JPS60138944A - 封止型半導体装置 - Google Patents
封止型半導体装置Info
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- JPS60138944A JPS60138944A JP58244556A JP24455683A JPS60138944A JP S60138944 A JPS60138944 A JP S60138944A JP 58244556 A JP58244556 A JP 58244556A JP 24455683 A JP24455683 A JP 24455683A JP S60138944 A JPS60138944 A JP S60138944A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、放熱フィン付の封止型半導体装置に関する
。
。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、例えば第1図
あふいは第2図に示すような外観を有している。第1図
および第2図において、11は樹脂製の外囲器、12.
1’2.・・・は上記外囲器11に内蔵された半導体チ
ップからの電極取り出し用のリードビン、13は放熱フ
ィンである。第3図は、上記第2図に示した樹脂刺止型
半導体装置の外囲器1ノを取り除いて上方から見庭平面
図を、示している。上記リードビン12.12.・・・
のインナーリード部には、放熱フィグ:13上に載設さ
れた中導体チッゾ14の電極1−:、’、’、に、a、
14a’、・・・がボンディングワイヤ15、”15、
・・・によって接続される。なお、13&Iri放熱器
の取付は穴である。第4図は、上記第・3図におけるx
−x’線に沿った断面構成を示している。図において、
上記第3図と対応する部分に同じ符号を付す。
あふいは第2図に示すような外観を有している。第1図
および第2図において、11は樹脂製の外囲器、12.
1’2.・・・は上記外囲器11に内蔵された半導体チ
ップからの電極取り出し用のリードビン、13は放熱フ
ィンである。第3図は、上記第2図に示した樹脂刺止型
半導体装置の外囲器1ノを取り除いて上方から見庭平面
図を、示している。上記リードビン12.12.・・・
のインナーリード部には、放熱フィグ:13上に載設さ
れた中導体チッゾ14の電極1−:、’、’、に、a、
14a’、・・・がボンディングワイヤ15、”15、
・・・によって接続される。なお、13&Iri放熱器
の取付は穴である。第4図は、上記第・3図におけるx
−x’線に沿った断面構成を示している。図において、
上記第3図と対応する部分に同じ符号を付す。
Lii、13/rX?^噂娘虐小崩脂拗−ト剤品道仕紘
看fおける機器への実装は、上記リードビン12゜12
.・・・をプリント基板のスルーホールに挿入して半田
付け、あるいはプリント基板に設けたソケットに挿入す
ることによって行なわれ、前記放熱フィン13には放熱
器が取付けられる。
看fおける機器への実装は、上記リードビン12゜12
.・・・をプリント基板のスルーホールに挿入して半田
付け、あるいはプリント基板に設けたソケットに挿入す
ることによって行なわれ、前記放熱フィン13には放熱
器が取付けられる。
ところで、近年上述したような樹脂封止型半導体装置が
各種の機器に使用されるに至シ、各機器の小型軽量化、
薄型化への要求、およびコスト低減策としての自動化か
ら各・七−ツの平面実装化が望まれているが、放熱フィ
ン付きのものではこの平面実装化が困難である。また、
前記放熱フィン13への放熱器の取付けは、前記放熱フ
ィン13に設けた取付は穴13aを用いてネジ止めによ
って行なわれるため、実装工程の完全な自動化が困難で
あり、この点の改良も望まれている。
各種の機器に使用されるに至シ、各機器の小型軽量化、
薄型化への要求、およびコスト低減策としての自動化か
ら各・七−ツの平面実装化が望まれているが、放熱フィ
ン付きのものではこの平面実装化が困難である。また、
前記放熱フィン13への放熱器の取付けは、前記放熱フ
ィン13に設けた取付は穴13aを用いてネジ止めによ
って行なわれるため、実装工程の完全な自動化が困難で
あり、この点の改良も望まれている。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、実装工程の完全な自動化によ
るコストダウンが可能であシ、且つ平面実装化を実現で
きるすぐれた封止型半導体装置を提供することである。
その目的とするところは、実装工程の完全な自動化によ
るコストダウンが可能であシ、且つ平面実装化を実現で
きるすぐれた封止型半導体装置を提供することである。
すなわち、この発明においては、上記の目的を達成する
ために、半導体ベレットを外囲器に封止し、上記半導体
4レツトの電極取り出し用のリードビンを配線基板に半
田付けして平面実装する封止型半導体装置において、上
記外囲器の配線基板取υ付は面に一部が露出された放熱
フィンを設け、この放熱フィンの露出部を放熱器構造に
形成した上記配線基板に接着させて放熱を行なうように
したものである。
ために、半導体ベレットを外囲器に封止し、上記半導体
4レツトの電極取り出し用のリードビンを配線基板に半
田付けして平面実装する封止型半導体装置において、上
記外囲器の配線基板取υ付は面に一部が露出された放熱
フィンを設け、この放熱フィンの露出部を放熱器構造に
形成した上記配線基板に接着させて放熱を行なうように
したものである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第5図(a)、(b)において、(a)図は構造
を駅間するために外囲器11を透視した酬視図、(b)
図は(、)図のY−Y’線に沿った断面構成図である。
する。第5図(a)、(b)において、(a)図は構造
を駅間するために外囲器11を透視した酬視図、(b)
図は(、)図のY−Y’線に沿った断面構成図である。
図において、前記第1図あるいは第2図と同一部分に同
じ符号を伺す。16は放熱フィンで、この放熱フイ/1
6は、リードビン12,12.・・・に対応した形状に
折曲形成するとともに、外囲器のプリント基板(配線基
板)17取り付は面に一部を露出させるための肉厚部1
6aが形成されている。この封止型半導体装置の実装時
には、プリント基板16のビンディング領域にリードビ
ン12、12、・・・を載置して半田付けするとともに
、放熱フィン16の折曲部を上記プリント基板17に形
成した放熱器構造部に半田付けする。また、上記放熱フ
ィン16の肉厚部16mの外囲器11からの露出面が接
する部分のプリント基板17を、放熱器構造に形成して
接着させる。従って、放熱ば放熱フィン16の折曲部と
外囲11からの露出面から行なわれることになシ、放熱
効率が高:い。
じ符号を伺す。16は放熱フィンで、この放熱フイ/1
6は、リードビン12,12.・・・に対応した形状に
折曲形成するとともに、外囲器のプリント基板(配線基
板)17取り付は面に一部を露出させるための肉厚部1
6aが形成されている。この封止型半導体装置の実装時
には、プリント基板16のビンディング領域にリードビ
ン12、12、・・・を載置して半田付けするとともに
、放熱フィン16の折曲部を上記プリント基板17に形
成した放熱器構造部に半田付けする。また、上記放熱フ
ィン16の肉厚部16mの外囲器11からの露出面が接
する部分のプリント基板17を、放熱器構造に形成して
接着させる。従って、放熱ば放熱フィン16の折曲部と
外囲11からの露出面から行なわれることになシ、放熱
効率が高:い。
上記放熱フィロ5の材質としては例えば−Cu。
194ア。イ、4ア。イ等要求えれる特性応じて選定す
る。
る。
このような構成によれば、放熱フィン13への半田付は
時に同時に行なえ、実装工程の完全な自動化による実装
効率の向上および低コスト化を実現できる。また、前記
第1図あるいは第2図に示した構成では困難であった平
面実装を可能にできる。さらに、加熱器の取シ付けが半
田付けであるため、ネジ止めよシも外囲器11に対して
低衝撃であシ、熱的なストレスや青線の向上も図れる。
時に同時に行なえ、実装工程の完全な自動化による実装
効率の向上および低コスト化を実現できる。また、前記
第1図あるいは第2図に示した構成では困難であった平
面実装を可能にできる。さらに、加熱器の取シ付けが半
田付けであるため、ネジ止めよシも外囲器11に対して
低衝撃であシ、熱的なストレスや青線の向上も図れる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施が可能であ
り、例えば第6図(a)l(b)に示すように構成して
も良い。第6図(a)l(b)において、前記第5図(
a)l(b)と同一構成部には同じ符号を付してその説
明社省略する。すなわち、前記放熱フィン16として同
一の板厚のものを折曲成形して外囲器11からの露出部
16bを形成したものでおる。このような構成において
も上記実施例と同様な効果が得られるのはもちろんであ
る。
、要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施が可能であ
り、例えば第6図(a)l(b)に示すように構成して
も良い。第6図(a)l(b)において、前記第5図(
a)l(b)と同一構成部には同じ符号を付してその説
明社省略する。すなわち、前記放熱フィン16として同
一の板厚のものを折曲成形して外囲器11からの露出部
16bを形成したものでおる。このような構成において
も上記実施例と同様な効果が得られるのはもちろんであ
る。
第7図は、さらにこの発明の他の実施例を示すもので、
放熱フィン16を外囲器11のプリント基板17との接
触面のみに一部露出した状態で設けたもので、この放熱
フィン16に対応した領域のプリント基板17紘放熱器
構造に形成する。この場合社、放熱フィン16からプリ
ント基板17に形成した放熱器を介して放熱が行なわれ
る。このような構成においても上記各実施例とtlは同
様な効果が得られる。
放熱フィン16を外囲器11のプリント基板17との接
触面のみに一部露出した状態で設けたもので、この放熱
フィン16に対応した領域のプリント基板17紘放熱器
構造に形成する。この場合社、放熱フィン16からプリ
ント基板17に形成した放熱器を介して放熱が行なわれ
る。このような構成においても上記各実施例とtlは同
様な効果が得られる。
なお、上記実施例では外囲器11が樹脂製のものの場合
について説明したが、七うミック等信の材質にも適用で
き、DIP型の外囲器について説明したがsxpg等信
の外囲器であっても良い。
について説明したが、七うミック等信の材質にも適用で
