JPS60117430A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPS60117430A JPS60117430A JP58223324A JP22332483A JPS60117430A JP S60117430 A JPS60117430 A JP S60117430A JP 58223324 A JP58223324 A JP 58223324A JP 22332483 A JP22332483 A JP 22332483A JP S60117430 A JPS60117430 A JP S60117430A
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- JP
- Japan
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- group
- protective film
- film
- recording medium
- rays
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
- G11B7/2545—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins containing inorganic fillers, e.g. particles or fibres
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は記録、再生、消去等に用いられるディスクメモ
リー等の光ディスクに関し、更に詳細には防塵、防傷、
防食のため金属反射膜あるいは記録媒体膜を被覆する光
デイスク保護膜に関する。
リー等の光ディスクに関し、更に詳細には防塵、防傷、
防食のため金属反射膜あるいは記録媒体膜を被覆する光
デイスク保護膜に関する。
光ディスクは集光したレーザ元により記録面上に形成さ
れている微細な凹凸信号ピットを反射強度の差で読み取
るもので、一般にガラスあるいはプラスチック製の基板
上に、再生専用の光ディスクの場合には、ｋｌ、ｋｇ等
の薄い反射膜を、情報の記録も可能な光ディスクの場合
にはＴｅ、Ｔｅａ。
れている微細な凹凸信号ピットを反射強度の差で読み取
るもので、一般にガラスあるいはプラスチック製の基板
上に、再生専用の光ディスクの場合には、ｋｌ、ｋｇ等
の薄い反射膜を、情報の記録も可能な光ディスクの場合
にはＴｅ、Ｔｅａ。
Ｔｅ−Ｃ，Ｔｅ−Ｃ８，、ＢＬ、Ｍｎ等の薄膜を記録媒
体膜としてそれぞれ設けている。そしてこれらの薄膜が
外気の水蒸気、酸素等に酸化されたり、ゴミが付着する
のを防止するために、これらの薄膜の上に更に有機保護
膜を設けている。
体膜としてそれぞれ設けている。そしてこれらの薄膜が
外気の水蒸気、酸素等に酸化されたり、ゴミが付着する
のを防止するために、これらの薄膜の上に更に有機保護
膜を設けている。
この有機保護膜きして紫外線の照射により硬化する紫外
線硬化型の保護膜が加熱により硬化する熱硬化型の保護
膜に比べ以下１〜３の点で優れているため注目されてい
る。
線硬化型の保護膜が加熱により硬化する熱硬化型の保護
膜に比べ以下１〜３の点で優れているため注目されてい
る。
１、無溶剤型であるため保護膜材料の塗布時に、記録媒
体膜層を有するプラスチック基板を侵さない。
体膜層を有するプラスチック基板を侵さない。
２、紫外線により硬化するため、加熱により基板記録媒
体膜の品質を低下させることがない。
体膜の品質を低下させることがない。
３、短時間で硬化できる。
この紫外線硬化型の保護膜として、従来硬化時に酸素に
よる重合阻害を受けない、容易に硬化する、硬化した保
護膜と記録媒体膜との密着性が良い等の点からエポキシ
系の保護膜が用いられている。そして、この紫外線硬化
型の保護膜を紫外線で硬化反応を開始させる光開始剤と
して、（ＸはＳｂＦ、、ＡｓＦ６ 、ＰＦ６．ＢＰ、、
ＣＦ、Ｓｏ。
よる重合阻害を受けない、容易に硬化する、硬化した保
護膜と記録媒体膜との密着性が良い等の点からエポキシ
系の保護膜が用いられている。そして、この紫外線硬化
型の保護膜を紫外線で硬化反応を開始させる光開始剤と
して、（ＸはＳｂＦ、、ＡｓＦ６ 、ＰＦ６．ＢＰ、、
ＣＦ、Ｓｏ。
など）
等のルイス酸の塩を用いているが、このルイス酸の塩は
紫外線の照射により分解して発生するルイス酸が記録媒
体−を腐食してしまい、ｆ＃遺される光ディスクを品質
低下させるという欠点を何していた５、 〔発明の目的〕 本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、短
時間で硬化し、ルイス酸を発生させず記録媒体膜を腐食
させない保護膜を有する光ディスクを提供することを目
的とする。
紫外線の照射により分解して発生するルイス酸が記録媒
体−を腐食してしまい、ｆ＃遺される光ディスクを品質
低下させるという欠点を何していた５、 〔発明の目的〕 本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、短
時間で硬化し、ルイス酸を発生させず記録媒体膜を腐食
させない保護膜を有する光ディスクを提供することを目
的とする。
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、集
光したレーザ光により記録面上の微細な凹凸信号ビット
を反射強度の差で読み取る光ディスクにおいて、上記記
録面上の記録媒体膜を被覆する保護膜が、エポキシ樹脂
と、有機アルミニウム化合物と、紫外線照射によりシラ
ノール基を生ずるケイ素化合物を含有する樹脂組成物の
