JPH05895A - 磁性ガーネツト結晶の育成方法 - Google Patents
磁性ガーネツト結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPH05895A JPH05895A JP14603791A JP14603791A JPH05895A JP H05895 A JPH05895 A JP H05895A JP 14603791 A JP14603791 A JP 14603791A JP 14603791 A JP14603791 A JP 14603791A JP H05895 A JPH05895 A JP H05895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- gas
- growing
- garnet crystal
- magnetic garnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｂｉ置換ガーネット厚膜を、液相エピタキシ
ャル（ＬＰＥ）法で育成する際問題となった、Ｐｔルツ
ボの溶融、ならびに酸素欠損の防止方法を検討した。 【構成】 育成炉内にアルゴンガスと酸素または／及び
オゾンガス、ヘリウムガスと酸素または／及びオゾンガ
ス、炭酸ガスと酸素または／及びオゾンガス、あるいは
窒素ガスと酸素または／及びオゾンガス、等の混合ガス
を導入することを特徴とする磁性ガーネット結晶の育成
方法。
ャル（ＬＰＥ）法で育成する際問題となった、Ｐｔルツ
ボの溶融、ならびに酸素欠損の防止方法を検討した。 【構成】 育成炉内にアルゴンガスと酸素または／及び
オゾンガス、ヘリウムガスと酸素または／及びオゾンガ
ス、炭酸ガスと酸素または／及びオゾンガス、あるいは
窒素ガスと酸素または／及びオゾンガス、等の混合ガス
を導入することを特徴とする磁性ガーネット結晶の育成
方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー効果を利用
した光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ等
の磁気光学素子用として適したビスマス（Ｂｉ）置換磁
性ガ−ネット結晶の育成方法に関するものである。
した光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ等
の磁気光学素子用として適したビスマス（Ｂｉ）置換磁
性ガ−ネット結晶の育成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ（ＬＤ）を光源とする光伝
送回路において、コネクタやスイッチなどの光学部品、
受光素子等からの反射戻り光がＬＤに入ると、レーザ発
振が不安定となり伝送品質が劣化することが知られてい
る。この対策として半導体レーザへの反射戻り光を遮断
する光アイソレータが提案され、現在実用化が進んでい
る。光アイソレータは、磁気光学効果のうちで透過光の
直線偏光面回転現象であるファラデー効果のもつ非相反
性をうまく利用したものである。ファラデー効果を示
し、波長１．３〜１．５５μｍの近赤外領域で用いられ
るファラデー回転子材料の一つとして、磁気光学ガ−ネ
ット結晶が知られている。その中で、イットリウム・鉄
・ガ−ネット（ＹＩＧ）結晶は、光アイソレータのファ
ラデー回転子として最初に使用されたものであり、今日
でも広く使用されている。
送回路において、コネクタやスイッチなどの光学部品、
受光素子等からの反射戻り光がＬＤに入ると、レーザ発
振が不安定となり伝送品質が劣化することが知られてい
る。この対策として半導体レーザへの反射戻り光を遮断
する光アイソレータが提案され、現在実用化が進んでい
る。光アイソレータは、磁気光学効果のうちで透過光の
直線偏光面回転現象であるファラデー効果のもつ非相反
性をうまく利用したものである。ファラデー効果を示
し、波長１．３〜１．５５μｍの近赤外領域で用いられ
るファラデー回転子材料の一つとして、磁気光学ガ−ネ
ット結晶が知られている。その中で、イットリウム・鉄
・ガ−ネット（ＹＩＧ）結晶は、光アイソレータのファ
ラデー回転子として最初に使用されたものであり、今日
でも広く使用されている。
【０００３】近年、光アイソレータの小型化、ならびに
低価格化が急速に進展し、これに伴って素子の小型化、
