JPH046110A - 磁気光学材料 - Google Patents
磁気光学材料Info
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- JPH046110A JPH046110A JP10981090A JP10981090A JPH046110A JP H046110 A JPH046110 A JP H046110A JP 10981090 A JP10981090 A JP 10981090A JP 10981090 A JP10981090 A JP 10981090A JP H046110 A JPH046110 A JP H046110A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は光アイソレータや光サーキュレータなどに用
いられる磁気光学材料に関する。
いられる磁気光学材料に関する。
［従来の技術］
従来より、半導体レーザから放出された光線と戻り光と
を分離するための光アイソレータとして、あるいは光フ
アイバ損失測定において光ファイバの後方散乱光を受光
ダイオードのみに導くための光サーキュレータとしてフ
ァラデー回転効果を有する磁気光学材料が利用されてい
る。
を分離するための光アイソレータとして、あるいは光フ
アイバ損失測定において光ファイバの後方散乱光を受光
ダイオードのみに導くための光サーキュレータとしてフ
ァラデー回転効果を有する磁気光学材料が利用されてい
る。
ファラデー回転効果は磁気光学材料が磁界の中に置かれ
た場合、材料中を磁界方向に進む光の偏光面が回転する
現象であり、光アイソレータ等に適用される磁気光学素
子としては、ファラデー回転係数（単位長当りの回転角
）が大きいこと、且つファラデー回転係数の温度依存性
が少ないこと、更に挿入損失が少ないことが条件となる
。
た場合、材料中を磁界方向に進む光の偏光面が回転する
現象であり、光アイソレータ等に適用される磁気光学素
子としては、ファラデー回転係数（単位長当りの回転角
）が大きいこと、且つファラデー回転係数の温度依存性
が少ないこと、更に挿入損失が少ないことが条件となる
。
この種の磁気光学材料として、Ｂｉ置換を行った希土類
鉄ガーネット（一般式Ｂ ｉ 、ＲＥ、Ｆ ｅａＯ３２
で表わされるもので、ＲＥは希土類を表わし、ｘ十ｙ＝
３である）が開発されている。このような鉄ガーネツト
結晶は基板となるガーネット上に液相エピタキシャル法
によって育成することができ、Ｂｉの置換量が多いほい
どファラデー回転係数が向上する。Ｂｉを多量に置換す
るためにＦｅをＡｌ５Ｇａ等の非磁性元素で置換するこ
とが行なわれている（特開昭６１−２０９２６号）。
鉄ガーネット（一般式Ｂ ｉ 、ＲＥ、Ｆ ｅａＯ３２
で表わされるもので、ＲＥは希土類を表わし、ｘ十ｙ＝
３である）が開発されている。このような鉄ガーネツト
結晶は基板となるガーネット上に液相エピタキシャル法
によって育成することができ、Ｂｉの置換量が多いほい
どファラデー回転係数が向上する。Ｂｉを多量に置換す
るためにＦｅをＡｌ５Ｇａ等の非磁性元素で置換するこ
とが行なわれている（特開昭６１−２０９２６号）。
一方、Ｂｉはイオン半径が大であるため、Ｂｉ量が多く
なると基板との格子定数の差が大きくなり格子整合性が
悪い。このため、希土類元素としてイオン半径の小さな
希土類元素を用いることにより、基板との格子整合性を
図っている（特開昭６３−２９１０２８号、特開平１−
２１７３１３号）。
なると基板との格子定数の差が大きくなり格子整合性が
悪い。このため、希土類元素としてイオン半径の小さな
希土類元素を用いることにより、基板との格子整合性を
図っている（特開昭６３−２９１０２８号、特開平１−
２１７３１３号）。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、Ｆｅを非磁性元素で置換した場合には、得られ
る磁気光学材料の温度特性が劣化するという問題点があ
る。また、希土類鉄ガーネットを形成する希土類は、１
種又は２種以上を混合して用いられているが、それぞれ
温度特性（温度係数の符号）が異なり、一種のみを用い
た場合或いは組合せが適当でない場合にはファラデー回
転係数の温度係数が大きくなり、磁気光学素子として実
用できない。
る磁気光学材料の温度特性が劣化するという問題点があ
る。また、希土類鉄ガーネットを形成する希土類は、１
種又は２種以上を混合して用いられているが、それぞれ
温度特性（温度係数の符号）が異なり、一種のみを用い
た場合或いは組合せが適当でない場合にはファラデー回
転係数の温度係数が大きくなり、磁気光学素子として実
用できない。
本発明は特定の希土類を２種組み合わせることによりフ
ァラデー回転係数が大きく、温度係数が小さく、温度特
性の劣化のない磁気光学材料を提供することを目的とし
、これにより結晶育成時間の短縮、素子の小型化を可能
とする磁気光学材料を提供することを目的とする。
ァラデー回転係数が大きく、温度係数が小さく、温度特
性の劣化のない磁気光学材料を提供することを目的とし
、これにより結晶育成時間の短縮、素子の小型化を可能
とする磁気光学材料を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために本発明者等は温度係数
の符号が異なる二種の希土類の組合せについて鋭意研究
の結果、希土類としてＹｂとＨ。
の符号が異なる二種の希土類の組合せについて鋭意研究
の結果、希土類としてＹｂとＨ。
を組合せた場合にファラデー回転係数が極めて高いこと
を見出し本発明に至ったものである。
を見出し本発明に至ったものである。
即ち本発明の磁気光学材料は、非磁性ガーネット基板上
に育成され、組成式 ％式％ で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成るものである
。
