DE3323196A1 - Loetbare haftende schicht - Google Patents
Loetbare haftende schichtInfo
- Publication number
- DE3323196A1 DE3323196A1 DE19833323196 DE3323196A DE3323196A1 DE 3323196 A1 DE3323196 A1 DE 3323196A1 DE 19833323196 DE19833323196 DE 19833323196 DE 3323196 A DE3323196 A DE 3323196A DE 3323196 A1 DE3323196 A1 DE 3323196A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- layer according
- boron
- atomic percent
- cobalt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 title claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/44—Mechanical structures for providing tensile strength and external protection for fibres, e.g. optical transmission cables
- G02B6/4401—Optical cables
- G02B6/4415—Cables for special applications
- G02B6/4427—Pressure resistant cables, e.g. undersea cables
- G02B6/4428—Penetrator systems in pressure-resistant devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/26—Lead-in insulators; Lead-through insulators
- H01B17/30—Sealing
- H01B17/301—Sealing of insulators to support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
K. VoLz-P. Kersten 4-4
Die Erfindung betrifft eine Lötbare haftende Schicht. Derartige Schichten werden vor aLLem zur eLektrischen
Kontaktierung oder mechanischen Verbindung von Bauelementen benötigt. Besondere Bedeutung haben soLche
Schichten bei der Kontaktierung von Dünnschichtschaltungen,
die auf HaLbLeiter- oder GLassubstrat oder Keramik aufgebracht sind.
ALs eLektrische Verbindungen innerhaLb von DünnschichtschaLtungen wie auch zum Anlöten von Zuleitungen an
soLche SchaLtungen werden üblicherweise Kontaktbahnen
aus Kupfer, GoLd oder Aluminium im Vakuum aufgebracht. SoLche Schichten haben zwar den VorteiL sehr hoher
Leitfähigkeit, sie haben jedoch den Nachteil, daß sie
auf dem Untergrund schlecht haften und daß deshalb beim Löten besondere Vorsichtsmaßnahmen erforderlich sind.
Der Erfindung Liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schicht anzugeben, die einerseits gut Lötbar ist und andererseits
auf dem Untergrund, meist Glas oder HaLbLeiter, gut haftet.
ZT/P2-Bs/Gn
Q3.05.1983 - 4 -
H. VoLz 4-4
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Schicht eine dünne Schicht einer Legierung aus Metallen und Metalloiden ist.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
Die erfindungsgemäße Schicht hat außerdem den Vorteil,
daß sie sehr viel dünner sein kann als herkömmliche Schichten. Es genügt eine Schichtdicke von etwa 100 nm
im Vergleich zu etwa 3 \im bei Kupfer. Für besondere Anwendungszwecke
kann von Bedeutung sein, daß die erfindungsgemäße Schicht auch magnetische Eigenschaften aufweist
und daß somit Magnetfeldsensoren samt ihren Anschlüssen in einem einzigen Arbeitsgang herstellbar
sind. Für manche Anwendungen mag auch von Bedeutung sein, daß die üblicherweise verwendeten Lote mit der
Schicht zwar eine sehr gute Verbindung eingehen, daß sich Lot und Schicht jedoch nicht ineinander lösen
und damit ohne Rückstande wieder voneinander lösbar sind,
während bei herkömmlichen Lötverbindungen Legierungen
zwischen Lot und Lötstellen entstehen, die nicht mehr rückgängig gemacht werden können.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der beiliegenden Zeichnung
weiter erläutert.
auf einen auf einem Glassubstrat aufgebrachten
Magnetfeldsensor mit vier Zuleitungen und Lötpunkten
.
H.VoIz 4-4
Fig. 2 zeigt als AusführungsbeispieL den Schnitt
durch eine Vakuumstromdurchführung.
Fig. 3 zeigt aLs AusführungsbeispieL den Schnitt durch
die HaLterung einer GLasfaser.
