JPS6011643Y2 - 半導体集積回路装置の実装構造 - Google Patents

半導体集積回路装置の実装構造

Info

Publication number
JPS6011643Y2
JPS6011643Y2 JP1979045697U JP4569779U JPS6011643Y2 JP S6011643 Y2 JPS6011643 Y2 JP S6011643Y2 JP 1979045697 U JP1979045697 U JP 1979045697U JP 4569779 U JP4569779 U JP 4569779U JP S6011643 Y2 JPS6011643 Y2 JP S6011643Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
semiconductor integrated
power
bonding
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1979045697U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55145048U (ja
Inventor
隆一 喜岡
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP1979045697U priority Critical patent/JPS6011643Y2/ja
Publication of JPS55145048U publication Critical patent/JPS55145048U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6011643Y2 publication Critical patent/JPS6011643Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、それぞれが同一の外形形状である二つの同種
の半導体集積回路装置を放熱板を介して背中合わせに実
装した実装構造に関し、特に各集積回路装置に内蔵され
た半導体チップ上のポンディングパッドの配置構造に関
する。
従来、音響用電力増幅半導体集積回路装置(以下、パワ
ーICという)の実装において、パワーICのリードを
プリント基板へ半田付けした後放熱板にネジ止めされる
のが一般的であるが、最近では、プリント基板の設計の
容易さや実装密度の向上、あるいは放熱板への取り付け
のやり易さ等の理由で、第1図a、bに示される様なパ
ワーIC11,12を第2図のように放熱板13を介し
て背中合わせに取り付けられることが行なわれており、
特ニBTL (balanced trausform
erless)回路等で広く行なわれている。
第2図は放熱板13へ背中合わせに取り付けられたパワ
ーIC11,12のリード方向からみた図である。
パワーICII、12はパッケージ形状およびその電気
特性は同一であるが、接地、電源および出力端子がパワ
ーIC1lでは3,5および7、パワーIC12では5
’、3’、1’というふうに各々の端子配列が互いに逆
転している。
従って、第2図のようにパワーIC1l、12が放熱板
13へ背中合わせに取り付けられると、両パワーICI
I、12の出力、電源および接地端子7’、1’、5゜
3′および3,5′がそれぞれ一直線に対向するように
なる。
このため、プリント基板上の電源供給配線や接地配線は
各々1本で済むと共に、パワーICII、12の各端子
と接続されるプリント配線が対称になるため、プリント
基板の設計が容易になり、しかも同一放熱板13へ取り
付けられるため実装密度も向上する。
第3図a、 bはそれぞれ第1図a、 bのパワーIC
II、12の内部構造を示す図である。
第3図aのパワーIC1lに於いて、放熱板15へ固着
された半導体ペレット14上のポンディングパッド18
−1〜18−7とリード16−1〜16−7とを金線等
のホンディング線17を用いて接続する際に接地端子G
ND16−3とポンディングパッド18−3との間、電
源端子Vcc16−5とホンディングパッド18−5と
の間および出力端子ou’r16−7とポンディングパ
ッド18−7との間は動作上大電流が流れ、また所要の
特性を得るため、あるいは負荷短絡などの異常時におけ
るボンディング線17の破壊を防止するために2本以上
のボンディング線17で配線するか特に太いホンディン
グ線を用いて配線される。
尚、全ての端子を2本以上のあるいは太いボンディング
線を用いて配線することは製品価格上の損失が大きく、
通常は大電流が流れる端子のみに限って行なわれる。