硬化物からなることを特徴とする光ディスクである。
光したレーザ光により記録面上の微細な凹凸信号ビット
を反射強度の差で読み取る光ディスクにおいて、上記記
録面上の記録媒体膜を被覆する保護膜が、エポキシ樹脂
と、有機アルミニウム化合物と、紫外線照射によりシラ
ノール基を生ずるケイ素化合物を含有する樹脂組成物の
硬化物からなることを特徴とする光ディスクである。
ここで本発明に係る保護膜は次のようにして形成させる
ことができる。まず、液状エポキシ樹脂、有機アルミニ
ウム化合物、紫外線照射によりシラノール基を生ずるケ
イ素化合物を十分に攪拌・混合し紫外線硬化型ラッカー
を製造する。この際に防錆性を高めるためワックス等の
添加物を加えることも可能である。
ことができる。まず、液状エポキシ樹脂、有機アルミニ
ウム化合物、紫外線照射によりシラノール基を生ずるケ
イ素化合物を十分に攪拌・混合し紫外線硬化型ラッカー
を製造する。この際に防錆性を高めるためワックス等の
添加物を加えることも可能である。
この紫外線硬化型ラッカーを光デイスク基板上に形成さ
せた）、１．ｋｌｉ等の反射膜あるいはＴｅ。
せた）、１．ｋｌｉ等の反射膜あるいはＴｅ。
Ｔｅａ、Ｔｅ−Ｃ，ＢＬ 等の記録媒体膜上にスピンコ
ード法、スクリーン印刷法、ロールコータ−法。
ード法、スクリーン印刷法、ロールコータ−法。
バーコーター法等の方法によりコーティングし、これを
紫外線の照射により硬化させる。
紫外線の照射により硬化させる。
この紫外線を発生させる光臨としては、低圧水銀ランプ
、高圧水銀ランプ、カーボンアークランプ、キセノンラ
ンプ、メタルハライドランプ等を使用することができる
。この紫外線照射時間は液状エポキシ樹脂等の組数、光
源の強度等により異なるが、通常１秒〜３０分、好まし
くは２０秒〜１分である。
、高圧水銀ランプ、カーボンアークランプ、キセノンラ
ンプ、メタルハライドランプ等を使用することができる
。この紫外線照射時間は液状エポキシ樹脂等の組数、光
源の強度等により異なるが、通常１秒〜３０分、好まし
くは２０秒〜１分である。
筺た。紫外線の照射によりコーティングした紫外線硬化
型ラッカーを硬化させる際に紫外線の照射と同時に加熱
手段も併用して硬化させることもできる。この加熱温度
は液状エポキシ樹脂の組成等により異なるが３０℃〜２
００℃、好ましくは５０℃〜１００℃である。尚、硬化
後に行なうアフタキエアにおいても同程度の加熱温度が
好ましい。
型ラッカーを硬化させる際に紫外線の照射と同時に加熱
手段も併用して硬化させることもできる。この加熱温度
は液状エポキシ樹脂の組成等により異なるが３０℃〜２
００℃、好ましくは５０℃〜１００℃である。尚、硬化
後に行なうアフタキエアにおいても同程度の加熱温度が
好ましい。
この液状のエポキシ樹脂、有機アルミニウム化合物、紫
外線照射によりシラノール基を生ずるケイ素化合物から
なる紫外線硬化型ラッカーに紫外線を照射すると、前記
ケイ素化合物が光開始剤の役割を、有機アルミニウム化
合物が助触媒の役割を果たして、紫外線照射により発生
するシラノールが液状σ）エポキシ樹脂の開環重合を開
始させて前記紫外線硬化型ラッカーを硬化させる。従っ
て本発明に係る保護膜はその製造工程でルイス酸を発生
させないため、ルイス酸により元ディスク基板上の記録
媒体膜を腐食させずに、保護膜を設けた高品質の光ディ
スクを得ることができる。
外線照射によりシラノール基を生ずるケイ素化合物から
なる紫外線硬化型ラッカーに紫外線を照射すると、前記
ケイ素化合物が光開始剤の役割を、有機アルミニウム化
合物が助触媒の役割を果たして、紫外線照射により発生
するシラノールが液状σ）エポキシ樹脂の開環重合を開
始させて前記紫外線硬化型ラッカーを硬化させる。従っ
て本発明に係る保護膜はその製造工程でルイス酸を発生
させないため、ルイス酸により元ディスク基板上の記録
媒体膜を腐食させずに、保護膜を設けた高品質の光ディ
スクを得ることができる。
尚、本発明に係る硬化反応では紫外線照射によりシラノ
ール基を生ずるケイ素化合物が光開始剤の役割を果たす
ものであるが、更に紫外線でラジカルを発生するような
光開始剤、例えば１−フェニル−１，２−プロパンジオ
ン−２−（０−エトキシカルボニル）オキシム、２．２
−ジメトキシ２７ｚニル了セトフヱノン、ベンゾインイ
ソブチルエーテル等を添加しても構わない。
ール基を生ずるケイ素化合物が光開始剤の役割を果たす
ものであるが、更に紫外線でラジカルを発生するような
光開始剤、例えば１−フェニル−１，２−プロパンジオ
ン−２−（０−エトキシカルボニル）オキシム、２．２
−ジメトキシ２７ｚニル了セトフヱノン、ベンゾインイ
ソブチルエーテル等を添加しても構わない。
本発明組・蜘物の第１の必須成分である液状エポキシ樹
脂としては、−官能性エポキシ化合物及び多官能性エポ
キシ化合物があげられる。−官能性エホキシ化合物きし
ては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレ
ンオキシド、スチレンオキシド、フェニルクリシジルエ
ーテル、メチルグリシジルエーテル等があげられる。ま
た、多官能性エポキシ化合物としては、特に限定されな
いが、例えは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビス
フェノールＦ括りエポキシ樹月旨；フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；トリグリシジ
ルイソシアネート、ヒダントインエポキシ等の含複索環
エボギシ樹脂；水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；
プロピレングリコールジグリンジルエーテル、ペンタエ