及び製作コストの低減化が切望されているが、光アイソ
レータの小型化のためには、主要部品であるファラデー
回転子を小型化することが必須の条件となる。ところ
で、ＹＩＧ等をファラデー回転子として用いる場合に
は、入射偏光面を所定量（例えば４５度）回転させるだ
けの長さが必要であるが、この長さはファラデー回転子
を構成する材料のファラデー回転係数の大・小に比例す
る。したがって、ファラデー回転子をより小型化するた
めには、ファラデー回転係数の大きな材料を選択する必
要がある。ファラデー回転係数が大きな材料として、Ｂ
ｉを固溶した、いわゆるＢｉ置換磁性ガ−ネットが一般
に知られている（例えば特開昭６４−２７２１２号公報
等参照）。また、この材料は、ＣＶＤ法、スパッタ法、
フラックス法、および液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
等によって製造可能であることも知られている。
低価格化が急速に進展し、これに伴って素子の小型化、
及び製作コストの低減化が切望されているが、光アイソ
レータの小型化のためには、主要部品であるファラデー
回転子を小型化することが必須の条件となる。ところ
で、ＹＩＧ等をファラデー回転子として用いる場合に
は、入射偏光面を所定量（例えば４５度）回転させるだ
けの長さが必要であるが、この長さはファラデー回転子
を構成する材料のファラデー回転係数の大・小に比例す
る。したがって、ファラデー回転子をより小型化するた
めには、ファラデー回転係数の大きな材料を選択する必
要がある。ファラデー回転係数が大きな材料として、Ｂ
ｉを固溶した、いわゆるＢｉ置換磁性ガ−ネットが一般
に知られている（例えば特開昭６４−２７２１２号公報
等参照）。また、この材料は、ＣＶＤ法、スパッタ法、
フラックス法、および液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
等によって製造可能であることも知られている。
【０００４】しかし、これら製法のうちＣＶＤ法および
スパッタ法は、主に結晶性に問題があり、まだ実用化の
段階に至っていない。また、フラックス法は、ガ−ネッ
ト成分の酸化イットリウム及び酸化鉄と共に、フラック
ス成分の酸化鉛や酸化ほう素を融解し、融液を液相温度
以上に保持して均一にした後、融液を徐冷することによ
りガ−ネット結晶を自然核発生により成長させる方法で
あるが、従来知られている方法では、ガ−ネット成分の
偏析のため濃度バラツキが生じ易い、フラックスの固化
に伴い結晶にクラックが入り易い、等の欠点が見られ
た。このため、最近では、これらの欠点を改善した改良
フラックス法も提案されている。しかし、この改善され
た方法において、自然核を成長させるための結晶育成に
長時間を要する、素子化には精密加工を要する、等の問
題があるため量産性に乏しいという難点がある。このよ
うな状況から、最近は、本来磁気バブル素子用ガ−ネッ
ト薄膜の育成法として開発されたＬＰＥ法による製造が
特に注目され、この方法を用いてＢｉ置換磁性ガ−ネッ
ト厚膜の開発が種々検討されている状況にある。
スパッタ法は、主に結晶性に問題があり、まだ実用化の
段階に至っていない。また、フラックス法は、ガ−ネッ
ト成分の酸化イットリウム及び酸化鉄と共に、フラック
ス成分の酸化鉛や酸化ほう素を融解し、融液を液相温度
以上に保持して均一にした後、融液を徐冷することによ
りガ−ネット結晶を自然核発生により成長させる方法で
あるが、従来知られている方法では、ガ−ネット成分の
偏析のため濃度バラツキが生じ易い、フラックスの固化
に伴い結晶にクラックが入り易い、等の欠点が見られ
た。このため、最近では、これらの欠点を改善した改良
フラックス法も提案されている。しかし、この改善され
た方法において、自然核を成長させるための結晶育成に
長時間を要する、素子化には精密加工を要する、等の問
題があるため量産性に乏しいという難点がある。このよ
うな状況から、最近は、本来磁気バブル素子用ガ−ネッ
ト薄膜の育成法として開発されたＬＰＥ法による製造が
特に注目され、この方法を用いてＢｉ置換磁性ガ−ネッ
ト厚膜の開発が種々検討されている状況にある。
【０００５】ところで、ガーネット膜育成用融液の出発
原料は、全て酸化物であること、またＢｉ2Ｏ3およびＰ
ｂＯを多量に充填すること、またこれらを混合した原料
を１１００〜１３００℃の高温に加熱すること、等の理
