JPS60118839A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS60118839A JPS60118839A JP58226380A JP22638083A JPS60118839A JP S60118839 A JPS60118839 A JP S60118839A JP 58226380 A JP58226380 A JP 58226380A JP 22638083 A JP22638083 A JP 22638083A JP S60118839 A JPS60118839 A JP S60118839A
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- JP
- Japan
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- resist
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造］二程において使用
されるフォトマスクの製造方法、とくに高精度のパター
ン寸法の線幅を有づるフ７Ｉｊ〜マスクの製造方法に関
する。
されるフォトマスクの製造方法、とくに高精度のパター
ン寸法の線幅を有づるフ７Ｉｊ〜マスクの製造方法に関
する。
従来のフォトマスクの製造方法としては、第１図に示す
ような工程が使用されている。すなわち、第１図（ａ）
において、ガラス基板１上に０１層２とポジ型フォトレ
ジスト３とを順次積層したフォトマスクブランク４に、
所望の線幅を得るべく露光マスク５を通して、フォ］・
レジスト３に水銀ランプ６により露光する。次に、同図
（ｂ）において、現像液により現像して、未露光部分に
レジストパターン７を形成する。次に、同図（Ｃ）にお
いて、９０℃前後のドライＮ２中でボスＩ−ベークを行
った後、レジストパターン７下以外のＣｒＰ２をエツチ
ング液によりエツチングして、そのしシストパターン７
下にＯｒパターン８を形成づる。
ような工程が使用されている。すなわち、第１図（ａ）
において、ガラス基板１上に０１層２とポジ型フォトレ
ジスト３とを順次積層したフォトマスクブランク４に、
所望の線幅を得るべく露光マスク５を通して、フォ］・
レジスト３に水銀ランプ６により露光する。次に、同図
（ｂ）において、現像液により現像して、未露光部分に
レジストパターン７を形成する。次に、同図（Ｃ）にお
いて、９０℃前後のドライＮ２中でボスＩ−ベークを行
った後、レジストパターン７下以外のＣｒＰ２をエツチ
ング液によりエツチングして、そのしシストパターン７
下にＯｒパターン８を形成づる。
そして、同図（ｄ）において、レジストパターン７を剥
自１し−て、フ第１・マスク９が製造される。
自１し−て、フ第１・マスク９が製造される。
このようなフォトマスクの製造方法によれば、フォ［・
マスク９のパターン線幅Ｘが所望値を１！７でいるか否
かについで、製造後に評価するしかなく、所望値の範囲
外ひあれば、そのフォトマスク９は不良として処分され
ていた。一方、所望なパターン線幅を得るためには、）
）ＩＩ−マスク！Ｐ！！造用のプロレス装置に刻して温
度等の外的条件を可なり厳しく与えて、同装置を保持し
なければならなかった。
マスク９のパターン線幅Ｘが所望値を１！７でいるか否
かについで、製造後に評価するしかなく、所望値の範囲
外ひあれば、そのフォトマスク９は不良として処分され
ていた。一方、所望なパターン線幅を得るためには、）
）ＩＩ−マスク！Ｐ！！造用のプロレス装置に刻して温
度等の外的条件を可なり厳しく与えて、同装置を保持し
なければならなかった。
本発明は、上記したような従来の欠点を除去するために
なされたもので、フォトマスク製造用のプロレス装置に
対して厳しい外的条件を与えることなく、非常に高精度
に、かつ容易にパターン線幅を所望値に近づ（プること
のできる）７１１〜マスクの製造方法を提供することを
目的としでいる。
なされたもので、フォトマスク製造用のプロレス装置に
対して厳しい外的条件を与えることなく、非常に高精度
に、かつ容易にパターン線幅を所望値に近づ（プること
のできる）７１１〜マスクの製造方法を提供することを
目的としでいる。
このような目的を達成するため、本発明は、エツチング
工程にて、所定時間よりも短目のエツチング時間で残存
レジストパターン下以外の金属薄膜部分をエツチングし
て、太目の線幅を有づる金属パターンを形成し、前記太
目の線幅を測定したうえで、追加エツチング時間を定め
て追加エツチングすることにより所望な線幅を右りる金
属パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの
製造方法である。