リスリトール−ポリグリシジルエーテル等の脂肪積木エ
ポキシ樹脂；芳香族、脂肪族もしくは脂環式のカルボン
酸とエピクロルヒドリンとの反応ジこよって得られるエ
ポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；〇−了りルー
フエノールノボラック化合物とエピクロルヒドリンとの
反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；
ビスフェノールＡのそれぞれの水酸基の〇−位にアリル
基を有するジアリルビスフェノール化合物とエピクロル
ヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂等があげられ、こ１′Ｌらから選ばれた１種
もしくは２種以上のものを任意に使用することが出来る
。
脂としては、−官能性エポキシ化合物及び多官能性エポ
キシ化合物があげられる。−官能性エホキシ化合物きし
ては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレ
ンオキシド、スチレンオキシド、フェニルクリシジルエ
ーテル、メチルグリシジルエーテル等があげられる。ま
た、多官能性エポキシ化合物としては、特に限定されな
いが、例えは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビス
フェノールＦ括りエポキシ樹月旨；フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；トリグリシジ
ルイソシアネート、ヒダントインエポキシ等の含複索環
エボギシ樹脂；水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；
プロピレングリコールジグリンジルエーテル、ペンタエ
リスリトール−ポリグリシジルエーテル等の脂肪積木エ
ポキシ樹脂；芳香族、脂肪族もしくは脂環式のカルボン
酸とエピクロルヒドリンとの反応ジこよって得られるエ
ポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；〇−了りルー
フエノールノボラック化合物とエピクロルヒドリンとの
反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；
ビスフェノールＡのそれぞれの水酸基の〇−位にアリル
基を有するジアリルビスフェノール化合物とエピクロル
ヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂等があげられ、こ１′Ｌらから選ばれた１種
もしくは２種以上のものを任意に使用することが出来る
。
本発明の紫外線硬化性ラッカー、組成物の＠２の必須成
分であるアルミニウム化合物としては、アルミニウム原
子にアルコキシ基、フェノキシ基、アシルオキシ基、β
−ジケトナト４、ｏ−カルボニルフェノラド基などの結
合した有機アルミニウムの錯体化合物であることが好ま
しい。
分であるアルミニウム化合物としては、アルミニウム原
子にアルコキシ基、フェノキシ基、アシルオキシ基、β
−ジケトナト４、ｏ−カルボニルフェノラド基などの結
合した有機アルミニウムの錯体化合物であることが好ま
しい。
ここで、アルコキシ基としては炭素Ｉ２！ｉｌ〜１０の
ものが好ましく、メトキン、エトキシ、インプロポキシ
、ブトキシ、ベントオキシなどがアケラれ、フェノキシ
基としては、フェノキシ基、０−メチルフェノキシ基、
Ｏ−メトキシフェノキシ基ｐ−ニトロフェノキシ基、２
．６−シメチルフエノキシ基などがあげられ；アシルオ
キシ基としては、アセタト、プロピオナト、イソプロビ
オナトプチラト、ステアラド、エチルアセトアセタト、
プロビルアセトアセタト、プ千ルアセトアセタト、ジエ
チルマラト、ジピバロイルメタナトなどの配位子があげ
られ；β−ジケトナト基としては、例えば、アセチルア
セトナト、トリフルオロアセチルアセトナト、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト、 られ；０−カルボニルフェノラド基としては、例えば、
サリチルアルデヒダトがあげられる。
ものが好ましく、メトキン、エトキシ、インプロポキシ
、ブトキシ、ベントオキシなどがアケラれ、フェノキシ
基としては、フェノキシ基、０−メチルフェノキシ基、
Ｏ−メトキシフェノキシ基ｐ−ニトロフェノキシ基、２
．６−シメチルフエノキシ基などがあげられ；アシルオ
キシ基としては、アセタト、プロピオナト、イソプロビ
オナトプチラト、ステアラド、エチルアセトアセタト、
プロビルアセトアセタト、プ千ルアセトアセタト、ジエ
チルマラト、ジピバロイルメタナトなどの配位子があげ
られ；β−ジケトナト基としては、例えば、アセチルア
セトナト、トリフルオロアセチルアセトナト、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト、 られ；０−カルボニルフェノラド基としては、例えば、
サリチルアルデヒダトがあげられる。
このようなアルミニウム化合物の具体例としては、トリ
スメトキシアルミニウム、トリスエトキシアルミニウム
、トリスイソプロポキシアルミニウム、トリスフェノキ
シアルミニウム、トリスパラメチルフエノキシアルミニ
ウム、イソプロポキシジェトキシアルミニウム、トリス
ブトキシアルミニウム、トリスアセトキシアルミニウム
、トリスステアラドアルミニウム、トリスブチラドアル
ばニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリスイ
ソプロピオナトアルミニウム、トリスアセチルアセトナ
