JPS60116692A - 有機クロルホスフアンの製法 - Google Patents

有機クロルホスフアンの製法

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JPS60116692A
JPS60116692A JP59235338A JP23533884A JPS60116692A JP S60116692 A JPS60116692 A JP S60116692A JP 59235338 A JP59235338 A JP 59235338A JP 23533884 A JP23533884 A JP 23533884A JP S60116692 A JPS60116692 A JP S60116692A
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ハンス‐イエルク・クライネル
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic System
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/28Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/50Organo-phosphines
    • C07F9/52Halophosphines

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 有機クロルホスファンバ一般式 (式中Rは有機残基である) で示される化合物である。
これに主として種々な専門分野例えば薬剤−1植物防護
−1染料−及び重合体一部門に於ける中間生成物である
その製造のために若干の種々な方法が知られている。特
に脂肪族クロルホスファン特にメチル−ジクロル−ホス
ファンは例えばソ連発明者証第362026号に記載の
方法により製造することができ、該方法はメチルホスホ
ン酸ジクロリドと脂肪族ホス7アンー特にトリーn−ブ
チルホスファン(n−04H2)、P及びトリー1−ア
ミルホスファン(1−Cs74.”)s Pが挙げられ
ている−を1:1のモル比で175乃至220Cの温度
で反応(脱酸素化)させることにある。
該反応は次の反応式に基づく: メチルホスホン トリアルキル メチルジクロル トリ
アyetルホ酸ジクロリド ホスファン ホスファン 
ズファンオキシド(R’−脂肪族残基) メチルジクロルホスファンに関する報告された収率は理
論値の約60%であり、トリアルキルホスファンオキシ
ドに関する該収率は理論値の約80乃至90%である。
又前記のソ連発明者証による反応に於てトリアルキルホ
77アンヲ(芳香族)トリフェニルホスファン(06B
5)、Pに替えることが既に提案されていた(特許出願
P第5313921.0号−H0E83/F’060)
、併しこの場合得られるアルキルジクロルホスファンの
収s扛m論値の30%以下であり、それ故実際的要求に
とって十分ではない。併し高いクロルホスファン−収率
(大抵理論値の約75乃至100%)に特許出願P第3
313921.0号により、脂肪族ホスホン酸ジクロリ
ド(前記ソ連発明者証の方法による如き)からではなく
て一般式 B′r脂肪族残基又はC1である) で示される有機オキシ塩化燐から出発させそしてこれを
トリフェニルホスファンと反応させれば、得られるわこ
の場合反応温室は有利には約100乃至約350C好ま
しくは約170乃至250Cである。
本発明者に、ホスホン−及びボスフィン酸クロリドと有
機ホスファンとの反応を更に開発して、芳香族及び複索
環式ホスホン酸クロリド及び芳香族−脂肪族、複素環式
−脂肪族及び純脂肪族ホスフィン酸クロリドを脂肪族ホ
スファンとソ連発明者証第562026号による温度以
下の温室で高収率を以て所望のクロルホスファン(及び
ホスファンオキシド)に反応させることができることを
見出した。
それ数本発明の対象は、有機オキシ塩化燐を有機ホスフ
ァンと高温で反応させて有機クロルホスファンヲ候造す
る方法に於て、有機オキシ塩1し燐として一般式I (式中RII; C1又は脂肪族残基好ましく n C
1のみであり、 R2は、R1が01である場合、芳香族又は複素環式残
基であり そしてR1が脂肪族残基である場合、芳香族、複索環式
又は脂肪族残基である)で示される化合物をそして有機
ホスファンとして一般式■ (’)sP (II) (式中R3は脂肪族残基である) ・ テ示されるトリアルキルホスファン を使用することを特徴とする上記製法である。
反応温度はここで一般に約20乃至約170C好ましく
は約60乃至150C特に約80乃至約130Cの温度
である。この反応により芳香族及び検索環式ジクロルホ
スファン及ヒ芳香族−脂肪族、複素環式−脂肪族及び純