Gut Lötbare und vor aLLem sehr gut haftende Kontaktschichten
für DünnschichtschaLtungen ergeben sich durch aufgedampfte
oder aufgesprühte Kontaktbahnen aus dünnen Schichten einer Legierung aus HetaLLen und MetaLLoiden. Die
Haftung einer soLchen Schicht auf der UnterLage ist schon völlig ausreichend, wenn die Schicht aufgedampft wurde.
Des einfachen Verfahrens wegen, und nicht des noch besseren Ergebnisses wegen.wird jedoch das Aufstäuben (Sputtern)
zu bevorzugen sein. Als gut geeignet haben sich die Metalle KobaLt und Eisen und die Metalloide Bor, Silizium und
Germanium erwiesen. Der Anteil der Metalle sollte bei etwa 60 bis 90, vorzugsweise 80 Atomprozent liegen. Besonders
geeignet sind Legierungen aus Kobalt und Bor, sowie aus KobaLt, Eisen und Bor, etwa Co Fe B1QQ_ _ mit 70 £ χ ύ
und 4 £ y £ 10, mit χ und y in Atomprozent.
Fig- 1 zeigt ein Glassubstrat 1 mit einem darauf befindlichen
Magnetfeldsensor samt seinen Anschlüssen. Der Sensor
2 ist eine kreisförmige Fläche. Er trägt vier Zuleitungen 3, die radial nach außen weisen und gegeneinander
jeweils um 90° versetzt sind. An den dem Sensor abgewandten Enden der Zuleitungen 3.sind diese jeweils zu
einem Lötpunkt 4 erweitert. Der Sensor 2 besteht samt seinen Zuleitungen 3 und den Lötpunkten 4 aus einer in
demselben Arbeitsgang aufgebrachten dünnen Schicht aus
einem amorphen Metall aus Co75Fe5B--.. Das Glassubstrat 1
befindet sich während des Aufbringens der Schicht in
H. VoIz 4-4
einem Magnetfeld, dessen Richtung parallel zu einem der beiden Zuleitungspaare liegt. Der Sensor 2 weist dadurch
eine magnetische Anisotropie auf. Diese ist durch ein Anisotropiefeld H1. zu beschreiben. Schickt man durch den
Sensor 2 einen Strom parallel zu H„ und bringt den Sensor
in ein Magnetfeld, das in der Sensorebene senkrecht zu H1. liegt, so kann in der Richtung senkrecht zu H1. eine
Spannung abgenommen werden, aus der die Größe des angelegten Magnetfelds bestimmbar ist. Im Falle besonders
langer Zuleitungen 3 können diese aus einem anderen Material, etwa Aluminium, bestehen. Sensor 2 und Lötpunkte
einerseits und Zuleitungen 3 andererseits sind dann in getrennten Arbeitsgängen herzustellen.
Fig. 2 zeigt ein Leitungsstück 11, das durch einen Vakuumflansch
12 durchgeführt ist. Das Leitungsstück 11 (beispielsweise
aus Platin) ist im Bereich des Vakuumflansches 12 in eine Glashülle 13 eingeschmolzen, die wiederum
auf ihrer Außenseite eine Lötschicht 14 trägt. Die Lötschicht besteht erfindungsgemäß aus einer Legierung aus
etwa 80 Atomprozent Kobald und 20 Atomprozent Bor. Der Vakuumflansch 12 ist mit der Lötschicht 14 verlötet, so
daß sich eine Vakuumstromdurchführung ergibt.
Nach dem gleichen Prinzip kann, wie. in Fig. 3 gezeigt,
die Halterung einer Glasfaser erfolgen. Eine Glasfaser trägt im Berei ch eitier thülse 22 eine Lötschicht 23 aus
CoB. Lötschicht 23 und Löthülse 22 sind miteinander verlötet.