ドアルミニウム、トリストリフルオロアセチルアセトナ
ドアルミニウム、トリスヘキサフルオロアセチルアセト
ナドアルミニウム、トリスエチル了セトアセタトアルは
ニウム、トリスサリチルアルデヒダトアルミニウム、ト
リスジエチルマロフトアルミニウム、トリスプロピルア
セトアセタトアルミニウム、トリスプチルアセトアセタ
トアルミニウム、トリスジピバロイルメタナトアルミニ
ウム、ジアセチルアセトテトジピバ口イルメタナトアル
ミニウム （１１） これらのアルミニウム化合物は、１種もしくは２種以上
の混合系で用いてもよく、その添加配合量は、エポキシ
樹脂に対し重量比で、Ｏ，ＯＯ１〜１０係、好ましくは
１〜５％の範囲である。配合量が０．００１重槍チに満
たない場合には、ライニング皮膜の光分な硬化特性が得
られず、また、１０重量％を超えると、コスト高になる
ばかりではなく、耐湿性が低下する傾向が見られるので
好ましくない。
スメトキシアルミニウム、トリスエトキシアルミニウム
、トリスイソプロポキシアルミニウム、トリスフェノキ
シアルミニウム、トリスパラメチルフエノキシアルミニ
ウム、イソプロポキシジェトキシアルミニウム、トリス
ブトキシアルミニウム、トリスアセトキシアルミニウム
、トリスステアラドアルミニウム、トリスブチラドアル
ばニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリスイ
ソプロピオナトアルミニウム、トリスアセチルアセトナ
ドアルミニウム、トリストリフルオロアセチルアセトナ
ドアルミニウム、トリスヘキサフルオロアセチルアセト
ナドアルミニウム、トリスエチル了セトアセタトアルは
ニウム、トリスサリチルアルデヒダトアルミニウム、ト
リスジエチルマロフトアルミニウム、トリスプロピルア
セトアセタトアルミニウム、トリスプチルアセトアセタ
トアルミニウム、トリスジピバロイルメタナトアルミニ
ウム、ジアセチルアセトテトジピバ口イルメタナトアル
ミニウム （１１） これらのアルミニウム化合物は、１種もしくは２種以上
の混合系で用いてもよく、その添加配合量は、エポキシ
樹脂に対し重量比で、Ｏ，ＯＯ１〜１０係、好ましくは
１〜５％の範囲である。配合量が０．００１重槍チに満
たない場合には、ライニング皮膜の光分な硬化特性が得
られず、また、１０重量％を超えると、コスト高になる
ばかりではなく、耐湿性が低下する傾向が見られるので
好ましくない。
本発明組成物の第３の必須成分は、光照射によってシラ
ノール基を生ずるケイ素化合物である。
ノール基を生ずるケイ素化合物である。
このようなケイ素化合物としては、ベルオキシンラン基
、０−ニトロベンジルオキシ基、α−ケトシリル基のい
ずれかを有するケイ素化合物であることが好ましい。
、０−ニトロベンジルオキシ基、α−ケトシリル基のい
ずれかを有するケイ素化合物であることが好ましい。
これらケイ素化合物のうちペルオキシシラン基を頁する
ものは次式： （Ｒ”）ｎ−８ｉ＋０−０−Ｒ”）４−
ｎ（式中、Ｂ、ｔ 、 Ｈ，ｘは同一であっても異なっ
ていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素
数１〜５のアルキル基もしくはアリール基を表わ（１２
） し；ｎは０〜３の整数を表わす。）で示される。
ものは次式： （Ｒ”）ｎ−８ｉ＋０−０−Ｒ”）４−
ｎ（式中、Ｂ、ｔ 、 Ｈ，ｘは同一であっても異なっ
ていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素
数１〜５のアルキル基もしくはアリール基を表わ（１２
） し；ｎは０〜３の整数を表わす。）で示される。
上記式中、炭素数１〜５のアルキル基としては例えば、
メチルベニチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブチルｉ５、ｔ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、メトキシ基、エトキシ基、クロルメチル
基があげられ；アリール基としては、例えば、フェニル
基、ナフチル基、アントラニル暴、ベンジル基があげら
ｎ；炭素数１〜５のアルキル基及びアリール基は、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアン基、メトキシ基等のＩｔ挾
基を有していてもよい。
メチルベニチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブチルｉ５、ｔ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、メトキシ基、エトキシ基、クロルメチル
基があげられ；アリール基としては、例えば、フェニル
基、ナフチル基、アントラニル暴、ベンジル基があげら
ｎ；炭素数１〜５のアルキル基及びアリール基は、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアン基、メトキシ基等のＩｔ挾
基を有していてもよい。
このようなケイ素化合物の具体例としては、欠く
く
で示される化合物等があげられる。
ｆ＆、０−ニトロベンジルオキシ痛を有するものは、次
式； （式中、ｌ（、＋ 、 ＲＲ、Ｈａは同一であっても異
なっていてもよく、それぞれ、水素原子；〕・ロゲン原
子；ビニル基；アリル基；炭素数１〜１０の非置換若し
くは１極アルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；
非置換若しくは置換アリール基；アリ（１５） 一ルオキシ基；シロキシ基を表わし １％４は水素原子
；炭素数１〜１０の非置換若しくは置換アルキル基；フ
ェニル基；直換フェニル基を表わし、Ｒ１，Ｒ”、Ｒ，
