JPS60145996A - 磁気光学ガ−ネツト材料の育成法 - Google Patents
磁気光学ガ−ネツト材料の育成法Info
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- JPS60145996A JPS60145996A JP59002903A JP290384A JPS60145996A JP S60145996 A JPS60145996 A JP S60145996A JP 59002903 A JP59002903 A JP 59002903A JP 290384 A JP290384 A JP 290384A JP S60145996 A JPS60145996 A JP S60145996A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ファラデー回転効果を利用した光アイソレー
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学累子用磁性ガーネット材料の製造方法に関する。
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学累子用磁性ガーネット材料の製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
近時、光フアイバー通信技術の進歩は目ざましい、低損
失ファイバーと長時間連続発振可能な半導体レーザの開
発により、光フアイバー通信技術は通信量の増加に対応
し安価でしかも高品質の通信手段を提供する手段として
期待されている。しかしながら、光伝送路の途中に設け
られるスイッチ等の部品から反射される戻り光が光源で
ある半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性を損うと
いう大きな問題がある。
失ファイバーと長時間連続発振可能な半導体レーザの開
発により、光フアイバー通信技術は通信量の増加に対応
し安価でしかも高品質の通信手段を提供する手段として
期待されている。しかしながら、光伝送路の途中に設け
られるスイッチ等の部品から反射される戻り光が光源で
ある半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性を損うと
いう大きな問題がある。
この問題の解決のために、光アイソレータをレーザー光
源の後段に設けることが提案されている。
源の後段に設けることが提案されている。
１．３〜１．８μｍ の長波長帯用光アイソレータとし
ては、電子通信学会技術研究報告ＯＱＥ ７８−１３３
に報告されているように、強磁性体であるイツトリウム
・鉄・ガーネット（Ｙ、Ｆｅ、０．、 、 Ｙ Ｉ Ｇ
）のファラデー効果を用いたものが提案されている。
ては、電子通信学会技術研究報告ＯＱＥ ７８−１３３
に報告されているように、強磁性体であるイツトリウム
・鉄・ガーネット（Ｙ、Ｆｅ、０．、 、 Ｙ Ｉ Ｇ
）のファラデー効果を用いたものが提案されている。
この報告で用いられているＹＩＧはフラックス法で育成
されたバルク単結晶である。
されたバルク単結晶である。
しかしながら、バルク単結晶を用いる方法は原材料コス
トが著しく高く、光アイソレータの普及を阻げている７
この解決のために、特願昭５５−９３４４９および特願
昭５５−１２６２３９ に開示されるような非磁性ガー
ネット基板の上にエピタキシャル成長させたガーネット
厚膜の採用が提案されている。
トが著しく高く、光アイソレータの普及を阻げている７
この解決のために、特願昭５５−９３４４９および特願
昭５５−１２６２３９ に開示されるような非磁性ガー
ネット基板の上にエピタキシャル成長させたガーネット
厚膜の採用が提案されている。
光アイソレータではこのガーネット厚膜を円筒状の磁石
の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の中
を膜面と平行に透過させるとその出射光の偏光面が回転
するように構成されている。
の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の中
を膜面と平行に透過させるとその出射光の偏光面が回転
するように構成されている。
このようにバルク単結晶に代えてエピタキシャル成長さ
れた単結晶厚膜を用いることにより、原材料コストを引
き下げることかり能となった。
れた単結晶厚膜を用いることにより、原材料コストを引
き下げることかり能となった。
膜厚としては、膜面に平行に光を入射させる方式の場合
、シングルモードファイバ用には２００μｍが、マルチ
モードファイバ用には５００μｍが必要である。また、