工程にて、所定時間よりも短目のエツチング時間で残存
レジストパターン下以外の金属薄膜部分をエツチングし
て、太目の線幅を有づる金属パターンを形成し、前記太
目の線幅を測定したうえで、追加エツチング時間を定め
て追加エツチングすることにより所望な線幅を右りる金
属パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの
製造方法である。
以下、本発明の一実施例であるポジ型フＡ１〜レジスト
を被覆した場合のフォトマスクの製造方法について、第
２図を参照して説明する。先ず、第２図（ａ）において
、透光性のアルミツボ日シリケートガラス（（株）保谷
硝子製：ＬＥ−３０）等から製作されたガラス基板１の
一方の主面上に、遮光性金属薄膜としてりＤム膜２（膜
厚：約７０ＯＡ）を真空蒸着等により形成し、更に、こ
のクロム膜２上にポジ型フォトレジスト３（米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ製：ＡＺ−１３５０等）（膜厚：約４，０００
人）を被覆して成るフォトマスクブランク４を用意し、
このフォトマスクブランク４のレジスト３の上面に、所
望の設計パターン線幅（本例：Ｘ０＝３μ箱）を右づる
露光マスク５を密着させた状態で、この露光マスク５の
上方から水銀ランプ６（波長＝３００〜５００ｎｍ ）
Ｉ’Ｃヨル６７ｍｊ／ Ｃｍ２ｆ７）光エネルギーで
露光マスク５下以外のレジスト３を露光する。
を被覆した場合のフォトマスクの製造方法について、第
２図を参照して説明する。先ず、第２図（ａ）において
、透光性のアルミツボ日シリケートガラス（（株）保谷
硝子製：ＬＥ−３０）等から製作されたガラス基板１の
一方の主面上に、遮光性金属薄膜としてりＤム膜２（膜
厚：約７０ＯＡ）を真空蒸着等により形成し、更に、こ
のクロム膜２上にポジ型フォトレジスト３（米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ製：ＡＺ−１３５０等）（膜厚：約４，０００
人）を被覆して成るフォトマスクブランク４を用意し、
このフォトマスクブランク４のレジスト３の上面に、所
望の設計パターン線幅（本例：Ｘ０＝３μ箱）を右づる
露光マスク５を密着させた状態で、この露光マスク５の
上方から水銀ランプ６（波長＝３００〜５００ｎｍ ）
Ｉ’Ｃヨル６７ｍｊ／ Ｃｍ２ｆ７）光エネルギーで
露光マスク５下以外のレジスト３を露光する。
次に、同図（ｂ）において、現１１１液（本例：ＡＺ−
１３５０デベ［」ツバ）により所定時間（本例二６０秒
）現像処理して、レジスト露光部分を除去して、残存レ
ジストパターン７を形成Ｊる。この後、Ｑ’Ｃ前後のド
ライＮ２中でポストベークを行い このレジスト７とク
ロム膜２のイ」管強度を向′１させる。
１３５０デベ［」ツバ）により所定時間（本例二６０秒
）現像処理して、レジスト露光部分を除去して、残存レ
ジストパターン７を形成Ｊる。この後、Ｑ’Ｃ前後のド
ライＮ２中でポストベークを行い このレジスト７とク
ロム膜２のイ」管強度を向′１させる。
次ｔこ、同図（Ｃ）において、クロムＩｔ！４２に応じ
たエツチング液（本例：硝酸セリウムアンモン１６５ｇ
と過塩素酸５０１１１を純水１）の比率で混合した水溶
？Ｉりにて、通常の１ツチング一時間、すなわち、所望
の設計パターン線幅（本例：Ｘｏ＝３μｍ）が得られる
エツチング時間（本例：４０秒）よりも短い時間（本例
＝２５秒）で予備１ツチング１−る。この予備エツチン
グ時間のうち、約２０秒経過時において、レジストパタ
ーン７の付着しでいない領域におりるクロム膜２の部分
がエツチングされて、この部分のクロム膜が取り去られ
、２５秒経過時において、レジストパターン７下の残存
したクロムパターン８゛が多少アンダーカットされるも
のの、前述した所望の設計パターン線幅よりも太目に形
成される。
たエツチング液（本例：硝酸セリウムアンモン１６５ｇ
と過塩素酸５０１１１を純水１）の比率で混合した水溶
？Ｉりにて、通常の１ツチング一時間、すなわち、所望
の設計パターン線幅（本例：Ｘｏ＝３μｍ）が得られる
エツチング時間（本例：４０秒）よりも短い時間（本例
＝２５秒）で予備１ツチング１−る。この予備エツチン
グ時間のうち、約２０秒経過時において、レジストパタ
ーン７の付着しでいない領域におりるクロム膜２の部分
がエツチングされて、この部分のクロム膜が取り去られ
、２５秒経過時において、レジストパターン７下の残存
したクロムパターン８゛が多少アンダーカットされるも
のの、前述した所望の設計パターン線幅よりも太目に形
成される。
通常、加工工程の条件を厳しく制御させない装置では、
クロムパターンの線幅にＯ１１〜０．３μｍ程度の太目
のバラツキを生じている。この状態で、本例の６０ムパ