脂肪族モノクロルホスファンが次の反応式により例外な
く理論値の約70乃至100%の収率で侍られる: 記載された温度範囲内に於けるこの反応の成功及び円滑
な進行は著しく驚くべきことであった。
何となれ′ばソ連発明者証第562026号の方法によ
り高温(175乃至220C)での純脂肪族ホスホン酸
ジクロリドと脂肪族ホスファンとの反応の際アルキルジ
クロルホスファンカ低収率(約60%のみ)で得られる
からである。
本発明による方法の出発化合物に一般式■及び11の化
合物である。
一般式I中R1はCI又は脂肪族残基好ましくは01の
みであるeRは脂肪族残基である場合には、これに殊に
C1−C6−ア4ルキル残基特にOH,−又はC2H5
−残基である、 B1が01である場合にはB2は芳香族又は複索環式残
基であり、 R1が脂肪族残基である場合にu R2は芳香族、複素
環式又は1旨防族残基である。
芳香族又は複索環式残基としては好筺しくに場合により
不活性基により置換されたフェニル−又にチェニル残基
が考慮される。不活性基は、ここで行われる反応に於て
反応しない基である。
ここで好ましいこの様な不活性2!i!;はアルキル基
、ハロゲンアルキル−及びハロゲン基特に0l−06−
アルキル°基(就中aH3及び02H5)、ay3B<
OClである。フェニル−及びチェニル残基は1又は数
回置換されていることができる。殊に7エ二ルは1又は
2回置換されておりそしてチェニル残基に置換されてい
ない。
R2に関する脂肪族残基としては原則的にR1に関する
のと同じ残基が考慮され、その際R2に関してもc、−
C6−アルキル残i(特にOH,及びC2H3)が好ま
しめ。
一般式■に於てR1が01である場合、1ニ合物は芳香
族及び被素環式ホスホン酸ジクロリド例えばフェニル示
スホン酸ジクロリド、トリルホスホン酸ジクaリド、キ
シリルホスホン酸ジクロ’J)”、3−トリフルオルメ
チルフェニ&ホスホン酸ジクロリド、4−クロルフェニ
ルホスホン酸ジクロリド、チェニルホスホン酸ジクロリ
ド等であ机これら1じ合物の製造は公知の方法により行
われる。例えばフェニルホスホ> 酸シ1017 )”
 06H5P(Q) C12は就中フェニルホスホン酸
ジエステル06H5F(0) (oR)2 (式中RU
l[&である)のホスゲン化により得られる。フェニル
ホスホン酸ジエステルは例えば臭化ニッケルの存在下で
のブロムベンゼンとトリアルキルホスファイトとの反応
によF)得られる。
馬が脂肪族アルキルである場合一般式Iの化合物に芳香
族−脂肪族、複素環式−脂肪族又は純脂肪族ホスホン酸
クロリド例えば フェニル−メチル−ホスフィン酸クロリド 、トリル−
メチル−ホスフィン酸クロリド 、フェニル−エチル−
ホスフィン酸クロリド 、チェニル−メチル−ホスフィ
ン酸クロリド 、ジメチルホスフィン酸クロリド 、 エチル−メチル−ホスフィン酸クロリド 、メチル−プ
ロピル−ホスフィン酸クロリド 、ジエチルホスフィン
酸クロリド等である。
これら化合物も公知の方法により侍られる。
一般式■のトリアルキルホスファンに於て脂肪族残基R
3に好ましくは10個までのC−原子を有するアルキル
残基特に4乃主8Ili!!IOC−原子を有する該残
基である。例えば一般式■のトリアルキルホスファンは
トリエチルホスファン、トリブチルホスファン、トリへ
キシルホスファン及ヒトリオクチルホスファンテアル。
一般式Iの有機オキシ塩化燐及び一般式「のトリアルキ
ルホスファンは通常(1e学を論的)モル比1:1で使
用される。併し他のモル比も考えられる。例えば又トリ
アルキルホスファン■を過剰で使用することができる。
この場合過剰は反応の際反応されないである、不活性溶
剤及び稀釈剤の存在は可能であるが、併し一般に特別な
長所をもたらさない。
通常反応は大気圧で実施される。併し過圧の適用が可能
でありそして一定の場合に必要であり得る1反応を実施
するために有機オキシ塩化燐lとトリアルキルホスファ
ン■を不活性ガスふん囲気(窒素)の下に混合する。成
分相互の徐々な配量は特に反応が発熱的に進行するなら
必要であり得る。更に成分の混合後不活注ガスふん囲気
下一定の時間反応温度に保たれ、反応時間は平均約1乃
至10時間である。
反応終了後生成りロルホス7了ン111− 即チジクロ
ルホスファン(ホスホン酸ジクロリド1からなる)又は
モノクロルホスファン(ホスフィンrll/クロリドf
からなる)−は好筐しくに蒸留により取得されそしてそ
れによってトリアルキルホスファンすキシド■から分離
される。
粗形態で得られるトリアルキルホス7アンオキシド■は
同様に蒸留により取得することができる、生成りロルホ
ス7アン■は実際上中間生成物としてのみ興味があるか
ら、これは場合により得られる反応混合物中で又直接更
に処理することができる。