膜面と垂直に光を入射させたときに入射直線偏光の偏光
面を４５°回転させるに足りる厚さのエピタキシャル膜
が得られれば、膜面に垂直に光を入射させる方式の光ア
イソレータもエピタキシャル膜を用いて作成可能である
。また、薄膜を用いて光を導波させて用いる光アイソレ
ータも提案されている。
、シングルモードファイバ用には２００μｍが、マルチ
モードファイバ用には５００μｍが必要である。また、
膜面と垂直に光を入射させたときに入射直線偏光の偏光
面を４５°回転させるに足りる厚さのエピタキシャル膜
が得られれば、膜面に垂直に光を入射させる方式の光ア
イソレータもエピタキシャル膜を用いて作成可能である
。また、薄膜を用いて光を導波させて用いる光アイソレ
ータも提案されている。
エピタキシャル成長させたガーネット膜をこのような磁
気光学素子として用いる場合、ファラデー回転係数が大
きい材料を用いれば、光路長を小さくすることができ、
素子をより小型化すること力（５Ｊ能である。Ｂｉを置
換させたガーネットは、ファラデー回転係数の大きい材
料であり、特に希土類イオンとしてＧｄ３＋を用いる場
合にはジャーナル・オブ優アプライドフィジクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ０ｆＡｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
）第枳巻、 ４７８９ページ（１９７３年：およびジャ
パニーズｅジャーナル曹オブ・アブライドフィジクス（
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ）第１３巻、 １６６３ページ（
１９７４年）に開示されるように、大量にＢｉを固溶さ
せることができ、しかも優れた性能指数（ファラデー回
転係数と吸収係数との比）を示すことが知られている。
気光学素子として用いる場合、ファラデー回転係数が大
きい材料を用いれば、光路長を小さくすることができ、
素子をより小型化すること力（５Ｊ能である。Ｂｉを置
換させたガーネットは、ファラデー回転係数の大きい材
料であり、特に希土類イオンとしてＧｄ３＋を用いる場
合にはジャーナル・オブ優アプライドフィジクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ０ｆＡｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
）第枳巻、 ４７８９ページ（１９７３年：およびジャ
パニーズｅジャーナル曹オブ・アブライドフィジクス（
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ）第１３巻、 １６６３ページ（
１９７４年）に開示されるように、大量にＢｉを固溶さ
せることができ、しかも優れた性能指数（ファラデー回
転係数と吸収係数との比）を示すことが知られている。
し殆がって、大量にＢｉを含むガーネット膜が得られれ
ば優れた磁気光学素子材料となる。Ｂｉを固溶させたガ
ドリニウム・鉄・ガーネットの液相エピタキシャル成長
では、膜と基板との格子定数の整合の観点から、ネオジ
ム・ガリウム・ガーネット（Ｎｄ、Ｇａ、Ｏ，、： Ｎ
ＧＧ ）を基板として用いることが要請される。
ば優れた磁気光学素子材料となる。Ｂｉを固溶させたガ
ドリニウム・鉄・ガーネットの液相エピタキシャル成長
では、膜と基板との格子定数の整合の観点から、ネオジ
ム・ガリウム・ガーネット（Ｎｄ、Ｇａ、Ｏ，、： Ｎ
ＧＧ ）を基板として用いることが要請される。
Ｂｉ を置換させたガーネットを育成する場合の問題点
は、融剤の成分であるＰｂがＢｉと同時にガーネットに
入ってしまうことである。ｐｂはガーネット中でＰｂ２
＋もしくはＰｂ’＋ となって存在し、ガーネット中で
電気的中性を保つためにガーネットの主成分であるＦｅ
３＋をＦｅ４＋もしくはＦｅ２＋に変化させる。ガーネ
ット中にＦｅ’＋もしくはＦｅ２＋が存在すると０９μ
ｍにおける光吸収を増大させ、結果として、光通信で用
いられる１、３〜１．７μｍ帯での吸収をも増加させる
ことになる。これを解決するために、ＰｂＯを含む融剤
からＢｉ置換ガーネットを育成するさいに、微量のＣａ
２＋を添加することがジャーナル・オブ・アプライドフ
ィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ）ｉｉｇ ５３巻１６８７ページ（１９
８２年）に報告されている。ただし、この場合は希土類
イオンとしてイオン半径の小さいＬｕ ３＋を用いてい
る。
は、融剤の成分であるＰｂがＢｉと同時にガーネットに
入ってしまうことである。ｐｂはガーネット中でＰｂ２
＋もしくはＰｂ’＋ となって存在し、ガーネット中で
