JPS6012273Y2 - 円筒型セラミツクコンデンサ - Google Patents

円筒型セラミツクコンデンサ

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JPS6012273Y2
JPS6012273Y2 JP6838976U JP6838976U JPS6012273Y2 JP S6012273 Y2 JPS6012273 Y2 JP S6012273Y2 JP 6838976 U JP6838976 U JP 6838976U JP 6838976 U JP6838976 U JP 6838976U JP S6012273 Y2 JPS6012273 Y2 JP S6012273Y2
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JP
Japan
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solder
metal cap
capacitor
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cylindrical ceramic
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JP6838976U
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JPS52158841U (ja
Inventor
敏之 萩原
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太陽誘電株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は改良された円筒型セラミックコンデンサに関す
るものである。
従来の円筒型セラミックコンデンサは一般に第1図に示
す如く構成されている。
即ち、コンデンサの誘電体として働く円筒型セラミック
素体1の内周面2に内部電極3が形成され、その外周面
4に外部電極5が形成され、内部電極3の外周面への導
出部3aに金属キャップ6が覆せられ、又、外部電極5
にも同様な金属キャップ6が覆せられている。
金属キャップ6と電極3.5とは半田浸漬によって半田
7で結合されているので、金属キャップ6の外側の電極
特に外部電極5上にも半田7が付着している。
8は防湿及び電気的絶縁等のためのエポキシ、フェノー
ル変性エポキシ等から戒る保護膜であって、リード線9
を除いた全外周面に設けたものである。
一般に上述の如き円筒型セラミックコンデンサは例えば
プリント基板に装着され、プリント基板を半田浸漬する
ことによって回路に半田結合される。
このような半田接着時には約270℃、約1ωecの熱
がコンデンサのリード線に加わる。
また上述の半田接着時に限ることなく、コンデンサの接
続又は使用においてコンデンサに熱が加わることがある
完成後のコンデンサに半田7の融点以上の熱が加わると
、半田7が溶融し、且つ著しく熱膨張する。
このため、半田7がコンデンサの中空部分に流出して外
部電極5と内部電極3との間の特性劣化又は短絡を起す
ことがあった。
又ハーメチックシールのための半田浸漬時に半田7が中
空部まで浸入してコンデンサ特性の劣化を起す恐れがあ
った。
そこで、本考案は上述の如き欠陥を是正した円筒型セラ
ミックコンデンサの提供を目的とするものである。
上記目的を遠戚するための本考案は、円筒型セラミック
素体の内周面と一端面と外周面の一部とに連続的に設け
た内部電極と、前記セラミック素体の外周面のみに設け
た外部電極とから威る円筒型セラミックコンデンサ素子
に、端子機能を有する一対の略コツプ状金属キャップを
嵌着し、前記一対の金属キャップを前記内部電極と前記
外部電極とにそれぞれ半田で接着する構造の円筒型セラ
ミックコンデンサにおいて、前記セラミック素体の前記
内周面の前記内部電極と前記外部電極との間の前記セラ
ミック素体の表面の少なくとも一部に合成樹脂からなる
半田流動阻止膜を設け、且つ前記金属キャップの内周面
に半田非付着膜を設けたことを特徴とする円筒型セラミ
ックコンデンサに係わるものである。
上記考案によれば、内部電極と外部電極との間に半田流
動阻止膜を設けるのみでなく、金属キャップの内面に半
田非付着膜を設けるので、半田浸入を大幅に阻止するこ
とが可能になる。
従って、特性劣化又は不良の発生を防止することが出来
る。
次に図面を参照して本考案の実施例に付いて述べる。
第2図〜第9図は本考案の実施例に係わる円筒型セラミ
ックコンデンサ及びその製造方法を説明するためのもの
であって、第2図は電極が設けられたコンデンサ素子1
1を示し、第3図〜第5図は金属キャップ12を示す、
第6図及び第7図はコンデンサ素子11に金属キャップ
12を嵌着し且つマスキングした状態を示し、第8図は
コンデンサ素子11に金属キャップ12を半田接着した
状態を示し、第9図は完成した円筒型磁器コンデンサを
示す。
コンデンサ素子11は第2図に示すように円筒型セラミ