由からＬＰＥガーネット結晶育成用ルツボ材質は、耐酸
化性ならびに耐腐食性に優れた純白金(Ｐｔ)、あるいは
Ｐｔ主体の合金が用いられている。しかしながら、上記
Ｐｔ材を用いても酸化、あるいは腐食等が徐々に進行
し、融液中にＰｔが溶け出すことが大きな問題点であ
り、これがＬＰＥ法の一つの弱点でもある。
原料は、全て酸化物であること、またＢｉ2Ｏ3およびＰ
ｂＯを多量に充填すること、またこれらを混合した原料
を１１００〜１３００℃の高温に加熱すること、等の理
由からＬＰＥガーネット結晶育成用ルツボ材質は、耐酸
化性ならびに耐腐食性に優れた純白金(Ｐｔ)、あるいは
Ｐｔ主体の合金が用いられている。しかしながら、上記
Ｐｔ材を用いても酸化、あるいは腐食等が徐々に進行
し、融液中にＰｔが溶け出すことが大きな問題点であ
り、これがＬＰＥ法の一つの弱点でもある。
【０００６】融液中に溶け出したＰｔは、 Ｐｔ２＋あ
るいはＰｔ４＋イオンとなり膜中に混入し易くなる。Ｐ
ｔが膜中に混入した場合、膜中の価数バランスを崩し、
光吸収が増大することが知られている（「日本応用磁気
学会」，ＶＯＬ．１０，Ｎｏ．２，（１９８６）Ｐ．１
６１参照）。また、Ｐｔは膜欠陥の一因となり（「Ｊ，
Ｍａｇｎ，Ｓｏｃ，Ｊｐｎ」ＶＯＬ．１１，ＳＩ（１９
８７）Ｐ．３４７）、欠陥部は、光学特性が劣化するこ
とが知られている（「日本応用磁気学会」，ＶＯＬ．１
０，Ｎｏ．２，（１９８６）Ｐ．１４７参照）。したが
って、Ｐｔルツボの溶融は、極めて重大な問題である。
るいはＰｔ４＋イオンとなり膜中に混入し易くなる。Ｐ
ｔが膜中に混入した場合、膜中の価数バランスを崩し、
光吸収が増大することが知られている（「日本応用磁気
学会」，ＶＯＬ．１０，Ｎｏ．２，（１９８６）Ｐ．１
６１参照）。また、Ｐｔは膜欠陥の一因となり（「Ｊ，
Ｍａｇｎ，Ｓｏｃ，Ｊｐｎ」ＶＯＬ．１１，ＳＩ（１９
８７）Ｐ．３４７）、欠陥部は、光学特性が劣化するこ
とが知られている（「日本応用磁気学会」，ＶＯＬ．１
０，Ｎｏ．２，（１９８６）Ｐ．１４７参照）。したが
って、Ｐｔルツボの溶融は、極めて重大な問題である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、このＰ
ｔルツボの溶融を防止するために育成炉内にアルゴン、
ヘリウム、炭酸ガスまたは窒素等を導入することを先に
提案した。しかし、上記雰囲気中では、Ｐｔルツボの溶
融が大幅に低減する反面、育成したガ−ネット結晶中に
酸素欠損が生じ易く、その結果、光吸収が増大すること
が分かった。
ｔルツボの溶融を防止するために育成炉内にアルゴン、
ヘリウム、炭酸ガスまたは窒素等を導入することを先に
提案した。しかし、上記雰囲気中では、Ｐｔルツボの溶
融が大幅に低減する反面、育成したガ−ネット結晶中に
酸素欠損が生じ易く、その結果、光吸収が増大すること
が分かった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、Ｂｉ置換ガーネット膜を液相エピタキ
シャル（ＬＰＥ）法で育成する際、育成炉内にアルゴン
ガスと酸素または／及びオゾンガス、ヘリウムガスと酸
素または／及びオゾンガス、炭酸ガスと酸素または／及
びオゾンガス、あるいは窒素ガスと酸素または／及びオ
ゾンガス、等の混合ガスを導入することを特徴とする磁
性ガーネット結晶の育成方法を提供するものである。即
ち、Ｐｔルツボの溶融の防止ならびに酸素欠損の抑制を
同時に達成することを目的に検討し、本発明に至ったも
のである。Ｐｔルツボの溶融メカニズムは、融液外の酸
素イオンと、ＰｔルツボのＰｔイオンの、融液中におけ
るイオン結合と考えられるが、その詳細は先の提案で述
べた。したがって、Ｐｔルツボの溶融を防止するために
は、融液外の酸素分圧を低減することにより達成される
が、酸素分圧の著しい低減は、上述のように結晶中に酸
素欠損が生じることから好ましくない。
解決するために、Ｂｉ置換ガーネット膜を液相エピタキ
シャル（ＬＰＥ）法で育成する際、育成炉内にアルゴン
ガスと酸素または／及びオゾンガス、ヘリウムガスと酸
素または／及びオゾンガス、炭酸ガスと酸素または／及
びオゾンガス、あるいは窒素ガスと酸素または／及びオ
ゾンガス、等の混合ガスを導入することを特徴とする磁
性ガーネット結晶の育成方法を提供するものである。即
ち、Ｐｔルツボの溶融の防止ならびに酸素欠損の抑制を
