JPS6013044A - ハンダ付け可能な固着薄層 - Google Patents
ハンダ付け可能な固着薄層Info
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- JPS6013044A JPS6013044A JP59130196A JP13019684A JPS6013044A JP S6013044 A JPS6013044 A JP S6013044A JP 59130196 A JP59130196 A JP 59130196A JP 13019684 A JP13019684 A JP 13019684A JP S6013044 A JPS6013044 A JP S6013044A
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハンダ付は可能な固着薄層に関する。
この様な薄層は王として部品に対する電気的接続部また
は部品間の機械的結合を形成するのに必要とされる。こ
れらは半導体、ガラス、またはセラミック製の基板に被
着された薄膜回路への接触部を作るのに特に有用である
。
は部品間の機械的結合を形成するのに必要とされる。こ
れらは半導体、ガラス、またはセラミック製の基板に被
着された薄膜回路への接触部を作るのに特に有用である
。
薄膜回路の接点領域や内部接続を作るのに銅、金または
アルミニウムの薄層が一般に真空中で被着される。これ
らの薄層は非常に高い導[率を有するという長所がある
ものの、基板に対して充分な接着性がないという欠点が
あり、そのためハンダ付けに当って特別な注意をしなけ
ればならない。
アルミニウムの薄層が一般に真空中で被着される。これ
らの薄層は非常に高い導[率を有するという長所がある
ものの、基板に対して充分な接着性がないという欠点が
あり、そのためハンダ付けに当って特別な注意をしなけ
ればならない。
本発明の目的は、一方において容易にハンダ付けが可能
であると共に、他方において基板すなわち殆んどの場合
ガラスまたは生湯体材料である基板に良好に密着する薄
層を提供することである。
であると共に、他方において基板すなわち殆んどの場合
ガラスまたは生湯体材料である基板に良好に密着する薄
層を提供することである。
本発明によれば、前記薄層は金属と半金属から成る合金
の薄膜である。この場合、前記金属としてはコバルト、
鉄、またはこれらの組合せのどれかひとつであシ、前記
半金属としてけボロン、シリコン、ゲルマニウムまた+
dそれらの組合せのどれかひとつである。
の薄膜である。この場合、前記金属としてはコバルト、
鉄、またはこれらの組合せのどれかひとつであシ、前記
半金属としてけボロン、シリコン、ゲルマニウムまた+
dそれらの組合せのどれかひとつである。
本発明による薄層は、従来の薄層に比較して更に薄くで
きるという迫力口の利点を有する。銅薄層では約6μm
の厚さでなければならないのに対し本発明では約10
0 nmで充分となシ得る。特別な応用に対しては、本
発明の薄層が磁気的性質も備え、従って磁気センサをそ
の端子と共に単一操作で製作し得るということが重要と
なろう。ある種の応用においては、通常使用されるー・
ンダと薄層とが、非常に良く結合されてはいるものの相
互に溶は込むことはなく、従って残留物なしに再び分離
し得るということが重要となシ、ちなみに従来のハンダ
付は接続においては・・ンダと接続部との間延分離不能
の合金が形成されてしまっていた。
きるという迫力口の利点を有する。銅薄層では約6μm
の厚さでなければならないのに対し本発明では約10
0 nmで充分となシ得る。特別な応用に対しては、本
発明の薄層が磁気的性質も備え、従って磁気センサをそ
の端子と共に単一操作で製作し得るということが重要と
なろう。ある種の応用においては、通常使用されるー・
ンダと薄層とが、非常に良く結合されてはいるものの相
互に溶は込むことはなく、従って残留物なしに再び分離
し得るということが重要となシ、ちなみに従来のハンダ
付は接続においては・・ンダと接続部との間延分離不能
の合金が形成されてしまっていた。
本発明の実施例を添付図面を参照して更に詳細に説明す
る。
る。
容易にハンダ付は可能でまたと勺わけ非常によく固着す
る接点層は、蒸着またはスパッタリングによって金属と
半金属とから成る合金の薄層を被着することによって形
成される。基板に対するこの種の薄層の接着性は薄層を
蒸着によって被着すると特に充分なものとなる。しかし
ながら、よシ良好な結果のためではなく、工程の簡略の
ためにはスパッタリングが推賞される。金属のコバルト
と鉄、および半金属のボロン、シリコン、ゲルマニウム
が充分に適していることが判明した。金属の割合は約6
0ないし90 at%、好ましくは80at、チと丁べ
きである。特に充分に適しているのは、コバルトとボロ
ンとから成る合金と、コバルト、鉄およびボロンから成
る合金、例えばCO□Fey Bloo−、z−、(但
し、7oくzくso、4<7<10.、Xとyの単位は
at、チ)である。
る接点層は、蒸着またはスパッタリングによって金属と
半金属とから成る合金の薄層を被着することによって形
成される。基板に対するこの種の薄層の接着性は薄層を
蒸着によって被着すると特に充分なものとなる。しかし
ながら、よシ良好な結果のためではなく、工程の簡略の
ためにはスパッタリングが推賞される。金属のコバルト
と鉄、および半金属のボロン、シリコン、ゲルマニウム
が充分に適していることが判明した。金属の割合は約6
0ないし90 at%、好ましくは80at、チと丁べ
きである。特に充分に適しているのは、コバルトとボロ
ンとから成る合金と、コバルト、鉄およびボロンから成
る合金、例えばCO□Fey Bloo−、z−、(但
