JPS60149547A - 液晶性物質及び液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野〕 本発明は、液晶性化合物およびこの液晶性化合物を含む
液晶組成物に係シ、特に画像表示の応答に優れた強銹電
性の液晶性化合物およびこの液晶性化合物を含む液晶組
成物に関するものである。尚、本明細書において液晶性
化合物とは、それ自体では液晶相が観察されなくても液
晶の配分成分として有用な物質をも含むものとする。

（発明の背景〕 現在、液晶による画像表示装置は、広く実用に供され、
主にＴＮ（ツィステッド・ネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ
　Ｎｅｍａｔｉｃ　）　）型表示方式が採用されている
。このＴＮ型表示方式は、消費電力が少ないことや、そ
れ自体発光しない受光性であるために目の疲労が少ない
ことなどの長所を有している反面、画像表示の応答速度
が遅いという欠点を有している。

最近の画像表示装置としては、特に高速応答が要求され
る傾向にある。これに対処すべく、液晶性化合物の応答
特性の改良が盛んに行なわれている。

しかしながら、現状における受光型の表示方式では、発
光型の表示方式たとえば発光ダイオード、エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）６るいはプラズマディスプレイ等
と比較して、応答時間にはいまだ大きい差がある。この
ように受光型で低消費電力である液晶表示の長所を生か
し、しかも高速応答のできる新しい表示方式を見出す努
力が続けられている。

その試みの一つとしては、例えば、Ｎ、Ａ、クラーク（
Ｎ、　Ａ、　Ｃ１ａｒｋ）　、　Ｓ、　Ｔ、ラガーヴア
ール（Ｓ　、　Ｔ　、　Ｌａｇｅｒｗａｌｌ　）＋アプ
ライド　フィジックス　レタース（Ａｐｐｌ　、　Ｐｈ
ｙｓ、　Ｌｅｔｔｅ）　、　３６゜８９９（１９８０）
に示すように、強誘電性液晶の光スイツチング現象を利
用した表示デバイスが提案されている。この強誘電性液
晶はＲ，Ｂ。

メイヤー（Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒ）らにより見出された
もので（Ｒ，Ｂ、メイヤーら、ズルナル　ド　フィシツ
クＣＪ−Ｐｈｙｓｉｑｕｅ、　３６．　Ｌ−６９（１９
７５））、分子配列上からカイラルスメクチックＣ（以
下、ＳＣ＊と略記する）相もしくはカイラルスメクチッ
クＨ（以下、ＳＨと略記する）相に属するとされている
。このような強誘電性液晶化合物としては、現在までの
ところ第１表に示すものが知られている（Ｐｈ、−ｆル
チノラガ（Ｐｈ、　Ｍａｒｔｉｎ。

Ｌａｇｕａｒｄ）　＋ズルナルド　フィツク（Ｊ。

Ｐｈ３’５ｉＱｕｅ、　３７．　Ｃ５−１２９（１９７
６））。

従来の強誘電性液晶性化合物では、第１表に示す如く、
強誘電性を示す温度範囲すなわちＳ、Ｃ＊相もしくはＢ
Ｈ＊＠　Ｋ属する温度範囲（以下、ＭＲと略記する）が
室温より高いと共に、更にいずれの液晶化合物において
も、ベンゼン環に結合している炭素間の二重結合部が光
によって短時間で容易に異性化を生じてシス体となるた
めに液晶相を示さなくなるという欠点を有していた二 （発明の目的〕 本発明の目的は、耐光性に優れかつＭＲが室温付近とな
るような分子構造を有する強誘電性の液晶化合物および
この液晶化合物を含む液晶組成物を提供するにある。

Ｃ発明の概要〕 すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は
液晶性化合物の発明であって、次の一般式（１） ％式％（） （式中、Ｘは一〇Ｈ，Ｏ−又は−ＯＣＨ，−であシ、Ｒ
は炭素数１〜２０のアルキル基又はアルコキシ基であり
、Ｒ＊は光学活性基で不斉炭素原子を含むものである。