例えば得られる、芳香族ジクロルホスファン(一般式■
中R’flC1であす、R2は芳香族残基である)及ヒ
ドリアルキルホス7アンオキシト■の反応混合物は約9
0cで過剰の水に滴下することができる。この場合一般
式 (R2は芳香族残基である) で示される芳香族亜ホスホン酸が生成し、これはトリア
ルキルホス7アンオキシド■と共に相を形成し、一方永
住相は生成塩化水素の大部分を含有する。この相の除去
後有機相を水性苛性ソーダ液で中和する。その’J @
亜ホスホン酸のナトリウム塩が水性溶液で得られそして
トリアルキルホス7アンすキシド■が有機相として得ら
れる。
本発明による方法により燐に結合した芳香族又は複索環
式及び場合により又なお脂肪族残基を有するクロルホス
ファンを有機オキシ塩燐から脂肪族ホスファンとの反応
により(ソ連発明者証第562062号の方法に比較し
て)全く高い収率tより低い温度で得ることができる。
それ数本発明に進歩性を有する開発である。
次のfil Kより更に本発明を詳述する。
例 1 トリオクチルホスファン95 f (0,257モル)
に攪拌下及び窒素ふん囲気下フェニルホスホン酸ジクロ
リド50 f (0,257モル)を滴入する。この場
合温度trs−socに上昇する。引き続いて1時間1
00t:’で保ち、次に蒸留する。
75Cの留出温度で0−43 kPaに於てジクロル−
フェニル−ホスファン329(理論[)7Q%の収率に
相当する)がそして0.067〜kPa及び220Cの
留出温度に於てトリブチルホスファンオキシド89f(
理論値の90%の収率に相当する)が得られる。
例 2 トリブチルホスファン50 f (0,248モル)に
45分間攪拌下及び窒素ふん囲気下フェニルホスホン酸
ジクロリド4 a 3 f (0,248モル)を滴入
する。温度け4ocに上昇す杭状に短時間100Cに加
熱し、引き続いて蒸留する。
ジクロル−フェニル−ボス7アン32t(j!JI論値
の7356’ ) 32 tがそL テ0.0 ”j 
7 kPa、及び115Cの留/fi温度に於てトリブ
チルホスファンオキシド47.5 f、 (理論値の9
0%のJIv率に相当する)が得られる。
例 3 トリオクチルホスファン64.59 (0,175モル
)にp−クロルフェニルホスホン酸ジクロリドa o 
t (0,175モル)を急速に攪拌及び窒素ふん囲気
下摘入する。温度u60c′f、で上昇する。次に1時
間100Cで保つ。冷却後混合物に塩1じメチlノン4
5−を加える。攪拌しそして吸引ろ過して固体3fを除
く。ろ液を真壁中で塩1bメチレンを除きそして約0.
1333kPaで240Cの内温まで蒸留するc p−
クロルフェニル−ジクロルフェニル−シクロルーホスフ
ァン30?が得られる。これは理論値の84%の収率に
相当する。残留物i 0.067kPa及び220Cの
留出温度で蒸留する。トリオクチルホスファンオキシド
(融点: 47−5DC)約657(理論値の約959
6 )が得られる。
例 4 トリすクチルホス7アン84.5 r (0,228モ
ル)及びメチル−p−トリル−ホスフィン酸クロリド4
39(0,228モル)を攪拌下及び窒素ふん囲気下混
合する。二相が生ずる。攪拌下加熱するe 110Cか
ら反応混合物が均質になる。次に5時間130Cで保つ
ゎ引き統御て0、055 kPa及び70tGの留出t
h1度でりOルメチル−p−トリル−ホスファン31.
5tkM出する、残留物は凝固しそして粗トリオクチル
ホスファンオキシドである。収率は理論値の80%であ
る。
例 5 トリオクチルホスファン52 f (0,141モル)
に攪拌及び窒素ふん囲気下p −) IIルーホスホン
酸レジクロリド24.49 (0,117モル)を急速
に摘入する。この場合温度は50Cに上昇する。次に1
00Cに加熱しそして30分間この温度で攪拌下保つ。
引き続いて約0.08kPa及び70Cの留出温度でジ
クロル−p−)リルーホスファン1a5f(ai理論値
82cXの収率に相当する)を留出する。残留物にトリ
オクチルホスファン及びトリオクチルホスファンオキシ
ドよりなる粗混合物である。
例 6 トリオクチルホス7アン147 t (0,596モル
)及びエチルメチルホスフィン酸クロリド50 f (
0,396モル)を攪拌及び窒素ふん囲気下混合する。
次に8時間150Cで保つ。引き続いて50C及び0.
4 kPaでクロル−エチル−メチル−ホスファン27
?を留出しそして蒸留装置に後連結した冷却トラップで
凝縮する。
引き続いて0.27 kPa及び約70Cの留出温度で
エチル−メチル−ホスフィン酸クロリド20tを留出す
る。理論値の60%の反応率に於てクロル−エチル−メ
チルホスファンの収率ug理論値85%である。
残留物は凝固しそして粗トリオクチルホスファンオキシ
ドである。
代理人 江 崎 光 好 代理人 江 崎 元 史