し、7oくzくso、4<7<10.、Xとyの単位は
at、チ)である。
第1図に接続部を含む磁気センサを担持するガラス基板
(1)を示す。センサ(2)は円形の領域を有する。こ
れは4本の外方に放射状に伸びるリード(3)を有する
が、このリード(3)け90度間隔で互いにへたてられ
ている。各リード(3)はその外側端に7〜ンダ付は用
パッド(4)を有する。センサ(2)はそのリード(3
)およびノ〜ンダ付はパッド(4)と共にアモルファス
金属、C0ys Fes Bzoの薄層を一回操作で被
着させて形成される。薄層の被着中、ガラス基板111
は2組のリード対のどちらかと平行な方向を有する磁界
中に僅かれる。従ってこれは磁気的異方性を示し、これ
を異方性磁界(HK)によって示すことができる。電流
を(HK)に平行にセンサ(2)中に流し、センサをセ
ンサ面内で(HK)に直角な磁界中に置くと、印加磁界
強度を表わす電圧を(HK)に直角な方向から取り出す
ことができる。特別に長いリード(3)の場合、後者は
別の材料、例えばアルミニウム、でもよい。この場合は
一方でセンサ(2)とハンダ付はパッド(4)を、他方
で、リードc3)を別々の工程で作らなければならない
。
(1)を示す。センサ(2)は円形の領域を有する。こ
れは4本の外方に放射状に伸びるリード(3)を有する
が、このリード(3)け90度間隔で互いにへたてられ
ている。各リード(3)はその外側端に7〜ンダ付は用
パッド(4)を有する。センサ(2)はそのリード(3
)およびノ〜ンダ付はパッド(4)と共にアモルファス
金属、C0ys Fes Bzoの薄層を一回操作で被
着させて形成される。薄層の被着中、ガラス基板111
は2組のリード対のどちらかと平行な方向を有する磁界
中に僅かれる。従ってこれは磁気的異方性を示し、これ
を異方性磁界(HK)によって示すことができる。電流
を(HK)に平行にセンサ(2)中に流し、センサをセ
ンサ面内で(HK)に直角な磁界中に置くと、印加磁界
強度を表わす電圧を(HK)に直角な方向から取り出す
ことができる。特別に長いリード(3)の場合、後者は
別の材料、例えばアルミニウム、でもよい。この場合は
一方でセンサ(2)とハンダ付はパッド(4)を、他方
で、リードc3)を別々の工程で作らなければならない
。
第2図は「真空容器フランジJ(+2を貫通する導体(
lυを示す。真空容器フランジ部分においては導体αυ
(例えば白金裂)は、外側にハンダ付は層Iを有するガ
ラス外囲q3で封止されている。本発明によれば、ハン
ダ付は層は約80 at、%のコバルトと20at、%
のボロンから成る合金である。真空容器フランジ[12
1けハンダ付は層Uにハ:/I’−付ケされ、真空容器
用の貫通給電絶縁端子装置が得られる。
lυを示す。真空容器フランジ部分においては導体αυ
(例えば白金裂)は、外側にハンダ付は層Iを有するガ
ラス外囲q3で封止されている。本発明によれば、ハン
ダ付は層は約80 at、%のコバルトと20at、%
のボロンから成る合金である。真空容器フランジ[12
1けハンダ付は層Uにハ:/I’−付ケされ、真空容器
用の貫通給電絶縁端子装置が得られる。
同一の原理によって、第6図に示す様にグラスファイバ
を取付けることもできる。グラスファイバ(2)にはC
oB jflのハンダ付は薄層に)がハンダ付は用スリ
ーブに)の部分に設けられている。このハンダ付は薄層
に)とハンダ付はスリーブ(2)とがハンダ付けされて
一諸にされる。
を取付けることもできる。グラスファイバ(2)にはC
oB jflのハンダ付は薄層に)がハンダ付は用スリ
ーブに)の部分に設けられている。このハンダ付は薄層
に)とハンダ付はスリーブ(2)とがハンダ付けされて
一諸にされる。
図面はいずれも本発明の実施例を示し、第1図はガラス
基板上に被看された4木のリードと4個の・・ンダ付は
パッドを有する磁気センサの平面図、第2図は真空容器
の内部に導線を導入するための貫通給電絶縁端子装楢の
断面図、第6図はグラスファイバ取付体の断面図である
。 図中、1はガラス基板、2は磁気センサ、6はリード、
4は・・ンダ付はパッド、11は導体、12は真空容器
フランジ、16はガラス外囲、14はハンダ付は層、2
1はグラスファイバ 22rr+ハンダ付は用スリーブ
、26はハンダ付は薄層、をそれぞれ示す。 代理人9F理十木村三朗
基板上に被看された4木のリードと4個の・・ンダ付は
パッドを有する磁気センサの平面図、第2図は真空容器
の内部に導線を導入するための貫通給電絶縁端子装楢の
断面図、第6図はグラスファイバ取付体の断面図である
。 図中、1はガラス基板、2は磁気センサ、6はリード、
4は・・ンダ付はパッド、11は導体、12は真空容器
フランジ、16はガラス外囲、14はハンダ付は層、2
1はグラスファイバ 22rr+ハンダ付は用スリーブ
、26はハンダ付は薄層、をそれぞれ示す。 代理人9F理十木村三朗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)コバルト、鉄、および両者の組合せのうちから選
ばれた金属と、ボロン、シリコン、ゲルマニウムおよび
それらの組合せのうちから選ばれた半金属とからなる合
金層を備えたことを特徴とするハンダ付は可能な固着薄
層。 (2)金属コバルトと半金属ボロンとから成ることを特
徴とする特許請求の範8第1項に記載の薄層。 (3)金属コバルトおよび金属鉄と半金属ボロンとから
成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の薄
層。 (4)前記合金が約60〜90at、チの範囲の前記金
属を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
