JPS6372143A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPS6372143A JPS6372143A JP61215812A JP21581286A JPS6372143A JP S6372143 A JPS6372143 A JP S6372143A JP 61215812 A JP61215812 A JP 61215812A JP 21581286 A JP21581286 A JP 21581286A JP S6372143 A JPS6372143 A JP S6372143A
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- Japan
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- terminals
- integrated circuit
- output terminals
- insulator
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば半導体の集積回路の出力端子の取り出
し方を改良した集積回路装置に関する。
し方を改良した集積回路装置に関する。
（従来の技術）
ＩＣの出力端子の取り出し方は、ＩＣと基板との接続方
法の手段により、さまざまな形態が考えられて来たし、
現時点でも存在している。
法の手段により、さまざまな形態が考えられて来たし、
現時点でも存在している。
例えば、ワイヤボンディングに於ては％ ＩＣの出力は
アルミニウムのパッドを作り、これにＡｕ又はＡｔのワ
イヤーを超音波加熱しながらワイヤーを合金化し、接続
する。この方法に於ては、出力パッドは、ＩＣの周辺に
存在し、この為ＩＣの大きさが一定で、出力端子数が増
加した時には。
アルミニウムのパッドを作り、これにＡｕ又はＡｔのワ
イヤーを超音波加熱しながらワイヤーを合金化し、接続
する。この方法に於ては、出力パッドは、ＩＣの周辺に
存在し、この為ＩＣの大きさが一定で、出力端子数が増
加した時には。
パッド間隔が小さくなる。ワイヤボンドに於てはワイヤ
ーをキャピラリーで取扱うため、キャピラリーの大きさ
よりも小さい間隔ではワイヤーを並べられないという欠
点がある。
ーをキャピラリーで取扱うため、キャピラリーの大きさ
よりも小さい間隔ではワイヤーを並べられないという欠
点がある。
又、ＴＡＢ方式に於ては、ワイヤボンディングと同様に
、パッドがＩＣの周辺に並ぶため、パッドサイズは小さ
くなり、ワイヤボンドの様なキャピラリーはないものの
リードとパッドを接続するのが機緘的である事、リード
の細い加工が困難である事などから、多数の接続本数を
取る事は困難であった。
、パッドがＩＣの周辺に並ぶため、パッドサイズは小さ
くなり、ワイヤボンドの様なキャピラリーはないものの
リードとパッドを接続するのが機緘的である事、リード
の細い加工が困難である事などから、多数の接続本数を
取る事は困難であった。
これに対し、フリップチップはＩＣ表面の全面に亘って
出力パッドを形成する事から、多数点接続が可能である
。しかし、半田が溶融状態から固化する時にかかる応力
により、ＩＣの表面にストレスがかかり、ＩＣの特性に
悪影響を及ぼす為。
出力パッドを形成する事から、多数点接続が可能である
。しかし、半田が溶融状態から固化する時にかかる応力
により、ＩＣの表面にストレスがかかり、ＩＣの特性に
悪影響を及ぼす為。
ＩＣの出力パッドの下にＩＣの能動領域が作れずあ才り
有効にＩＣの面積を活用できないという問題があった。
有効にＩＣの面積を活用できないという問題があった。
又、半田付は時のフラツクスの洗浄が困難である等の信
頼性上の問題もあった。
頼性上の問題もあった。
又、ワイヤボンド以外の工程では、最終工程として真空
工程を必要とし、ワイヤボンド用に作られたＩＣを、他
の用途に転用する時にＴＡＢ方式では蒸着とメッキがフ
リップチップでは、メタル蒸着と半田蒸着が必要となる
。
工程を必要とし、ワイヤボンド用に作られたＩＣを、他
の用途に転用する時にＴＡＢ方式では蒸着とメッキがフ
リップチップでは、メタル蒸着と半田蒸着が必要となる
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、かかる不便に鑑みてワイヤボンド用−ＩＣを
用いて、フリップチップの如きＩＣの表面全面に亘る接
続を可能とし、且つ蒸着半田付けが不要なＩＣ接続用端
子取り出し構造を有する集積回路装置を提供することを
目的とする。
用いて、フリップチップの如きＩＣの表面全面に亘る接
続を可能とし、且つ蒸着半田付けが不要なＩＣ接続用端
子取り出し構造を有する集積回路装置を提供することを
目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段）
本発明の基本は、先ずＩＣチップの上にパッド部のみ開
口した絶縁体を有する事、これら絶縁体の開口部より導
体力甥１き出され、この導体の先端に出力端子が配置さ
れている構成である。
口した絶縁体を有する事、これら絶縁体の開口部より導
体力甥１き出され、この導体の先端に出力端子が配置さ
れている構成である。
しかもこの絶縁体は、有機物であり導体は金属粒子と有
機物の混合体（導体ペースト）である。
機物の混合体（導体ペースト）である。
（作用）
本発明による集積回路装置は、広い面積の出力端子が形
成されているので、特に精度を必要とせずに、容易に端
子接続を行なうことができる。
成されているので、特に精度を必要とせずに、容易に端
子接続を行なうことができる。
（実施例）
本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１および第２図に於て％ １は集積回路（ＩＣ）基板
、２は基板端子となるワイヤボンド用出力パッド（Ｐａ
ｄ ）であり、３は有機物絶縁体、６は金属導体の導体
ペーストであり、４はそのうちの一部の出力端子である
。５は開口部４′に露出して接続点となる出力端子４以
外を被覆する絶縁体である。
、２は基板端子となるワイヤボンド用出力パッド（Ｐａ
ｄ ）であり、３は有機物絶縁体、６は金属導体の導体
ペーストであり、４はそのうちの一部の出力端子である
。５は開口部４′に露出して接続点となる出力端子４以
外を被覆する絶縁体である。
基板１の表面には集積回路１０が施されている。
この様にして、ＩＣの出力端子２は、それより大きい表
面積と間隔を有する出力端子４に変換される。
面積と間隔を有する出力端子４に変換される。
絶縁体３，５は例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エ
ポキシ、アクリルやテフロン等でありペースト６は銀や
銅粉を含んだ導体である。出力端子４の部分は、表面に
ＮｉやＣｕメッキをして半田付けをする事もできる。こ
の場合、半田の凝固ストレスは絶縁体３により緩和され
る。
ポキシ、アクリルやテフロン等でありペースト６は銀や
銅粉を含んだ導体である。出力端子４の部分は、表面に
ＮｉやＣｕメッキをして半田付けをする事もできる。こ
の場合、半田の凝固ストレスは絶縁体３により緩和され
る。
又、出力端子４の部分に熱により軟化する樹脂を用いる
事により、加熱により他の基板と接着する事が可能とな
る。この方法では、半田付けが不要で、半田付けより低
温１例えば１００℃程度でＩＣを他の基板に接続する事
が可能である。
事により、加熱により他の基板と接着する事が可能とな
る。この方法では、半田付けが不要で、半田付けより低
温１例えば１００℃程度でＩＣを他の基板に接続する事
が可能である。
この方法では絶縁体３は必ずしも必要ない。何做ならＩ
Ｃの表面は通常ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等の絶縁体が形成さ
れており導体６はＩＣ上の能動領域とは電気的に分離さ
れているからである。
Ｃの表面は通常ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等の絶縁体が形成さ
れており導体６はＩＣ上の能動領域とは電気的に分離さ
れているからである。
本発明によれば、集積回路の端子接続を、ＩＣに悪影響
を及ぼすことなく、シかも容易にＩＣ全表面に亘る接続
を可能とし、信頼性の高い集積回路装置が得られる。
を及ぼすことなく、シかも容易にＩＣ全表面に亘る接続
を可能とし、信頼性の高い集積回路装置が得られる。
第１図は本発明の実施例を示す第２図のＡ−Ａ断面図、
第２図は一部を切欠断面で示す平面図である。 １・・・回路基板、２・・・基板端子、３・・・有機物
絶縁体、４・・・出力端子（接続端子）、６・・・金属
導体。 １０・・・集積回路。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
第２図は一部を切欠断面で示す平面図である。 １・・・回路基板、２・・・基板端子、３・・・有機物
絶縁体、４・・・出力端子（接続端子）、６・・・金属
導体。 １０・・・集積回路。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (4)
- （１）表面に基板端子を有する集積回路が設けられた回
路基板と、この回路基板の表面に前記集積回路と電気的
に絶縁して設けた絶縁体と、この絶縁体の表面に配設し
、かつこの絶縁体を介して前記回路基板と絶縁するよう
に設けた金属導体とを具備し、前記金属導体の一端を前
記基板端子に接続し、かつ多端に前記基板端子の端子面
積より大きい端子面積を有する接続端子を形成してなる
ことを特徴とする集積回路装置。 - （２）金属導体を金属粒子と有機物とを混合してなるペ
ーストとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の集積回路装置。 - （３）絶縁体を接続端子部分のみを残して金属導体をも
絶縁するよう構成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の集積回路装置。 - （４）絶縁体を光硬化性樹脂としたことを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の集積回路装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215812A JPS6372143A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 集積回路装置 |
| FR878712816A FR2604029B1 (fr) | 1986-09-16 | 1987-09-16 | Puce de circuit integre possedant des bornes de sortie ameliorees |
| KR1019870010250A KR900007231B1 (ko) | 1986-09-16 | 1987-09-16 | 반도체집적회로장치 |
| US07/328,747 US4878098A (en) | 1986-09-16 | 1989-03-24 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215812A JPS6372143A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372143A true JPS6372143A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16678664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215812A Pending JPS6372143A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372143A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475896B1 (en) | 1996-12-04 | 2002-11-05 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| US6903451B1 (en) | 1998-08-28 | 2005-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip scale packages manufactured at wafer level |
| JP2005217445A (ja) * | 1996-12-04 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009004815A (ja) * | 1996-12-04 | 2009-01-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子部品及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215812A patent/JPS6372143A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7511362B2 (en) | 1996-12-04 | 2009-03-31 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| US6475896B1 (en) | 1996-12-04 | 2002-11-05 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| US8384213B2 (en) | 1996-12-04 | 2013-02-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
| JP2005217445A (ja) * | 1996-12-04 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7470979B2 (en) | 1996-12-04 | 2008-12-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP2009004815A (ja) * | 1996-12-04 | 2009-01-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子部品及びその製造方法 |
| US6730589B2 (en) | 1996-12-04 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| US7521796B2 (en) | 1996-12-04 | 2009-04-21 | Seiko Epson Corporation | Method of making the semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
| US7888260B2 (en) | 1996-12-04 | 2011-02-15 | Seiko Epson Corporation | Method of making electronic device |
| US7842598B2 (en) | 1996-12-04 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP4513973B2 (ja) * | 1996-12-04 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8115284B2 (en) | 1996-12-04 | 2012-02-14 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board and electronic instrument |
| JP2012169679A (ja) * | 1996-12-04 | 2012-09-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子部品及びその製造方法 |
| US6903451B1 (en) | 1998-08-28 | 2005-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip scale packages manufactured at wafer level |
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