JPS5811738A - 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPS5811738A JPS5811738A JP10815581A JP10815581A JPS5811738A JP S5811738 A JPS5811738 A JP S5811738A JP 10815581 A JP10815581 A JP 10815581A JP 10815581 A JP10815581 A JP 10815581A JP S5811738 A JPS5811738 A JP S5811738A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁束密度が著しく優れた一方向性電磁鋼板の
製造方法を提供することを目的とする。
製造方法を提供することを目的とする。
大中型変圧器の鉄芯材料はほとんどすべて一方向性電磁
鋼板が使用されている。こむで、一方向性電磁鋼板とは
鋼板の大部分の結晶粒がミラー指数で表わして板面が（
１１０） ｇｌに平行であｐ８：嬌方向が磁化容具軸の
一つである（００１）方向に平行な理想的な方位（いわ
ゆるｆ真方位）Ｋ集積し友結晶配向性の鋼板をｂう。
鋼板が使用されている。こむで、一方向性電磁鋼板とは
鋼板の大部分の結晶粒がミラー指数で表わして板面が（
１１０） ｇｌに平行であｐ８：嬌方向が磁化容具軸の
一つである（００１）方向に平行な理想的な方位（いわ
ゆるｆ真方位）Ｋ集積し友結晶配向性の鋼板をｂう。
一方向性電磁鋼板の磁気特性すなわち鉄損、透磁率およ
び磁気ひずみ特性は圧延方向が非常に優れているが、圧
延方向からずれると急激に磁気特性が悪くなる性質があ
ることはよく知られている。
び磁気ひずみ特性は圧延方向が非常に優れているが、圧
延方向からずれると急激に磁気特性が悪くなる性質があ
ることはよく知られている。
従って、一方向性電磁鋼板を製造する場合にすべでの結
晶粒を（１１０） （００１）方位に近づけるために種
々の方法が採用されている。すなわちこれＫよシ励磁特
性が向上し、それに伴って鉄損も減少するから前記（１
１０） （００１）組織の集積度を高めることに大きな
努力が行われて来え、その結果、今日では特公昭４０−
１５６４４の方法によれば板厚０．３０−の磁気特性は
磁束密度が！１１ｅ ４Ｉ性で１．９４Ｔ＊ｍ１ｍ 、
鉄損値がＷ１５゜で１． ＯＷａｔｔｓ淘程度の高水準
のもＯが工業的に主意されている。
晶粒を（１１０） （００１）方位に近づけるために種
々の方法が採用されている。すなわちこれＫよシ励磁特
性が向上し、それに伴って鉄損も減少するから前記（１
１０） （００１）組織の集積度を高めることに大きな
努力が行われて来え、その結果、今日では特公昭４０−
１５６４４の方法によれば板厚０．３０−の磁気特性は
磁束密度が！１１ｅ ４Ｉ性で１．９４Ｔ＊ｍ１ｍ 、
鉄損値がＷ１５゜で１． ＯＷａｔｔｓ淘程度の高水準
のもＯが工業的に主意されている。
鉄損特性を向上させる方法としては、磁束密度を高める
ことの他に固有抵抗を高めること一板厚を薄くするしと
、不純物を減少する仁と或いは磁区巾を小さくする仁と
などの手段がある。近年種種の技術開発によって前述の
ように結晶粒を（１１０）（００１）方位に近づけ九い
わゆる高磁束密度材の製造が可能になれば歪導入中高張
力皮膜などの磁区中を細分化する技術との併用によりて
着しく鉄損の低い材料の製造が可能である。
ことの他に固有抵抗を高めること一板厚を薄くするしと
、不純物を減少する仁と或いは磁区巾を小さくする仁と
などの手段がある。近年種種の技術開発によって前述の
ように結晶粒を（１１０）（００１）方位に近づけ九い
わゆる高磁束密度材の製造が可能になれば歪導入中高張
力皮膜などの磁区中を細分化する技術との併用によりて
着しく鉄損の低い材料の製造が可能である。
本発明者等は磁束密度の高い材料の製造方法について種
々検討した結果、脱炭焼鈍後に炭素を３０〜２００ ｐ
ｐｍ残留させ丸鋼板を仕上焼鈍すると磁束密度が着しく
高い一方向性電磁鋼板が得られることを見出した。
々検討した結果、脱炭焼鈍後に炭素を３０〜２００ ｐ