一方、第3図すのパワーIC12においても半導体ペレ
ット14′上のポンディングパッド18−1′〜18−
7’の配列が反転するのみで第3図a同様ボンディング
線17′により上述た配線が行なわれる。
この場合ポンディングパッド18−7′が出力端子16
−1’に、ポンディングパッド18−5’が電源端子1
6−3’、ポンディングパッド18−3’が接地端子1
6−5’にそれぞれ2本以上のボンディング線17′又
太いボンディング線で接続される。
しかしながら、第1図a、bに示されるようなパワーI
CII、12では、第3図a、 bに示されるように2
本以上の、あるいは太い金線を用いて熱圧着により配線
する端子位置は双方のパワーICII、12において異
なり、従ってポンディングパッドとリードとの間を金属
細線で接続するホンディング作業を共通したプログラム
によって機械的に行うことは不可能であった。
そのため、ボンディング工程は手作業になったり、別々
のプログラムによる機械的作業によらざるを得す、合理
化などによる製品価格低減ができなかった。
その上、また、異なる作業を行うためにポンディングパ
ッド18−1・・・・・・18−7.18−1’・・・
・・・18−7’と、リード16−1・・・・・・16
−7.16−1′・・・・・・16−7’間を接続する
ボンディング線17.17’の着性や長さが異なってし
まい、それに伴なうボンディング線17.17’の抵抗
、寄生容量および容土インダクタンス等の相違のため、
パワーIC11,12間の特性の不一致などの欠点が生
じている。
本考案の目的は、装置間の電気的特性のバラツキが防止
され、しかも製品価格が低減した二つの同種の集積回路
装置を実装した実装構造を提供することにある。
本考案は、二つの同種の集積回路装置が放熱板を介して
背中合せに実装されており、かつ、各集積回路装置は、
外部導出用リードと大きな電流容量をもつ配線で接続さ
れる半導体ペレット上のポンディングパッドを複数個有
し、それらポンディングパッドは半導体ペレットの中心
を通る一辺多こ対して対称に位置付けされていることを
特徴とする。
以下、図面を用いて本考案をより詳細に説明する。
第4図a、 bは本考案によるパワーICの一実施例で
あり、第1図のようにパッケージの形状および電気特性
は同一であり、端子配列は互いに逆転している。
第5図a、 bはそれぞれパワーIC19,20の内部
構造を示す図である。
素子が形成された半導体ペレット40と50はポンディ
ングパッド21〜27と31〜37が機能的に配置され
ており、放熱板45.55方へ固着されている。
出力(OUT)端子46−1.56−7に接続されるポ
ンディングパッド21.3m、接地(GND)端子46
−4.56−4と接続されるポンディングパッド24,
34、電源(Vcc)端子46−7.56−1に接続さ
れるポンディングパッド27.37は動作上大電流が流
れるため2本以上のあるいは太い金線等の電流容量が大
きいボンディング線47’、57’を用いて配線される
べきポンディングパッドでありこれらホンディングパッ
ド21,31.24,34および27,37は半導体ペ
レット40.50の中心とポンディングパッド24.3
4を通る中心線に対して対称に位置付けされている。
各ポンディングパッド21〜27.31〜37は金等の
ボンディング線47.57で各リード46−1〜46−
7.56−1〜56−7へ配線され、樹脂等でモールド
される。
この時放熱板45.55はその裏面が外部へ露出する状
態になる様に形成され、第2図の様に他の放熱板へ取り
付けられて放熱効果が優れたものとなる。
かかる本実施例のパワーIC19,20は、第2図のよ
うに他の放熱板と背中合わせに取り付けると、相方の端
子配列が互いに逆転しているので出力、接地および電源
端子46−1.56−7゜46−4.56−4および4
6−7.56−1等の端子46−1・・・・・・46−
7.56−7はそれぞれ一直線に向い合う様になる。
それ故これらをプリント基板へ実装するとき、各パワー
IC19゜20の電源端子46−7.56−1、接地端
子46−4.56−4と接続されるプリント基板上の電
源配線および接地配線はそれぞれ1本の共通したプリン
ト配線でよく、しかも他の端子と接続され得るプリント
配線はパワーIC19,20とで対称に形成すればよい
ためプリント基板の設計が容易となり、さらに同じ放熱
板へ2個のパワーIC19,20が取り付けられるため
実装密度も向上する。
尚且つ、許容電流容量を大きくする必要のあるホンディ
ングパッド21,24,27゜31.34,37は半導
体ペレット40.50の中に対称に設けられているため
半導体ペレット40.50とリード46−1・・・・・
・46−7.56−1・・・・・・56−7との配線作
