JPS60145997A - 磁気ガ−ネツト材料の育成法 - Google Patents
磁気ガ−ネツト材料の育成法Info
- Publication number
- JPS60145997A JPS60145997A JP59002905A JP290584A JPS60145997A JP S60145997 A JPS60145997 A JP S60145997A JP 59002905 A JP59002905 A JP 59002905A JP 290584 A JP290584 A JP 290584A JP S60145997 A JPS60145997 A JP S60145997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- film
- garnet
- substrate
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ファラデー回転効果を利用した光アイソレー
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学素子用母性ガーネット材料およびバブル°素子材
料の製造方法に関する。
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学素子用母性ガーネット材料およびバブル°素子材
料の製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
近時、光フアイバー通信技術の進歩は目ざましい。低損
失ファイバーと長時間連続発撥可能なヰ導俸レーザの開
発ζこより、光フアイバー通信技術は通信量の増７Ｊ［
Ｉｌこ対応し安価でしかも高品質の通信を提供する手段
として期待されている。しかしながら、光伝送路の途中
に設けられるスイッチ等の部品から反射される戻り光が
光源である半導外レーザに入るとレーザ発振の安定性を
損うという大きな問題がある。
失ファイバーと長時間連続発撥可能なヰ導俸レーザの開
発ζこより、光フアイバー通信技術は通信量の増７Ｊ［
Ｉｌこ対応し安価でしかも高品質の通信を提供する手段
として期待されている。しかしながら、光伝送路の途中
に設けられるスイッチ等の部品から反射される戻り光が
光源である半導外レーザに入るとレーザ発振の安定性を
損うという大きな問題がある。
この問題の解決のために、光アイソレータをレーザー光
源の後段に設けることか提案されでいる。
源の後段に設けることか提案されでいる。
１．３〜１．８／１ｍの長波長帯用光アイソレータとし
ては、電子通信学会技術研究報告（ＪＱＦ、７８−１３
３１こ報告されているようζこ、強磁性不であるイア１
−リウム・鉄・ガーネット（Ｙ３ Ｆ’ｅ、 （Ｊ１２
、 Ｙ Ｉ Ｇ ）のファラデー効果を用いたものが
提案されている。
ては、電子通信学会技術研究報告（ＪＱＦ、７８−１３
３１こ報告されているようζこ、強磁性不であるイア１
−リウム・鉄・ガーネット（Ｙ３ Ｆ’ｅ、 （Ｊ１２
、 Ｙ Ｉ Ｇ ）のファラデー効果を用いたものが
提案されている。
この報告で用いられているＹＩＧ４；Ｊフランクス法で
育成されたバルク単結晶である。
育成されたバルク単結晶である。
しかしながら、バルク単結晶を用いる方法は原材料コス
トが著しく高く、元アイソレークの箸及を阻けている。
トが著しく高く、元アイソレークの箸及を阻けている。
この解決のために、ｔ４願昭５５−９３４４９および特
願昭５５−１２６２３９に開示されるような非磁性ガー
ネット基板の上にエピタキシャル成長させたガーネット
厚膜の採用が提案さイｔている。
願昭５５−１２６２３９に開示されるような非磁性ガー
ネット基板の上にエピタキシャル成長させたガーネット
厚膜の採用が提案さイｔている。
光アイソレータではこ、のガーネット厚膜を円筒状の磁
石の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の
中を膜面と平行ｌこ透過させるとその出射光の偏光面が
回転するよう船こ構成されている。
石の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の
中を膜面と平行ｌこ透過させるとその出射光の偏光面が
回転するよう船こ構成されている。
このようにバルク単結晶に代えてエピタキシャル成長さ
れた。単結晶厚膜を用いることにより、原材料コストを
引き下げることが可能となった。