マ Ｒ８は同一であっても異なっていてもよ（、それぞ
れ、水素原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；メ
ルカプト基；ハロゲン原子；アセチル基；アリル基；炭
素数１〜５のアルキル基：炭素数１〜５のアルコキシ基
；非置換若しくは置換アリール基；アリールオキシ基を
表わし、ｐｅｑ＊’はＯ≦ｐ＊ ｑｅ ’≦３．１≦ｐ
＋ｑ＋ｒ≦３の条件を満たす整数を表わす。）で示され
る化合物である。
式； （式中、ｌ（、＋ 、 ＲＲ、Ｈａは同一であっても異
なっていてもよく、それぞれ、水素原子；〕・ロゲン原
子；ビニル基；アリル基；炭素数１〜１０の非置換若し
くは１極アルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；
非置換若しくは置換アリール基；アリ（１５） 一ルオキシ基；シロキシ基を表わし １％４は水素原子
；炭素数１〜１０の非置換若しくは置換アルキル基；フ
ェニル基；直換フェニル基を表わし、Ｒ１，Ｒ”、Ｒ，
マ Ｒ８は同一であっても異なっていてもよ（、それぞ
れ、水素原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；メ
ルカプト基；ハロゲン原子；アセチル基；アリル基；炭
素数１〜５のアルキル基：炭素数１〜５のアルコキシ基
；非置換若しくは置換アリール基；アリールオキシ基を
表わし、ｐｅｑ＊’はＯ≦ｐ＊ ｑｅ ’≦３．１≦ｐ
＋ｑ＋ｒ≦３の条件を満たす整数を表わす。）で示され
る化合物である。
炭素数１〜１０の非置換若しくは置換アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−
ブチル基、ペンチル基、クロロメチル基、クロロエチル
基、フルオロメチル基、シアノメチル基などかあげられ
、炭素数１〜１０のアルコキシ基としてはメトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基などが
あげられる。非置換若しくは置換アリール基としては、
（１６） フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−クロｏフ：
ｒ−＝ｈ基、ｐ−）ＩＪフルオロメチルフェニル基など
があげられ、了り一ルオキシ基としてはフェノキシ基な
どがあげられる。
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−
ブチル基、ペンチル基、クロロメチル基、クロロエチル
基、フルオロメチル基、シアノメチル基などかあげられ
、炭素数１〜１０のアルコキシ基としてはメトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基などが
あげられる。非置換若しくは置換アリール基としては、
（１６） フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−クロｏフ：
ｒ−＝ｈ基、ｐ−）ＩＪフルオロメチルフェニル基など
があげられ、了り一ルオキシ基としてはフェノキシ基な
どがあげられる。
また、ケイ素化合物としては、０−ニトロベンジルオキ
シシリル基を末端基とし、主鎖が次式；（式中、ｎは０
又は１以上の整数を表わし；Ｒ１及びＢｍは前記と同様
の意味を有し、Ｘ、Ｙは、同一でも異なっていてもよく
、各々、酸素原子、アルキレン基、了り−ル基等を表わ
す。）で示される基から成る化合物であってもよい。
シシリル基を末端基とし、主鎖が次式；（式中、ｎは０
又は１以上の整数を表わし；Ｒ１及びＢｍは前記と同様
の意味を有し、Ｘ、Ｙは、同一でも異なっていてもよく
、各々、酸素原子、アルキレン基、了り−ル基等を表わ
す。）で示される基から成る化合物であってもよい。
本発明に用いる。ケイ素原子に直接結合した非置換もし
くは礪換Ｏ−ニトロベンジルオキシ基を有するケイ素化
合物の具体例としては、トリメチル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シランジメチルフェニル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シランジフェニルメチル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シラントリフェニル（０−ニトロベンジルオ
キシ）シランビニルメチルフェニル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シラン ｔ−７’チルメチルフエニル（０−ニトロベンジルオキ
シ）シラン トリエチル（０−ニトロベンジルオキシ）シラン１−
ＩＪ （２−クロロエチル）−〇−二トロベンジルオキ
シシラン １− ＋） （ｐ −トＩＪ−ｙルオロメチルフェニル
）−〇−二トロペンジルオキシラン トリメチル〔α−（０−ニトロフェニル）−〇−ニトロ
ベンジルオキシ〕シラン ジメチルフェニル〔α−（０−ニトロフェニル）−０−
ニトロベンジルオキシコシラン メチルフェニルジ〔α−（０−ニトロフェニル）−０−
ニトロベンジルオキシコシラン トリフェニル（α−工千手ルー０−ニトロベンジルオキ
シシラン トリメチル（３−メチル−２−二トロペンジルオキシ）
シラン ジメチルフェニル（３，４，５−１−ジメトキシ−２−
二トロペンジルオキシ）シラン トリフェニル（４，５，６−ドリメトキシー２−ニトロ
ベンジルオキシ）シラン ジフェニルメチル（５−メチル−４−メトキシ−２−二
トロベンジルオキシ）シラン トリフェニル（４、５−ジメチル−２−二トロベンジル
オキシ）シラン ビニルメチルフェニル（４，５−シクロロー２−二トロ