又、ｍ、ｎはいずれも１又は２である） で示されるベンジルフェニルエーテル骨格ヲ有すること
を特徴とする液晶性化合物である。

゛そして第２の発明は液晶組成物の発明であって少なく
とも１種は上記一般式（夏）で示される液晶性化合物を
含むことを特徴としている。

（発明の作用、効果） このような一般式（１）刃示される液晶性化合物の多く
のものは以下に示すよ６うに強誘電性液晶相を呈し、こ
の強誘電性液晶相はＳＣ＊相若しくはＳＨ＊相に属する
。この両液晶相の特色とするところは、分子が特定の方
向に傾斜して並び、かつ傾斜方向が層と層との間で少し
ずつずれ、全体としてら旋構造を保っていることにある
（Ｒ，Ｂ、メイヤー（Ｒ，Ｂ　、　Ｍｅｙｅｒ　）　＋
モレキュラー　クリスタルグアンドリキッドクリスタル
ズ（Ｍｏｌ　、　Ｃｒｅｓｔ　、’　Ｌｉｑ、　Ｃｒｅ
ｓｔ　）　、土０．３０（１９７７））。そして、自発
分極は、このら旋動（層面に対して垂直）に垂直な方向
を向いている。

ところで、本発明者らは、液晶性化合物の分子構造と強
誘電性の発現の関係について詳細に検討した結果、この
ような液晶の分子配列と自発分極を誘起させるだめの分
子構造として次の点が必要であることを見出した。すな
わち、ら旋構造を誘起するだめの光学活性基金分子末端
に有することと、自発分極を誘起させるために液晶分子
長軸に対してＩヨぼ垂直方向に永久双極子を持つ置換基
を分子末端部分に有することである。したがって、既存
強誘電性液晶性化合物でみられるベンゼン環に付いてい
る炭素間二重結合部分は強誘電性液晶相発現に不可欠な
分子構造ではないことが判った。さて、本発明の式（１
）の化合物は上記の２つの条件を満し、しかもベンゼン
環に結合した炭素間二重結合を分子構造として含まない
ために既存の強誘電性液晶化合物にみられない耐光性を
持つ。更に後述する実施例で示すように、本発明の式中
の化合物は単独でも強誘電性を示す温度範囲（ＭＲ）が
広いが、他の強誘電性液晶性化合物と混合して室温付近
で広いＭＲＱ示すことが可能である。混合する相手の強
誘電性液晶性化合物には既存強誘電性液晶性化合物や本
発明の式（Ｉ）の化合物等がある。これらの強誘電性液
晶組成物は先に述べた強誘電性液晶の光スイツチング現
象を利用した表示デバイスに利用でき高速応答光スイッ
チングを行なうことができる。

（化合物の製法〕 一般式（１）の物質の製造法は下記に詳述するが、製造
原料の一つとして光学活性アルコール類が使用される。

一般式（１）においてＲ＊は光学活性基であればよいが
、（１）式の物質の産業上の利用観点からすれば安価で
入手し易い光学活性アルコールという制約が加わる。現
在産業上入手し易い光学活性アルコールとして一級アル
コールでｔ、ｔ、　Ｓ　（−）　−２−メチル−ブチル
−ブチルアルコールがあり、二級アルコールとしてはＳ
（ト）−２−オクタツール、Ｒ（→−２−オクタツール
があシ、他の二級アルコール例えば光学活性２−ペンタ
ノール、２−ヘキサノール、２−へブタノール等は入手
可能であるが極めて高価である。

この様な理由から一般式（１）におい−ＣＲ＊とじては
２−メチル−ブチル基、２−オクチル基が現状では最も
好適であることは明らかであるが、他の光学活性基も原
理的には使用可能である。

一般式（１）の物質は次の反応経路に従って好適に製造
される。

ａ　）　Ｘ　＝　ＣＨｔＯ−５即ち一般式（１−ａ）の
場合Ｒ〈◇檜ＣＨ２０Ｈ−Ｒ％ｃｎ、Ｈａｔ−ＣＯＯＲ
＊　（１−ａ） こ＼でＨＯ予Ｃ）ｉｃ００Ｒ＊は １）Ｒ＊が一級アルキル基の場合は次式の如く直接のエ
ステル化（特願昭５８−１３７，８００により製造され
、 Ｒ＊０Ｈ ＨＯ合Ｃ００Ｈ−−→ＨＯぜ＄ＫＣｏＯＲ”１１）Ｒ−
級アルキル基の場合は、次の様な経路で製造される。