れた。単結晶厚膜を用いることにより、原材料コストを
引き下げることが可能となった。
膜厚としては、膜面と平行に光を入射させる方式の場合
、シングルモードファイバ用ζこは２００μｍが、マル
チモードファイバ用ζこは５００μｍが必要である。ま
た、膜面と垂直に光を入射させたときに入射直線偏光の
偏光面を４５回転させるに足りる厚さのエピタキシャル
膜が得られれば、膜面に垂直に光を入射させる方式の光
アイソレータかエピタキシャル膜を用いて作成可能であ
る。また薄膜を用いて光を導波させて用いる光アイソレ
ータも提案されている。
、シングルモードファイバ用ζこは２００μｍが、マル
チモードファイバ用ζこは５００μｍが必要である。ま
た、膜面と垂直に光を入射させたときに入射直線偏光の
偏光面を４５回転させるに足りる厚さのエピタキシャル
膜が得られれば、膜面に垂直に光を入射させる方式の光
アイソレータかエピタキシャル膜を用いて作成可能であ
る。また薄膜を用いて光を導波させて用いる光アイソレ
ータも提案されている。
エピタキシャル成長させたカーネット膜をこのような磁
気光学素子として用いる場合、ファラデー回転係数が大
きい材料を用いれば光路長を小さくすることができ、素
子をより小型化することが可能である。Ｂｉ装置４勢さ
せたカーネットは、）アラチー回転係数の大きい材料で
あり、特Ｏこ希土類イオンとしてＧｃ１３＋を用いる場
合にけジャーナル・オブ・アブライドフィジクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第４４巻、４７８９−＜−ジ（１９７３年）およびジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アブライドフィジクス（
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ−ｎａｌｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第１３巻、１６６３ページ
（’１．９７４年）に開示されているように、大量にＢ
ｉを固溶させることができしかも優れた性能指数（ファ
ラデー回転係数と吸収係数との比）を示すことが知られ
ている。したがって、大量にＢ１を含むカーネット膜が
得られれば優れた磁気光学素子材料となる。
気光学素子として用いる場合、ファラデー回転係数が大
きい材料を用いれば光路長を小さくすることができ、素
子をより小型化することが可能である。Ｂｉ装置４勢さ
せたカーネットは、）アラチー回転係数の大きい材料で
あり、特Ｏこ希土類イオンとしてＧｃ１３＋を用いる場
合にけジャーナル・オブ・アブライドフィジクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第４４巻、４７８９−＜−ジ（１９７３年）およびジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アブライドフィジクス（
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ−ｎａｌｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第１３巻、１６６３ページ
（’１．９７４年）に開示されているように、大量にＢ
ｉを固溶させることができしかも優れた性能指数（ファ
ラデー回転係数と吸収係数との比）を示すことが知られ
ている。したがって、大量にＢ１を含むカーネット膜が
得られれば優れた磁気光学素子材料となる。
しかしながら、Ｂｉを含む面相エビタキソヤル（ＬＰＥ
）ガーネット膜を育成する場合の問題点は、第７回日本
応用磁気学会学術講演概要集２９ページをこ開示される
ようｔご、ＬＰＥ膜成長後に育成用融液が多産ζこ残留
することである。本発明者の実験によればｆ １１１１
成長面としたとき、この傾向は強い。このため成長後の
ウェハの表面を硝酸で洗浄したとしても、残留融液か固
化するまでの間にガーネットや異相が析出することから
、表面は必すしも平坦ではなく突起が生じてしまう。こ
の突起はガー不ッｌ′−膜の欠陥であり、表面をこプリ
ズムを接触させてレーザ光を膜に導波させる場合〔こは
、プリズムによる入射光の結合が不可能となる。膜を充
分に厚く成長させて、残留融液ζこよる欠陥を研摩で除
去したとしても、プリズム結合による導波か不可能な状
顔では、材料の評価は困難である。融液の残留は低温で