ック素体13の内周面14及び外周面15の一部に内部
電極16を設け、且つ内周面上の内部電極16に対向さ
せて外周面15に外部電極17を設け、更に内周面に設
けられた内部電極16と外部電極17との間のセラミッ
ク素体面に熱変形温度の高いソルダレジストインク又は
フイノールジン#100(オリジン電気株式会社製)等
から成る半田流動阻止膜30を設けたものである。
この実施例では円筒型セラミック素体13の両端部13
a、13bが丸みを有するように研摩されている。
これにより、内部電極16の導出部16aに至る金属層
の厚みが均一になる。
又、この様に端部13a、13bが丸みをおびていれば
、金属キャップ12の嵌着を容易に行うことが出来る。
内部電極16及び外部電極17は夫々銀で形成されてい
る。
尚、円筒型セラミック素体13の幾何学的大きさを例示
すれば、その外径が2鴫、その長さが7rIgftであ
る。
金属キャップ12は第3図〜第5図に示す如く、円筒部
18と閉塞部20とによってコツプ状に形成されており
、その円筒部18に弾性的に変形又は変位可能な4つの
突起19がプレス加工によって設けられている。
この金属キャップの幾何学的大きさを例示すれば、円筒
部18の内径が約2.1mm、突起9の高さが約0.1
mm、キャップ12の金属板の厚さが0.2ymである
尚円筒部18の開放端の内径はバラツキによって生じた
最大径のコンデンサ素子11であっても挿入出来る大き
さであり、突起19の高さはバラツキによって生じた最
小径のコンデンサ素子11であって弾性的に保持するこ
とが出来る大きさである。
即ち、円筒型セラミック素体13及び電極を設けたコン
デンサ素子11の外径にバラツキが生じてもそのバラツ
キが許容範囲内であれば、コンデンサ素子11が円滑に
挿入出来且つ突起19で弾性的に保持出来る大きさであ
る。
尚第3図〜第9図に於いては図示されていないが、金属
キャップ12の外周面には極めて薄い半田メッキ層が設
けられている。
また、第3図〜第9図では図示が省略されているが、金
属キャップ12の内周面には第11図に示す如く半田非
付着膜31が設けられている。
従って、後の工程で半田24でシールする際に、半田2
4が金属キャップ12の内側に流れ込むことが抑制され
る。
第2図に示す如きコンデンサ素子11及び第3図〜第5
図に示す如き金属キャップ12が用意されたら次に、第
6図及び第7図に示す如く、コンデンサ素子11に金属
キャップ12を嵌着する。
この時、円筒型セラミック素体13の端部13a、13
bが丸みを有していること、及び金属キャップの弾性的
変形で突起19が弾性的に変位することによって、比較
的容易にコンデンサ素子11に金属キャップ12を嵌着
することが出来る。
又、金属キャップ12を一旦所定位置に装着すれば、突
起19による弾性的保持によって金属キャップ12の位
置ずれが生じなくなる。
金属キャップ12の嵌着が終了したら、第6図に示す如
く金属キャップ12の外側表面の大部分及び外部電極1
7の上面に半田流動阻止膜30と同一材料の半田非付着
膜22を選択的に設ける。
半田非付着膜22は金属キャップ12及び外部電極17
上のみならず、セラミック素体13の上にも設けられて
いるが、このセラミック素体13上の半田非付着膜22
は作業性を良くするために対称形に塗布した結果上じた
ものである。
マスキング即ち半田非付着膜の形成が終了したら、半田
接着及びハーメチックシールをするために、まず、加熱
炉の中に金属キャップ12を嵌着したコンデンサ素子1
1を挿入し、徐々に加熱温度を高め、約240〜250
℃で約2分間の加熱処理をし、円筒型セラミック素体1
3の内部の空気を突起19によって生じた細隙23を介
して排出する。
次に、加熱処理に続いて融点187℃の半田を約220
〜240°Cに加熱して得た半田浴に加熱処理によって
温度が高められているコンデンサ素子11と金属キャッ
プ12との結合体を浸漬し、半田浴から引き上げた後に
自然冷却する。
これにより、コンデンサ素子11の外周の電極17及び
導出部16aと金属キャップ12に半田非付着膜22が
設けられていない部分とが半田24で接着される。
これにより、セラミック素体13の中空部のハーメチッ
クシールが完全に達成される。
この半田接着の際、半田流動阻止膜30が外部電極17
に隣。
接して設けられているので、半田が細隙を介して浸入し
て来ても、この半田流動阻止膜30の部分で阻止され、
これより奥にはほとんど流れない。
従って、外部電極17と内部電極16との間の絶縁特性
が劣化することはない。
また金属キャップ12の外側表面の大部分及び外部電極
17上には半田非付着膜22が設けられているために、
ここには半田が付着せず、半田24の付着量及び付着面
積が大幅に規制される。
半田付けが終了したら、次に、これを半田融点以下の約
160℃で約2分間加熱し、加熱した状態でエポキシ、
フェノール変性エポキシ等の熱硬化性合成樹脂の粉末に
接触させ、合成樹脂の粉末をリード線21を除いた外周
面に被着させ、しかる後、約160℃約2吻の加熱処理
で最終的に合成樹脂被覆層25を第9図に示すように形
成する。