ターン８′の線幅を、透過光を用いた線幅測定器により
測定すると、 この測定値×３は、クロムパターン８′
上に残存レジスｉ・パターン７が付着しているために、
この残存レジストパターン７を除去した接のクロムパタ
ーン８′の線幅Ｘ より、予め実験でめたＸｌ （本例
：Ｘ１＝ ０．０３μｍ）だけ太目に測定される（本例
：Ｘ ＝ ３．１３ μｍｌ。この測定値×３と×１を
用いて、同図（Ｃ）のクロムパターン８゛の線幅×２は
Ｘ ＝Ｘ −Ｘｌ（本例： Ｘ２＝ ３．１３−０．０
３ ３＝３．１０μｎ＋）よりまる。そこで、所望のクロム
パターンの設計線幅ＸＯを得るためには、同図（ｃ）の
クロムパターン８′が線幅（×２−ｘ。
クロムパターンの線幅にＯ１１〜０．３μｍ程度の太目
のバラツキを生じている。この状態で、本例の６０ムパ
ターン８′の線幅を、透過光を用いた線幅測定器により
測定すると、 この測定値×３は、クロムパターン８′
上に残存レジスｉ・パターン７が付着しているために、
この残存レジストパターン７を除去した接のクロムパタ
ーン８′の線幅Ｘ より、予め実験でめたＸｌ （本例
：Ｘ１＝ ０．０３μｍ）だけ太目に測定される（本例
：Ｘ ＝ ３．１３ μｍｌ。この測定値×３と×１を
用いて、同図（Ｃ）のクロムパターン８゛の線幅×２は
Ｘ ＝Ｘ −Ｘｌ（本例： Ｘ２＝ ３．１３−０．０
３ ３＝３．１０μｎ＋）よりまる。そこで、所望のクロム
パターンの設計線幅ＸＯを得るためには、同図（ｃ）の
クロムパターン８′が線幅（×２−ｘ。
）だり太目になっていることから、 この線幅（Ｘ −
Ｘ６１分だ（〕更にエツチング処理を追加し、線幅を細
くりる必要がある。
Ｘ６１分だ（〕更にエツチング処理を追加し、線幅を細
くりる必要がある。
従って、本発明Ｃは、同図（ｄ）において、更に、アン
ダーカッ１〜速度Ｖｕ（本例： ０．０１μｍ１秒）で
同図（Ｃ）で承したクロムパターン８′の線幅Ｘ を（
Ｘ２−Ｘｏ）だ（）細クシ、（×２−Ｘ。
ダーカッ１〜速度Ｖｕ（本例： ０．０１μｍ１秒）で
同図（Ｃ）で承したクロムパターン８′の線幅Ｘ を（
Ｘ２−Ｘｏ）だ（）細クシ、（×２−Ｘ。
１ ／ＶＬＩ秒（本例： （３，１０−３，００１／
０．０１−１０秒）だ（プ追加エツチング（ることによ
り、所望のクロムパターン８″の設削線幅Ｘ。を１（す
る。
０．０１−１０秒）だ（プ追加エツチング（ることによ
り、所望のクロムパターン８″の設削線幅Ｘ。を１（す
る。
そして、最後に、同図（ｅ）において、残存レジスト７
を剥１’！１Ｍ（本例：硫酸と過酸化水素水の１１９合
液）に（剥離しＣ１所望の設削線幅Ｘ。（本例：Ｘ、、
＝３μｍ）のクロムパターン８°°を形成したフォトマ
スク９を得る。
を剥１’！１Ｍ（本例：硫酸と過酸化水素水の１１９合
液）に（剥離しＣ１所望の設削線幅Ｘ。（本例：Ｘ、、
＝３μｍ）のクロムパターン８°°を形成したフォトマ
スク９を得る。
以上の実施例は、フ７＋トレジストとしてポジ型フＡト
レジス１へ３を使用したが、ネガ型フォトレジストを使
用し−Ｃもよい。第３図は、ネガ型フＡ１−レジスト３
′ （本例：東京応化工業（株）製：ＯＭＲ−８３、膜
厚：約７．０００人）を使用したフォトマスクブランク
４′の本発明の他の実施例を示し、本例では前実施例と
対比して、露光マスク５′は、残存レジストに対応層る
部分を透光性にし、それ以外の部分を遮光性にしており
、５１１１１ｊ／ｃｍ２の光エネルギーでネガ型フ４ト
レジスト３′を露光する。この露光工程後については、
第２図（ｂ）〜（ｅ）と同様な工程を行う。ただし、現
像液については専用液を使用し、その現像時間は本例で
は、１５０秒となる。
レジス１へ３を使用したが、ネガ型フォトレジストを使
用し−Ｃもよい。第３図は、ネガ型フＡ１−レジスト３
′ （本例：東京応化工業（株）製：ＯＭＲ−８３、膜
厚：約７．０００人）を使用したフォトマスクブランク
４′の本発明の他の実施例を示し、本例では前実施例と
対比して、露光マスク５′は、残存レジストに対応層る
部分を透光性にし、それ以外の部分を遮光性にしており
、５１１１１ｊ／ｃｍ２の光エネルギーでネガ型フ４ト
レジスト３′を露光する。この露光工程後については、
第２図（ｂ）〜（ｅ）と同様な工程を行う。ただし、現
像液については専用液を使用し、その現像時間は本例で
は、１５０秒となる。
なお、本発明において使用できる材料及び成膜方法は、
前述した実施例に限定されず、例えば、ガラス基板につ
いてはソーダライムガラス、合成石英等、遮光性金属薄
膜については酸化クロム、モリブデン、タングステン、
チタン等、及び成膜方法については、スパッタリング、
イオンプレーディング等を使用してもよい。また、レジ
ストについては通常のポジ型又はネガ型のノＡ］〜レジ