のＬＰＫ成長、％に８００℃以下において極めて顕著で
あり、Ｂｉを多斌−こ固溶させるために育成温度を下げ
ると問題はより深刻になる。またガーネットＬＰＥ膜を
バブル素子材料として用いる場合にも表面の欠陥は素子
の歩留りを低下させるので問題である。
）ガーネット膜を育成する場合の問題点は、第７回日本
応用磁気学会学術講演概要集２９ページをこ開示される
ようｔご、ＬＰＥ膜成長後に育成用融液が多産ζこ残留
することである。本発明者の実験によればｆ １１１１
成長面としたとき、この傾向は強い。このため成長後の
ウェハの表面を硝酸で洗浄したとしても、残留融液か固
化するまでの間にガーネットや異相が析出することから
、表面は必すしも平坦ではなく突起が生じてしまう。こ
の突起はガー不ッｌ′−膜の欠陥であり、表面をこプリ
ズムを接触させてレーザ光を膜に導波させる場合〔こは
、プリズムによる入射光の結合が不可能となる。膜を充
分に厚く成長させて、残留融液ζこよる欠陥を研摩で除
去したとしても、プリズム結合による導波か不可能な状
顔では、材料の評価は困難である。融液の残留は低温で
のＬＰＫ成長、％に８００℃以下において極めて顕著で
あり、Ｂｉを多斌−こ固溶させるために育成温度を下げ
ると問題はより深刻になる。またガーネットＬＰＥ膜を
バブル素子材料として用いる場合にも表面の欠陥は素子
の歩留りを低下させるので問題である。
（発明の目的）
本発明の目的は液相エピタキシャル成長佼において残留
融液の除去か容易である。磁気カーネット材料の胃酸方
法を提供することである。
融液の除去か容易である。磁気カーネット材料の胃酸方
法を提供することである。
（発明のもととなった実験事実）
本発明者は、Ｂｉを含むカーネット単結晶族のＬＰＥ法
における育成の実験の過程で、基板となる非磁性ガーネ
ットの面方位を変えることにより、成長後の融液の除去
のされ方が変化することに着目して本発明をなすに至っ
た。
における育成の実験の過程で、基板となる非磁性ガーネ
ットの面方位を変えることにより、成長後の融液の除去
のされ方が変化することに着目して本発明をなすに至っ
た。
（発明の原８り
本発明の原理を以丁に示す。第１表に示すような組成の
酸化物を白金堆＃ｉ１に精秤し、１００ｔ）℃て６時間
攪拌し融液を均一にした。１０００℃の幅面を冷却した
白金堆堝に急冷し、約１００ηの小塊を作った。一方、
エピタキシャル成長用Ｑこ無歪研磨され（１１１］、（
００１）、（１１０＋および＋ ２１１１面を表面とす
るガドリニウム・カリウム・カーネット（Ｇｄ３ Ｇａ
ｇ ０１ｔ： ＧＧＧ ） ４結晶基似を用慧した、こ
の表面に前記融液の急冷小塊約１００１７９を載せ、グ
ラファイトサセプタ上で高周波加熱した。
酸化物を白金堆＃ｉ１に精秤し、１００ｔ）℃て６時間
攪拌し融液を均一にした。１０００℃の幅面を冷却した
白金堆堝に急冷し、約１００ηの小塊を作った。一方、
エピタキシャル成長用Ｑこ無歪研磨され（１１１］、（
００１）、（１１０＋および＋ ２１１１面を表面とす
るガドリニウム・カリウム・カーネット（Ｇｄ３ Ｇａ
ｇ ０１ｔ： ＧＧＧ ） ４結晶基似を用慧した、こ
の表面に前記融液の急冷小塊約１００１７９を載せ、グ
ラファイトサセプタ上で高周波加熱した。
融液の温度が液相温度以上になると、融液は完全ζこ均
一になり、基板表面の結晶学的な方位に応じた接触角を
もって基板と接した。この様子を第１図および第２表１
こ示す。すなわち、基板面が＋００１１あった。また、
ＬＰＥガーネット膜はＧＧＧよりも濡れ易く、（１１１
）膜の接触角はほぼＯｏであった。このことは基板面と
融液との濡れやすさの関係は第２表の最下欄に示すよう
であることを示している。すなわち、この傾向は基板面
として（００１）や（１１１１を用いた場合着こ、Ｌ−
ＰＥ成長後にウェハを高速で回転しても融液が除去され
に＜ ＜、（１１０）や＋ ２１１１を用いた場合醗こ
は融液の除去が極めて容易であるという事笑（第２図）
とも一致している。
一になり、基板表面の結晶学的な方位に応じた接触角を
もって基板と接した。この様子を第１図および第２表１
こ示す。すなわち、基板面が＋００１１あった。また、
ＬＰＥガーネット膜はＧＧＧよりも濡れ易く、（１１１
）膜の接触角はほぼＯｏであった。このことは基板面と
融液との濡れやすさの関係は第２表の最下欄に示すよう
であることを示している。すなわち、この傾向は基板面
として（００１）や（１１１１を用いた場合着こ、Ｌ−