同時に達成することを目的に検討し、本発明に至ったも
のである。Ｐｔルツボの溶融メカニズムは、融液外の酸
素イオンと、ＰｔルツボのＰｔイオンの、融液中におけ
るイオン結合と考えられるが、その詳細は先の提案で述
べた。したがって、Ｐｔルツボの溶融を防止するために
は、融液外の酸素分圧を低減することにより達成される
が、酸素分圧の著しい低減は、上述のように結晶中に酸
素欠損が生じることから好ましくない。
【０００９】そこで本発明者等は、酸素分圧とＰｔルツ
ボならびに酸素欠損との関係を詳細に検討した結果、融
液近傍の酸素分圧を制御することにより、Ｐｔルツボの
溶融を極力抑制し、かつ酸素欠損を防止できることを見
いだした。以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明
する。
ボならびに酸素欠損との関係を詳細に検討した結果、融
液近傍の酸素分圧を制御することにより、Ｐｔルツボの
溶融を極力抑制し、かつ酸素欠損を防止できることを見
いだした。以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明
する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例に従い説明する。
（実施例１）約４０００ｇの融液を充填したＰｔルツボ
を炉内に設置し、約５００ｃｃ／ｍの酸素とアルゴンの
混合ガスを炉内に流入させる場合において、酸素とアル
ゴンの比率を変えて酸素濃度を変化させ、各々約３６０
μｍの厚膜を育成した。それらの厚膜の膜欠陥数と、光
透過率の変化を図１に示す。膜欠陥数は、膜表面にに見
られる欠陥を微分干渉顕微鏡を用いて観察し数値化し
た。また、膜の光透過率は、反射防止膜を形成しない状
態で、自記分光光度計を用いて、波長１．５５μｍにお
ける透過率を測定した。結果を図１に示すように、酸素
濃度の増加に伴い膜欠陥数は増加するが、約１５％以上
の酸素濃度からその数は急激に増加することが分かる。
一方の透過率は、酸素濃度の増加に伴い向上するが、約
１０％以上の酸素濃度で飽和する。したがって、約５〜
１５％の酸素濃度、好ましくは約７．５〜１２．５％の
酸素濃度に制御することにより、膜欠陥数を低減し、か
つ透過率の低下防止、即ち酸素欠損の防止が可能である
ことが分かった。
を炉内に設置し、約５００ｃｃ／ｍの酸素とアルゴンの
混合ガスを炉内に流入させる場合において、酸素とアル
ゴンの比率を変えて酸素濃度を変化させ、各々約３６０
μｍの厚膜を育成した。それらの厚膜の膜欠陥数と、光
透過率の変化を図１に示す。膜欠陥数は、膜表面にに見
られる欠陥を微分干渉顕微鏡を用いて観察し数値化し
た。また、膜の光透過率は、反射防止膜を形成しない状
態で、自記分光光度計を用いて、波長１．５５μｍにお
ける透過率を測定した。結果を図１に示すように、酸素
濃度の増加に伴い膜欠陥数は増加するが、約１５％以上
の酸素濃度からその数は急激に増加することが分かる。
一方の透過率は、酸素濃度の増加に伴い向上するが、約
１０％以上の酸素濃度で飽和する。したがって、約５〜
１５％の酸素濃度、好ましくは約７．５〜１２．５％の
酸素濃度に制御することにより、膜欠陥数を低減し、か
つ透過率の低下防止、即ち酸素欠損の防止が可能である
ことが分かった。
【００１１】（実施例２）融液量と膜厚は上記と同じと
し、酸素と炭酸の混合ガスを、約４００ｃｃ／ｍ炉内に
流入し、上記同様に酸素濃度を変化させた場合の膜欠陥
数と光透過率を調べた。その結果、図１と同様な結果を
得た。 （実施例３）融液量と膜厚は上記と同じとし、酸素と窒
素の混合ガスを、約７００ｃｃ／ｍ炉内に流入し、上記
同様に酸素濃度を変化させた場合の膜欠陥数と光透過率
を調べた。その結果、光透過率は図１と同様な結果を得
たが、膜欠陥数は全体的に約２０％程度多くなった。
し、酸素と炭酸の混合ガスを、約４００ｃｃ／ｍ炉内に
流入し、上記同様に酸素濃度を変化させた場合の膜欠陥
数と光透過率を調べた。その結果、図１と同様な結果を
得た。 （実施例３）融液量と膜厚は上記と同じとし、酸素と窒
素の混合ガスを、約７００ｃｃ／ｍ炉内に流入し、上記
同様に酸素濃度を変化させた場合の膜欠陥数と光透過率
を調べた。その結果、光透過率は図１と同様な結果を得
たが、膜欠陥数は全体的に約２０％程度多くなった。
【００１２】（実施例４）融液量と膜厚は上記と同じと
し、酸素とヘリウムの混合ガスを、約１０Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で炉内に密封する方法において、上記同様に酸素
濃度を変化させた場合の膜欠陥数と光透過率を調べた。
その結果、図１と同様な結果を得た。 （実施例５）融液量と膜厚は上記と同じとし、オゾンと
アルゴンの混合ガスを、約４５０ｃｃ／ｍ炉内に流入
し、オゾンの濃度を約３、６、及び９％に変化させた場
合の膜欠陥数と光透過率を調べた。その結果、光透過率
は約３％においても劣化は見られず、膜欠陥数は約２０
ケ（ケ／ｃｍ2）以下と良好であった。しかし、約６％
のオゾン濃度において約１００（ケ／ｃｍ2）程度の欠
陥が見られた。
し、酸素とヘリウムの混合ガスを、約１０Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で炉内に密封する方法において、上記同様に酸素
濃度を変化させた場合の膜欠陥数と光透過率を調べた。
その結果、図１と同様な結果を得た。 （実施例５）融液量と膜厚は上記と同じとし、オゾンと
アルゴンの混合ガスを、約４５０ｃｃ／ｍ炉内に流入
し、オゾンの濃度を約３、６、及び９％に変化させた場
合の膜欠陥数と光透過率を調べた。その結果、光透過率
は約３％においても劣化は見られず、膜欠陥数は約２０
ケ（ケ／ｃｍ2）以下と良好であった。しかし、約６％
のオゾン濃度において約１００（ケ／ｃｍ2）程度の欠
陥が見られた。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、Ｐｔルツボの溶融が顕著
に抑制されると同時に、酸素欠損を防止できるため、Ｐ
ｔイオンならびに酸素欠損の影響による光吸収が低減す
る、融液中の浮遊Ｐｔが減少し、結果Ｐｔを核とした膜
欠陥が低減する、またルツボ寿命が伸張する、等磁気光
学特性の向上、素子歩留りの向上、更に原価低減に大き
く寄与することから実用的価値は極めて大きい。
に抑制されると同時に、酸素欠損を防止できるため、Ｐ
ｔイオンならびに酸素欠損の影響による光吸収が低減す
る、融液中の浮遊Ｐｔが減少し、結果Ｐｔを核とした膜
欠陥が低減する、またルツボ寿命が伸張する、等磁気光
学特性の向上、素子歩留りの向上、更に原価低減に大き
く寄与することから実用的価値は極めて大きい。
【図１】酸素濃度を変化させた場合の膜欠陥数、及び光
透過率の変化を示した図。
透過率の変化を示した図。
Claims (5)
- 【請求項１】 ビスマス置換ガーネット膜を液相エピタ
キシャル（ＬＰＥ）法で育成する際、育成炉内に混合ガ
スを導入することを特徴とする磁性ガーネット結晶の育
成方法。 - 【請求項２】 混合ガスが、アルゴンガスと酸素または
／及びオゾンガスであることを特徴とする請求項１記載
の磁性ガーネット結晶の育成方法。 - 【請求項３】 混合ガスが、ヘリウムガスと酸素または
／及びオゾンガスであることを特徴とする請求項１記載
の磁性ガーネット結晶の育成方法。 - 【請求項４】 混合ガスが、炭酸ガスと酸素または／及
びオゾンガスであることを特徴とする請求項１記載の磁
性ガーネット結晶の育成方法。 - 【請求項５】 混合ガスが、窒素ガスと酸素または／及
びオゾンガスであることを特徴とする請求項１記載の磁
性ガーネット結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603791A JPH05895A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 磁性ガーネツト結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603791A JPH05895A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 磁性ガーネツト結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05895A true JPH05895A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15398683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14603791A Pending