ＨＯ告Ｃ００Ｈ−分ｃｌ（２ｏ−ｃ＜ｑ災、Ｃ００ＨＲ
＊ＯＨ →＠−ｃｎ２ｏ瘍ｃｏｃｔ　−ｍ− ＠−ＣＨ，Ｏ＄〆ＯＯＲ＊−ＨＯ称洒Ｃ０ＯＲ”又　一
般式（１−ａ）に於てＲが二級アルキル基のものは、Ｒ
が−級アルキル基のものから次の経路で製造することも
できる。

Ｒ短んＣＨ，０（＠）−ＨＣＯＯＲ”　−Ｒ【◇油ＣＨ
，帆Ｃ詰Ｃ０ＯＨ− Ｒ＊ＯＨ Ｒ＜◇楡ＣＨ，０称雉ｃｏｃｔ　−−→Ｒ徊榴Ｃ出帆＠
枯Ｃ０ＯＲ” ｂ）　Ｘ　−−ＯＣＲ，−１即ち一般式（１−ｂ）の場
合、ＨａｔＣＨ４Ｂｒ　””Ｃ）”” Ｒ綴〜０ＣＨｔ瘍Ｂｒ　−Ｒへｏｃａ、ヘーＣＮ　−Ｒ
奴◇租０ＣＨ２べ◇片ｃｏｏｎ　−Ｒ気少福ＯＣＨ，短
入Ｃ０ＯＲ” 上式に於てＨａＺ−ＣＨ２＄　Ｂｒのｎ＝１のものは市
販利用できるが、ｎ＝２のものは例えば次の経路で製造
できる。

ＣＫ）Ｂｒ　−ＣＨ３Ｃ０％Ｂｒ　→ ＨＯＯＣ！Ｂｒ　−−ＨＯＣＨ，唖Ｘ＋Ｂｒ　−Ｈａｔ
−ＣＨＢ→（瀘Ｂｒ 又（Ｉ−ｂ）の物質は次の経路によっても好適に製造さ
れる。

Ｂｒ２ ｃＨ３−＠−ｃｏｃｚ　−Ｂｒ・ＣＨｚ舎Ｃ０ＢｒＲ＊
０Ｈ Ｂｒ　−ＣＨ２＋　Ｃ００Ｒ＊ 本発明の一般式（Ｉ−ａ） Ｒ奴◇柚ｃｕ、ｏ短躇ｃｏｏＲ”　・・・−（１−ａ）
で表わされる液晶性化合物としては更に具体的には次の
ようなものをあげることができる。

ｐ−アルキルベンジ・　ｐ’−（２−メチルーブチルオ
キシカルボニルノフェニル　エーテル；ｐ−アルキルオ
キシベンジル　ｐ’−（２−メチル−ブチルオキシカル
ボニル）フェニル　エーテルミル−アルキルベンジル　
ｐ’−（１−メチル−ペンチルオキシカルボニル）フェ
ニルエーテル；ｐ−アルキルオキシベンジル　ｐ′−（
１−メチル−ヘプチルオキシカルボニル）フェニル　エ
ーテル；即ち、式 整数を示し１〜１０が好ましい、以下同様）で表わされ
る化合物。

又、４’−（ｐ−アルキルベンジルオキシ）−４−ビフ
ェニルカルボン酸　２−メチル−ブチルエステル＋４’
−（ｐ−アルキルオキシベンジルオキシ−４−ビフェニ
ルカルボン酸　２−メチル−ブチル　エステル；４’−
（ｐ−アルキルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカル
ボン酸１−メチル−プロピル　エステル；４’−（ｐ−
アルキルオキシベンジルオキシ）−４−ビフェニルカル
ボン酸　１−メチル−プロピル　エステル、　４’−（
ｐ−アルキルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボ
ン酸　１−メチル−ブチル　エステル；４’−（ｐ−ア
ルキルオキシベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボ
ン酸１−メチル−ペンチル　エステル＋４’−（ｐ−ア
ルキルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸　
１−メチル−ヘキシル　エステル；４’−（ｐ−アルキ
ルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン陳　１−
メチル−ヘプチルエステル；　４／　−＜　ｐ−アルキ
ルオキシベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸
　１−メチル−ヘプチル　エステル＋　４’−（ｐ−ア
ルキルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸　
１−メチル−、オクチル　エステル；４′−（ｐ−アル
キルオキシベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン
酸　１−メチル−ノニルエステルｉ　４’−（ｐ−アル
キルベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸　１
−メチル−デシル　エステル＋４’−Ｃｐ−アルキルベ
ンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸　１−メ　
−チル−ウンデシル　ニスデル；４’−（ｐ−アルイル
オキシベンジルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸　
１−メチル−ウンデシル　エステル；即ち、式 わされる化合物、 又、ｐ　−（４’−アルキル−４−ビフェニリルカルビ
ニルオキシ）−安息香酸　２−メチル−ブチル　エステ
ル；　ｐ　−（４’−アルキルオキシ−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）−安息香酸　２−メチル−ブチル
　エステルｉ　ｐ−（４’−アルキル−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）−安息香酸　１−メチル−プロピ
ル　エステル；ｐ−（４’−フルキル−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）−安息香酸　１−メチルダ。

