JPS60149781A - 化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置 - Google Patents
化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置Info
- Publication number
- JPS60149781A JPS60149781A JP516484A JP516484A JPS60149781A JP S60149781 A JPS60149781 A JP S60149781A JP 516484 A JP516484 A JP 516484A JP 516484 A JP516484 A JP 516484A JP S60149781 A JPS60149781 A JP S60149781A
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- Japan
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- furnace
- heating source
- heating
- vapor deposition
- base bodies
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は化学蒸着装置（以下、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置という
。）における被蒸着基体（以下、基体という。）の加熱
装置に関する。
ｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置という
。）における被蒸着基体（以下、基体という。）の加熱
装置に関する。
ＣＶＤ法は自動車のピストン、工作機械の軸等の各種部
品の硬度向上あるいは耐摩耗性の向上のために硬質物質
をコーティングする場合、半導体ウェーハへのシリコン
酸化膜等の析出をする場合に用いられている。
品の硬度向上あるいは耐摩耗性の向上のために硬質物質
をコーティングする場合、半導体ウェーハへのシリコン
酸化膜等の析出をする場合に用いられている。
ＣＶＤ法は加熱領域に原料ガスを導入して化学反応を生
じさせ、基体上に非揮発性物質を析出させるものである
から基体を加熱するプロセスが必要となる。この加熱プ
ロセスを行うのが本発明に係る加熱装置である。
じさせ、基体上に非揮発性物質を析出させるものである
から基体を加熱するプロセスが必要となる。この加熱プ
ロセスを行うのが本発明に係る加熱装置である。
従来の加熱装置としては、反応炉の周囲に抵抗発熱体等
の加熱源を配置して反応炉の壁部を加熱することによっ
て間接的に反応炉内の基体を加熱する、いわゆる外部加
熱法（ホットウォール法）によるものと、赤外線ランプ
や高周波コイル等の加熱源によシ反応炉の壁部を加熱す
ることなく直接的に基体を加熱する、いわゆる内部加熱
法（コールドウオール法）によるものが知られている。
の加熱源を配置して反応炉の壁部を加熱することによっ
て間接的に反応炉内の基体を加熱する、いわゆる外部加
熱法（ホットウォール法）によるものと、赤外線ランプ
や高周波コイル等の加熱源によシ反応炉の壁部を加熱す
ることなく直接的に基体を加熱する、いわゆる内部加熱
法（コールドウオール法）によるものが知られている。
第１図、第２図に示すように、これらはいずれも反応炉
１内に配置された基体２を外＠Ｐ４（例えば反応炉１の
周囲）に設けた加熱源３により加熱するという構造をと
っている。Ｇは原料ガスを示している。
１内に配置された基体２を外＠Ｐ４（例えば反応炉１の
周囲）に設けた加熱源３により加熱するという構造をと
っている。Ｇは原料ガスを示している。
一方、ＣＶＤ装置装置上り硬質コーティングや結晶成長
をｉｔｉ比ｊ〜るためには、一度に大量の基体を加熱す
る必−要がある。ところが上記従来のように基体を反応
炉内に配置し、外側から加熱する構造では反応炉や加熱
源を無制限に大型化することは小Ｌす「ｊヒであるとい
う事情から量産化に限度がある。
をｉｔｉ比ｊ〜るためには、一度に大量の基体を加熱す
る必−要がある。ところが上記従来のように基体を反応
炉内に配置し、外側から加熱する構造では反応炉や加熱
源を無制限に大型化することは小Ｌす「ｊヒであるとい
う事情から量産化に限度がある。
本うれ明は、多量の基体を処理することができ、その際
に均一な化学蒸着全可能とする加熱装置を提供すること
を目的とする。
に均一な化学蒸着全可能とする加熱装置を提供すること
を目的とする。
本発明は、化学蒸層装置の反応炉内の中央部に外方に向
かって加熱可能な加熱源を設け、この加熱源の周囲の放
射状位置にＭ数の基体を配置し、かつ、反応炉内の啄囲
気を加熱する補助加熱源を設けた点に特ｅ、を有する。
かって加熱可能な加熱源を設け、この加熱源の周囲の放
射状位置にＭ数の基体を配置し、かつ、反応炉内の啄囲
気を加熱する補助加熱源を設けた点に特ｅ、を有する。
上記構成を有する本発明によれば、加熱源を反応炉内の
中央部に配置してその周囲の基体を加熱することができ
るので、加熱源を大型化する必要がなく、その分だけ基
体の処理数を増加することができ、そして多量処理に伴
なって生じうる特性の不均一化は補助加熱源により反応
炉内の雰囲気温度分布の均一化を図ることによって解消
できる。
中央部に配置してその周囲の基体を加熱することができ
るので、加熱源を大型化する必要がなく、その分だけ基
体の処理数を増加することができ、そして多量処理に伴
なって生じうる特性の不均一化は補助加熱源により反応
炉内の雰囲気温度分布の均一化を図ることによって解消
できる。
次に、本発明による加熱装置の一実施例を図面に基づい
て説明する。
て説明する。
第３図、−第４図に棒状の基体を加熱する場合の加熱装
置の実施例を示す。第３図は横断面図、第４図は縦断面
図である。
置の実施例を示す。第３図は横断面図、第４図は縦断面
図である。
反応炉４内の中央部には棒状の加熱源５（第４図）が垂
直方向に立設されている。棒状の加熱源５を形成するに
は例えば複数の赤外線ランプを棒状に配列する。加熱源
５の周囲には加熱源５を囲む放射状位置に複数の棒状の
基体６がそれぞれ加熱源５に平行する形で配置されてい
