JPS60132830A - ウエハ搬送装置 - Google Patents
ウエハ搬送装置Info
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- JPS60132830A JPS60132830A JP23890883A JP23890883A JPS60132830A JP S60132830 A JPS60132830 A JP S60132830A JP 23890883 A JP23890883 A JP 23890883A JP 23890883 A JP23890883 A JP 23890883A JP S60132830 A JPS60132830 A JP S60132830A
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- vacuum
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として半導体の製造に使用されるシリコンウ
ェハを搬送する装置に関する。
ェハを搬送する装置に関する。
従来半導体の製造工程に於てシリコンウェハ・を例えは
イオン注入装置を備えた真空室内に搬入し、そこで該ウ
ェハにイオン注入処理を捲すこと□が行なわれている。
イオン注入装置を備えた真空室内に搬入し、そこで該ウ
ェハにイオン注入処理を捲すこと□が行なわれている。
この場合ウニノ・の搬入に際して真空室内の真空度が下
るとイオン□注入処理を行□なえなくなるのでウニノ1
を一旦小室に隔離収容し、該小室内を真空室と同程度の
□真空度としたのちこれを□゛開いてウニノ・を真空室
内に搬入すること□が必要である。
るとイオン□注入処理を行□なえなくなるのでウニノ1
を一旦小室に隔離収容し、該小室内を真空室と同程度の
□真空度としたのちこれを□゛開いてウニノ・を真空室
内に搬入すること□が必要である。
こうした小′室につ°□工・・を隔離収容する式のもの
として米国時1’l[3954191号のものが知られ
ているが、iれに於てはウニ・・上水平に対し□て傾斜
した面□を自重で滑足し小室内へ或は小室から外部へと
移動するものであり、ウニノ・の□移動中□にウニノS
のチッピング等で塵芥を発生し易い欠点がある。即ちシ
リコンウ、ニーu龜’較的脆弱で衝撃を受け為とその一
部が欠落して塵芥となり、イオン注□入処理されるべき
ウニノーの表面にこのような塵芥が付着するとその部分
がイオン注入されない未処理部分として残るので不良の
半導体製品が製造されることになって好ましくない。
として米国時1’l[3954191号のものが知られ
ているが、iれに於てはウニ・・上水平に対し□て傾斜
した面□を自重で滑足し小室内へ或は小室から外部へと
移動するものであり、ウニノ・の□移動中□にウニノS
のチッピング等で塵芥を発生し易い欠点がある。即ちシ
リコンウ、ニーu龜’較的脆弱で衝撃を受け為とその一
部が欠落して塵芥となり、イオン注□入処理されるべき
ウニノーの表面にこのような塵芥が付着するとその部分
がイオン注入されない未処理部分として残るので不良の
半導体製品が製造されることになって好ましくない。
本発明は真空室内にその真空を維持し乍らつエバの出し
入れが可能であると共にウェハの搬送に伴なう塵芥の発
生を防止し得るウェハ搬送装置を提供することを目的と
したもので、イオン注入装置その他のウェハ処理装置を
備えた真空室に、ウェハを該真空室の真空を維持した状
態で出し入れする式のものに於て、該真空室に、その内
外に連通ずるウェハの平面積↓りも大径の透孔と真空排
気孔を備えたリムを設け、該リムの真空室側及び外側に
夫々内側バルブと外側バルブを設けて該リムをその両側
から密閉可能とし、該リムの外側へ該外側バルブの開弁
時にウェハを配置し或は配置されたウェハを受取るべく
進退自在のウェハ移送装置と、該リムの外側と真空室側
とに該リムを介してウェハを運ぶ前記内側バルブから出
没自在のテーブルを設けたことを特徴とする。
入れが可能であると共にウェハの搬送に伴なう塵芥の発
生を防止し得るウェハ搬送装置を提供することを目的と