スト以外にも、ＥＢ露光法によるＥＢ用ポジ型又はネガ
型のＥＢレジストを使用してもよい。このＥ［３露光法
の場合には、前述した露光マスク５，５′を使用しない
で、選択的に露光りることかできる。
前述した実施例に限定されず、例えば、ガラス基板につ
いてはソーダライムガラス、合成石英等、遮光性金属薄
膜については酸化クロム、モリブデン、タングステン、
チタン等、及び成膜方法については、スパッタリング、
イオンプレーディング等を使用してもよい。また、レジ
ストについては通常のポジ型又はネガ型のノＡ］〜レジ
スト以外にも、ＥＢ露光法によるＥＢ用ポジ型又はネガ
型のＥＢレジストを使用してもよい。このＥ［３露光法
の場合には、前述した露光マスク５，５′を使用しない
で、選択的に露光りることかできる。
以」−のとおり本発明にＪ：れば、）Ａｆ−マスクを製
造づるためのブＬ】セス装置を厳密に安定化することな
く、金属薄膜パターンの線幅を所望なパターン設８１線
幅に容易にかつ高精度に加工覆ることがぐぎ、良品率を
向」−さけることがて゛きる。
造づるためのブＬ】セス装置を厳密に安定化することな
く、金属薄膜パターンの線幅を所望なパターン設８１線
幅に容易にかつ高精度に加工覆ることがぐぎ、良品率を
向」−さけることがて゛きる。
第１図は従来の７７１１〜マスクの製造方法を示す工程
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明による一実施例
のフォトマスクの製造方法を示づ工程図である。 １・・・ガラス基板、２・・・り【」ム膜、３・・・ポ
ジ型フ−Ａ−ｌ〜レジス１へ、３′ ・・・ネガ型フＡ
１〜レジス１へ、４，４′ ・・・ツーＡｔ−マスクブ
ランク、５，５′ ・・・露光マスク、６・・・水銀ラ
ンプ、７・・・残存レジス］〜パターン、８′ ・・・
短目のエツチング時間で形成されたクロムパターン、８
″・・・追加エツチング時間で形成されたクロムパター
ン 手 続 補 正 書 （自発） １．事ｆｌの表示 昭和５８年特許願第２２６３８０号
２、発明の名称 フォトマスクの製造方法３、補正をＪ
る右 事件との関係 特許出願人 イ］所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１６
０ 置 ０３（３４８） １２２１ボ Ａ７ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の１特許請求の範囲」の欄（２） 明Ｉ
ＩＩ古の「発明の詳細な説明」の欄（１） 特許請求の
範囲を別紙の通り補正りる。 （２） 明細書筒５頁１３行目に「過塩素酸５０ｍＪど
あるを「過塩素酸５０ｄ」と補正゛する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 透光性のガラス基板の一方の主面上に遮光性の
金属薄膜とレジストを順次積層したフォトマスクブラン
クの前記レジスト玉選択的に露光する露光工程と、現像
液により現像して残存レジストパターンを形成する現像
工程と、エツチング液によりエツチングして前記残存レ
ジストパターン下に前記金属パターンを形成するエツチ
ング工程と、剥離液により前記残存レジストパターンを
剥離する剥離工程とを含むフォトマスクの製造方法にお
いて、前記エツチング工程にて、所定時間よりも短目の
エツチング時間で前記残存レジストパターン下以外の前
記金属薄膜部分をエツチングして、太目の線幅を右する
金属パターンを形成し、前記太目の線幅を測定したうえ
で、追加エツチング時間を定めて追加エツチングするこ
とにより所望な線幅を有する金属パターンを形成するこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法。
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明による一実施例
のフォトマスクの製造方法を示づ工程図である。 １・・・ガラス基板、２・・・り【」ム膜、３・・・ポ
ジ型フ−Ａ−ｌ〜レジス１へ、３′ ・・・ネガ型フＡ
１〜レジス１へ、４，４′ ・・・ツーＡｔ−マスクブ
ランク、５，５′ ・・・露光マスク、６・・・水銀ラ
ンプ、７・・・残存レジス］〜パターン、８′ ・・・
短目のエツチング時間で形成されたクロムパターン、８
″・・・追加エツチング時間で形成されたクロムパター
ン 手 続 補 正 書 （自発） １．事ｆｌの表示 昭和５８年特許願第２２６３８０号
２、発明の名称 フォトマスクの製造方法３、補正をＪ
る右 事件との関係 特許出願人 イ］所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１６