電気的中性を保つためにガーネットの主成分であるＦｅ
３＋をＦｅ４＋もしくはＦｅ２＋に変化させる。ガーネ
ット中にＦｅ’＋もしくはＦｅ２＋が存在すると０９μ
ｍにおける光吸収を増大させ、結果として、光通信で用
いられる１、３〜１．７μｍ帯での吸収をも増加させる
ことになる。これを解決するために、ＰｂＯを含む融剤
からＢｉ置換ガーネットを育成するさいに、微量のＣａ
２＋を添加することがジャーナル・オブ・アプライドフ
ィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ）ｉｉｇ ５３巻１６８７ページ（１９
８２年）に報告されている。ただし、この場合は希土類
イオンとしてイオン半径の小さいＬｕ ３＋を用いてい
る。
Ｂｉを含む液相エピタキシャル（ＬＰＪＩ ）ガーネッ
ト膜を育成する場合の他の問題点は、第７回日本応用磁
気学会学術講演概要集２９ページに開示されるように、
ＬＰＭ膜成長後に育成用融液が多量に残留することであ
る。本発明者の実験によれば、（１１１）を成長面とし
たとき、この傾向は強い。
ト膜を育成する場合の他の問題点は、第７回日本応用磁
気学会学術講演概要集２９ページに開示されるように、
ＬＰＭ膜成長後に育成用融液が多量に残留することであ
る。本発明者の実験によれば、（１１１）を成長面とし
たとき、この傾向は強い。
このため、成長後のウェハの表面を硝酸で洗浄したとし
ても、残留融液が固化するまでの間にガーネットや異相
が析出することから、表面は必すしも平坦ではなく突起
が生じてしまう。この朶起はガーネット膜の欠陥であり
、表面にプリズムを接触させてレーザ元を膜に導波させ
る場合には、プリズムによる入射光の結合が不可能とな
る。膜を充分に厚く成長させて、残留融液による欠陥を
研磨で除去したとしても、プリズム結合による導波が不
可能な状態では、材料自身の評価は困難である。
ても、残留融液が固化するまでの間にガーネットや異相
が析出することから、表面は必すしも平坦ではなく突起
が生じてしまう。この朶起はガーネット膜の欠陥であり
、表面にプリズムを接触させてレーザ元を膜に導波させ
る場合には、プリズムによる入射光の結合が不可能とな
る。膜を充分に厚く成長させて、残留融液による欠陥を
研磨で除去したとしても、プリズム結合による導波が不
可能な状態では、材料自身の評価は困難である。
融液の残留は低温でのＬＰＥ成長、特に８００℃以下に
おいて極めて顕著であり、Ｂ１を多量に固溶させるため
に育成温度を下げると問題はより深刻となる。Ｃａ２″
゛を含む融剤からの成長では、表面に付着した残留融液
からＣａを含む異相が析出しやすく、欠陥の大きな原因
の一つとなっている。
おいて極めて顕著であり、Ｂ１を多量に固溶させるため
に育成温度を下げると問題はより深刻となる。Ｃａ２″
゛を含む融剤からの成長では、表面に付着した残留融液
からＣａを含む異相が析出しやすく、欠陥の大きな原因
の一つとなっている。
（発明の目的）
本発明の目的は、ＣａＯを添加した５ｂＯ−Ｂｉ２０゜
系融剤もしくはＣａＯを添加しり：ｐｂｏ−Ｂ ｉ、０
３− Ｂ２０゜系融剤より、Ｂｉの置換量をＬｕ３＋
の場合よりも多くすることが可能なり！置換ガドリニウ
ム・鉄・ガーネットを液相エピタキシャル法により育成
する際に、ウェハ表面に融液が残留しないようにする方
法を提供するものである。
系融剤もしくはＣａＯを添加しり：ｐｂｏ−Ｂ ｉ、０
３− Ｂ２０゜系融剤より、Ｂｉの置換量をＬｕ３＋
の場合よりも多くすることが可能なり！置換ガドリニウ
ム・鉄・ガーネットを液相エピタキシャル法により育成
する際に、ウェハ表面に融液が残留しないようにする方
法を提供するものである。
（発明のもととなった実験事実）
本発明者は、Ｂｉを含むガーネットのＬＰＥ法における
育成の実験の過程で、基板となるＮＧＯの面方位を変え
ることにより、成長後の融液の除去のされ方が変化する
ことに着目して本発明をなすに至った。
育成の実験の過程で、基板となるＮＧＯの面方位を変え
ることにより、成長後の融液の除去のされ方が変化する
ことに着目して本発明をなすに至った。
（発明の原理）
本発明の原理を以下に示す。第１表に示すような組成の
酸化物を白金堆堝に精秤し、１０００℃で６時間撹拌し
、融液を均一にした。１０００℃の融液を冷却した白金
堆堝に急冷し、約１００１ｐ の小塊を作った。同時に
、エピタキシャル成長用に無歪研磨され（１１１）、（
００１）、（１１０）および＋ ２１１ ）を表面とす
るネオジム・ガリウム・カーネット（Ｎｄ３Ｇａ５０，
２： Ｎ ＧＧ ）単結晶基板を用意した。この表面に
前記融液の急冷小塊約１００ｍ、＠を載せ、グラファイ
トサセプタ上で高周波加熱した。
酸化物を白金堆堝に精秤し、１０００℃で６時間撹拌し