チル　エステル；　ｐ　−（４’−アルキルオキシ−４
−ビフェニリルカルビニルオキシ）　−安息香酸　１−
メチル−ブチル　エステル；　Ｉ）　−（４’−アルキ
ル−４−ビフェニリルカルビニルオキ’／）　−安息香
酸　１−メチル−ペンチル　エステル；ｐ−（４′−ア
ルキル−４−ビフェニリルカルビニルオキシ）−安息香
酸　１−メチルーヘキシル　ニスデル、　ｐ　−（４’
−アルキルオキシ−４−ビフェニリルカルビニルオキシ
）−４−息香酸　ｉ−メチル−ヘキシル　エステル；ｐ
−（シーアルキル−４−ビフェニリルカルビニルオキシ
）−安息香酸　１−メチル−へブチルメチル−ヘプチル
　エステル＋　Ｐ　−（４’−フルキル−４−ビフェニ
リルカルビニルオキシ）−安息香酸　１−メチル−オク
チル　エステル；ｐ　−（４’−アルキルオキシ−４−
ビフェニリルカルビニルオキシ）−安息香酸　１−メチ
ル−ノニル　エステル、；　Ｉ）　−（４’−アルキル
オキシ−４−ビフェニリルカルビニルオキシ）−安息香
酸　１−メチル−ドデシル　エステルｉｐ−ご４′−ア
ルキルオキシ−４−ビフェニリルカルビニルオキシ）−
安息香酸　１−メチル−トリデシル　エステルＨｐ　−
（４’−アルキル−４−ビフェニリルカルビニルオキシ
）−安息香酸１−メチル−ヘプタデシル　エステル；即
チ式％式％ ルビニルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メｆ
ループチル　エステルｉ４’−（４”−アルキルオキシ
−４＃−ビフェニリルカルビニルオキシ）−４−ビフェ
ニルカルボン酸　２−メチル−ブチル　エステルｉ４’
−（４“−アルギル−４＃−ビフェニリルカルビニルオ
キシ）−４−ビフェニルカルボン酸　１−メチル−ブチ
ルエステル；４′−（４″−アルキル−４＃−ビフエニ
リルカルとニルオギシ）−４−ピフェニルカルボ７Ｈ１
−メグ・ルーブチル　エステル；　４’−（４“−アル
キル−４″−ビフェニリルカルビニルオキシ）−４−ビ
フェニルカルボン酸　１−メチル−ヘプチル　エステル
ｉ４’−（４“−アルキルオキシ−４１′−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）−４−ビフェニルカルボン１突１
−メチル−ヘプチル　エステル９即ち、式 本発明の一般式（１−ｂ） Ｒ気φ枯ＯＣＨ，傘Ｃ０ＯＲ＊（１−ｂ）で表わされる
液晶性化合物としては更に具体的には次のようなものを
挙げることができる。

ｐ−アルキルフェニル　ｐ’−（２−メチル−ブチルオ
キシカルボニル）−ベンジル　エーテル１ｐ−アルキル
オキシフェニル　ｐ’−（２−メチル−ブチルオキシカ
ルボニル）−ベンジルエーテルミル−アルキルフェニル
　ｐ’−（１−メチル−プロピルオキシカルボニル）−
ベンジル　エーテル；ｐ−フルキルフェニル　ｐ′−（
１−メチルーブチルオ等ジカルボニル）−ベンジル　エ
ーテル；ｐ−アルキルフェニル　ｐ′−（１−メチル−
へブチルオキシカルボニル）−ベンジル　エーテル；ｐ
−アルキルオー’Ｉ−シフェニ”ｐ’−（１−メチル−
ヘプチルオキシカルボニル）−ベンジル　エーテル；即
チ、式わされる化合物。