０ 置 ０３（３４８） １２２１ボ Ａ７ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の１特許請求の範囲」の欄（２） 明Ｉ
ＩＩ古の「発明の詳細な説明」の欄（１） 特許請求の
範囲を別紙の通り補正りる。 （２） 明細書筒５頁１３行目に「過塩素酸５０ｍＪど
あるを「過塩素酸５０ｄ」と補正゛する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 透光性のガラス基板の一方の主面上に遮光性の
金属薄膜とレジストを順次積層したフォトマスクブラン
クの前記レジスト玉選択的に露光する露光工程と、現像
液により現像して残存レジストパターンを形成する現像
工程と、エツチング液によりエツチングして前記残存レ
ジストパターン下に前記金属パターンを形成するエツチ
ング工程と、剥離液により前記残存レジストパターンを
剥離する剥離工程とを含むフォトマスクの製造方法にお
いて、前記エツチング工程にて、所定時間よりも短目の
エツチング時間で前記残存レジストパターン下以外の前
記金属薄膜部分をエツチングして、太目の線幅を右する
金属パターンを形成し、前記太目の線幅を測定したうえ
で、追加エツチング時間を定めて追加エツチングするこ
とにより所望な線幅を有する金属パターンを形成するこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Claims (1)
- （１） 透光性のガラス基板の一方の主面上に遮光性の
金属薄膜とレジストを順次積層したフォトマスクブラン
クの前記レジストの上面に選択的に露光りる露光工程と
、現像液により現像して残存レジストパターンを形成づ
る現像工程と、前記金属薄膜と前記レジス［・の付着強
度を向上させるボス］・ベーク工程と、エツチング液に
よりエツチングして前記残存レジストパターン下に前記
金属パターンを形成りるエツチングコニ程と、剥離液に
より前記残存レジス］へパターンを剥離する剥離工程ど
を含むフッ１１−マスクの製造方法において、前記エツ
チング工程にて、所定時間よりも短目のエツチング時間
で前記残存レジス］・パターン下以外の前記金属薄膜部
分をエツチングして、太目の線幅を右りる金属パターン
を形成し、前記太目の線幅を測定したうえで、追加エツ
チング時間を定めて追加エツチングすることにより所望
な線幅を有づる金属パターンを形成することを特徴とす
るフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226380A JPS60118839A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226380A JPS60118839A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60118839A true JPS60118839A (ja) | 1985-06-26 |
Family
ID=16844212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226380A Pending JPS60118839A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60118839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015219290A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS57116342A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Toshiba Corp | Manufacture of photomask |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58226380A patent/JPS60118839A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS57116342A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Toshiba Corp | Manufacture of photomask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015219290A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク基板 |
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