に育成され、組成式 ％式％ で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成るものである
。
ここで、非磁性ガーネット基板は、Ｇ ｄ ３ Ｇ ａ
５Ｏ１２、Ｓｍ５Ｇａ、Ｏｌｚ、Ｎｄ５ＧａｓＯ＋２
（以下ＮＧＧという）、Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｒ置換Ｇ ｄ
３ Ｇ ａ ５Ｏ３２（以下５ＧＧＧという）等が用い
られるが、上記組成の結晶膜は格子定数が１２．４９７
Ａ前後の５ＧＧＧ基板との格子整合性が最もよい。
５Ｏ１２、Ｓｍ５Ｇａ、Ｏｌｚ、Ｎｄ５ＧａｓＯ＋２
（以下ＮＧＧという）、Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｒ置換Ｇ ｄ
３ Ｇ ａ ５Ｏ３２（以下５ＧＧＧという）等が用い
られるが、上記組成の結晶膜は格子定数が１２．４９７
Ａ前後の５ＧＧＧ基板との格子整合性が最もよい。
磁性ガーネット結晶膜の育成は液相エピタキシャル法に
よって行う。即ち、ＰｂＯ，Ｂ２０．、Ｂｉ＊Ｏｓのフ
ラックス中に、Ｆｅ、０ｓＳｙｂ、ｏ、、Ｈｏ、Ｏ，を
融かして成る所定組成の融液中にガーネット基板を浸漬
することによって基板上に厚さ５００μｍ以上の結晶膜
を育成することができる。
よって行う。即ち、ＰｂＯ，Ｂ２０．、Ｂｉ＊Ｏｓのフ
ラックス中に、Ｆｅ、０ｓＳｙｂ、ｏ、、Ｈｏ、Ｏ，を
融かして成る所定組成の融液中にガーネット基板を浸漬
することによって基板上に厚さ５００μｍ以上の結晶膜
を育成することができる。
このような融液組成において、得られる結晶膜のファラ
デー回転係数は極めて高いので、結晶膜の厚さを従来の
磁性ガーネット結晶膜に比してはかなり薄く （例えば
、１８０μｍ以下に）でき、従って育成時間の短縮を図
ることができる。
デー回転係数は極めて高いので、結晶膜の厚さを従来の
磁性ガーネット結晶膜に比してはかなり薄く （例えば
、１８０μｍ以下に）でき、従って育成時間の短縮を図
ることができる。
得られた結晶膜は必要に応じ基板を全部又は１部削り取
った後、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いる
。
った後、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いる
。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
表１に示す組成の融液中（７０６℃）に５ＧＧＧ基板を
１０分浸漬し、基板上に鏡面を呈する厚さ７μｍの結晶
膜を得た。
１０分浸漬し、基板上に鏡面を呈する厚さ７μｍの結晶
膜を得た。
得られた結晶膜の組成、波長１．３μｍにおけるファラ
デー回転係数を表２に示す。
デー回転係数を表２に示す。
表１
表２
実施例２
実施例１と同様の融液中にＮＧＧ基板を１０分浸漬し、
基板上に鏡面を呈する厚さ７μｍの結晶膜を得た。
基板上に鏡面を呈する厚さ７μｍの結晶膜を得た。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、
磁性ガーネット結晶膜の希土類として温度係数の符号が
異なるｙｂとＨｏを用いることにより、ファラデー回転
係数が極めて大きく、温度係数の小さい磁気光学材料を
得ることができる。
磁性ガーネット結晶膜の希土類として温度係数の符号が
異なるｙｂとＨｏを用いることにより、ファラデー回転
係数が極めて大きく、温度係数の小さい磁気光学材料を
得ることができる。
従って、極めて薄い結晶膜を光アイソレータ等の磁気光
学素子として用いることができるので、素子の小型化、
低コスト化が実現でき、結晶育成時間を短縮できる。
学素子として用いることができるので、素子の小型化、
低コスト化が実現でき、結晶育成時間を短縮できる。
代理人 弁理士 守 谷 −雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性ガーネット基板上に育成され、組成式Ｙｂ＿３＿
−＿ｘ＿−＿ｙＨｏ＿ｘＢｉ＿ｙＦｅ＿５Ｏ＿１＿２（
但し、０＜ｘ＜３、０＜ｙ＜３である） で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成ることを特徴
とする磁気光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10981090A JPH046110A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 磁気光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10981090A JPH046110A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 磁気光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046110A true JPH046110A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14519780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10981090A Pending JPH046110A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 磁気光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046110A (ja) |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10981090A patent/JPH046110A/ja active Pending
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