又、Ｐ−フルキルフェニル　４’−（２−メーＦ−ルー
プチルオキシカルボニル）−４−ビフェニリルカルビニ
ル　エーテルミル−アルキルオキシフェニル　４’−（
２−メチル−ブチルオキシカルボニル）−４−ビフェニ
リルカルビニル　エーテルＳＰ−アルキルフェニル　４
’−（１−メチル−ペンチルオキシカルボニル）−４−
ビフェニル　エーテルミル−アルキルオキシフェニル　
４’−（１−メチル−ヘプチルオキシカルボニル）−４
−ビフェニリルカルビニル　エーテルミル−アルキルオ
キシフェニル　４’−（１−メチル−ヘプチルオキシカ
ルボニル）−４−ビフェニリルカルビニル　エーテル＋
Ｎｌ、式表わされる化合物。

本発明の一般式（１）の液晶性化合物に於てＲ＊が、２
−メチル−ブチル基であるもので代表される次の部分構
造Ａであるものは概して数ナノクーロン／ｄの自発分極
を示す。

ＣＨ。

Ｒ＊−”−ＣＬ−ＣＨ−ＣｎＨ２ｎ＋１Ａ一方Ｒ＊が２
−オクチル基で代表される次の部分構造Ｂを有するもめ
はこれに比しよシ大なる自発分極を示す（第２．３表参
照）。

立体配置がＳである２−メチル−アルキル基（Ａ構造）
を有するものと、立体配置がＲである１−メチル−アル
キル基（Ｂ構造）を有するものは、ヘリカルツイストセ
ンス（捩れの向き）及び自発分極の向きが同一である。

又、立体配置がＳである１−メチル−アルキル基（Ｂ構
造）を有するものと立体配置がＲである１−メチル−ア
ルキル基（Ｂ構造）を有するものは、ヘリカルツイスト
センス及び自発分極の向きが逆で絶対値は等しい。

（実施例〕 以下に実施例に基いて本発明の化合物について更に詳細
に説明するが、本発明は実施例のみに限定されるもので
は外い。なお、実施例における相転移温度及び自発分極
の値は、測定方法によって多少変動するものである。

実施例１ （Ｓ−４’−（ｐ−オクチルオキシベンジルオキシ）−
４−ビフェニルカルボン酸　２−メｆループチル　エス
テル（（１）式に於てＲ−Ｃ，Ｈ，□０−ｌｍ＝１、ｎ
＋ｗ２、Ｒ＊−光学活性　２−メチル−ブチル、Ｘ　−
−ＣＨ２０−のもの）の製造〕ｐ−ｎ−オクチルオキシ
ベンズアルデヒドを水素化硼素ナトリウムで還元して合
成したｐ−ｎ−オｌチルオキシベンジルアルコール１０
ｆを３０ｍ１のベンゼンに溶解し、６０℃にて塩化水素
（ガス）を通じ、生成する水を除去し、有機層を塩化カ
ルシウムで乾燥し、ベンゼンｔ−減圧留去して１２．３
ｆのｐ−オクチルオキシベンジルクロリドをえた。他方
Ｓ−４’−（２−メチル−ブチルオキシカルボニル）−
４−ヒドロキシビフェニル９．６ｇ、ＫＯＨ２，３Ｆ、
及び９５％エタノール３５ｍ１を加熱攪拌し、上記の置
換ベンジルクロリドのトルエン（４０ｇ／）溶液を加え
、２時間還流加熱した。反応生成物を通常の方法によっ
て取出し、エタノール、次で酢酸エチルより再結晶して
２．９ｆの鱗片品をえた。このものは９７．３℃で融解
してｓｃ＊相を生じ、１２８．１℃でＳＡ相を生じ、１
４９．７℃で等方性液体となる（第２表、化合物凪１）
。

実施例２ （Ｓ−４’−（４”−デシルオキシ−Ｃ−ビフェニリル
カルビニルオキシ）−４−ビフェニルカルｙＮｙｌｌ　
１−メｆルーヘプチル　エステル（（１）式に於てＲ−
ＣｓｏＨｔｔＯ−２ｍ　−２、ｎ−１、Ｒ＊−光学活性
　ｌ−メチル−ヘプチル、Ｘ＝−ＣＨ２０のもの）の製
造〕 ４′−デシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸エチル
をＴＨＦ溶媒中で水素化リチウムアルミニウムで還元し
てえられた４′−デシルオキシ−４−ヒドロキシメチル
−ビフェニル（Ｌａ１３８−１３８．５　＠Ｃ）　２３
１を濃硫酸１ｏｙと４７％臭化水素水５８ｆの混合物に
加え、１００〜１１０℃で６時間攪拌した。のち、トル
エン抽出し、水、重曹水、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥した。トルエンを減圧留去し、エタノール
より再結晶して４′−デシルオキシ−４−ブロモメチル
−ビフェニル１６．４Ｆ（融点９８．２℃）をえた。

一方、水素化ナトリウム０．５ｆを乾燥ＴＨＦ２０−に
懸濁させ、５−ｐ−ヒドロキシ安息香酸　１−メチル−
ヘプチル　エステル２．１１Ｆ（７）ＴＨＦ（２０震／
）溶液を滴加し、更にＤＭＳＯ４０−を加えた。こ＼に
先に得られた４′−デシルオキシ−４−ブロモメチル−
ビフェニル３．０ｆのＴＨＦ（３０胛／）溶液を加え室
温で一夜反応させた。トルエン１００鯉／、６Ｎ塩酸１
００Ｗ１１を加え、トルエン層を分液し、水洗後、硫酸
マグネシウムで乾燥し、トルエンを留去し、エタノール
酢酸エチル混合溶媒から再結晶し、アルミナカノム処理
し、再結晶して目的化合物をえた。

このものは、融点８２°ＣでＳＨ＊相へ、８６°ＣでＳ
Ｃ＊相へ、１０１．６°ＣでＳＡ相へ、ｊ　０４．３°
Ｃで等吉相へ夫々相転移する（第２表、化合物阻２）。

又、元素分析値は次の如く計算値とよく一致している。

実測値　計算値（Ｃ３ｓＨ５２０４として）Ｃ７９，９
％　７９．６８％ ■　９．０％　９．１５％ 尚、上記で使用した５−ｐ−ヒドロキシ安息香酸　１−
メチル−ヘプチル　エステルは次のようにして合成され
た。まず、ｐ−ベンジル安息香酸に塩化チオニルを作用
させてｐ−ベンジル安息香酸塩化物を合成した。次に５
−２−オ安息香酸塩化物０．４４モルの５００　ｍｌ　
）ルエン溶液を攪拌下に滴下し６０°Ｃで２時間反応さ
せて５−ｐ−ベンジル安息香酸　１−メチル−ヘプチル
　エステル８７９をえた。これをエタノール１８０　ｍ
ｌに溶解しＰ　ｄ／Ｃ触媒８ｇの存在下に常温常圧で水
素を作用させて脱ベンジル化した。触媒を炉別し、エタ
ノールを留去し、残留物をトルエンに溶解させて２Ｎ苛
性ソーダ水５００　ｙｌで抽出し、抽出液を酸性とし分
離する油状物をトルエン抽出し、トルエン層は水洗後、
トルエンを減圧留去し、残留物として５−ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸　１−メチル−ヘプチルエステル３９ｆをえ
た。

実施例１，２に記載した方法に準じて得られた（１−ａ
）式の化合物の物性値を実施例１，２の化合物の結果と
共に第２表に示す。

実施例３ （Ｓ　−ｐ　−（４’−オクチルオキシ−４−ビフェニ
リルオキシカルビニル）−安息香酸　２−メチル−ブチ
ル　エステル（（１）式に於て、Ｒ−Ｃ，Ｈ，，０−１
ｍ−２、ｎ−１、Ｘ　−−ＯＣＨ，−１Ｒ＊−光学活性
　２−メチル−ブチルのもの）の製造〕 ５ｆの４′−オクチルオキシ−４−ヒドロキシビフェニ
ル、１．５ｇのＫＯＨ，及び１００ｇの９５％エタノー
ルを還流加熱し、４．２Ｉｉのｐ−ブロムベンジルプロ
ミドの１００　ｍｌエタノール１　溶液を加え２時間反
応させた。常法処理によシ、６．１ｆの４′−オクチル
オキシ−４−ビフェニリル　ｐ−ブロムベンジル　エー
テルカ酢酸−ｒ４ルより再結晶することによ沙得られた
。このものはＣ−８Ｂ点１０５．８°Ｃ，５Ｅ−８Ｂ点
１８９．５”Ｃ，５Ｂ−Ｉ点２０６°Ｃｆ：示り、＊。

このもの６ｆを１．５１のシアン化第−綱とＮ−メチル
−２−ビ四すドン中で還流加熱してのち塩化第二鉄の酸
性溶液で処理し、生成したシアノ化合物をクロ四ホルム
で抽出し、溶媒をトルエンに置きかえてアルミナを用い
るクロマトグラフカラムを通じて脱色してのち、エタノ
ール・酢酸エチル混合物より再結晶して、４．５ｇの４
′−オクチルオキシ−４−ビフェニリル　ｐ−シアノベ
ンジル　エーテルをえた。このものａ、ｃ−Ｎ点１２７
°Ｃ％Ｎ−Ｉ点１７１．５°Ｃを示した。

このシアン化合物４．４ｆｋ７３ｇｔのエチレングリコ
ール、１．８ｆのＫＯＨ，３ｍｌの水と還流加熱して加
水分解し、生成して固体生成物を４ｏｏｍｔの酢酸から
再結晶して４．１ｇのｐ−（４′−オクチルオキシ−４
−ビフェニリルオキシカルビニル）−安息香酸をえた。

このものはｃ−ｓｃ点１９　Ｂ、、６＠Ｃ％５Ｃ−Ｎ点
２５４℃、Ｎ−Ｉ点２７９．２℃を示した。− とのもの２１７を５ｍｌの塩化チオニルと５時間７０〜
８０°Ｃで反応させ、過剰の塩化チオニルを留去し、酸
塩化物の結晶体をえた。これをピリジン溶液中で０．５
２のＳ←）−２−メチル−ブタノールと反応させて常法
によ多処理し、エタノールから再結晶して１．１ｆの５
−ｐ−（４’−オクチルオキシ−４−ビフェニリルオキ
シカルビニル）−安息香酸　２−メチル−ブチル　エス
テルをえた。このものの相転移点は第３表に示す（第３
表の化合物Ｎ［Ｌｌ　４　）。

実施例４ （Ｓ　−ｐ　−（４’−オクチルオキシ−４−ビフェニ
リルオキシカルビニル）−安ａ香ｅ　１−メチル−ブチ
ル　エステル（（１）式に於て、Ｒ＝Ｃ８）ｔ、７０−
ｌｍ＝２、ｎ＝１、Ｘ　−−ＯＣＨ２−１Ｒ＊＝光学活
性　１−メチル−ブチルのもの）の製造〕 ■）−トルイルクロリド４０ｆを１８５°Ｃに加熱攪拌
し、臭素４２ｆを約１時間で滴下し、のち１８０−１９
０°Ｃに約１０分間保ち、のち減圧蒸留により、１７０
−１７２″′ｃ（２０ｍＨｇ　）の留分、３５ｙをえた
。このものは、ｐ−ブロモメチル安息香酸プロミドでｍ
、ｐ、Ｕ３４−５５℃である。

Ｓ−（ト）−２−ペンタノール５．７ｇにトルエン中で
、ｐ−ブロモメチル安息香酸プロミド１５ｆを反応させ
一夜放置後、水洗し、トルエンを減圧留去して５−ｐ−
ブロモメチル安息香酸１−メチルーブチル　エステル、
油状物、１９．２ｆをえた。このものは粗製のま＼次の
工程で使珀される。