のm層。 (5)前記合金が約80at、%の前部金属を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の薄層。 (61Cox FeyB 106−2− y (但し、
70りx <80 。 4≦y(10:単位at、チ〕からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項に記載の薄層。 (7)金属と半金、属とからなる合金の層を備えたこと
を特徴とするハンダ付轢可能な固着薄層。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE33231966 | 1983-06-28 | ||
DE19833323196 DE3323196A1 (de) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | Loetbare haftende schicht |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6013044A true JPS6013044A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=6202556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59130196A Pending JPS6013044A (ja) | 1983-06-28 | 1984-06-26 | ハンダ付け可能な固着薄層 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4659378A (ja) |
JP (1) | JPS6013044A (ja) |
DE (1) | DE3323196A1 (ja) |
FR (1) | FR2548451B1 (ja) |
GB (1) | GB2142567B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900007666B1 (ko) * | 1984-11-12 | 1990-10-18 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 자기헤드용 비정질 합금 |
US4916529A (en) * | 1986-11-14 | 1990-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device utilizing solid-state image sensors combined with a beam-splitting prism |
US5042913A (en) * | 1989-03-17 | 1991-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical signal forming apparatus having image splitting prism |
US5178319A (en) * | 1991-04-02 | 1993-01-12 | At&T Bell Laboratories | Compression bonding methods |
DE102006041940A1 (de) * | 2006-09-07 | 2008-03-27 | Biotronik Crm Patent Ag | Elektrische Durchführung |
DE102008004308A1 (de) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Biotronik Crm Patent Ag | Durchführung für eine Batterie, Verfahren zur Herstellung derselben und Batterie |
US9217190B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-12-22 | Stuller, Inc. | Sterling silver alloy and articles made from same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5071513A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-06-13 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB487263A (en) * | 1937-02-12 | 1938-06-17 | Patent Treuhand Ges Fure Elek | Improvements in solders for uniting the metallic parts of vacuum devices |
GB985281A (en) * | 1960-03-18 | 1965-03-03 | Texas Instruments Inc | Composite products for soldering and the like and method of their manufacture |
GB941880A (en) * | 1960-08-29 | 1963-11-13 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to alloying processes for forming junctions in silicon carbide bodies |