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 有機オキシ塩1し燐を有機ホスファンと高温で反
    応させて有機クロルホスファンを製造する方法に於て、
    有機すキシ塩化燐として一般式■ (式中R’HCI又は脂肪族残基好ましくはC1のみで
    あり、 R2は、R1が01である場合、芳香族又は複素環式残
    基であり そしてRが脂肪族残基である場合、 芳香族、複素環式又は脂肪族残基で ある) で示される1し金物倉そして有機ホスファンとして一般
    式■ (R3)5P (U (式中R3は脂肪族残基である〕 で示されるトリアルキルホスファン を使用することを特徴とする上記一法。 2、反応を約20乃至約1700好ましくは約60乃至
    150C%に約80乃至約130Cの温度で実施する特
    許請求の範囲第1項記載の方法。 6、一般式iの化合物に於てR1及びR2に関する脂肪
    族残基が1乃至6個のC−原子を有する該残基好ましく
    はcH5又はC2H5−残基でありそしてR2に関する
    芳香族又に複素環式残基が場合により不活性基により置
    換された7エ二ルー又はチェニル残基であり、 そして一般式■に於けるR3が10個までのC−原子を
    有する脂肪族残基好ましくは04−08−アルキル残基
    である 特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。
JP59235338A 1983-11-12 1984-11-09 有機クロルホスフアンの製法 Granted JPS60116692A (ja)

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DE19833340995 DE3340995A1 (de) 1983-11-12 1983-11-12 Verfahren zur herstellung organischer chlorphosphane
DE3340995.1 1983-11-12

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JPS60116692A true JPS60116692A (ja) 1985-06-24
JPH0544474B2 JPH0544474B2 (ja) 1993-07-06

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EP0144743B1 (de) 1988-01-07
JPH0544474B2 (ja) 1993-07-06
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