ＰＥ成長後にウェハを高速で回転しても融液が除去され
に＜ ＜、（１１０）や＋ ２１１１を用いた場合醗こ
は融液の除去が極めて容易であるという事笑（第２図）
とも一致している。
これらの現象はＧＧＧの表面張力および融液との固液界
面張力が面方位ｌこより異なっていることを意味してい
る。
面張力が面方位ｌこより異なっていることを意味してい
る。
すなわち、本発明の要旨はＰ−ｂｏ−Ｂ ｉ ２０３
融剤もしくはＰｂ０−Ｂ ｉ、 ０３−Ｂ２Ｏ，糸融剤
より非磁性ガーネット単結晶基板に液相エピタキシャル
法により育成され、成長後前成用融液の残留がない磁気
ガーネット材料を得るために盛長基板面を［０１もしく
は（２１１１とする育成法である。
融剤もしくはＰｂ０−Ｂ ｉ、 ０３−Ｂ２Ｏ，糸融剤
より非磁性ガーネット単結晶基板に液相エピタキシャル
法により育成され、成長後前成用融液の残留がない磁気
ガーネット材料を得るために盛長基板面を［０１もしく
は（２１１１とする育成法である。
（実施例）
以下に実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１表に示す組成の融液を用いて、７２０Ｃ１こおいて
（１１０１０ＧＧ基板上に（Ｌｕ１３ ｉ ）ｓ Ｆｅ
５０＋２ガーネツトＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だ
け基板を融液に浸漬し回転し育成を行った後、基板をｍ
欲より取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回転し、ウェ
ハを炉外ζこ取り出したところ、第２図（Ｖζこ示すよ
うにＬＰＢ膜の表面には融液の残留が見られず、融液の
残留による１１６欠陥は生じなかった。
（１１０１０ＧＧ基板上に（Ｌｕ１３ ｉ ）ｓ Ｆｅ
５０＋２ガーネツトＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だ
け基板を融液に浸漬し回転し育成を行った後、基板をｍ
欲より取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回転し、ウェ
ハを炉外ζこ取り出したところ、第２図（Ｖζこ示すよ
うにＬＰＢ膜の表面には融液の残留が見られず、融液の
残留による１１６欠陥は生じなかった。
実施例２
第１表に示すｍ成の融液を用いて、６８０℃において（
２１１１０ＧＧ基板上に（ＬｕＢ ｉ ）３Ｆｅｉ ０
１２ガーネツトＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だけ基
板を融液に浸漬し回転し育成を行った後、基板を融液よ
り取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回Ｉｌ云し、ウェ
ハを炉外に取り出したところ第２図（３）に示すように
ＬＰＥ膜の表面には融液の残留が見られず、Ｍｌの残留
による膜欠陥は生じなかった。
２１１１０ＧＧ基板上に（ＬｕＢ ｉ ）３Ｆｅｉ ０
１２ガーネツトＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だけ基
板を融液に浸漬し回転し育成を行った後、基板を融液よ
り取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回Ｉｌ云し、ウェ
ハを炉外に取り出したところ第２図（３）に示すように
ＬＰＥ膜の表面には融液の残留が見られず、Ｍｌの残留
による膜欠陥は生じなかった。
比較例１
実施例１に示す条件で（００１１０ＧＧ基板上に（Ｌｕ
Ｔ３ ｉ ）ｓ Ｆｅ５０，２ガーネツトＬＰＥ膜を育
成した。ＬＰＥ膜を育成したのち、基板を融液より取り
出し、３５Ｏｒ ｐｍで１分間回転し、ウェハを炉外に
取り出したところ、第２図（１）に示すようにＬＰＢ膜
の表面は全面にわたり残留融液でおおわれ、硝酸でウェ
ハ表面を洗浄しても残留融液が冷却される過程で析出し
たガーネットや異相が表面に付着し、平坦な表面を有す
るＬＰＥ膜は得られなかった。
Ｔ３ ｉ ）ｓ Ｆｅ５０，２ガーネツトＬＰＥ膜を育
成した。ＬＰＥ膜を育成したのち、基板を融液より取り
出し、３５Ｏｒ ｐｍで１分間回転し、ウェハを炉外に
取り出したところ、第２図（１）に示すようにＬＰＢ膜
の表面は全面にわたり残留融液でおおわれ、硝酸でウェ
ハ表面を洗浄しても残留融液が冷却される過程で析出し
たガーネットや異相が表面に付着し、平坦な表面を有す