ペンジルオキシ）シラン トリフェニル（２，６−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン ジフェニルメチル（２、４−ジニトロベンジルオキシ）
シラン トリフェニル（３−メトキシ−２−ニトロベンジルオキ
シ）シラン ビニルメチルフェニル（３，４−ジメトキシ−２−ニト
ロベンジルオキシ）シラン （１９） ジメチルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランメチル
フェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランビニル
フェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランｔ−ブ
チルフェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シラン ジエチルジ（ｏ−ニトロベンジルオキシ）シラン２−ク
ロロエチルフェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シ
ラン シフェニルジ（Ｏ−ニトロベンジルオキシ）シランフェ
ニルジ（３−メトキシ−２−二トロペンジルオキシ）シ
ラン ジフェニルジ（３，４−’）メトキシ−２−ニトロベン
ジルオキシ）シラン ジフェニルシ（２，６−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン ジフェニルジ（２，４−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン メチルトＩＪ （ｏ−ニトロベンジルオキシ）シランフ
ェニル） ＩＪ （ｏ−ニトロベンジルオキシ）シラン
ルービス（０−ニトロベンジルオキシジメチルシリル）
（２０） ベンゼン １．１，３．３−テトラフェニル−１，３−ジ（０−二
トロベンジルオキシ）シロキサン １．１，３，３，５．５−へキサフェニル−１，５−ジ
（０−ニトロベンジルオキシ）シロキサン及Ｕ ８ ｉ
Ｃｌ 含有シリコーン樹脂と０−ニトロベンジルアル
コールとの反応により生成するケイ素化合物等があげら
れる。
くは礪換Ｏ−ニトロベンジルオキシ基を有するケイ素化
合物の具体例としては、トリメチル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シランジメチルフェニル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シランジフェニルメチル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シラントリフェニル（０−ニトロベンジルオ
キシ）シランビニルメチルフェニル（０−ニトロベンジ
ルオキシ）シラン ｔ−７’チルメチルフエニル（０−ニトロベンジルオキ
シ）シラン トリエチル（０−ニトロベンジルオキシ）シラン１−
ＩＪ （２−クロロエチル）−〇−二トロベンジルオキ
シシラン １− ＋） （ｐ −トＩＪ−ｙルオロメチルフェニル
）−〇−二トロペンジルオキシラン トリメチル〔α−（０−ニトロフェニル）−〇−ニトロ
ベンジルオキシ〕シラン ジメチルフェニル〔α−（０−ニトロフェニル）−０−
ニトロベンジルオキシコシラン メチルフェニルジ〔α−（０−ニトロフェニル）−０−
ニトロベンジルオキシコシラン トリフェニル（α−工千手ルー０−ニトロベンジルオキ
シシラン トリメチル（３−メチル−２−二トロペンジルオキシ）
シラン ジメチルフェニル（３，４，５−１−ジメトキシ−２−
二トロペンジルオキシ）シラン トリフェニル（４，５，６−ドリメトキシー２−ニトロ
ベンジルオキシ）シラン ジフェニルメチル（５−メチル−４−メトキシ−２−二
トロベンジルオキシ）シラン トリフェニル（４、５−ジメチル−２−二トロベンジル
オキシ）シラン ビニルメチルフェニル（４，５−シクロロー２−二トロ
ペンジルオキシ）シラン トリフェニル（２，６−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン ジフェニルメチル（２、４−ジニトロベンジルオキシ）
シラン トリフェニル（３−メトキシ−２−ニトロベンジルオキ
シ）シラン ビニルメチルフェニル（３，４−ジメトキシ−２−ニト
ロベンジルオキシ）シラン （１９） ジメチルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランメチル
フェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランビニル
フェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シランｔ−ブ
チルフェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シラン ジエチルジ（ｏ−ニトロベンジルオキシ）シラン２−ク
ロロエチルフェニルジ（０−ニトロベンジルオキシ）シ
ラン シフェニルジ（Ｏ−ニトロベンジルオキシ）シランフェ
ニルジ（３−メトキシ−２−二トロペンジルオキシ）シ
ラン ジフェニルジ（３，４−’）メトキシ−２−ニトロベン
ジルオキシ）シラン ジフェニルシ（２，６−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン ジフェニルジ（２，４−ジニトロベンジルオキシ）シラ
ン メチルトＩＪ （ｏ−ニトロベンジルオキシ）シランフ
ェニル） ＩＪ （ｏ−ニトロベンジルオキシ）シラン
ルービス（０−ニトロベンジルオキシジメチルシリル）