Claims (1)
- Standard ELektrik LorenzAktiengeseLLschaft
. StuttgartH.VoLz-P.Kersten 4-4PatentansprücheΛ). Lötbare haftende Schicht, insbesondere zur elektrischen Kontaktierung oder mechanischen Verbindung von Baue Lementen, dadurch gekennzei chnet, daß die Schicht eine dünne Schicht einer Legierung aus HetaLLen und HetaLLoiden ist.2. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus den MetaLLen KobalC und/oder Eisen und den MetaLLoiden Bor, Silizium und/oder Germanium besteht.3. Schicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus Kobalt und Bor besteht.4. Schicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus KobaLt, Eisen und Bor besteht.5. Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Metalle etwa 60 bis 90, vorzugsweise 80 Atomprozent beträgt.ZT/P2-Bs/6n - 2 -03.05.1983H.VoLz 4-4Schicht nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daßsie aus mit Co
XFey B1 00-x-y best eht. 70 X £ 80 und 4 y ύ 10 80 (Atomprozent) 10 (Atomprozent)7. Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine im Vakuum aufgedampfte Schicht ist.8. Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine "im^Vakuum aufgestäubte Schicht (Sputterschicht) ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833323196 DE3323196A1 (de) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | Loetbare haftende schicht |
US06/623,757 US4659378A (en) | 1983-06-28 | 1984-06-22 | Solderable adhesive layer |
FR8409900A FR2548451B1 (fr) | 1983-06-28 | 1984-06-22 | Couche adherente soudable |
JP59130196A JPS6013044A (ja) | 1983-06-28 | 1984-06-26 | ハンダ付け可能な固着薄層 |
GB08416310A GB2142567B (en) | 1983-06-28 | 1984-06-27 | Solderable adhesive layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833323196 DE3323196A1 (de) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | Loetbare haftende schicht |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3323196A1 true DE3323196A1 (de) | 1985-01-03 |
Family
ID=6202556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833323196 Withdrawn DE3323196A1 (de) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | Loetbare haftende schicht |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4659378A (de) |
JP (1) | JPS6013044A (de) |
DE (1) | DE3323196A1 (de) |
FR (1) | FR2548451B1 (de) |
GB (1) | GB2142567B (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900007666B1 (ko) * | 1984-11-12 | 1990-10-18 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 자기헤드용 비정질 합금 |
US4916529A (en) * | 1986-11-14 | 1990-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device utilizing solid-state image sensors combined with a beam-splitting prism |
US5042913A (en) * | 1989-03-17 | 1991-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical signal forming apparatus having image splitting prism |
US5178319A (en) * | 1991-04-02 | 1993-01-12 | At&T Bell Laboratories | Compression bonding methods |
DE102006041940A1 (de) * | 2006-09-07 | 2008-03-27 | Biotronik Crm Patent Ag | Elektrische Durchführung |
DE102008004308A1 (de) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Biotronik Crm Patent Ag | Durchführung für eine Batterie, Verfahren zur Herstellung derselben und Batterie |
US9217190B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-12-22 | Stuller, Inc. | Sterling silver alloy and articles made from same |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB487263A (en) * | 1937-02-12 | 1938-06-17 | Patent Treuhand Ges Fure Elek | Improvements in solders for uniting the metallic parts of vacuum devices |
GB985281A (en) * | 1960-03-18 | 1965-03-03 | Texas Instruments Inc | Composite products for soldering and the like and method of their manufacture |
GB941880A (en) * | 1960-08-29 | 1963-11-13 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to alloying processes for forming junctions in silicon carbide bodies |
US3379597A (en) * | 1965-04-05 | 1968-04-23 | Eastman Kodak Co | Apparatus for severing film and tape for securement of a portion of the tape to the film |
GB1145948A (en) * | 1967-10-25 | 1969-03-19 | Coast Metals Inc | Cobalt-base alloys |
AT313979B (de) * | 1968-09-20 | 1974-03-11 | Egyesuelt Izzolampa | Überzug für die Widerstandsschweißung des Gehäuses von Halbleiterbauelementen |