ｐｍ残留させ丸鋼板を仕上焼鈍すると磁束密度が着しく
高い一方向性電磁鋼板が得られることを見出した。
一方向性電磁鋼板の製造工程に於ては仕上焼鈍に際して
雰囲気ｆスからのＮ、にょる窒化あるいは０、 、 Ｈ
２ＯＫよる酸化によってムｔＮ等のインヒビターの変化
が生じて二次再結晶が不安定になりたシ、方向性の良い
二次再結晶粒が得られながう九シするため、これらの影
響をいかに小さくするかが重要である。
雰囲気ｆスからのＮ、にょる窒化あるいは０、 、 Ｈ
２ＯＫよる酸化によってムｔＮ等のインヒビターの変化
が生じて二次再結晶が不安定になりたシ、方向性の良い
二次再結晶粒が得られながう九シするため、これらの影
響をいかに小さくするかが重要である。
本発明で磁束密度が向上する理由としては、１つは前記
のように鋼板中に適当量の炭素を残留させると鋼中に窒
素が侵入しＫくい性質があるため、仕上焼鈍時の二次再
結晶に際して重Ｊｌ！力昇温過程で雰囲気ｆＸＫよる電
化を生じないこと、もう１つは同じ＜ｖ！８気ｆス中０
０． 、 Ｈ，Ｏによる鋼板の酸化も２Ｃ＋０２→２Ｃ
Ｏ、Ｃ＋Ｈ，Ｏ→ＣＯ＋Ｈ２の反応によって抑えられる
ため、んα勢のインヒビターの量、サイズ、分布に変化
を生じにくいとと、更には炭素が粒界に偏析して二次再
結晶に際して一種のインヒビターとしての効果をも九ら
すことによるものと思われる。
のように鋼板中に適当量の炭素を残留させると鋼中に窒
素が侵入しＫくい性質があるため、仕上焼鈍時の二次再
結晶に際して重Ｊｌ！力昇温過程で雰囲気ｆＸＫよる電
化を生じないこと、もう１つは同じ＜ｖ！８気ｆス中０
０． 、 Ｈ，Ｏによる鋼板の酸化も２Ｃ＋０２→２Ｃ
Ｏ、Ｃ＋Ｈ，Ｏ→ＣＯ＋Ｈ２の反応によって抑えられる
ため、んα勢のインヒビターの量、サイズ、分布に変化
を生じにくいとと、更には炭素が粒界に偏析して二次再
結晶に際して一種のインヒビターとしての効果をも九ら
すことによるものと思われる。
以下、本発明の詳細について説明する。
本発明の出発物質である素材の溶解方法、成分、造塊、
圧延、冷気、焼鈍などの条件は例えば方向性高磁束密度
珪素鋼板の製造条件としては特公昭４０−１５６４４号
公報によって示される。この公知の工程で最終冷嬌によ
シ成品厚みとされ丸鋼板は脱炭焼鈍を行っ要談仕上焼鈍
における鋼板の焼付防止、ｔフス皮膜形成、純化作用等
の目的で焼鈍分離剤が塗布される。焼鈍分離剤としては
一般的には陶Ｏが使用されるが、本発明における出発材
ＫＡｊを含有する場合、（例えば方向性高磁束密度珪素
鋼板）これが焼鈍に際してムＬ２０．を生じてｆラス質
皮膜の形成を妨げる。この場合にはＭｇＯＫ Ｔｉｅ、
を配合し九分離剤を使用するとムｔ２０゜の存在［４妨
げられずにがラス質皮膜を形成することが出来る。仕上
焼鈍が終了し丸鋼板は絶縁コーティングを塗布し、ヒー
トフッ、トニングを行って成品とされる。
圧延、冷気、焼鈍などの条件は例えば方向性高磁束密度
珪素鋼板の製造条件としては特公昭４０−１５６４４号
公報によって示される。この公知の工程で最終冷嬌によ
シ成品厚みとされ丸鋼板は脱炭焼鈍を行っ要談仕上焼鈍
における鋼板の焼付防止、ｔフス皮膜形成、純化作用等
の目的で焼鈍分離剤が塗布される。焼鈍分離剤としては
一般的には陶Ｏが使用されるが、本発明における出発材
ＫＡｊを含有する場合、（例えば方向性高磁束密度珪素
鋼板）これが焼鈍に際してムＬ２０．を生じてｆラス質
皮膜の形成を妨げる。この場合にはＭｇＯＫ Ｔｉｅ、
を配合し九分離剤を使用するとムｔ２０゜の存在［４妨
げられずにがラス質皮膜を形成することが出来る。仕上
焼鈍が終了し丸鋼板は絶縁コーティングを塗布し、ヒー
トフッ、トニングを行って成品とされる。
通常、仁の製造工程に於て成品に炭素が残留すると鉄損
値を悪＜Ｌ九Ｃ，鉄損値が温度や経時変化によって劣化
する時効現象があるため、脱炭焼鈍に際してはできるだ
けＣ量を低めておいて仕上焼鈍を行うのがよいとされて
いる。
値を悪＜Ｌ九Ｃ，鉄損値が温度や経時変化によって劣化
する時効現象があるため、脱炭焼鈍に際してはできるだ
けＣ量を低めておいて仕上焼鈍を行うのがよいとされて
いる。
本発明はこのような従来の常識を破って脱炭焼鈍即ち一