この合成樹脂被覆工程に於いて加熱処理を施しても円筒
型セラミックコンデンサはハーメチックシールされてい
るために内部から空気が隙間を通って排出されてくるこ
とがない。
もし、隙間があれば排出される空気によって合成樹脂被
覆が良好に達成されず、外観不良を発生する。
これ迄の説明から理解出来るように、外部電極17と内
部電極16との間のセラミック素体13の表面に半田流
動阻止膜30が設けられているので、金属キャップ12
の半田接着のときに半田24が中空部に浸入するのが阻
止され、且つ完成したコンデンサをプリント基板等に半
田結合する際の加熱によって溶融した半田24がコンデ
ンサ素子11の内部に浸入するのが半田流動阻止膜3゜
によって阻止され、半田浸入によるコンデンサ特性の劣
化及び不良の発生が抑えられる。
又、金属キャップ12及び外部電極17の大部分に半田
非付着膜22を設けて半田24を金属キャップ12と電
極16.17との境界部及びその近傍のみに規制してい
るので、プリント基板等にコンデンサを結合する際の加
熱によって半田24が溶融してもリード線21の方向に
流れ出ることはない。
又、合成樹脂被覆層25の金属キャップ12の上面との
間に半田が介在せず、半田非付着膜22が介在している
ので、半田の流出又は劣化又は熱サイクルによる半田の
膨張収縮によって水分浸入経路が形成されるようなこと
がなく、特性劣化の少ないコンデンサを提供出来る。
又、この実施例では、金属キャップ12に突起19を設
けてその内周を非円形とし、コンデンサ素子11との間
に細隙23が生じるようになし、且つ加熱により内部の
空気を排出した状態で半田浸漬しているので、ハーメチ
ックシールが完全に達成されている。
又、ハーメチックシールがなされているので、その後、
樹脂被覆のための加熱をしても内部から空気が排出され
て樹脂被覆が剥れる不良が発生することがない。
又、方実施例に於ける金属キャップ12は弾性変位する
突起19を有しているので、金属キャップ12のコンデ
ンサ素子11への嵌着が容易且つ確実である。
又、金属キャップ12の開放端の内部をコンデンサ素子
11の外径よりも大にしであるので、コンデンサ素子1
1を円滑に挿入することが可能である。
又、本実施例ではセラミック素体13の端部13a、1
3bが丸みを有するように成形されているので、金属キ
ャップ12へのコンデンサ素子11の挿入が極めて容易
に達成出来、且つセラミック素体13の端部を被損する
ことが少なくなる。
以上、本考案の1実施例に付いて述べたが、本考案は上
述の実施例に限定されるものではなく更に変形可能なも
のである。
例えば、第10図に示す如く内部電極16と外部電極1
7との間全体に半田流動阻止膜30を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の円筒型セラミックコンデンサの断面図、
第2図〜第9図は本考案の1実施例を示すものであって
、第2図はコンデンサ素子の断面図、第3図は金属キャ
ップの正面図、第4図は第3図のキャップの右側面図、
第5図は第3図のキャップの縦断面図、第6図はコンデ
ンサ素子に金属キャップを覆せ且つ半田非付着膜を設け
た状態の断面図、第7図は第6図の■−■線断面図、第
8図は第9図の■−■線に於ける断面図、第9図は完成
した円筒型セラミックコンデンサの断面図、第10図は
コンデンサ素子の変形例を示す断面図、第11図は金属
キャップの内面を説明するための断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、11はコンデン
サ素子、12は金属キャップ、13はセラミック素体、
16は内部電極、17は外部電極、24は半田、30は
半田流動阻止膜である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 円筒型セラミック素体の内周面と一端面と外周面の一部
    とに連続的に設けた内部電極と、前前セラミック素体の
    外周面のみに設けた外部電極とから成る円筒型セラミッ
    クコンデンサ素子に、端子機能を有する一対の略コツプ
    状金属キャップを嵌着し、前記一対の金属キャップを前
    記内部電極と前記外部電極とにそれぞれ半田で接着する
    構造の円筒型セラミックコンデンサにおいて、 前記セラミック素体の前記内周面の前記内部電極と前記
    外部電極との間の前記セラミック素体の表面の少なくと
    も一部に合成樹脂からなる半田流動阻止膜を設け、且つ
    前記金属キャップの内周面に半田非付着膜を設けたこと
    を特徴とする円筒型セラミックコンデンサ。
JP6838976U 1976-05-27 1976-05-27 円筒型セラミツクコンデンサ Expired JPS6012273Y2 (ja)

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JPS52158841U JPS52158841U (ja) 1977-12-02
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