US3857683A (en) * | 1973-07-27 | 1974-12-31 | Mica Corp | Printed circuit board material incorporating binary alloys |
US3925808A (en) * | 1974-08-08 | 1975-12-09 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor device with stress-free electrodes |
GB1547761A (en) * | 1975-04-09 | 1979-06-27 | Davy Loewy Ltd | Continous casting mould |
US4052201A (en) * | 1975-06-26 | 1977-10-04 | Allied Chemical Corporation | Amorphous alloys with improved resistance to embrittlement upon heat treatment |
US4059217A (en) * | 1975-12-30 | 1977-11-22 | Rohr Industries, Incorporated | Superalloy liquid interface diffusion bonding |
US4038073A (en) * | 1976-03-01 | 1977-07-26 | Allied Chemical Corporation | Near-zero magnetostrictive glassy metal alloys with high saturation induction |
CA1115993A (en) * | 1976-12-15 | 1982-01-12 | Allied Corporation | Homogeneous, ductile brazing foils |
US4221592A (en) * | 1977-09-02 | 1980-09-09 | Allied Chemical Corporation | Glassy alloys which include iron group elements and boron |
GB1547117A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-06 | Alloy Metals Inc | Nickel base brazing alloy |
US4236946A (en) * | 1978-03-13 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis |
US4174419A (en) * | 1978-11-08 | 1979-11-13 | Allied Chemical Corporation | Stabilized magnetic shields |
JPS5779052A (en) * | 1980-10-16 | 1982-05-18 | Takeshi Masumoto | Production of amorphous metallic filament |
-
1983
- 1983-06-28 DE DE19833323196 patent/DE3323196A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-22 FR FR8409900A patent/FR2548451B1/fr not_active Expired
- 1984-06-22 US US06/623,757 patent/US4659378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-26 JP JP59130196A patent/JPS6013044A/ja active Pending
- 1984-06-27 GB GB08416310A patent/GB2142567B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2548451A1 (fr) | 1985-01-04 |
GB8416310D0 (en) | 1984-08-01 |
GB2142567B (en) | 1986-12-31 |
JPS6013044A (ja) | 1985-01-23 |
GB2142567A (en) | 1985-01-23 |
US4659378A (en) | 1987-04-21 |
FR2548451B1 (fr) | 1986-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2032872B2 (de) | Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse | |
EP0016925B1 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten | |
EP0024355A1 (de) | Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen | |
DE2937050C2 (de) | ||
DE3107943C2 (de) | ||
EP0790647A2 (de) | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte | |
EP0193127A1 (de) | Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69028445T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Dünnschichten | |
DE1943519A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1690276B1 (de) | Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE3323196A1 (de) | Loetbare haftende schicht | |
DE3851819T2 (de) | Hoch-TC-Supraleitende Einheiten mit geringem Oberflächenwiderstand. | |
DE1521591B2 (de) | Verfahren zur bildung einer kontaktflaeche auf einer schalterzunge | |
DE2541925A1 (de) | Elektrischer kontakt und verfahren zur herstellung desselben | |
DE1213922B (de) | Verfahren zur Herstellung einer leicht benetzbaren Metallschicht auf einer keramischen Unterlage fuer Halbleiterbauelemente | |
DE1789062A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten fuer den Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehaeuse | |
DE3830131C2 (de) | ||
DE1063774B (de) | Verfahren zum Verbinden eines eine metallische Oberflaeche aufweisenden Gegenstandesmit einem aus glasartigem Werkstoff bestehenden Koerper und danach hergestellter Glasgegenstand | |
EP0193128A2 (de) | Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0278413A2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem Bonddraht und einer Kontaktfläche bei hybriden Dickschicht-Schaltkreisen | |
EP0277488B1 (de) | Entladungslampe, insbesondere Blitzröhre | |
DE2165622C3 (de) | Dünnschichtschaltkreis | |
DE69026148T2 (de) | Methode und Konstruktion einer elektrischen Verbindung zu einem oxydischen Supraleiter | |
DE3248023C1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung | |
DE3522168A1 (de) | Verfahren zum erden oder masseverbinden von planaren bauelementen und integrierten schaltkreisen sowie nach diesem verfahren erhaltenes erzeugnis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |