JPS60147163A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60147163A JPS60147163A JP294584A JP294584A JPS60147163A JP S60147163 A JPS60147163 A JP S60147163A JP 294584 A JP294584 A JP 294584A JP 294584 A JP294584 A JP 294584A JP S60147163 A JPS60147163 A JP S60147163A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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-
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-
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- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置にかける電極配線材料、構造に関す
る。
る。
従来、半導体装置忙おける電極配線は、多結晶Ｓ＜ある
いはＡｌによる配線が用いられていたが、多結晶ｓ７配
線は抵抗値が高いという欠点がちル、ムｌ配線は高温熱
処理が不可能であるという欠点があるため、最近リフラ
クトリ−金属として例えばＷ等の高融点金属を例えばＭ
ＯＢ型ＦＩＴのゲート電極等に用いることの要望が高い
。
いはＡｌによる配線が用いられていたが、多結晶ｓ７配
線は抵抗値が高いという欠点がちル、ムｌ配線は高温熱
処理が不可能であるという欠点があるため、最近リフラ
クトリ−金属として例えばＷ等の高融点金属を例えばＭ
ＯＢ型ＦＩＴのゲート電極等に用いることの要望が高い
。
しかし、Ｗ等の高融点金属を電極材料に用いると、熱処
理による抵抗値変化が大きい事及び、ゲート電極として
用いた場合には下地ゲート酸化膜と反応し、界面準位を
増大させる等の欠点があった。
理による抵抗値変化が大きい事及び、ゲート電極として
用いた場合には下地ゲート酸化膜と反応し、界面準位を
増大させる等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、リフラクト
リ−金属配線に於ても抵抗値や界面単位の変動の少ない
安定な電極配線構造を提供することを目的とする。
リ−金属配線に於ても抵抗値や界面単位の変動の少ない
安定な電極配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するだめの本発明の基本的な構成は、半
導体装置忙於て、半導体基板表面上には絶縁膜を介して
、リフラクトリ−金属によるゲート電極等の電極配線が
形成され、該リフラクトリ−金属による電極配線層の表
面は窒化膜で被覆されて成ることを特徴とする事、及び
前記窒化膜がシリコン窒化膜である事、及びリフラクト
リ−金属の窒化膜である事等を特徴とする事である。
導体装置忙於て、半導体基板表面上には絶縁膜を介して
、リフラクトリ−金属によるゲート電極等の電極配線が
形成され、該リフラクトリ−金属による電極配線層の表
面は窒化膜で被覆されて成ることを特徴とする事、及び
前記窒化膜がシリコン窒化膜である事、及びリフラクト
リ−金属の窒化膜である事等を特徴とする事である。
以下、実施−例（より本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＭＯ８型Ｆ’ＦｉＴの
断面図である。すなわち、ｓ４基板１の表面にはシール
ド酸化膜２．ソース及びドレイン拡散領域８，４．ゲー
トｓ６ｏ露膜５が形成され、該ゲート日１０３膜表面は
アンモニア雰囲気で１０００℃の加熱によ多形成された
シリコン窒化膜（”（ｓＮ４”）ａが形成され、その上
にＷあるいはＭ。
断面図である。すなわち、ｓ４基板１の表面にはシール
ド酸化膜２．ソース及びドレイン拡散領域８，４．ゲー
トｓ６ｏ露膜５が形成され、該ゲート日１０３膜表面は
アンモニア雰囲気で１０００℃の加熱によ多形成された
シリコン窒化膜（”（ｓＮ４”）ａが形成され、その上
にＷあるいはＭ。
、 Ｔｉ、 ’ｒａ、 １ｂ等のフラクトリー金属から
なるゲート電極７が形成され、該ゲート電極７上の表面
もＣＶＤによる５ｚ３Ｎ４６１ 膜８が形成されて成る
。
なるゲート電極７が形成され、該ゲート電極７上の表面
もＣＶＤによる５ｚ３Ｎ４６１ 膜８が形成されて成る
。
第２図は本発明の他の実施例を示すＭＯ８型ＦＥＴの断
面図である。すなわち、ｓ７基板１１の表面にはフィー
ルド酸化膜１２．ソース及びドレイン拡散層１３ 、１
４ 、ゲート日６ｏ１膜１５が形成され、ゲニト日４ｏ
！膜５上にはゲート５ｉ０２膜５を窒化して得た５ｊ３
Ｎ、”膜１６．リフラクトリー金属によるゲート電極１
７が形成され、該ゲート電極表面はアンモニア雰囲気中
で加熱処理して得たＷＮ、ＴｉＭ、Ｍ６Ｈ，ＴａＨ等の
フラクトリー金属の窒化膜１８が形成されて成る。
面図である。すなわち、ｓ７基板１１の表面にはフィー
ルド酸化膜１２．ソース及びドレイン拡散層１３ 、１
４ 、ゲート日６ｏ１膜１５が形成され、ゲニト日４ｏ
！膜５上にはゲート５ｉ０２膜５を窒化して得た５ｊ３
Ｎ、”膜１６．リフラクトリー金属によるゲート電極１
７が形成され、該ゲート電極表面はアンモニア雰囲気中
で加熱処理して得たＷＮ、ＴｉＭ、Ｍ６Ｈ，ＴａＨ等の
フラクトリー金属の窒化膜１８が形成されて成る。
本発明の如くリフラクトリ−金属による電極配線の表面
を窒化膜で被覆することＫよｐｌ、抵抗値や界面準位の
変化、増大の少ない電極配線ができる効果がある。
を窒化膜で被覆することＫよｐｌ、抵抗値や界面準位の
変化、増大の少ない電極配線ができる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すＭＯ８型ＦＦ
１Ｔの断面図である。 １ 、１１ ・ｏ Ｓ ｉ基板 ２．１２−−フィール
ド酸化ｆｆｌ ８．＋３．４．１４・・ソース及びドレ
イン拡。 散領域 ５，１５・・ゲート酸化膜 ６．１６・・ゲー
ト窒化膜″ ７１１７・・リフラクトリ−金属によるゲ
ートｉＳ、極 ８・・Ｅｌｚ３ＮＮ膜 １８・・リフラ
クトリ−金属の窒化膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理土量 上 務 第１図 第２図
１Ｔの断面図である。 １ 、１１ ・ｏ Ｓ ｉ基板 ２．１２−−フィール
ド酸化ｆｆｌ ８．＋３．４．１４・・ソース及びドレ
イン拡。 散領域 ５，１５・・ゲート酸化膜 ６．１６・・ゲー
ト窒化膜″ ７１１７・・リフラクトリ−金属によるゲ
ートｉＳ、極 ８・・Ｅｌｚ３ＮＮ膜 １８・・リフラ
クトリ−金属の窒化膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理土量 上 務 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板表面上には絶縁膜を介して、リフラク
トリ−金属によるゲート電極等の電極配線が形成され、
該リフラクトリ−金属による電極配線層の表面は窒化膜
で被後されて成ることを特徴とする半導体装ｔａ （２）リフラクトリ−金属による電極配線層の表面はシ
リコン窒化膜で被覆されて成ることを特徴とする特許請
求の範囲ｆａ１項記載の半導体装Ｗ。 （８）リフ２クトリー金属による電極配線層の表面には
りフラクトリー金属の窒化膜が形成されて成る仁とを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294584A JPS60147163A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294584A JPS60147163A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147163A true JPS60147163A (ja) | 1985-08-03 |
Family
ID=11543501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP294584A Pending JPS60147163A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147163A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174371A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| JPS63244884A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0194664A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP294584A patent/JPS60147163A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174371A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| JPS63244884A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0194664A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
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