US3379597A (en) * | 1965-04-05 | 1968-04-23 | Eastman Kodak Co | Apparatus for severing film and tape for securement of a portion of the tape to the film |
GB1145948A (en) * | 1967-10-25 | 1969-03-19 | Coast Metals Inc | Cobalt-base alloys |
AT313979B (de) * | 1968-09-20 | 1974-03-11 | Egyesuelt Izzolampa | Überzug für die Widerstandsschweißung des Gehäuses von Halbleiterbauelementen |
US3925808A (en) * | 1974-08-08 | 1975-12-09 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor device with stress-free electrodes |
GB1547761A (en) * | 1975-04-09 | 1979-06-27 | Davy Loewy Ltd | Continous casting mould |
US4052201A (en) * | 1975-06-26 | 1977-10-04 | Allied Chemical Corporation | Amorphous alloys with improved resistance to embrittlement upon heat treatment |
US4059217A (en) * | 1975-12-30 | 1977-11-22 | Rohr Industries, Incorporated | Superalloy liquid interface diffusion bonding |
US4038073A (en) * | 1976-03-01 | 1977-07-26 | Allied Chemical Corporation | Near-zero magnetostrictive glassy metal alloys with high saturation induction |
CA1115993A (en) * | 1976-12-15 | 1982-01-12 | Allied Corporation | Homogeneous, ductile brazing foils |
US4221592A (en) * | 1977-09-02 | 1980-09-09 | Allied Chemical Corporation | Glassy alloys which include iron group elements and boron |
GB1547117A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-06 | Alloy Metals Inc | Nickel base brazing alloy |
US4236946A (en) * | 1978-03-13 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis |
US4174419A (en) * | 1978-11-08 | 1979-11-13 | Allied Chemical Corporation | Stabilized magnetic shields |
JPS5779052A (en) * | 1980-10-16 | 1982-05-18 | Takeshi Masumoto | Production of amorphous metallic filament |
-
1983
- 1983-06-28 DE DE19833323196 patent/DE3323196A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-22 US US06/623,757 patent/US4659378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-22 FR FR8409900A patent/FR2548451B1/fr not_active Expired
- 1984-06-26 JP JP59130196A patent/JPS6013044A/ja active Pending
- 1984-06-27 GB GB08416310A patent/GB2142567B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5071513A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-06-13 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8416310D0 (en) | 1984-08-01 |
GB2142567A (en) | 1985-01-23 |
GB2142567B (en) | 1986-12-31 |
FR2548451B1 (fr) | 1986-07-18 |
US4659378A (en) | 1987-04-21 |
DE3323196A1 (de) | 1985-01-03 |
FR2548451A1 (fr) | 1985-01-04 |
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