次再結晶焼鈍後の鋼板に３０〜２００ｐｐｍの炭素を含
有させた鋼板に焼鈍分離剤を塗布し仕上焼鈍するもので
ある。
次再結晶焼鈍後の鋼板に３０〜２００ｐｐｍの炭素を含
有させた鋼板に焼鈍分離剤を塗布し仕上焼鈍するもので
ある。
このようＫして得られる高磁束密度材は仕上焼鈍条件に
よりては成品に炭素が残留する場合があるのでこの場合
には酸洗によって１Ｉａｉｒ皮膜を除去した後に、再度
脱炭焼鈍するか、真空焼鈍によって炭素を除去する。こ
のｔｍｉ械的なけがきのような歪導入法中高張力皮膜を
塗布焼付けることによって磁束密度のみならず、鉄損の
優れた成品が得られる。
よりては成品に炭素が残留する場合があるのでこの場合
には酸洗によって１Ｉａｉｒ皮膜を除去した後に、再度
脱炭焼鈍するか、真空焼鈍によって炭素を除去する。こ
のｔｍｉ械的なけがきのような歪導入法中高張力皮膜を
塗布焼付けることによって磁束密度のみならず、鉄損の
優れた成品が得られる。
脱炭焼鈍に際し炭素量を３０〜２００ ｐｐｔｍ残留さ
せる方法としては、焼鈍算囲気ｆスのＮｔ ＠ Ｈ２分
分圧−は露点によ’） ｐＩ、−菖、のコントロールを
する方法がある。
せる方法としては、焼鈍算囲気ｆスのＮｔ ＠ Ｈ２分
分圧−は露点によ’） ｐＩ、−菖、のコントロールを
する方法がある。
又、リン酸、リン酸ホウ素、リン酸ナトリウム１リン酸
アル々のようなリン酸塩、ホ９酸ナトリ９ム、ホウ酸マ
ンがン、ホウ酸リチウム等のホ９酸塩、或いは硫酸鋼、
硫酸ニッケル、硫酸コバルト等の硫酸塩や硫化ナトリク
ム、硫化カリヮ五等の硫化物の一種或いは二種以上の混
合物の水溶液を塗布して脱炭焼鈍を行ってもよい、この
場合の脱炭抑制用の処理液としては、これらの化合物に
限定されるものではなく二次再結晶に悪影響をもたらさ
ず、このような効果を有する奄のであれば広く利用する
ことが出来る。 ′ 炭素量を３０〜２００ ＰＰＩＩＩに限定したのは３０
ｐｐｍ以下だと従来から行われている方法と同じで磁束
密度向上効果はなく４２００ＰＰＤ１以上であると二次
再結晶が不安定になシ悪影響を及ばずためである。
アル々のようなリン酸塩、ホ９酸ナトリ９ム、ホウ酸マ
ンがン、ホウ酸リチウム等のホ９酸塩、或いは硫酸鋼、
硫酸ニッケル、硫酸コバルト等の硫酸塩や硫化ナトリク
ム、硫化カリヮ五等の硫化物の一種或いは二種以上の混
合物の水溶液を塗布して脱炭焼鈍を行ってもよい、この
場合の脱炭抑制用の処理液としては、これらの化合物に
限定されるものではなく二次再結晶に悪影響をもたらさ
ず、このような効果を有する奄のであれば広く利用する
ことが出来る。 ′ 炭素量を３０〜２００ ＰＰＩＩＩに限定したのは３０
ｐｐｍ以下だと従来から行われている方法と同じで磁束
密度向上効果はなく４２００ＰＰＤ１以上であると二次
再結晶が不安定になシ悪影響を及ばずためである。
以下、実施例に基づいて説明する。
実施例１゜
Ｃ：０．０４８１ ｆｉｔ ：２．９５１％Ａ４： ０
．０２８５Ｇ、Ｎ：０．００７１−を含有する珪素鋼塊
を分塊熱気して２．３−の板厚とした試料ＡとＣ：０．
０５５％、 Ｓｔ ： ３．２５１Ｇ、ＡＡ：０．０２
６１１．Ｎ：０．００７０１を含有する珪素鋼塊を分塊
熱嬌して２．３１の板厚とした試料Ｂを１１００℃で２
分間窒素中で焼鈍１１ｃ１００℃の湯中で急冷し要談酸
洗を行った０次いで最終板厚０．３０ｈｒで冷延後８５
０℃で２分間湿水素雰囲気中で露点を変えて炭素残留量
が異なるよう焼鈍した。
．０２８５Ｇ、Ｎ：０．００７１−を含有する珪素鋼塊
を分塊熱気して２．３−の板厚とした試料ＡとＣ：０．
０５５％、 Ｓｔ ： ３．２５１Ｇ、ＡＡ：０．０２
６１１．Ｎ：０．００７０１を含有する珪素鋼塊を分塊
熱嬌して２．３１の板厚とした試料Ｂを１１００℃で２
分間窒素中で焼鈍１１ｃ１００℃の湯中で急冷し要談酸
洗を行った０次いで最終板厚０．３０ｈｒで冷延後８５
０℃で２分間湿水素雰囲気中で露点を変えて炭素残留量
が異なるよう焼鈍した。
この鋼板に焼鈍分離剤として重量で５１ＴＩＯ２を含有
するＭｇＯを塗布乾燥１１２００℃で２０ ｈｒの仕上
焼鈍を行ったとζろ次のような結果が得られた・ 実施例２ 実施例１で用いた試料Ｂの冷延板にリン酸ナトリウム水