、融液を均一にした。１０００℃の融液を冷却した白金
堆堝に急冷し、約１００１ｐ の小塊を作った。同時に
、エピタキシャル成長用に無歪研磨され（１１１）、（
００１）、（１１０）および＋ ２１１ ）を表面とす
るネオジム・ガリウム・カーネット（Ｎｄ３Ｇａ５０，
２： Ｎ ＧＧ ）単結晶基板を用意した。この表面に
前記融液の急冷小塊約１００ｍ、＠を載せ、グラファイ
トサセプタ上で高周波加熱した。
融液の温度が液相温度以上になると、融液は完全に均一
になり、基板表面の結晶学的な方位に応じた接触角をも
って基板と接した。この様子を第１図および第２表に示
す。すなわち、基板面がぼ基板表面全体を濡らした。一
方、 （１１１） 。
になり、基板表面の結晶学的な方位に応じた接触角をも
って基板と接した。この様子を第１図および第２表に示
す。すなわち、基板面がぼ基板表面全体を濡らした。一
方、 （１１１） 。
ト膜はＧＧＧよりも濡れ易く、 （１１１１膜の接触角
はほぼ０°であった。このことは基板面と融液との濡れ
やすさの関係は第２表の最下欄に示すようであることを
示している。すなわち、この傾向は基板面として（００
１１や（１１１）を用いた場合にはＬＰＥ成長後にウェ
ハを高速で回転しても融液が除去されにくく、（１１０
）や（２１１）を用いた場合には融液の除去がきわめて
容易、であるという事実（第２図）とも一致している。
はほぼ０°であった。このことは基板面と融液との濡れ
やすさの関係は第２表の最下欄に示すようであることを
示している。すなわち、この傾向は基板面として（００
１１や（１１１）を用いた場合にはＬＰＥ成長後にウェ
ハを高速で回転しても融液が除去されにくく、（１１０
）や（２１１）を用いた場合には融液の除去がきわめて
容易、であるという事実（第２図）とも一致している。
これらの現象はＮＧＯの表面張力および融液との固液界
面張力が面方位により異なっていることを意味している
。
面張力が面方位により異なっていることを意味している
。
すなわち、本発明の要旨はＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ５融剤もし
くはＰｂＯ−Ｂ１．Ｏ，−Ｂ、Ｏ，系融剤より非磁性ガ
ーネット単結晶基板に液相エピタキシャル法により育成
され、成長後前成用融液の残留がない磁気ガーネット材
料を得るために、成長基板面を（１１０）もしくは（２
１１）とすることを特徴とする磁気光学ガーネット材料
の育成法である。
くはＰｂＯ−Ｂ１．Ｏ，−Ｂ、Ｏ，系融剤より非磁性ガ
ーネット単結晶基板に液相エピタキシャル法により育成
され、成長後前成用融液の残留がない磁気ガーネット材
料を得るために、成長基板面を（１１０）もしくは（２
１１）とすることを特徴とする磁気光学ガーネット材料
の育成法である。
（実施例）
以下に実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１表に示す組成の融液を用いて、８５０℃において（
１１０）Ｎ（）Ｇ基板にＣａをごく微量含む（ＧｄＢ１
）３Ｆｅ、０．、ガーネットＬＰＥ膜を育成した。
１１０）Ｎ（）Ｇ基板にＣａをごく微量含む（ＧｄＢ１
）３Ｆｅ、０．、ガーネットＬＰＥ膜を育成した。
所定の時間基板を融液に浸漬し回転し育成を行った後、
基板を融液より取り出し３５０ ｒｐｍで１分間回転し
、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（３）に示
すようにＬＰＥ膜の表面には融液の残留が見られず、こ
れによる膜欠陥は生じなかった。
基板を融液より取り出し３５０ ｒｐｍで１分間回転し
、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（３）に示
すようにＬＰＥ膜の表面には融液の残留が見られず、こ
れによる膜欠陥は生じなかった。
実施例２
第１表に示す組成の融液を用いて８３０℃において（２
１１）ＮＧＯ基板上にＣａ を極く微量含む（ＧｄＢ
ｉ ）ｓＦｅ、０．、ガーネットＬＰＨ膜を育成した。
１１）ＮＧＯ基板上にＣａ を極く微量含む（ＧｄＢ
ｉ ）ｓＦｅ、０．、ガーネットＬＰＨ膜を育成した。
所定の時間融液を基板に浸漬し回転し育成を何った後、
基板を融液より取り出し４２０ ｒｐｍで１分間回転し
、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（３）に示
すようにＬ？Ｅ膜の表面には融液の残留が見られず、こ
れによる膜欠陥は生じなかった。
基板を融液より取り出し４２０ ｒｐｍで１分間回転し
、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（３）に示
すようにＬ？Ｅ膜の表面には融液の残留が見られず、こ
れによる膜欠陥は生じなかった。
比較例１
実施例１に示す条件で（００１）ＮＧＵ基板上に極く微
量のＣａを含む（ＧｄＢｉ ）３Ｆｅ５０１２ガーネツ
トＬＰＥ膜を育成した。ＬＰＥ膜を育成したのち基板を
融液より取り出し３５０ ｒｐｍで１分間回転し、ウェ
ハを炉外に取り出したところ、第２図（１）に示すよう
にＬＰＢ膜の表面は全面にわたり残留融液でおおわれ、
硝酸でウェハ表面を洗浄しても残留融液が冷却される過
程で析出したガーネットや異相が表面に付着し、平坦な
表面を有するＬＰＨ膜は得られなかった。
量のＣａを含む（ＧｄＢｉ ）３Ｆｅ５０１２ガーネツ
トＬＰＥ膜を育成した。ＬＰＥ膜を育成したのち基板を
融液より取り出し３５０ ｒｐｍで１分間回転し、ウェ
ハを炉外に取り出したところ、第２図（１）に示すよう
にＬＰＢ膜の表面は全面にわたり残留融液でおおわれ、
硝酸でウェハ表面を洗浄しても残留融液が冷却される過
程で析出したガーネットや異相が表面に付着し、平坦な
表面を有するＬＰＨ膜は得られなかった。
比較例２
実施例２に示す条件で（１１１１ＮＧ（）基板上に極く
微量のＣａを含む（ＧｄＢ ｉ ）３Ｆｅ、Ｏｌ、、ガ
ーネッ） ＬＰＥ膜を育成した。ＬＰＪＬ膜を育成した
のち、基板を融液より取り出し３５０ ｒｐｒｎで１分
間回転し、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（
２）に示すようにＬＰＥ膜の表面の４５％が残留融液で
おおわれ、硝酸でウェハ表面を洗浄し”Ｃも残留融液が
冷却される過程で析出したガーネットや異相が表面に付
着し、ウェハの全面にわたって平坦な表面を有するＬＰ
Ｅ膜は得られなかった。
微量のＣａを含む（ＧｄＢ ｉ ）３Ｆｅ、Ｏｌ、、ガ
ーネッ） ＬＰＥ膜を育成した。ＬＰＪＬ膜を育成した
のち、基板を融液より取り出し３５０ ｒｐｒｎで１分
間回転し、ウェハを炉外に取り出したところ、第２図（
２）に示すようにＬＰＥ膜の表面の４５％が残留融液で
おおわれ、硝酸でウェハ表面を洗浄し”Ｃも残留融液が
冷却される過程で析出したガーネットや異相が表面に付
着し、ウェハの全面にわたって平坦な表面を有するＬＰ
Ｅ膜は得られなかった。
実施例３
第３表に示す組成の融液を用いて、７２５℃において（
１１０）ＮＧＯ基板上に極く微量のＣａを含む（ＧｄＢ
ｉ ）、Ｆｅ、Ｏ，、ガーネットＬＰＥ膜を育成した。
１１０）ＮＧＯ基板上に極く微量のＣａを含む（ＧｄＢ
ｉ ）、Ｆｅ、Ｏ，、ガーネットＬＰＥ膜を育成した。
必要な時間だけ基板を融液に浸漬し回転して育成を行っ
た後、基板を融液より取り出し４９０ｒｐｍで１分間回
転し、ウェハを炉外に取り出したところＬＰＥ膜の表面
には融液の残留による欠陥は生じなかった。
た後、基板を融液より取り出し４９０ｒｐｍで１分間回
転し、ウェハを炉外に取り出したところＬＰＥ膜の表面
には融液の残留による欠陥は生じなかった。
実施例４
実施例３において、基板面を（２１１）とした場合にも
同様の結果が潜られたが、 （ｌｌｌｌ；Ｅよび（００
１１とした場合には成長後ウェハの表面に融液の残留が
あり、欠陥となった。
同様の結果が潜られたが、 （ｌｌｌｌ；Ｅよび（００
１１とした場合には成長後ウェハの表面に融液の残留が
あり、欠陥となった。
実施しｕ５
第４表に示す組成の融液を用いて、７４０′Ｃに３いて
（２１１） ＮＵＧ基板上に極く微量のＣａを含む（Ｇ
ｄＢｉ ）、Ｆｅ、０．２ ガーネットＬＰＢ膜を育成
した。必要な時間だけ基板を融液に浸漬し回転して育成
を行った後、基板を融液より取り出し４３Ｏｒｐｍで１
分間回転し、ウェハを取り出したところＬＰＥ膜の表面
には融液の残留による欠陥は生じなかった。
（２１１） ＮＵＧ基板上に極く微量のＣａを含む（Ｇ
ｄＢｉ ）、Ｆｅ、０．２ ガーネットＬＰＢ膜を育成
した。必要な時間だけ基板を融液に浸漬し回転して育成
を行った後、基板を融液より取り出し４３Ｏｒｐｍで１
分間回転し、ウェハを取り出したところＬＰＥ膜の表面
には融液の残留による欠陥は生じなかった。
実施例６
実施例５において基板面を（１１０）とした場合にも同
様の結果が得られたが、（１１１）および（ｏｏＢ と
した場合には成長後のウェハ表面に融液の残留があり、
欠陥となった。
様の結果が得られたが、（１１１）および（ｏｏＢ と
した場合には成長後のウェハ表面に融液の残留があり、
欠陥となった。
なお、本発明は実施例に挙げたＢｉ２Ｏ３濃度の組成を
肩する融液にとどまるものではなく、 、、Ｂ、ｉ、０
゜を含む融液において全て有効であった。
肩する融液にとどまるものではなく、 、、Ｂ、ｉ、０
゜を含む融液において全て有効であった。
（発明の効果）
以上、本発明を用いることにより、成−長後の表面に融