き、DIP型の外囲器について説明したがsxpg等信
の外囲器であっても良い。
以上説明したようにこの発明によれば、実装工程の完全
な自動化によるコストダウンが可能であシ、且つ平面実
装化を実現できるすぐれた封止型半導体装置が得られる
。
な自動化によるコストダウンが可能であシ、且つ平面実
装化を実現できるすぐれた封止型半導体装置が得られる
。
第1図および第2図社それぞれ従来の封止型”+==装
置の外観斜視図、第3図は上記第2図の封止型半導体装
置の外囲器を取り除いて示す平面図、第4図は上記第3
図のx−x’線に沿った断面構成図、第5図はこの発明
の一実施例に係る封止型半導体装置を説明するための図
、第6図および第7図はそれぞれこの発明の他の実施例
を説明するための図である。 11・・・外囲器、12,12.・・・・・・リードピ
ン、14・・・半導体チップ、16・・・放熱フィン、
17・・・プリント基板(配線基板)。 出願人代理人弁理士鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 第4図
置の外観斜視図、第3図は上記第2図の封止型半導体装
置の外囲器を取り除いて示す平面図、第4図は上記第3
図のx−x’線に沿った断面構成図、第5図はこの発明
の一実施例に係る封止型半導体装置を説明するための図
、第6図および第7図はそれぞれこの発明の他の実施例
を説明するための図である。 11・・・外囲器、12,12.・・・・・・リードピ
ン、14・・・半導体チップ、16・・・放熱フィン、
17・・・プリント基板(配線基板)。 出願人代理人弁理士鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- (1)半導体装レットを外囲器に封止し、上記半導体装
レットの電極取り出し用のリードピンを配線基板に半田
付けして平面実装する封止型半導体装置において、上記
外囲器の配線基板取シ付は面に一部が露出された放熱フ
ィンを設け、この放熱フィンの露出部を放熱器構造を有
する上記配線基板に接着させて放熱を行なう如く構成し
たことを特徴とする封止型半導体装置。)(2)前記放
熱フィンは、前記リードピンに対応した折曲構造を有し
、この放熱フィンを配線基板に半田付けして装着する如
く構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の封止゛型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58244556A JPH0773122B2 (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58244556A JPH0773122B2 (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60138944A true JPS60138944A (ja) | 1985-07-23 |
JPH0773122B2 JPH0773122B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=17120461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58244556A Expired - Lifetime JPH0773122B2 (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0773122B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5047837A (en) * | 1988-08-15 | 1991-09-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with heat transfer cap |
US5225897A (en) * | 1991-10-02 | 1993-07-06 | Unitrode Corporation | Molded package for semiconductor devices with leadframe locking structure |
WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
US6297074B1 (en) * | 1990-07-11 | 2001-10-02 | Hitachi, Ltd. | Film carrier tape and laminated multi-chip semiconductor device incorporating the same and method thereof |
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US6812554B2 (en) | 1999-02-17 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
JP2007184642A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
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