溶液の濃度を変えて塗布した後８５０℃で２分間湿水素
雰囲気中で脱膜焼鈍を行ったとζろ炭素残留量が処理な
しの４のが１８ ｐｐｍであるのに対し、リン酸ナトリ
ウム処理材は３５ ｐｐ！ｎ〜２００ ｐｐｍの亀のが
得られ良０．１この鋼板に焼鈍分離剤として重量で５−
〒１０．を含有するＭｇＯを塗布乾燥後１２００℃で２
０ｈｒの仕上焼鈍を行ったところ次の様な結果が得られ
た。
するＭｇＯを塗布乾燥１１２００℃で２０ ｈｒの仕上
焼鈍を行ったとζろ次のような結果が得られた・ 実施例２ 実施例１で用いた試料Ｂの冷延板にリン酸ナトリウム水
溶液の濃度を変えて塗布した後８５０℃で２分間湿水素
雰囲気中で脱膜焼鈍を行ったとζろ炭素残留量が処理な
しの４のが１８ ｐｐｍであるのに対し、リン酸ナトリ
ウム処理材は３５ ｐｐ！ｎ〜２００ ｐｐｍの亀のが
得られ良０．１この鋼板に焼鈍分離剤として重量で５−
〒１０．を含有するＭｇＯを塗布乾燥後１２００℃で２
０ｈｒの仕上焼鈍を行ったところ次の様な結果が得られ
た。
手続補正書（自発）
昭和５６年１０月２６日
特許庁長官 島 １）春 書殿
１、 事件の表示
昭和５６年特許願第１０８１５５号
２、 発明の名称
磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法３、 補正
をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区大手町二丁目６番３号 （６６５）新日本製鐵株式全社 代表者 武 １） 豊 ４、代理人〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目４番１号 ６、 補正の対象
をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区大手町二丁目６番３号 （６６５）新日本製鐵株式全社 代表者 武 １） 豊 ４、代理人〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目４番１号 ６、 補正の対象
Claims (1)
- ８１４−以下を含む鋼スラブを熱間圧延し、得られた熱
延板に必要に応じて熱処理を施し、ヒの熱延板を１回又
は２回以上の冷延によシ最終板厚とし、得られた冷ｇ榎
を脱炭焼鈍し、次いで焼鈍分離剤を塗布した後に仕上焼
鈍を行うことからなる一方向性電磁鋼板の製造方法に於
て、脱縦焼鈍後の鋼板に炭素含有量を３０〜２００ ｐ
ｐＥ１ｍ残留するように焼鈍し要談仕上焼鈍を行うこと
を４１像とする磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815581A JPS5811738A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815581A JPS5811738A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811738A true JPS5811738A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14477338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10815581A Pending JPS5811738A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138944A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
-
1981
- 1981-07-13 JP JP10815581A patent/JPS5811738A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138944A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
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