷し続4Jられ
る。
ガスの気体状混合物は、混合室12内と第2の室6内の
圧力の差によって、第1の細管15を通って第2の室6
に噴出した、このとき、噴出した気体状混合物は、ケイ
素蒸気を約18/minを含zl、噴出直後には180
0°Cまで冷JλDされる。この気体状混合物は、アン
モニアガスと接触して更に急冷され、窒化ケイ素の微粉
末となり、アンモニアガスにより更に急冷し続4Jられ
る。
この窒化ケイ素の微粉末は、第2のヒータ19により加
鼾目イJ、つつ第2の細管17を通って第3の室7に噴
出される。そこで、分解したイアトリイツトリウムが(
,1着した窒化ケイ素の微粉末は、第3の細管22を通
って第4の室8に噴出され、酸素による酸化および安定
化が行われつつ捕集管23に付着した。
鼾目イJ、つつ第2の細管17を通って第3の室7に噴
出される。そこで、分解したイアトリイツトリウムが(
,1着した窒化ケイ素の微粉末は、第3の細管22を通
って第4の室8に噴出され、酸素による酸化および安定
化が行われつつ捕集管23に付着した。
反応終了後、捕集管23に付着した合成粉を採集し、内
容を調査した。この結果、この合成粉のうちの70%が
酸化イツトリウム被IQ付き窒化ケイ素であり、合成率
が70%であることが判明し7た。また、得られた窒化
ケイ素の微粉末の平均粒径は]00人であり、表面には
均一に酸化イツトリウム被膜がイリ着していた。
容を調査した。この結果、この合成粉のうちの70%が
酸化イツトリウム被IQ付き窒化ケイ素であり、合成率
が70%であることが判明し7た。また、得られた窒化
ケイ素の微粉末の平均粒径は]00人であり、表面には
均一に酸化イツトリウム被膜がイリ着していた。
〔第2実施例〕
第1の実施例と同じセラミ’7り被膜付き金属化合物の
微粉末の製造装置を用い酸化アルミニウム被膜付き窒化
ケイ素の微粉末を製造した。第2実施例では、他の金属
化合物として第1実施例の塩化イツトリウムの替わりに
塩化アルミニウムを用いたことを叶き、他は第1実施例
と同し条件で酸化アルミニウム被膜付き窒化ケイ素の微
粉末を製造した。
微粉末の製造装置を用い酸化アルミニウム被膜付き窒化
ケイ素の微粉末を製造した。第2実施例では、他の金属
化合物として第1実施例の塩化イツトリウムの替わりに
塩化アルミニウムを用いたことを叶き、他は第1実施例
と同し条件で酸化アルミニウム被膜付き窒化ケイ素の微
粉末を製造した。
この結果(ηられた窒化ケイ素の微粉末は、平均粒径が
100人で、合成率は70%であり、表面には酸化アル
ミニウムが均一に(=J着していた。
100人で、合成率は70%であり、表面には酸化アル
ミニウムが均一に(=J着していた。
〔第3実施例〕
第1の実施例と同しセラミック被膜付き金属化合物の微
粉末製造装置を用い酸化マグネシウム被IrA付き窒化
う−イ素の微粉末を製造した。第3実施例では、他の金
属として第1実施例の塩化イツトリウムの替わりに金属
マグネシウムを用いたことを除き、他は第1実施例と同
じ条件で酸化マグネシウム被膜(=Jき窒化ケイ素の微
粉末を製造した。
粉末製造装置を用い酸化マグネシウム被IrA付き窒化
う−イ素の微粉末を製造した。第3実施例では、他の金
属として第1実施例の塩化イツトリウムの替わりに金属
マグネシウムを用いたことを除き、他は第1実施例と同
じ条件で酸化マグネシウム被膜(=Jき窒化ケイ素の微
粉末を製造した。
この結果得られた酸化マグネシウム被Itシイ−jき窒
化ケイ率の微粉末は、平均粒径が100人で、合成率は
68%であり、表面には酸化マグネシウムが均一にイリ
着していた。
化ケイ率の微粉末は、平均粒径が100人で、合成率は
68%であり、表面には酸化マグネシウムが均一にイリ
着していた。
以」二においては、本発明をセラミック被膜付き窒化ケ
イ素の微第5)末の製造に関する特定の実施例について
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、例えば炭化ケイ素、窒化アルミニウムや炭化
チタンの如き他の種々の金属化合物の微粉末にセラミッ
ク被膜が(=J着したものを製造する場合についても通
用可能である。
イ素の微第5)末の製造に関する特定の実施例について
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、例えば炭化ケイ素、窒化アルミニウムや炭化
チタンの如き他の種々の金属化合物の微粉末にセラミッ
ク被膜が(=J着したものを製造する場合についても通
用可能である。
第1図は本発明に用いる細管の一例を示す断面図、
第3図は窒素ガス分圧が10−2気圧の場合の、窒化ケ
イ素が安定である領域と金属ケイ素蒸気および窒素ガス
が気体として安定である領域を示す反応状態ヌ1、 第4図は本発明の第1実施例〜第3実施例に用いた金属
化合物敬重5)未製造装置を示す概略構成図である。 1−−−一炉殻 2.3.4−・・−仕切壁 5−−−一第1の室 6−−−−第2の室 7−・−一一第3の室 8 第4の室 9 第1のるつぼ ■() キャリー1〜ガス導入ボート 11 ガスを熱室 12 混合室 13 第1のし−タ 14 全屈メi:1渦 15 第1の細管 16 反応ガス導入管 17−第2の細管 18 第2のるつぼ 19 第2のヒータ 2〇 −第3のヒータ 21− 不活1qガス導入七 22 第3のに■管 23 抽築管 24 酸素導入性 第1因 第2図 第3図 温 iT 第4図 + す
イ素が安定である領域と金属ケイ素蒸気および窒素ガス
が気体として安定である領域を示す反応状態ヌ1、 第4図は本発明の第1実施例〜第3実施例に用いた金属
