JPS60150961A - 研摩装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は研摩技術、特に、半導体ウェハの如くこわれ易
い物品の研摩に用いて効果のある技術に関する。

［背景技術］ 半導体ウェハの集積回路形成面を鏡面研摩する場合、た
とえば第１図に示されるような装置を用いることが考え
られる。

この研摩装置においては、被研摩物であるシリコン（Ｓ
ｉ）のウェハ１は研摩プレートト２」二に複数個設けら
れたウェハ飛び出し防止用のリング状リテーナ３の中に
人手により該ウェハの縁を持って装填され、真空吸着で
保持される。その後、研摩プレート２はアーム４および
反転装置５により実線位置から二点鎖線位置まで１８０
度回転され、ウェハ１の表面を下向きにして研摩盤６に
押し付けられる。そして、研摩プレート２に対して所定
の大きさの荷重をかけた状態で研摩盤６を回転させると
、それに追従して研摩プレート２も回転し、ウェハ１の
表面が研摩される。

研摩終了後には、研摩プレート２は反転装置５により前
記とは逆に二点鎖線位置から実線位置に戻され、真空吸
着力を解放してウェハ１を真空ビンセント等で回収し、
ウェハ１の入れ替えを行って前記作業を繰り返す。

ところが、本発明者によればこの研摩装置においては、
ウェハをリテーナに装填する際に人手を使用しており、
しかもウェハが脆い性質であるため、装填ならびに回収
に時間がかかり、作業能率が低いという問題がある。ま
た、ウェハの装填および回収を行う際には研摩プレート
は全ウェハについての装填および回収が完了するまで休
止状態のままであるので、装置稼動率が低いという問題
もある。しかも、ウェハを人手で取り扱ったり、あるい
は同一装置で研摩プレート上のリテーナから正確にウェ
ハだけを取り出したりすることはウェハの損傷の原因と
なる。このことは、ウェハがますます大口径化すること
に伴ってさらに大きな問題となりつつある。

［発明の目的］ 本発明の目的は、研摩作業の能率を向上させることので
きる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、装置の稼動率を向上させ、スルー
プットを高めることのできる技術を提供することにある
。

本発明のさらに他の目的は、被研摩物の損傷を回避する
ことのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、被研摩物をオフラインで研摩プレートとは別
体の着脱自在な保持手段に装填し、この保持手段毎研摩
プレートに対して装填および回収を行うことができるこ
とにより、前記目的を達成できるものである。

［実施例コ 第２ＴＩ！Ｊは本発明の一実施例である研摩装置の要部
の斜視図である。

この実施例では、被研摩物の一例としてのシリコン（Ｓ
ｔ）ウェハ１を保持するために研摩プレート２に固定さ
れたリテーナではなくて、研摩プレート２とは別体でか
つ該研摩プレート２のペデスタルセ・リド穴８の中に着
脱自在なペデスタル７（保持手段）が用いられる。

このペデスタル７はウェハ１を収納した際に該ウェハ１
が脱落するのを防止するリテーナ（凹部）９を有してい
る。このペデスタル７は研摩プレート２および研摩盤６
によるウエノ＼研摩操作とは別個に、いわばオフライン
で該ペデスタル７に対するウェハ１の装填および回収を
行い、研摩プレート２へのウェハ１の装填および回収は
ペデスタル７毎行うためのものである。

本実施例の装置はその他の点では第１図に示した構造と
実質的に同じである。

次に、本実施例の作用について説明する。

まず、ペデスタル７のリテーナ９内に被研摩物であるウ
ェハ１を装填する場合、研摩プレート２および研摩盤６
によるウエノ＼１の研摩を行っている間、あるいは研摩
プレート２のペデスタル７のベデスクルセソト穴Ｂ内に
装填するか、もしくは該ペデスタルセット穴８からペデ
スタル７を回収している間等の全時間にわたって何時で
もオフラインで独立的にペデスタル７へのウニ）ｚ　ｌ
の装填を行うことができる。

すなわち、ペデスタル７へのウェハ１の装填および回収
はウェハ１の研摩操作とは別に自動または手動で行われ
る。したがって、このようにして研摩プレート２と研摩
盤６の稼動時等にオフラインでウェハ１をペデスタル７
に装填して所望個数またばそれ以上用意しておくことが
できる。

研摩プレート２が第２図に実線で示す位置に来てペデス
タルセット穴８にウェハ１をセ・ノドすべき時には、ウ
ェハ１を装填したペデスタル７毎研摩プレート２のペデ
スタルセット穴８内に装填する。

そして、ペデスタルセット穴８内の真空吸着孔（図示せ
ず）によりペデスタル７を真空力で吸着保持させる。

この状態で研摩プレート２をアーム４および反転装置５
によって第２図の実線位置から二点鎖線位置まで１８０
度回動させて反転させ、ウェハ１の被研摩面を研摩盤６
上に接触させる。

その後、研摩プレート２に対してさらに荷重をかけた状
態で研摩盤６を回転させると、それに追従して研摩プレ
ート２も研摩盤６との研摩で回転を開始する。その際、
ウェハ１の被研摩面は研摩盤６の上面との摩擦によって
鏡面状態にまで研摩される。

このようにして研摩が完了すると、反転装置５で研摩プ
レート２が二点鎖線位置から実線位置まで戻される。そ
して、ペデスタル７に対する真空吸着力を解放し、ウェ
ハ１をペデスタル７毎回収する。

その後は、ペデスクル７内にたとえばオフラインで装填
しておいたウェハ１を該ペデスタル７毎研摩プレート２
のペデスタルセット穴８に装填して前記した操作を繰り
返して研摩作業を行う。

［効果コ （１）、被研摩物をオフラインで研摩プレートとは別体
の着脱自在な保持手段に装填しておき、その保持手段毎
研摩プレートに着脱することにより、研摩作業の能率化
が可能となる。

（２）、前記ｆｉｌにより、研摩プレート等の装置の休
止時間が短くなり、装置の稼動率を向上させ、スループ
ットを向上させることができる。

（３）、被研摩物を保持手段毎研摩プレートに着脱する
ことにより、被研摩物への損傷を回避することができる
。

（４）、前記（３）により、特にこわれ易い被研摩物に
適用すれば有利である。

（５）、被研摩物としてウェハを鏡面研摩する場合のよ
うに粗仕上げ、最終仕上げの２段階以上の研摩を行うよ
うな場合でも、被研摩物を保持子段毎工程間で移動させ
るだけで済むので、作業性を向上させることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、ペデスタルの構造、形状等は前記実施例以外
の任意のものとすることができる。

また、ペデスタルの研摩プレートへの着脱方式も様々な
ものを採用することができる。

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってな、された発
明をその背景となった利用分野であるシリコンで作られ
たウェハの研摩に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、たとえば、ＧａＡｓ等の
化合物半導体を用いたウェハまたはウェハ以外の物品の
研摩に広く適用できる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明者により考えられた研摩装置の概略斜視
図、 第２図は本発明の一実施例である研摩装置の概略斜視図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、研摩プレートに保持された被研摩物を回転可能な研
   摩盤に押し付けて研摩する研摩装置において、被研摩物
   を研摩プレートに対して着脱自在な保持手段毎該研摩プ
   レートに着脱することを特徴とする研摩装置。 ２、前記保持手段は、被研摩物と適合する形状を持つ四
   部を有し、かつ前記研摩プレートは、前記保持手段を着
   脱自在に装填する凹部を有していることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の研摩装置。