JPH05895A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 磁性ガーネツト結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1327268C (zh) * | 2003-04-08 | 2007-07-18 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP14603791A patent/JPH05895A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1327268C (zh) * | 2003-04-08 | 2007-07-18 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5479290A (en) | Faraday's rotator and optical isolator | |
| Huang et al. | Wavelength and temperature characteristics of BiYbIG film/YIG crystal composite structure for magneto-optical applications | |
| US4454206A (en) | Magnetic device having a monocrystalline garnet substrate bearing a magnetic layer | |
| JPH05895A (ja) | 磁性ガーネツト結晶の育成方法 | |
| EP1162635B1 (en) | Material for bismuth substituted garnet thick film and a manufacturing method thereof | |
| JP3816591B2 (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPH09202697A (ja) | Ｂｉ置換型ガーネットの製造方法 | |
| JPS63107900A (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| JPH04139094A (ja) | 磁気光学ガーネット結晶の育成方法 | |
| JPH05117095A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 | |
| JPH111394A (ja) | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 | |
| JP2843433B2 (ja) | Ｂｉ置換磁性ガーネット及び磁気光学素子 | |
| JPH0680499A (ja) | 磁気光学ガーネット | |
| JPH04137716A (ja) | Ｂｉ置換磁性ガーネット結晶の製造方法 | |
| JPH04142010A (ja) | 磁気光学磁性ガーネット結晶 | |
| JPS62101012A (ja) | 静磁波マイクロ波素子 | |
| JP2514398B2 (ja) | 磁気光学素子用単結晶の育成方法 | |
| JPH11100300A (ja) | ビスマス置換型ガーネット材料及びその製造方法 | |
| JPS62138396A (ja) | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 | |
| Imaizumi et al. | Temperature Dependence Free Magneto-Optical (Tb, Bi) Fe Garnet Films Grown By LPE Method | |
| JPH04362098A (ja) | Ｂｉ置換ガーネット結晶およびその育成方法 | |
| JPH05134221A (ja) | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 | |
| JP2001142039A (ja) | 硬磁性ガーネット厚膜材料およびその製造方法 | |
| JPH04142009A (ja) | 磁性ガーネット結晶 | |
| JPS62195619A (ja) | 光アイソレ−タ |