るＬＰＥ膜は得られなかった。
比較例２
実施例２に示す条件で＋ １１１ 、） ｏｏｏ基板上
に（ＬｕＢ ｉ ）３ Ｆｅｇ ｏｌ！！ガー不７トＬ
Ｐｗｗ−ｅ育成した。ＬＰＥ膜を育成したのち、基板を
融液より取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回転し、ウ
ェハを炉外に取り出したところ、第２図幌ノに示すよう
にＬＰＥ膜の表面の４５％が残留融液でおおわれ、硝酸
でウェハ表面を洗浄しても残留−液が冷却される過程で
析出したガーネットや異相が表面に付着し、ウェハの全
面にわたって平坦な表面を有するＬＰＥ膜は得られなか
った。
に（ＬｕＢ ｉ ）３ Ｆｅｇ ｏｌ！！ガー不７トＬ
Ｐｗｗ−ｅ育成した。ＬＰＥ膜を育成したのち、基板を
融液より取り出し３５０ ｒ ｐｍで１分間回転し、ウ
ェハを炉外に取り出したところ、第２図幌ノに示すよう
にＬＰＥ膜の表面の４５％が残留融液でおおわれ、硝酸
でウェハ表面を洗浄しても残留−液が冷却される過程で
析出したガーネットや異相が表面に付着し、ウェハの全
面にわたって平坦な表面を有するＬＰＥ膜は得られなか
った。
実施例３
第３表に示Ｔ組成の融液を用いて、７２５℃において（
１１０１ネオジム・カリウム・ガーネット（Ｎｄ、Ｇａ
５ ０，２ ；ＮＧＧ ） 基板上ｌこ（（）ｄ Ｉ−
ｉ １）３Ｆｅ５０，２ガーネツトＬＰＥ膜を胃酸した
。必要な時間たけ基板を融液に浸漬し回転してず成を行
った後、基板を融液より取り出し３５０ｒｐｍで１分間
回１獣し、ウェハを炉外に取り出したところＬＰＥ膜の
表面には融液の残留による欠陥は生じなかった。
１１０１ネオジム・カリウム・ガーネット（Ｎｄ、Ｇａ
５ ０，２ ；ＮＧＧ ） 基板上ｌこ（（）ｄ Ｉ−
ｉ １）３Ｆｅ５０，２ガーネツトＬＰＥ膜を胃酸した
。必要な時間たけ基板を融液に浸漬し回転してず成を行
った後、基板を融液より取り出し３５０ｒｐｍで１分間
回１獣し、ウェハを炉外に取り出したところＬＰＥ膜の
表面には融液の残留による欠陥は生じなかった。
実施例４
実施例３において基板面を（２１１１とした場合ζこも
同様の結果が得られたが、ｆ ｉｌｌ ｌおよび（ｏｏ
ｉ ＋とした場合には成長後ウェハの表面に融液の残留
があり、欠陥となった。
同様の結果が得られたが、ｆ ｉｌｌ ｌおよび（ｏｏ
ｉ ＋とした場合には成長後ウェハの表面に融液の残留
があり、欠陥となった。
実施例５
第４表１こ示す組成の融液を用いて、７４０℃において
（２１１）ＮＧＯ基板上に（ＧｄＢ ｉ ）ｓ Ｆｅｙ
０１２ガーネツ）ＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だ
け基板そ融液に浸漬し回転して育成を行った後、基板を
高１＃より取り出し４３０ ｒ ｐｍで１分間回転し、
ウェハを取り出したところＬＰＥ膜の表面ζこは融液の
残留による欠陥は生じなかった。
（２１１）ＮＧＯ基板上に（ＧｄＢ ｉ ）ｓ Ｆｅｙ
０１２ガーネツ）ＬＰＥ膜を育成した。必要な時間だ
け基板そ融液に浸漬し回転して育成を行った後、基板を
高１＃より取り出し４３０ ｒ ｐｍで１分間回転し、
ウェハを取り出したところＬＰＥ膜の表面ζこは融液の
残留による欠陥は生じなかった。
実施例６
￥施例５１こおいて基板面を［１１０）♂した場合にも
同様の着果が得られたが、１ｌｌｌ）−＋３よび（００
１）とした場合には成長後のウェハ表面に融液の残留が
あり、欠陥となった。
同様の着果が得られたが、１ｌｌｌ）−＋３よび（００
１）とした場合には成長後のウェハ表面に融液の残留が
あり、欠陥となった。
実施例７
実施例１の融液に１５０〜のＳｉｎ、を添加してＬＰＢ
ガーネット膜を育成した場合にも実施例１および２と同
様の結果が得られた。
ガーネット膜を育成した場合にも実施例１および２と同
様の結果が得られた。
なお、本発明は、実施例に挙げたＩ（ｉ、０３ 濃度の
組成を有する融液くことどするものではなく、Ｂｉ、Ｏ
，を含む融液において全て有効であった。
組成を有する融液くことどするものではなく、Ｂｉ、Ｏ
，を含む融液において全て有効であった。
３＋ ３＋
また希土類イオンとしてＬｕＧｄ の他にＬａ３＋、？
”＋、Ｎｄ”、８ｍ３ｊ＋Ｂｕ”＋Ｔｂ”、＋３−１−
、３−）−３＋ ３＋ ３＋ ３＋Ｐｙ 、Ｈｏ 、Ｅ
ｒ 、Ｔｍ 、Ｙ６ 、Ｌｕおよびこれらの組み合わせ
を用いる場合に、またＦｅ の一部をＧａ”、Ａ１３＋