したもので、イオン注入装置その他のウェハ処理装置を
備えた真空室に、ウェハを該真空室の真空を維持した状
態で出し入れする式のものに於て、該真空室に、その内
外に連通ずるウェハの平面積↓りも大径の透孔と真空排
気孔を備えたリムを設け、該リムの真空室側及び外側に
夫々内側バルブと外側バルブを設けて該リムをその両側
から密閉可能とし、該リムの外側へ該外側バルブの開弁
時にウェハを配置し或は配置されたウェハを受取るべく
進退自在のウェハ移送装置と、該リムの外側と真空室側
とに該リムを介してウェハを運ぶ前記内側バルブから出
没自在のテーブルを設けたことを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明する。
第1図は2系統のウェハ搬送装置を対称的に配置した例
の全体の概略平面図、第2図はその■−■線部分の截断
側面図を示し、これの各つエバ搬送装置につき説明すれ
ば、符号(1)はイオン注入装置からなるウェハ処理装
置(2)を備えた真空室、(31Hイオン注入処理が怖
されるシリコン製岬のウェハで、該ウェハ(3) 11
真空室(1)の上壁(1a)に設けた該ウェハ(3)の
平面積↓りも大径の円筒形の透孔を有するリム(4)を
介して真空室(1)内に出し入れされる。該真空室(1
)内にはイオン注入装置からのイオンビーJk (5)
がウェハ(3)の表面に垂直に当たるようにウェハ(3
)を載せて揺動するプラテン装置(6)と、該プラテン
装置(6)゛にウェハ(3)を着脱するスイングアーム
(7)とが設けられる。該リム(4)及びスイングアー
ム(7)ハ夫々1対ずつ設けられ、夫々ti真空室(1
)内ヘウェハ(3)を搬入する搬入専用のリム(4a)
と真空室(1)外へウェハ(3)を搬出する搬出専用の
リム(4す、プラテン装置(6)にウェハ(3)を装着
する装着用スイングアーム(7a)及びウェハ(3)を
プラテン装置(6)から取外す取、外用スイング、アー
ム、(7b)として1使用される。 、 該ウェハ(3) ri真空室(1)外の昇降自在のリフ
ト(8)に載って昇降するカセットケース(9)、の複
数段の棚(90)に一枚ず、つ収容され、2条のベル)
01a0で構成、されたウェハ移送装置Ql)Kより
出、し入れされる。、。、該カセットケース(9)及び
ウェハ移送、装、置a9も、、米々1対設けられ夫々は
ウニ、ハ(3)の取出専用のカセットケース(9a)と
ウェハ移送装置(l1m)、、ウニ、ハ(3)の収容専
用のカセットケ−X、、(,9b)ξウェハ移送装置(
,1jb)として使用さ、れる。各つ1エバ移送装置(
11)のベル)QIQIは移動台(Iりに、取付、けら
、!して一方向に回転し、該、移動台、(1?、、の往
復、動でぺ、、次)QIQIの各端部031 Q4)が
カセット、ケ、−、ス(9)の下方、とリム(4)の外
側とに臨むように進退す、る。
の全体の概略平面図、第2図はその■−■線部分の截断
側面図を示し、これの各つエバ搬送装置につき説明すれ
ば、符号(1)はイオン注入装置からなるウェハ処理装
置(2)を備えた真空室、(31Hイオン注入処理が怖
されるシリコン製岬のウェハで、該ウェハ(3) 11
真空室(1)の上壁(1a)に設けた該ウェハ(3)の
平面積↓りも大径の円筒形の透孔を有するリム(4)を
介して真空室(1)内に出し入れされる。該真空室(1
)内にはイオン注入装置からのイオンビーJk (5)
がウェハ(3)の表面に垂直に当たるようにウェハ(3
)を載せて揺動するプラテン装置(6)と、該プラテン
装置(6)゛にウェハ(3)を着脱するスイングアーム
(7)とが設けられる。該リム(4)及びスイングアー
ム(7)ハ夫々1対ずつ設けられ、夫々ti真空室(1
)内ヘウェハ(3)を搬入する搬入専用のリム(4a)
と真空室(1)外へウェハ(3)を搬出する搬出専用の
リム(4す、プラテン装置(6)にウェハ(3)を装着
する装着用スイングアーム(7a)及びウェハ(3)を
プラテン装置(6)から取外す取、外用スイング、アー
ム、(7b)として1使用される。 、 該ウェハ(3) ri真空室(1)外の昇降自在のリフ