０．３３ｆの水素化ナトリウムを乾燥ＴＨＦに懸濁させ
、４′−オクチルオキシ−４−ヒドロキシビフェニル２
．ＯｆのＴＨＦ溶液を滴下した。

ＤＭＳＯ３０ｇ／を加え、５−ｐ−ブロモメチル安息香
酸　１−メチル−ブチル　エステ化２．４ｆのＴＨＦ溶
液を滴下し、室温で一夜撹拌した。

常法処理で得られた目的物結晶をエタノール・酢酸エチ
ル混合物より再結晶して１．６ｇの結晶を得た。このも
のの性質は第３表に示す（第３表の化合物凪１５）。

又、元素分析は次の如く計算値とよく一致していた。

実測値　計算値（Ｃｓ５Ｈ４ｔｏ４とシテ）Ｃ７９，０
％　７８．８５％ Ｈ８，３％　８．４２％ 実施例３．４に記載した方法に準じて一般式（１−ｂ）
の化合物を各種合成した。それらの物性値を実施例３の
化合物のそれと共に第３表に示す。

実施例５（使用例） 前記第２表中の尭９の４−（ｐ−へブチルオキシベンジ
ルオキシ）−４’−ビフェニルカルボン酸　１−メチル
−ヘプチル　エステル＆用いて、下記組成の液晶組成物
を調製した。

（第２表、凪９の化合物）　１０（モル％）Ｈ３ 蒙 １８（モル％） Ｌ ■ ２７（モル％） ＣＨｌ ２．７（モル％） 組成物の調製法は、上記５種の液晶化合物を所定の重量
秤量し、５種のものを試料ビン中で加熱溶融しながら混
合するものである。

得られた組成物を用いて実験用液晶素子を作製した。即
ち、酸化インジウム透明電極が設けられているガラス基
板上にポリイミド系高分子膜を設け、一定方向にガーゼ
を用いてラビングし、２枚の基板のラビング方向が平行
になるようにガラスファイバー（径６μｍ）をスペーサ
ーとして液晶セルを組立て、これに上記液晶組成物を真
空封入したものである。この液晶素子を２枚の直交する
偏光子の間に設置し、電界を印加した所、２０Ｖの印加
によつで透過光強度の変化が観測された。

この時の透過光強度の変化から応答時間をめると約０．
５　ｍｓの値を示し、コントラストも１：２０の値であ
った。なお、上記液晶組成物について、偏光顕微鏡によ
りテクスチュアの温度変化を調べた所、０°Ｃから４８
℃の温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その
自発分極は２５°Ｃで２７ｎＣ／ｄと、既存の第１表の
Ｐｌｈ１化合物などの自発分極（４〜６ｎＣ／ｃＩＡ）
に比べて大巾に大きくなることが確かめられた。

以上 特許出願人　チッソ株式会社 同　上　株式会社　日立製作所 代理人弁理士　佐々井　弥太部 同　上　行　中　克　汁 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，４識別記号　庁内整理番号［相］発明
者　版部　紳太部　日立市＝ｉＢＩＴ３丁目所内 ［相］発明者　岩崎　紀四部　日立車輪３丁目所内 ＠発明者　北　村　輝　夫　日立市幸町３丁目所内 Ｏ発明者　向　尾　昭　夫　日立市幸町３丁目所内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式 ％式％（１） （上式中、Ｘは一〇Ｈ，０−又は−ｏｃａｔ−であシ、
   Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、又はアルコキシ基で
   あシ、Ｒ＊は文学活性基で不整炭素原子を含む。又、ｍ
   、ｎはいずれも１又は２である） で示されるベンジルフェニルエーテル骨格ヲ有すること
   を特徴とする液晶性化合物。 （２、特許請求の範囲第１項記載の一般式（１）に於け
   ｚＲ＊が光学活性な２−メチルブチル基ＣＨ８ −ＣＨｔ−ＣＨ−ＣｔＨ５である液晶性化合物。 ＊ （３）特許請求の範囲第１項記載の一般式（１）に於け
   ＣＨ３ す るＲ＊が２−オクチル基−ＣＨ−Ｃ，Ｈ，３である液＊ 品性化合物。 （４）一般式 ％式％（１） （上式中、Ｘは−ＣＨ２０−又は−〇〇Ｈ，−であり、
   Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基又はアルコキシ基であ
   り、Ｒ＊は光学活性基で不整炭素原子を含む。又ｍ、ｎ
   は夫々１又は２である）テ示すれるベンジルフェニルエ
   ーテル骨格を有することを特徴とする液晶性化合物を少
   くとも１種類配合成分として含有することを特徴とする
   液晶組成物。