（２０） ベンゼン １．１，３．３−テトラフェニル−１，３−ジ（０−二
トロベンジルオキシ）シロキサン １．１，３，３，５．５−へキサフェニル−１，５−ジ
（０−ニトロベンジルオキシ）シロキサン及Ｕ ８ ｉ
Ｃｌ 含有シリコーン樹脂と０−ニトロベンジルアル
コールとの反応により生成するケイ素化合物等があげら
れる。
渚後に、α−ケトシリル基を有するものは、次式；
（式中、ｌ 、 ｍ 、 ｎは０，１，２．３の数を表
わし、ｌ ＋ｍ＋ ｎｌま３を超えること（まなく；Ｒ
１゜Ｒｔ 、Ｂｍ 、Ｒ４は同一であっても異なってい
てもよく、それぞれ炭素θ１〜１０のアルキル基、アリ
ール基、アリル基、ヒニル基などの炭化水素基アリール
オキシ基、炭素数１〜１０のアルコキシ基を表わしこれ
らはハロゲン原子、ＮＯｌ、ＣＮ 。
わし、ｌ ＋ｍ＋ ｎｌま３を超えること（まなく；Ｒ
１゜Ｒｔ 、Ｂｍ 、Ｒ４は同一であっても異なってい
てもよく、それぞれ炭素θ１〜１０のアルキル基、アリ
ール基、アリル基、ヒニル基などの炭化水素基アリール
オキシ基、炭素数１〜１０のアルコキシ基を表わしこれ
らはハロゲン原子、ＮＯｌ、ＣＮ 。
−０ＣＲ，などの置換基を分子内に有していてもよい。
）
で示される化合物である。
具体的には
などの化合９勿をあげることができる。
これらのケイ素化合物の添加配合量は、エポキシ樹脂に
対し、０．１〜２０重量％、好ましくは１〜１０車量係
の範囲である。配合量が０．１Ｍ普チに満たない場合に
は、充分な硬化特性が得られずまた、２００重量部超え
て用いることは可能であるか、コスト高や触媒成分の分
解生成物が問題になる場合があるので好ましくない。
対し、０．１〜２０重量％、好ましくは１〜１０車量係
の範囲である。配合量が０．１Ｍ普チに満たない場合に
は、充分な硬化特性が得られずまた、２００重量部超え
て用いることは可能であるか、コスト高や触媒成分の分
解生成物が問題になる場合があるので好ましくない。
本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。エポ
キシ樹脂として１４ＲＬ４２２１（商品名。
キシ樹脂として１４ＲＬ４２２１（商品名。
ＶＣＣ裏、エポキシ当曖１４５９分子量２９０）８０重
量部およびエビコー）１５２（商品名、シェル化学社製
、フェノールノボラック型、エポキシ当量１７２〜１７
９）２０ｍｔ部、有機アルミニウ（２３） ム化合物としてトリスプロピルアセトアセタートアルミ
ニウム（ＴＰＡＡＡ）０．５重量部、有機ケイ素化合物
としてｔ−ブチルペルオキシトリフェニルシラン（ＴＢ
ＴＰ８）２重量部をよ（攪拌混合して紫外線硬化性ラッ
カーとした。
量部およびエビコー）１５２（商品名、シェル化学社製
、フェノールノボラック型、エポキシ当量１７２〜１７
９）２０ｍｔ部、有機アルミニウ（２３） ム化合物としてトリスプロピルアセトアセタートアルミ
ニウム（ＴＰＡＡＡ）０．５重量部、有機ケイ素化合物
としてｔ−ブチルペルオキシトリフェニルシラン（ＴＢ
ＴＰ８）２重量部をよ（攪拌混合して紫外線硬化性ラッ
カーとした。
再生専用の元ディスク基板（１）上の微細な信号ピット
が形成されている記録面上にＡ！反射膜（２）を蒸着法
により数百Ａの膜厚で設け、更にその上に前記紫外線硬
化性ラッカーをスピンコード法により数μｍの厚さで塗
布した。
が形成されている記録面上にＡ！反射膜（２）を蒸着法
により数百Ａの膜厚で設け、更にその上に前記紫外線硬
化性ラッカーをスピンコード法により数μｍの厚さで塗
布した。
この塗布した紫外線硬化型ラッカーを８０Ｗ／ｃｍの直
管型高圧水銀灯にて数１０秒間紫外線を照射することに
より硬化させ、本発明に係る保護膜（３１を形成させた
。
管型高圧水銀灯にて数１０秒間紫外線を照射することに
より硬化させ、本発明に係る保護膜（３１を形成させた
。
以上のようｌこして得られた光ディスクの保護膜（３）
のＡ１反射膿（２）に対する密着性をセロファンテープ
剥離試験で元ディスクの保護膜（３）にセロファンテー
プを張りつけ１８０°の角度で折返した状態で引っ張り
保護膜（３）が同時に剥離するかどうかを調べたところ
、数回同様な試験を（り返しても保（２４） 護膜（３）の剥離はほとんどなく密着性は良好であった
。
のＡ１反射膿（２）に対する密着性をセロファンテープ
剥離試験で元ディスクの保護膜（３）にセロファンテー
プを張りつけ１８０°の角度で折返した状態で引っ張り
保護膜（３）が同時に剥離するかどうかを調べたところ
、数回同様な試験を（り返しても保（２４） 護膜（３）の剥離はほとんどなく密着性は良好であった
。
次にこの実施例で得られた光ディスクの耐腐食性を加速
試験により調べた。この加速試験は上記元ディスクを温
度６５℃、相対温度９５％Ｒ，ｆ４の雰囲気中で１５０
時間放置した後、レーザー光を照射して上記光ディスク
のブロックエラー率か加速試験前の値の何倍に増加する
かを測定するものである。その結果を表に示した。
試験により調べた。この加速試験は上記元ディスクを温
度６５℃、相対温度９５％Ｒ，ｆ４の雰囲気中で１５０
時間放置した後、レーザー光を照射して上記光ディスク
のブロックエラー率か加速試験前の値の何倍に増加する
かを測定するものである。その結果を表に示した。
また、比較として、有機アルミニウム化合物であるトリ
スプロピルアセトアセタートアルミニウム（ＴＰＡＡＡ
）と有機ケイ素化合物であるｔ−ブチルペルオキシトリ
フェニルシラン（ＴＢＴＰ８）の代わりにルイス酸のジ
アゾニウム塩を３重量部添加した以外は実施例と同様の
成分・組成・製法にて比較例の光ディスクを得た。この
比較例についても上記のセロファンテープ剥離試験およ
び加速試験を行なった。これらの結果を実権例の場合の