ト(8)に載って昇降するカセットケース(9)、の複
数段の棚(90)に一枚ず、つ収容され、2条のベル)
01a0で構成、されたウェハ移送装置Ql)Kより
出、し入れされる。、。、該カセットケース(9)及び
ウェハ移送、装、置a9も、、米々1対設けられ夫々は
ウニ、ハ(3)の取出専用のカセットケース(9a)と
ウェハ移送装置(l1m)、、ウニ、ハ(3)の収容専
用のカセットケ−X、、(,9b)ξウェハ移送装置(
,1jb)として使用さ、れる。各つ1エバ移送装置(
11)のベル)QIQIは移動台(Iりに、取付、けら
、!して一方向に回転し、該、移動台、(1?、、の往
復、動でぺ、、次)QIQIの各端部031 Q4)が
カセット、ケ、−、ス(9)の下方、とリム(4)の外
側とに臨むように進退す、る。
各リム(4)の真空、隼、@及び外側にはり1.ム(4
)の端面(8G)(81)に気密に圧接する内側バルブ
aりと外側ノ二ルブ(IIとが股、けられ該内側バルブ
Q9にはこれと?エバ移送鍼置aυとの間、でウェハ(
3)を受渡すための出没自在のテーブルQηが設けられ
る。
)の端面(8G)(81)に気密に圧接する内側バルブ
aりと外側ノ二ルブ(IIとが股、けられ該内側バルブ
Q9にはこれと?エバ移送鍼置aυとの間、でウェハ(
3)を受渡すための出没自在のテーブルQηが設けられ
る。
次に各部分の構成を詳述する。
第3図及び第4図はウェハ移送装置0Dの詳細を示し、
これの移動台a邊ハ複数本の案、内杆(L7)に沿って
水平に往復動する摺動ブロックa槌に一体に取付、けら
れる。該ブロック0梯には機枠四に軸(イ)で回転1在
に設けた軸受QI)に一端側が挿通され且つ長孔働を有
する揺動腕(至)がビン(財)で取付けられ、該長孔Q
′4に係合する突程(ハ)を備えた回転腕(ホ)が電動
機(5)で回転されると核揺動腕(ハ)は軸翰を中心と
して揺動し、該ブロックQl及び移動台0が往qwJ′
!る。該移動台輪の前後にはベル)QIQIを捲回する
ゾニリ(至)が設けられ、後方のゾーリ翰をブロック(
I樽に取付けた電動機−で回転するとベルトQIQIが
ウェハ(3)を移動台輪の前方へ移送する。(至)は移
動台(13の前方に開放部(30a)を有する切欠孔で
、内側バルブaυのテーブルaDが出没し得る程度の大
きさに形成される。
これの移動台a邊ハ複数本の案、内杆(L7)に沿って
水平に往復動する摺動ブロックa槌に一体に取付、けら
れる。該ブロック0梯には機枠四に軸(イ)で回転1在
に設けた軸受QI)に一端側が挿通され且つ長孔働を有
する揺動腕(至)がビン(財)で取付けられ、該長孔Q
′4に係合する突程(ハ)を備えた回転腕(ホ)が電動
機(5)で回転されると核揺動腕(ハ)は軸翰を中心と
して揺動し、該ブロックQl及び移動台0が往qwJ′
!る。該移動台輪の前後にはベル)QIQIを捲回する
ゾニリ(至)が設けられ、後方のゾーリ翰をブロック(
I樽に取付けた電動機−で回転するとベルトQIQIが
ウェハ(3)を移動台輪の前方へ移送する。(至)は移
動台(13の前方に開放部(30a)を有する切欠孔で
、内側バルブaυのテーブルaDが出没し得る程度の大
きさに形成される。
該移動台Q3は第4図に鎖線示のようにリフト(8)の
切欠(8m )内まで後退し、リフト(8)が電動機0
aで回転される螺杵0′;4に沿って下降されるとカセ
ットケース(9)の最下方のウェハ(3)から順次ベル
トQl Qlに載せて引き出される。該カセットケース
(9)の各欄(9a)は第5図示のようにリフト(8)
の切欠(8a)と略同形の切欠(91)を有し、リフト
(8)が下降しても該切欠(91)を介してベルトQ(
1(1(Iがカセットケース(9)内にウェハ(3)を
覗出すぺ〈進入可能となる1うにした。
切欠(8m )内まで後退し、リフト(8)が電動機0
aで回転される螺杵0′;4に沿って下降されるとカセ
ットケース(9)の最下方のウェハ(3)から順次ベル
トQl Qlに載せて引き出される。該カセットケース
(9)の各欄(9a)は第5図示のようにリフト(8)
の切欠(8a)と略同形の切欠(91)を有し、リフト
