JPS60140730A - 半導体素子製造工程における不良要因の検出法 - Google Patents
半導体素子製造工程における不良要因の検出法Info
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- JPS60140730A JPS60140730A JP25011283A JP25011283A JPS60140730A JP S60140730 A JPS60140730 A JP S60140730A JP 25011283 A JP25011283 A JP 25011283A JP 25011283 A JP25011283 A JP 25011283A JP S60140730 A JPS60140730 A JP S60140730A
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- Japan
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- pattern
- wafer
- semiconductor wafer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体素子製造工程における不良要因の検出法
に関する。
に関する。
（従来技術）
近年の半導体素子製造の方法の進歩に伴い、パターンの
微細化による集積度の向上、使用トランジスタや配線の
種類の増加による工程の複雑化等の変化が激しい。この
為、製品不良原因となりうる要因（以下不良要因と言う
）の種類が多様化すると同時に、従来影響しなかったよ
うな微小な不良要因まで製品の不良を引起すようになり
、これらの不良要因の効率的な検出法が必要になってい
る。
微細化による集積度の向上、使用トランジスタや配線の
種類の増加による工程の複雑化等の変化が激しい。この
為、製品不良原因となりうる要因（以下不良要因と言う
）の種類が多様化すると同時に、従来影響しなかったよ
うな微小な不良要因まで製品の不良を引起すようになり
、これらの不良要因の効率的な検出法が必要になってい
る。
従来性われていた検出法は大別して二種ある。 ”第一
の方法はクリーンウェーハを用いるやり方である。すな
わち、ウェーハ表面に何のパターンし形成されていない
クリーンウェーハを不良要因を検出しようとしている製
造工程に流し、強力な光源で照して、不良要因からの乱
反射光を目視でカウントするスポットライト法がそれで
ある。
の方法はクリーンウェーハを用いるやり方である。すな
わち、ウェーハ表面に何のパターンし形成されていない
クリーンウェーハを不良要因を検出しようとしている製
造工程に流し、強力な光源で照して、不良要因からの乱
反射光を目視でカウントするスポットライト法がそれで
ある。
第二の方法は、量産しているウェーッーそのものを不良
要因を検出しようとしている製造工程後に抜取り、顕微
鏡を用いて不良要因の有無を観察するというやり方であ
る。
要因を検出しようとしている製造工程後に抜取り、顕微
鏡を用いて不良要因の有無を観察するというやり方であ
る。
第−の方法では、不良要因が発見されても、何のパター
ンも形成されていないクリーンウェーハを用いている為
、製品の不良との結びつきが明確にならないという欠点
がある。一方、第二の方法にも、次に述べるような欠点
がある。これを図面を用いて説明する。
ンも形成されていないクリーンウェーハを用いている為
、製品の不良との結びつきが明確にならないという欠点
がある。一方、第二の方法にも、次に述べるような欠点
がある。これを図面を用いて説明する。
第１図は従来の半導体素子製造の５工程分を終了した半
導体ウェー・・の−例の平面図である。
導体ウェー・・の−例の平面図である。
図に示したように、５工程分を経てきた生産用半導体ウ
ェーハ１は、５工程分のパターンが複雑にからまり合い
、人の位置に不良要因があっても目立たず、顕微鏡も高
倍率にして時間をかけて探さないと見落してしまう可能
性が高い、この為、１枚のウェーハから５ヶ程度のチッ
プを選んで観察するとしても１時間以上かかるので、短
時間には大量の観察結果を収集することができず、検出
力の高い不良要因検出法になり得ないという欠点がある
。
ェーハ１は、５工程分のパターンが複雑にからまり合い
、人の位置に不良要因があっても目立たず、顕微鏡も高
倍率にして時間をかけて探さないと見落してしまう可能
性が高い、この為、１枚のウェーハから５ヶ程度のチッ
プを選んで観察するとしても１時間以上かかるので、短
時間には大量の観察結果を収集することができず、検出
力の高い不良要因検出法になり得ないという欠点がある
。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し不良要因を検出しよ
うとしていを工程のみの適用を受けるモニタ用半導体ウ
ェーハを採用することにより検出に要する時間を短縮し
、しかも検出力を高めた半導体素子製造工程における不
良要因の検出法を提供することにある。
うとしていを工程のみの適用を受けるモニタ用半導体ウ
ェーハを採用することにより検出に要する時間を短縮し
、しかも検出力を高めた半導体素子製造工程における不
良要因の検出法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体素子製造工程における不良要因の検出法
は、半導体素子を形成する第（Ｎ−１）番目（Ｎは自然
数）の製造工程を経てきた生産用半導体ウェーハと第（
Ｎ−１）番目までの製造工程を経ていないモニタ用半導
体ウェーハとを並行して第Ｎ番目の製造工程に適用し、
前記モニタ用半導体ウェーハを観察ｌ−て第Ｎ番目の工
程における不良要因を検出することを特徴として構成さ
れる。
は、半導体素子を形成する第（Ｎ−１）番目（Ｎは自然
数）の製造工程を経てきた生産用半導体ウェーハと第（
Ｎ−１）番目までの製造工程を経ていないモニタ用半導
体ウェーハとを並行して第Ｎ番目の製造工程に適用し、
前記モニタ用半導体ウェーハを観察ｌ−て第Ｎ番目の工
程における不良要因を検出することを特徴として構成さ
れる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例に使用されるモニタ用半導体
ウェーハの平面図である。
ウェーハの平面図である。
第１図に示した従来のウェーッ・と対応をつけるために
、第５（Ｎ＝５）番目のパターン形成工程における不良
要因を検出する場合を例にして説明する。
、第５（Ｎ＝５）番目のパターン形成工程における不良
要因を検出する場合を例にして説明する。
４（Ｎ＝５として（Ｎ−１）＝４）番目までの製造工程
までを経ていないクリーン半導体ウェーッ・２を第５番
目の工程で生産用半導体ウェーッ・と並行して流す。従
って、モニタ相半導体ウェーッ・２には第５番目の工程
で形成されたパターンのみが形成されている。モニタ相
半導体ウェーッ１２には、前４工程分のパターンがない
為、Ｂの位置に不良要因がある事が非常によく目立つこ