る。各基体６は支持体７の先端に取付けられて支持され
ている（第４図）。支持体７は反応炉４の底部に設けら
れた回転駆動機構８により、それぞれ個別的に周方向に
自転可能となっている。この場合、各基体６への加熱を
均一化するため各支持体７の回転速度を同一にするのが
好ましい。このように支持体７が自転することから、各
基体６への加熱が均一に行なわれることとなる。さらに
、望ましくは回転駆動機構８により各基体６を全体的に
回転（すなわち、公転）させることによって一層別熱の
均一化を図ることができ、かつ反応炉４内の原料ガスを
攪拌するので基体６と原料ガスの接触を良好にしうる。
直方向に立設されている。棒状の加熱源５を形成するに
は例えば複数の赤外線ランプを棒状に配列する。加熱源
５の周囲には加熱源５を囲む放射状位置に複数の棒状の
基体６がそれぞれ加熱源５に平行する形で配置されてい
る。各基体６は支持体７の先端に取付けられて支持され
ている（第４図）。支持体７は反応炉４の底部に設けら
れた回転駆動機構８により、それぞれ個別的に周方向に
自転可能となっている。この場合、各基体６への加熱を
均一化するため各支持体７の回転速度を同一にするのが
好ましい。このように支持体７が自転することから、各
基体６への加熱が均一に行なわれることとなる。さらに
、望ましくは回転駆動機構８により各基体６を全体的に
回転（すなわち、公転）させることによって一層別熱の
均一化を図ることができ、かつ反応炉４内の原料ガスを
攪拌するので基体６と原料ガスの接触を良好にしうる。
反応炉４の外周部には補助加熱源９が設けられている。
この補助加熱源９は反応炉４内の雰囲気温度分布を均一
化する目的で設けらｈたものである。＋ｍ助加熱源９と
しては例えは抵抗発熱体を用い、これを炉壁に取付ける
ことによって反応炉４の炉壁を加熱し、間接的に基体を
加熱するようにする。このように補助加熱源９を設ける
ことによって、炉内温度の均一化もさることながら、基
体６の県展上昇時間を短縮化できるから加熱処理の効率
の向上を図ることができる。
化する目的で設けらｈたものである。＋ｍ助加熱源９と
しては例えは抵抗発熱体を用い、これを炉壁に取付ける
ことによって反応炉４の炉壁を加熱し、間接的に基体を
加熱するようにする。このように補助加熱源９を設ける
ことによって、炉内温度の均一化もさることながら、基
体６の県展上昇時間を短縮化できるから加熱処理の効率
の向上を図ることができる。
以上述べた如く、本発明によれば、反応炉内の中央部に
外方に向かって加熱可能な加熱源を設け、これを囲む放
射状位置に複数の基体を配置するとともに、反応炉内の
雰囲気を加熱する補助加熱源を設けたので、比較的小型
の加熱源でよく、シたがってその分だけ基体を同時に多
く処理することができ量産化が可能となる。また、中央
部に加熱源を配置することとしたから、その周囲に置か
れた基体への加熱効率が向上し、補助加熱源による加熱
とあいまって加熱温度の上昇時間を短縮でき、生産効率
を向上しうる。さらに、補助加熱源を設けて炉内の雰囲
気を加熱するようにしたことにより、炉内温度分布を均
一にすることができ、製品の特性あるいは品質を均一に
することが可能となる。
外方に向かって加熱可能な加熱源を設け、これを囲む放
射状位置に複数の基体を配置するとともに、反応炉内の
雰囲気を加熱する補助加熱源を設けたので、比較的小型
の加熱源でよく、シたがってその分だけ基体を同時に多
く処理することができ量産化が可能となる。また、中央
部に加熱源を配置することとしたから、その周囲に置か
れた基体への加熱効率が向上し、補助加熱源による加熱
とあいまって加熱温度の上昇時間を短縮でき、生産効率
を向上しうる。さらに、補助加熱源を設けて炉内の雰囲
気を加熱するようにしたことにより、炉内温度分布を均
一にすることができ、製品の特性あるいは品質を均一に
することが可能となる。
第１図は従来のＣＶＤ装置における加熱装置の例を示す
横断面図、第２図は従来装置の縦断面図、第３図は本発
明による加熱装置の実施例を示す横断面図、第４図は本
発明の実施例の縦断面図である。 ４・・・反応炉、 ５・・・加熱源、 ６・・・基体、 ７・・・支持体、 ８・・・回転駆動機構、 ９・・・補助加熱源。 代理人 鵜 沼 辰 之 （ほか１名） 第１図 〃２図 いＧ ［ 「６ 第４図 トＧ
横断面図、第２図は従来装置の縦断面図、第３図は本発
明による加熱装置の実施例を示す横断面図、第４図は本
発明の実施例の縦断面図である。 ４・・・反応炉、 ５・・・加熱源、 ６・・・基体、 ７・・・支持体、 ８・・・回転駆動機構、 ９・・・補助加熱源。 代理人 鵜 沼 辰 之 （ほか１名） 第１図 〃２図 いＧ ［ 「６ 第４図 トＧ
Claims (1)
- 化学蒸着装置の反応炉内の中央部に外方を加熱応炉の周
囲に反応炉内雰囲気を加熱する補助加熱源を設けたこと
を特徴とする化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516484A JPS60149781A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516484A JPS60149781A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149781A true JPS60149781A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11603595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP516484A Pending JPS60149781A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 化学蒸着装置の被蒸着基体加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP516484A patent/JPS60149781A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
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