(8)が下降しても該切欠(91)を介してベルトQ(
1(1(Iがカセットケース(9)内にウェハ(3)を
覗出すぺ〈進入可能となる1うにした。
(至)はベル)QIMで運ばれるウェハ(3)の左右を
位置決めする規制片、(ロ)は移動台a湯の前端に運ば
れたウェハ(3)を水平に保持する支片である。
位置決めする規制片、(ロ)は移動台a湯の前端に運ば
れたウェハ(3)を水平に保持する支片である。
1対設けられるウェハ移送装置(lla)(llb)r
i移動台輪及びペル)fl(IQIの長さが異なる以外
は同形に構成される。
i移動台輪及びペル)fl(IQIの長さが異なる以外
は同形に構成される。
第6図uリム′(4)と内側及び外側バルブ(Is(1
fjJの詳細を示すもので、該リム(4)の周壁に真空
ポンプ―に接続された真空排気孔(至)を形成し、内外
の両バルブQ!9 ateがリムC4)の内側端面(8
0)及びイ側端11i(81)に圧接してリム(4)内
が密閉されるどボシゾ(至)の作動でその内部(ロ)が
真空室(1)と同(7) 程度に真空化されるようにした。
fjJの詳細を示すもので、該リム(4)の周壁に真空
ポンプ―に接続された真空排気孔(至)を形成し、内外
の両バルブQ!9 ateがリムC4)の内側端面(8
0)及びイ側端11i(81)に圧接してリム(4)内
が密閉されるどボシゾ(至)の作動でその内部(ロ)が
真空室(1)と同(7) 程度に真空化されるようにした。
内側バルブairi上方に突出した円筒状の突起(15
a)を有し、真空室(1)の下壁(1b)に形成した四
部(至)からエアシリンダ(2)で押し出され該バルブ
Q5)17) 段部(15b)カIJ A(4)O内側
mtiii(81)に密接する。この場合エアシリンダ
0Iのロッドθυを案内杆(4壜に沿って摺動する2枚
のスライドプレー) (4:I @3 t /ル) (
44)で互に連結して構成される摺動枠19に接続し、
該摺動枠(4鴎を中空ロッド禰を介して内側バルブ叫に
連結するものとした。外側バルブaeハ支軸(47)で
支持されたエアシリンダ(4樽にエリリム(4)の外側
端面(81)に圧接される。
a)を有し、真空室(1)の下壁(1b)に形成した四
部(至)からエアシリンダ(2)で押し出され該バルブ
Q5)17) 段部(15b)カIJ A(4)O内側
mtiii(81)に密接する。この場合エアシリンダ
0Iのロッドθυを案内杆(4壜に沿って摺動する2枚
のスライドプレー) (4:I @3 t /ル) (
44)で互に連結して構成される摺動枠19に接続し、
該摺動枠(4鴎を中空ロッド禰を介して内側バルブ叫に
連結するものとした。外側バルブaeハ支軸(47)で
支持されたエアシリンダ(4樽にエリリム(4)の外側
端面(81)に圧接される。
内側バルブO9から出没するテーブルaηは該バルブ霞
の突起(15a )の頂部に形成した凹孔−に収められ
、摺動枠■に設けた小型のエアシリンダーから中空ロッ
ド−を介して延びるブツシュロッド(51)を該テーブ
ルaηの背面に連結し、該小型のエアシリンダーが作動
するとテーブルaηがバルブa!jの凹孔−からブツシ
ュロッド(51)(8) と共に出没する。
の突起(15a )の頂部に形成した凹孔−に収められ
、摺動枠■に設けた小型のエアシリンダーから中空ロッ
ド−を介して延びるブツシュロッド(51)を該テーブ
ルaηの背面に連結し、該小型のエアシリンダーが作動
するとテーブルaηがバルブa!jの凹孔−からブツシ
ュロッド(51)(8) と共に出没する。
該デープル(1?)は外側バルブaeの開弁時にリム(
4)の外側にウェハ移送装置a1)で送られて来て配置
されたウェハ(3)を第7図示の↓うに持ち上げて受取
°)、□或は真空室(1)内でスイングアーム(7)で
内側パルプa9の上方に送られて来るウェー(31を第
゛8図示め“工うに該リム(4)の外側に持ち上けてり
止ハ移送装置勧が受取れるように配置する。
4)の外側にウェハ移送装置a1)で送られて来て配置
されたウェハ(3)を第7図示の↓うに持ち上げて受取
°)、□或は真空室(1)内でスイングアーム(7)で
内側パルプa9の上方に送られて来るウェー(31を第
゛8図示め“工うに該リム(4)の外側に持ち上けてり
止ハ移送装置勧が受取れるように配置する。
(52)(533Fiロンド部分の気密を維持する金属
ペー−□である。
ペー−□である。
スイングアーム(7)は第9図及び側10図のようにウ
ェハ(31を載置し得る直径を備えた略璋状の腕(54
)の根□部(55)を真空室′(1)の下壁(1b)を
挿゛通して延□びる回転軸(56)に固定し、該回転軸
(56)の後端にジヨイント部材C57)を連結し、さ
らに該部材(57)を減速歯車(58)を介してス誉ツ
ピングモータ(59)に接続して構成され、該モータC
59)が図示しそない制御装置に19制御されて設定回
転数の正逆転を行なうと腕C54)は内側バルブ(19
とプラテン装置(6)との間でウェハ(3)を移送すべ
く往復揺動する。
ェハ(31を載置し得る直径を備えた略璋状の腕(54
)の根□部(55)を真空室′(1)の下壁(1b)を
挿゛通して延□びる回転軸(56)に固定し、該回転軸
(56)の後端にジヨイント部材C57)を連結し、さ
らに該部材(57)を減速歯車(58)を介してス誉ツ
ピングモータ(59)に接続して構成され、該モータC
59)が図示しそない制御装置に19制御されて設定回
転数の正逆転を行なうと腕C54)は内側バルブ(19
とプラテン装置(6)との間でウェハ(3)を移送すべ
く往復揺動する。
該環状の腕(54)にはウェハ(31の受渡しに際して
内側バルブ(19のテーブル(Iηのプッシュロツ(5
4a )が形成される。
内側バルブ(19のテーブル(Iηのプッシュロツ(5
4a )が形成される。
真空室(1)内に於てウェハ(3)は第11図、第12
図示のプラテン装置(6)に取付けられイオンビーム(
5)に幻して垂直となるように起立される。この場合J
該つェハ(3)はプラテン(60)とこれに軸(61)
を中心に開閉自在のウェハ押え(62)との間に挟持さ
れ、前記のように起立した時にウェハ(3)がずれるこ
とを防止する。該プラテン(60)は真空室(1)の側
壁を介して外部に延長した中空軸(63)の回転にニジ
起伏され、同時に該中空軸(63)からプラテン(60
)の背後の螺旋状の冷却水路(64)に/慣プ(65)
を昇して冷却水を供給してイオン注入に伴ない発熱する
ウェハ(3)を□冷却する!5KL7t。また該プラテ
ン(60)のウェハ載置部(66)に背後のばね ゛(
67)に抗して出没する円板状のウニI・受け(6B)
を設け、該プラテン(60)が第12図示の如く倒れた
状態にあるとき真空室(1)の下壁(1b)を介して出
没するブツシャ(69)が該つエバ受け(68)を押し
出すようにした。該つエバ受け(68)は、ウニノ1(
3)を載せてウェハ載置部【66)の上方にスイングア
ーム(力が待機するときは、該ウェハ(3)をスイング
アーム(力から持ち上げ、スイングアーム(7)が退去
したのち下降してウェハ載置部(66)にウニノ・(3
)を載せる。
図示のプラテン装置(6)に取付けられイオンビーム(
5)に幻して垂直となるように起立される。この場合J
該つェハ(3)はプラテン(60)とこれに軸(61)
を中心に開閉自在のウェハ押え(62)との間に挟持さ
れ、前記のように起立した時にウェハ(3)がずれるこ
とを防止する。該プラテン(60)は真空室(1)の側
壁を介して外部に延長した中空軸(63)の回転にニジ
起伏され、同時に該中空軸(63)からプラテン(60
)の背後の螺旋状の冷却水路(64)に/慣プ(65)
を昇して冷却水を供給してイオン注入に伴ない発熱する
ウェハ(3)を□冷却する!5KL7t。また該プラテ
ン(60)のウェハ載置部(66)に背後のばね ゛(
67)に抗して出没する円板状のウニI・受け(6B)
を設け、該プラテン(60)が第12図示の如く倒れた
状態にあるとき真空室(1)の下壁(1b)を介して出
没するブツシャ(69)が該つエバ受け(68)を押し
出すようにした。該つエバ受け(68)は、ウニノ1(
3)を載せてウェハ載置部【66)の上方にスイングア
ーム(力が待機するときは、該ウェハ(3)をスイング
アーム(力から持ち上げ、スイングアーム(7)が退去
したのち下降してウェハ載置部(66)にウニノ・(3
)を載せる。
またウェハ載置部(66)にイオン注入済みのウェハ(
3)が存在するときはこれをウニノ1受け(68)の押
し出しで上方に持ち上げ、該ウニノ1(3)とプラテン
(60)の間に竺のスイングアーム(7)が揺動して来
をところでウニノ飄受け(68)が降下するとスイング
アーム(7)にイオン注入済みのつエバ(3)を載せる
ことが出来る。 、。
3)が存在するときはこれをウニノ1受け(68)の押
し出しで上方に持ち上げ、該ウニノ1(3)とプラテン
(60)の間に竺のスイングアーム(7)が揺動して来
をところでウニノ飄受け(68)が降下するとスイング
アーム(7)にイオン注入済みのつエバ(3)を載せる
ことが出来る。 、。
(70)はシラ釡y(60)に形成した透孔(71)を
挿通してはね(72)にエリ常時プラテン【60)に圧
接状態にあるウニτ押え(62)を第12図あ鎖線示の
如に持ち上げるブツシャで、、該つエバ押え(62)が
持ち上げられている間にスイングアーム(7)との間で
ウェハ(3)の受け渡しが行なわれる。
挿通してはね(72)にエリ常時プラテン【60)に圧
接状態にあるウニτ押え(62)を第12図あ鎖線示の
如に持ち上げるブツシャで、、該つエバ押え(62)が
持ち上げられている間にスイングアーム(7)との間で
ウェハ(3)の受け渡しが行なわれる。
(73)Triプラテン(60)の位置決め片(74)
と当接する位置決め用ロンドである。
と当接する位置決め用ロンドである。
本発明装置の作動は次の通シである。
第長図に於て1対のリフト(8)には処理されるべきウ
ェハ(3)を収容した取出し専用のカセットケース(9
a)と処理済みのウェハ(3)を収容する収容専用の空
のカセットケース(9b)とが夫々載せられ、ケース(
9a)の下方からウェハ移送装置(lla)のペルHI
IQIにエリウェハ(3)が引き出される。該移送装置
(,1,1a)ri内側ノ=ルブ甑Sにより内側端面(
80)が閉じられ外側バルブ、Qlが上方へ退去して開
弁状態にある搬入専用のリム(4a)の外側5へと移動
台0湯を前進させ、てウェハ(3)を配置する。続い、
て内側端面(80)を閉塞中の、内側パ、ルブ(19か
らテーブルa?)が上昇し、ベル)0101.上のウェ
ハ(3)を上方へ、持ち上げる。このあ、と移動台aク
ハカセットケース(9a)方向に後退し、ウェハ(a)
ti内側バルブ(lsの突起(15a)の平坦な頂部
にて一プルaηの下降で載せられる。
ェハ(3)を収容した取出し専用のカセットケース(9
a)と処理済みのウェハ(3)を収容する収容専用の空
のカセットケース(9b)とが夫々載せられ、ケース(
9a)の下方からウェハ移送装置(lla)のペルHI
IQIにエリウェハ(3)が引き出される。該移送装置
(,1,1a)ri内側ノ=ルブ甑Sにより内側端面(
80)が閉じられ外側バルブ、Qlが上方へ退去して開
弁状態にある搬入専用のリム(4a)の外側5へと移動
台0湯を前進させ、てウェハ(3)を配置する。続い、
て内側端面(80)を閉塞中の、内側パ、ルブ(19か
らテーブルa?)が上昇し、ベル)0101.上のウェ
ハ(3)を上方へ、持ち上げる。このあ、と移動台aク
ハカセットケース(9a)方向に後退し、ウェハ(a)
ti内側バルブ(lsの突起(15a)の平坦な頂部
にて一プルaηの下降で載せられる。
外側バルブaeハこのテーブル(I7)と同期して下降
し、リム(4a)の外側端面(81)を密閉する。
し、リム(4a)の外側端面(81)を密閉する。
内外をバルブ(is 08で密閉されたリム(4a)内
は真空排気孔(至)から真空ポンプ(至)で真空室(1
)、と同程度の真空に排気される。次で内側バルブ0!
i1がウニ会(3)、を、畝せ、たまま真空室(1)内
の四部(至)内へと下降し、テーブルaη、di再び上
昇し、て真空室(1)内でウェハ(3)を持ち上げる。
は真空排気孔(至)から真空ポンプ(至)で真空室(1
)、と同程度の真空に排気される。次で内側バルブ0!
i1がウニ会(3)、を、畝せ、たまま真空室(1)内
の四部(至)内へと下降し、テーブルaη、di再び上
昇し、て真空室(1)内でウェハ(3)を持ち上げる。
この作動によって内側バルブ、a9の頂部とウニ、ハ(
3)の間にスイングアー、ム(7a)の腕(54)が進
入し得る程度の間隔が形、成され、る、スイング□て−
ム(7a)が該間隔に介入するとテーブルaηは下降し
、その途中でウェハ(3)は腕(54)、に渡される。
3)の間にスイングアー、ム(7a)の腕(54)が進
入し得る程度の間隔が形、成され、る、スイング□て−
ム(7a)が該間隔に介入するとテーブルaηは下降し
、その途中でウェハ(3)は腕(54)、に渡される。
ウェハ(3)を受取ったスイングアーム(7a)にほぼ
水平に倒れ且つf) ”、x′ハ押え(62>をプラテ
ン(60)から離して待機するプラテン装置(6)へと
旋回する。
水平に倒れ且つf) ”、x′ハ押え(62>をプラテ
ン(60)から離して待機するプラテン装置(6)へと
旋回する。
ここで、ウェハ、受け(68)がスイングアーム(7a
)のウェハ(3)を持ち上げるべく上昇し、空のスイン
グアーム(7a)がプラテン(60)上から旋回退去す
るとウェハ受け(68)は下降してプラテン(60)上
にウェハ(3)を載せ、ウニノ\押えC62)でウェハ
(3)が挾持づれる。プラテン装置(6)は中空軸(6
3)の回転でウェハ(a) Kイオン、注入処理を捲す
べく起立し、これが終ると再び水平に倒。
)のウェハ(3)を持ち上げるべく上昇し、空のスイン
グアーム(7a)がプラテン(60)上から旋回退去す
るとウェハ受け(68)は下降してプラテン(60)上
にウェハ(3)を載せ、ウニノ\押えC62)でウェハ
(3)が挾持づれる。プラテン装置(6)は中空軸(6
3)の回転でウェハ(a) Kイオン、注入処理を捲す
べく起立し、これが終ると再び水平に倒。
れる。このあとは前記と逆順、序の作動で、プラテン装
置、(6)からイオン傅入済みのウニノ1(3)を別の
スイングアーム(7b)へと渡し、該スイングアーム(
7b)は搬出専用のリム(4b )、内側バルブQ51
上、、 Kテーブル(Iηの協力でウニノ1(3)を
載せる。
置、(6)からイオン傅入済みのウニノ1(3)を別の
スイングアーム(7b)へと渡し、該スイングアーム(
7b)は搬出専用のリム(4b )、内側バルブQ51
上、、 Kテーブル(Iηの協力でウニノ1(3)を
載せる。
リム(4b)の外側パ、ルブ(1Bは真空室(1)内の
真空を維持するために閉じられているが、処理済みのウ
ェハ(3)が内側バルブ(I9に載せられてリム。
真空を維持するために閉じられているが、処理済みのウ
ェハ(3)が内側バルブ(I9に載せられてリム。
(4b)内に上昇し、その内側端面(81)が該、内側
バルブ岬で閉じられると外側、バルブ(IIが上昇1て
開弁する。ウェハt3) riテーブル(Iηによりリ
ム(4b)の外側へと持ち出され、ウェハ(3)とリム
(4b)間にウェハ移送装置(llb)が進入して来る
とテーブルaっは下降し、該移送装置(llblは収容
専用のカセットケース(9b)に受取ったウェハ(3)
を収めるべく退去する。このあと外側バルブαeU閉じ
、密閉されYtCIJム(4b)内が真空排気孔(至)
から排気されて真空室(1)内と同程度の真空になると
内側バルブ(19が真空室(1)内に下降し、次に送ら
れて来るウェハ(3)の受取りに備える。
バルブ岬で閉じられると外側、バルブ(IIが上昇1て
開弁する。ウェハt3) riテーブル(Iηによりリ
ム(4b)の外側へと持ち出され、ウェハ(3)とリム
(4b)間にウェハ移送装置(llb)が進入して来る
とテーブルaっは下降し、該移送装置(llblは収容
専用のカセットケース(9b)に受取ったウェハ(3)
を収めるべく退去する。このあと外側バルブαeU閉じ
、密閉されYtCIJム(4b)内が真空排気孔(至)
から排気されて真空室(1)内と同程度の真空になると
内側バルブ(19が真空室(1)内に下降し、次に送ら
れて来るウェハ(3)の受取りに備える。
との工うに本発明によるときは、ウェハは真空室に設け
たリムの外側へ外側バルブの開弁時に進退するウェハ移
送装置と、内側バルブから出没自在のテーブルとに1っ
て保持され乍ら真空室内へ或は該室内から外部・\と搬
送されるのでウェハに衝撃を与えることがなく従ってウ
ニノ1のチッピングに↓る塵芥の発生を防止出来、内側
バルブと外側パル、、ブ及びリムの真空排気孔の作動で
真空室内の真空を維持し乍らウェハの搬送を行なえる等
の効果がある。
たリムの外側へ外側バルブの開弁時に進退するウェハ移
送装置と、内側バルブから出没自在のテーブルとに1っ
て保持され乍ら真空室内へ或は該室内から外部・\と搬
送されるのでウェハに衝撃を与えることがなく従ってウ
ニノ1のチッピングに↓る塵芥の発生を防止出来、内側
バルブと外側パル、、ブ及びリムの真空排気孔の作動で
真空室内の真空を維持し乍らウェハの搬送を行なえる等
の効果がある。
第1図は本発明装置の実捲例の全体の概略平面図、第2
図は第1図の■−■線截線面断面図3図はウェハ移送装
置の詳細な平面図、第4図は第3図の側面図、第5図は
カセットケースの斜視図、第6図はリムと内側及び外側
バルブの詳細な断面図、第7図及びWJ8図は作動状態
を示す断面図、第9図はスイングアームの詳細な平面図
、第10図は第9図のX−X@截截置面図第11図はプ
ラテン装置の詳細な平面図、第12図は第11図の■−
■線歓線面断面図る。 (1)・・・真空室 (2)・・・ウニノ1処理装置(
3)・・・ウェハ (41・・・リムaυ・・・ウェハ
移送装置 (I9・・・内側バルブ、 0卜・外側バル
ブ (17)・・・テーブルC16)・・・真空排気孔 外2名 x4′V
図は第1図の■−■線截線面断面図3図はウェハ移送装
置の詳細な平面図、第4図は第3図の側面図、第5図は
カセットケースの斜視図、第6図はリムと内側及び外側
バルブの詳細な断面図、第7図及びWJ8図は作動状態
を示す断面図、第9図はスイングアームの詳細な平面図
、第10図は第9図のX−X@截截置面図第11図はプ
ラテン装置の詳細な平面図、第12図は第11図の■−
■線歓線面断面図る。 (1)・・・真空室 (2)・・・ウニノ1処理装置(
3)・・・ウェハ (41・・・リムaυ・・・ウェハ
移送装置 (I9・・・内側バルブ、 0卜・外側バル
ブ (17)・・・テーブルC16)・・・真空排気孔 外2名 x4′V
Claims (1)
- イオン注入装置その他のウニノー処理装置を備え□元真
空″電に、ウェハを該真空室の真空を一部した状態で出
し入れする式のものに於て、該真空−に、゛その内外に
連通するウニ・・の平面横工9も大径の遺孔と真空排気
孔をiえたリムを設け、赦リムめ薫空室側及び外側に夫
々内側バルブと外側;′々ルブを設けて該リムをその両
側から密閉可能とじ、該′リムの外側へ該外側バルブの
開弁時にウェハを゛配置し或は配置されπウニノ・を受
覗゛るべく゛進退自在のウニノ・移送製電と、該リムの
外側□と真空室側とに該リムを介してつエバt1ぶ前記
内側バルブから出没自在のテーブルを股tt7tことを
特徴とするウニノ・搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23890883A JPS60132830A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | ウエハ搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23890883A JPS60132830A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | ウエハ搬送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60132830A true JPS60132830A (ja) | 1985-07-15 |
Family
ID=17037052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23890883A Pending JPS60132830A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | ウエハ搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60132830A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS64529U (ja) * | 1987-06-19 | 1989-01-05 | ||
US5429808A (en) * | 1988-09-06 | 1995-07-04 | Babcock-Hitachi Kabushiki Kaisha | Wet-type exhaust gas desulfurizing apparatus |
CN103935779A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-23 | 沂水义利缘机械厂 | 一种自动装盘机及使用方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039070A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-04-10 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP23890883A patent/JPS60132830A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039070A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-04-10 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS64529U (ja) * | 1987-06-19 | 1989-01-05 | ||
US5429808A (en) * | 1988-09-06 | 1995-07-04 | Babcock-Hitachi Kabushiki Kaisha | Wet-type exhaust gas desulfurizing apparatus |
CN103935779A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-23 | 沂水义利缘机械厂 | 一种自动装盘机及使用方法 |
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