とは明かであろう。特に、第２図に示した例のように、
単純な繰返しパターンが背景となついる場合は、不良要
因が繰返しパターンの周期性を崩すものとして働く為、
顕微鏡の低倍率視野下でも非常に目立ち、容易に発見す
る事ができる。そこで、この特徴を利用ｌ−で、量産品
と並行して、不良要因検出の必要のある工程のみ流して
、その工程のパターンの入形成するクリーンウェーハを
モニタとして導入し、その工程終了後顕微鏡観察をする
という方法をとれば、多量の観察データを短時間に収集
でき、検出力の萬い不良要因検出ができる。
までを経ていないクリーン半導体ウェーッ・２を第５番
目の工程で生産用半導体ウェーッ・と並行して流す。従
って、モニタ相半導体ウェーッ・２には第５番目の工程
で形成されたパターンのみが形成されている。モニタ相
半導体ウェーッ１２には、前４工程分のパターンがない
為、Ｂの位置に不良要因がある事が非常によく目立つこ
とは明かであろう。特に、第２図に示した例のように、
単純な繰返しパターンが背景となついる場合は、不良要
因が繰返しパターンの周期性を崩すものとして働く為、
顕微鏡の低倍率視野下でも非常に目立ち、容易に発見す
る事ができる。そこで、この特徴を利用ｌ−で、量産品
と並行して、不良要因検出の必要のある工程のみ流して
、その工程のパターンの入形成するクリーンウェーハを
モニタとして導入し、その工程終了後顕微鏡観察をする
という方法をとれば、多量の観察データを短時間に収集
でき、検出力の萬い不良要因検出ができる。
さらに−膜化すれば、クリーンウェーハ１に形成される
バター／を決定するのは、いわゆるフォトマスクと呼ば
れているマスクのパターンのみであるので、必ずしも量
産品と同じパターンである必要性はない。すなわち、量
産品のパターンとモニタ用半導体ウェーハとのパターン
は異っていても、同じ工程さえ通ｌ−でいれば、工程に
寄因する。不良要因の検出には大きな影響を与えない。
バター／を決定するのは、いわゆるフォトマスクと呼ば
れているマスクのパターンのみであるので、必ずしも量
産品と同じパターンである必要性はない。すなわち、量
産品のパターンとモニタ用半導体ウェーハとのパターン
は異っていても、同じ工程さえ通ｌ−でいれば、工程に
寄因する。不良要因の検出には大きな影響を与えない。
従って、モニタ用半導体ウェーへのマスクのパターンは
、単純な繰返しが多い半導体メモリのようなものから選
ぶことにすれば、繰返（、パターンのないような製品に
対しても、この不良検出法を拡大適用できる。
、単純な繰返しが多い半導体メモリのようなものから選
ぶことにすれば、繰返（、パターンのないような製品に
対しても、この不良検出法を拡大適用できる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、製品不良
の原因となる不良要因の検出力を筒めることかでき、か
つ検出に要する時間も短縮できる半導体素子製造工程に
おける不良要因の検出法が得られる。
の原因となる不良要因の検出力を筒めることかでき、か
つ検出に要する時間も短縮できる半導体素子製造工程に
おける不良要因の検出法が得られる。
第１図は従来の半導体素子製造の５工程分を終了した半
導体ウェーッ）の−例の平面図、第２図は本発明の一実
施例に使用するモニタ用半導体ウェーハの平面図である
。 １・・・・・・生産用半導体ウェーッ・、２・・・・・
・モニタ用半導体ウェーハ、Ａ、Ｂ・・・・・・不良要
因のある場所。
導体ウェーッ）の−例の平面図、第２図は本発明の一実
施例に使用するモニタ用半導体ウェーハの平面図である
。 １・・・・・・生産用半導体ウェーッ・、２・・・・・
・モニタ用半導体ウェーハ、Ａ、Ｂ・・・・・・不良要
因のある場所。
Claims (1)
- 半導体素子を形成する第（Ｎ−１）番目（Ｎは自然数）
の製造工程を経てきた生産用半導体ウェーハと第（Ｎ−
１）番目までの製造工程を経ていないモニタ用半導体ウ
ェーハとを並行して第Ｎ番目の製造工程に適用し、前記
モニタ用半導体ウェーハを観察して第Ｎ番目の工程にお
ける不良要因る検出することを特徴とする半導体素子製
造工程における不良要因の検出法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25011283A JPS60140730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子製造工程における不良要因の検出法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25011283A JPS60140730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子製造工程における不良要因の検出法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140730A true JPS60140730A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17203002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25011283A Pending JPS60140730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子製造工程における不良要因の検出法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980639A (en) * | 1985-03-11 | 1990-12-25 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Method and apparatus for testing integrated electronic device |
| JPH0663647U (ja) * | 1993-02-17 | 1994-09-09 | 株式会社大和鉄工所 | マンホールのステップ |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25011283A patent/JPS60140730A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980639A (en) * | 1985-03-11 | 1990-12-25 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Method and apparatus for testing integrated electronic device |
| JPH0663647U (ja) * | 1993-02-17 | 1994-09-09 | 株式会社大和鉄工所 | マンホールのステップ |
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