液が残留することがなく、この結果残留融液の表面付着
による欠陥のないＣａをごく微量置換した（（）ｄＢ
ｉ ）、Ｆ’ｅ、０．ｔ ガーネット材料が得られる。
液が残留することがなく、この結果残留融液の表面付着
による欠陥のないＣａをごく微量置換した（（）ｄＢ
ｉ ）、Ｆ’ｅ、０．ｔ ガーネット材料が得られる。
第１表
第２表
第３表
第４、
第１図（１） 、 ＋２） 、 ＋３１は、融液による
基板の濡れにおける基板面方位依存を示す断面図。（１
）は基板面が（００１） 、（２１は（１１１） 、
＋３）は（１１０）および（２１１１に対応する。４は
融液、５は基板である。 第２図（１） 、 （２） 、 （３）は液相エピタキ
シャル成長後、表面残留融液を除去するために高速でウ
ェハを回転した後に、ウェハ表面に残留する融液の状態
を示す斜視図。（１）および（２）は基板面がそれぞれ
（００１）および（１１１）に対応。（３）は（１１０
１もしくは（２１，１）の場合である。１４は表面に残
留する融液、１５は基板を示す。 ７１ 図 ７２図 （２） ５ （３）
基板の濡れにおける基板面方位依存を示す断面図。（１
）は基板面が（００１） 、（２１は（１１１） 、
＋３）は（１１０）および（２１１１に対応する。４は
融液、５は基板である。 第２図（１） 、 （２） 、 （３）は液相エピタキ
シャル成長後、表面残留融液を除去するために高速でウ
ェハを回転した後に、ウェハ表面に残留する融液の状態
を示す斜視図。（１）および（２）は基板面がそれぞれ
（００１）および（１１１）に対応。（３）は（１１０
１もしくは（２１，１）の場合である。１４は表面に残
留する融液、１５は基板を示す。 ７１ 図 ７２図 （２） ５ （３）
Claims (1)
- ＣａＯを添加したＰｂＯ−Ｂ１，０．系融剤もしくはＣ
ａＯを添加しりＰｂＯ−Ｂ１，０．−ＢｔＯ，系融剤よ
り基板面上に液相上ピタキシャル法によりＢｉ置換ガド
リニウム・鉄・ガーネットを育成することを特徴とする
磁気光学ガーネット材料の育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002903A JPS60145996A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気光学ガ−ネツト材料の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002903A JPS60145996A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気光学ガ−ネツト材料の育成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145996A true JPS60145996A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11542310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002903A Pending JPS60145996A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気光学ガ−ネツト材料の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145996A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153696A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Granopt Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59002903A patent/JPS60145996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153696A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Granopt Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
| JP4650943B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-03-16 | 株式会社グラノプト | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
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