化合物敬重5)未製造装置を示す概略構成図である。 1−−−一炉殻 2.3.4−・・−仕切壁 5−−−一第1の室 6−−−−第2の室 7−・−一一第3の室 8 第4の室 9 第1のるつぼ ■() キャリー1〜ガス導入ボート 11 ガスを熱室 12 混合室 13 第1のし−タ 14 全屈メi:1渦 15 第1の細管 16 反応ガス導入管 17−第2の細管 18 第2のるつぼ 19 第2のヒータ 2〇 −第3のヒータ 21− 不活1qガス導入七 22 第3のに■管 23 抽築管 24 酸素導入性 第1因 第2図 第3図 温 iT 第4図 + す
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)金属化合物を構成する少なくとも一つの金属と、
この金属のキャリヤガスとを含む気体状混合物を、50
〜2000m/秒の速度で、前記金属の融点の8割以下
の温度とされた前記金属化合物を構成する他の元素もし
くは他の元素を含む気体雰囲気中に噴出させることによ
り、前記金属と他の元素を急冷させつつ反応させて金属
化合物の微粉末を製造し、続いてこの金属化合物の微粉
末を他の金属蒸気または他の金属化合物蒸気中を通ずご
とによって金属化合物の表面にセラミ、りを被覆するご
とを特徴とするセラミック被膜付き金属化合物の微粉末
の製造方法。 (2、特許請求の範囲第1項において、前記キャリヤガ
スは金属化合物を構成する他の元素もしくは他の元素を
含む気体であることを特徴とするセラミンク被膜付き金
属化合物の微粉末の製造方法。 (3)特許請求の範囲第1項において、前記金属はケイ
素であり、他の元素を含む気体がアンモニアガスであり
、金属化合物は窒化ケイ素であり、かつ他の金属化合物
が酸化イツトリウムであることを特徴とするセラミック
被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59007966A JPS60151273A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法 |
DE8585100448T DE3584099D1 (de) | 1984-01-19 | 1985-01-17 | Verfahren zur herstellung eines feinen pulvers einer metallverbindung mit einem keramischen ueberzug. |
EP85100448A EP0150048B1 (en) | 1984-01-19 | 1985-01-17 | Method for making a fine powder of a metal compound having ceramic coatings thereon |
US06/692,423 US4632849A (en) | 1984-01-19 | 1985-01-18 | Method for making a fine powder of a metal compound having ceramic coatings thereon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59007966A JPS60151273A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60151273A true JPS60151273A (ja) | 1985-08-09 |
Family
ID=11680204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59007966A Pending JPS60151273A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4632849A (ja) |
EP (1) | EP0150048B1 (ja) |
JP (1) | JPS60151273A (ja) |
DE (1) | DE3584099D1 (ja) |
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1984
- 1984-01-19 JP JP59007966A patent/JPS60151273A/ja active Pending
-
1985
- 1985-01-17 EP EP85100448A patent/EP0150048B1/en not_active Expired
- 1985-01-17 DE DE8585100448T patent/DE3584099D1/de not_active Expired - Lifetime
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62288156A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-15 | 神島化学工業株式会社 | マグネシア焼結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0150048A3 (en) | 1987-08-12 |
EP0150048B1 (en) | 1991-09-18 |
US4632849A (en) | 1986-12-30 |
EP0150048A2 (en) | 1985-07-31 |
DE3584099D1 (de) | 1991-10-24 |
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