、Ｇｅ’＋および／あ３す るいはＳ＋ で置き換える場合にも有効であった。
”＋、Ｎｄ”、８ｍ３ｊ＋Ｂｕ”＋Ｔｂ”、＋３−１−
、３−）−３＋ ３＋ ３＋ ３＋Ｐｙ 、Ｈｏ 、Ｅ
ｒ 、Ｔｍ 、Ｙ６ 、Ｌｕおよびこれらの組み合わせ
を用いる場合に、またＦｅ の一部をＧａ”、Ａ１３＋
、Ｇｅ’＋および／あ３す るいはＳ＋ で置き換える場合にも有効であった。
（発明の効果）
以上、本発明を用いるこおにより、表面に残留融液が成
長後のＬＰＢ膜の表面に付着することなしに、無欠陥の
Ｂｉ置換磁気ガーネット材料が得られる。
長後のＬＰＢ膜の表面に付着することなしに、無欠陥の
Ｂｉ置換磁気ガーネット材料が得られる。
第 １ 表
第 ４ 表
第１図（１）、（２）、（３）は、融液による基板の濡
れにおける基板面方位依存性を示す断面図。（１１は基
板面が（００１１、（２）は＋ １１１１ 、（３）は
（１１０１および（２１１１ｆこ対応する。４は融液５
は基板である。 第２図（１）、（２）、（３）は液相エピタキシャル成
長後、表面残留融液を除去するためζこ高速でウェハを
回１賑した後に、ウェハ表面に残留する融液の状態を示
す斜視図。（１）および（２）は基板面がそれぞれ（０
０１１および（１１１１に対応し、（３）は＋ １１０
１もし、くは（２１１）の場合である。１４は表面にり
、留する餉・（液、１５は基板を示す。 ７１ 図 ７２図 （１） （２） ５ （３）
れにおける基板面方位依存性を示す断面図。（１１は基
板面が（００１１、（２）は＋ １１１１ 、（３）は
（１１０１および（２１１１ｆこ対応する。４は融液５
は基板である。 第２図（１）、（２）、（３）は液相エピタキシャル成
長後、表面残留融液を除去するためζこ高速でウェハを
回１賑した後に、ウェハ表面に残留する融液の状態を示
す斜視図。（１）および（２）は基板面がそれぞれ（０
０１１および（１１１１に対応し、（３）は＋ １１０
１もし、くは（２１１）の場合である。１４は表面にり
、留する餉・（液、１５は基板を示す。 ７１ 図 ７２図 （１） （２） ５ （３）
Claims (1)
- ＰｂＯ−Ｂｉｇ Ｏ，糸融剤もしくはＰｂ０−Ｂ ｉ２
０．−Ｂ、 ０．糸融剤より非磁性ガーネット単結晶上
に液相エピタキシャル法により磁気ガーネット材料を育
成する方法において、成長基板面Ｋ （１１０１もしく
は＋ ２１１１とすることを特徴とする磁気ガーネット
材料の育成ｌ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002905A JPS60145997A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気ガ−ネツト材料の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002905A JPS60145997A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気ガ−ネツト材料の育成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145997A true JPS60145997A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11542365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002905A Pending JPS60145997A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気ガ−ネツト材料の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145997A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4731153A (en) * | 1985-03-18 | 1988-03-15 | Shinichi Hirano | Method to manufacture BaPb1-x BIx O3 single crystal |
| US4784717A (en) * | 1986-04-03 | 1988-11-15 | Shinichi Hirano | Method of manufacturing BaPb1 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59002905A patent/JPS60145997A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4731153A (en) * | 1985-03-18 | 1988-03-15 | Shinichi Hirano | Method to manufacture BaPb1-x BIx O3 single crystal |
| US4784717A (en) * | 1986-04-03 | 1988-11-15 | Shinichi Hirano | Method of manufacturing BaPb1 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004083390A (ja) | 磁性ガーネット材料、ファラデー回転子、光デバイス、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法および単結晶膜 | |
| JPS60145997A (ja) | 磁気ガ−ネツト材料の育成法 | |
| JP3458865B2 (ja) | 低飽和磁界ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶、および、その用途 | |
| Huang et al. | Wavelength and temperature characteristics of BiYbIG film/YIG crystal composite structure for magneto-optical applications | |
| JPS60145996A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト材料の育成法 | |
| Tsushima et al. | Research activities on magneto-optical devices in Japan | |
| JP3816591B2 (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPS61113026A (ja) | 磁気光学素子用媒体 | |
| JPS63107900A (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| JPH11278980A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JPS5957990A (ja) | 液相エピタキシヤルガ−ネツト厚膜の育成方法 | |
| JPH05117095A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 | |
| JPH04137716A (ja) | Ｂｉ置換磁性ガーネット結晶の製造方法 | |
| JPS61205698A (ja) | 磁気光学材料 | |
| JP2843433B2 (ja) | Ｂｉ置換磁性ガーネット及び磁気光学素子 | |
| JPH0415199B2 (ja) | ||
| JPS6199318A (ja) | 磁性ガ−ネツト膜の作製方法 | |
| JPH0642026B2 (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| Syvorotka et al. | Growth of thick epitaxial Bi-substituted iron garnet films with large diameter | |
| JP2003257737A (ja) | 着磁方法 | |
| JPS63233098A (ja) | ビスマスガ−ネツト結晶の育成方法 | |
| JPH04362098A (ja) | Ｂｉ置換ガーネット結晶およびその育成方法 | |
| JPH04139094A (ja) | 磁気光学ガーネット結晶の育成方法 | |
| JPS641440B2 (ja) | ||
| Silliman et al. | Improvement of FMR linewidth in Bi‐substituted lutetium iron garnet thin films for the MSW‐optical‐mode interaction |