結果と併せて表に示した。
スプロピルアセトアセタートアルミニウム（ＴＰＡＡＡ
）と有機ケイ素化合物であるｔ−ブチルペルオキシトリ
フェニルシラン（ＴＢＴＰ８）の代わりにルイス酸のジ
アゾニウム塩を３重量部添加した以外は実施例と同様の
成分・組成・製法にて比較例の光ディスクを得た。この
比較例についても上記のセロファンテープ剥離試験およ
び加速試験を行なった。これらの結果を実権例の場合の
結果と併せて表に示した。
表に示すようにエポキシ樹脂、有機アルミニウム化合物
と紫外ヅ照射によりシラノール基を生ずるケイ素化合物
とからなる保ｆｉ ［＋３１に有する実施例の光ディス
クは保護膜（３１が短時間で硬化し、保護膜（３１とＡ
Ｉ蒸着膜（２１との密着性が良好であり、しかも保護膜
（３）中でルイス酸を発生させないため耐腐食性の高い
光ディスクであった。これに対し比較例の光ディスクは
保護膜（３）とＡＩ蒸着膜（２１との密着性が良好であ
るものの、耐腐食性が低く腐食が激しいものであった。
と紫外ヅ照射によりシラノール基を生ずるケイ素化合物
とからなる保ｆｉ ［＋３１に有する実施例の光ディス
クは保護膜（３１が短時間で硬化し、保護膜（３１とＡ
Ｉ蒸着膜（２１との密着性が良好であり、しかも保護膜
（３）中でルイス酸を発生させないため耐腐食性の高い
光ディスクであった。これに対し比較例の光ディスクは
保護膜（３）とＡＩ蒸着膜（２１との密着性が良好であ
るものの、耐腐食性が低く腐食が激しいものであった。
尚本実施例ではＡＩの金属反射嘩を保護膜で被覆した光
ディスクについて述べたが、記録媒体を保護膜で被覆し
た元ディスクについても同様の効果が得られた。
ディスクについて述べたが、記録媒体を保護膜で被覆し
た元ディスクについても同様の効果が得られた。
本発明によれば、保護膜が短時間で硬化し、耐食性に優
れた、保瑣膜を有する元ディスクを得ることができる。
れた、保瑣膜を有する元ディスクを得ることができる。
図面は本発明の実施例の光ディスクの要部拡大断面図で
ある。 １・・・光デイスク基板、２・・・ｋ１反射膜、３・・
・保護膜。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）（２７）
ある。 １・・・光デイスク基板、２・・・ｋ１反射膜、３・・
・保護膜。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）（２７）
Claims (1)
- 集光したレーザ元により記録面上の微細な凹凸信号ピッ
トを反射強度の差で読み取る元ディスクｌこおいて、上
記記録面上の記録媒体膜を被覆する保護膜が、エポキシ
樹脂と、有機アルミニウム化合物と、紫外線照射により
シラノール基を生ずるケイ素化合物を含有する樹脂組成
物の硬化物からなることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223324A JPS60117430A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223324A JPS60117430A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117430A true JPS60117430A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16796365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223324A Pending JPS60117430A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503774A2 (en) * | 1991-02-16 | 1992-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| EP0764946A1 (en) * | 1995-09-12 | 1997-03-26 | Wea Manufacturing Inc. | Improved light-readable recording disc |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58223324A patent/JPS60117430A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503774A2 (en) * | 1991-02-16 | 1992-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| US5354590A (en) * | 1991-02-16 | 1994-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| EP0764946A1 (en) * | 1995-09-12 | 1997-03-26 | Wea Manufacturing Inc. | Improved light-readable recording disc |
| US5995481A (en) * | 1995-09-12 | 1999-11-30 | Wea Manufacturing Inc. | Light-readable recording disc utilizing half-wavelength pits or bumps and system for reading such discs |
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