業を共通のプログラムによる機械的作業で行なうことが
できる。
従って、配線作業条件がパワーIC19,20の双方で
同一となるため、ホンディング線47.57の密着性お
よび長さが等しくなりボンディング線47.57の抵抗
値やこれによる寄性容量および寄性インダクタンス等が
同等になり、両パワーIC19,20間の特性は非常に
良く一致する。
又、手作業による配線作業も2本以上のあるいは他より
太いボンディング線を施すべきポンディングパッドはチ
ップの中に対称に位置づけされているため、作業ミスが
激減し信頼性が著しく向上する。
以上の様に、本考案によればボンディング作業の共通化
が可能となり合理化が遠戚できるため、製品価値の低減
および両装置間の特性の一致性が一段と向上する。
尚、本考案は上記実施例に限定されないことは言うまで
もなく、他のあらゆる半導体装置に適当でき汎用性の高
いものである。
【図面の簡単な説明】
第1図a、 bは従来の音響用電力増幅半導体集積回路
装置の一例の外形図、第2図は第1図a。 bの音響用電力増幅半導体集積回路装置の実施例を示す
説明図、第3図a、 bはそれぞれ第1図a、 bに示
す音響用電力増幅半導体集積回路装置の内部を説明する
説明図、第4図a、 bは本考案の一実施例を示す音響
用電力増幅半導体集積回路装置の外形図、第5図a、
bはそれぞれ第4図a、 bに示される音響用電力増幅
半導体集積回路装置の内部を説明する説明図である。 11、 12. 19. 20・・・・・・音響用電力
増幅半導体集積回路装置、13・・・・・・放熱板、1
4,14’40,50・・・・・・半導体ペレット、1
5.15’、45,55・・・・・・放熱板、16−1
・・・16−7.16−1’・・・16−7’、46−
1・・・46−7.56−1・・・56−7・・・・・
・リード、17,17’47,57.47’、57’・
・・・・・ボンディング線、18−1・・・18−7.
18−1’・・・18−7’、21〜27.31〜37
・・・ポンディングパッド。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. それぞれが同一の外形形状をしていると共に列をなして
    導出された複数の外部導出用リードを有し、一方を表か
    らみた場合の各外部導出用リードの機能配列順序が他方
    を裏からみた場合の各外部導出用リードの機能配列順序
    と同じなる二つの同種の半導体集積回路装置を放熱板を
    介して背中合わせに実装することにより、両方の半導体
    集積回路装置の各外部導出用リードのうち同じ機能を有
    するもの同士が対向するようにした半導体集積回路装置
    の実装構造において、前記二つの半導体集積回路装置の
    それぞれは、第1の電流容量をもつ導電路で外部導出用
    リードにそれぞれ接続された複数の第1のポンディング
    パッドと前記第1の電流容量とは異なる第2の電流容量
    をもつ導電路で外部導出用リードにそれぞれ接続された
    複数の第2のポンディングパッドとが設けられた半導体
    ペレットを有し、さらに、各半導体ペレットに設けられ
    た前記複数の第2のポンディングパッドは両方の半導体
    ペレットを重ねたときに互いに同じ場所に位置するよう
    に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置
    の実装構造。
JP1979045697U 1979-04-06 1979-04-06 半導体集積回路装置の実装構造 Expired JPS6011643Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979045697U JPS6011643Y2 (ja) 1979-04-06 1979-04-06 半導体集積回路装置の実装構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979045697U JPS6011643Y2 (ja) 1979-04-06 1979-04-06 半導体集積回路装置の実装構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55145048U JPS55145048U (ja) 1980-10-17
JPS6011643Y2 true JPS6011643Y2 (ja) 1985-04-17

Family

ID=28924462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1979045697U Expired JPS6011643Y2 (ja) 1979-04-06 1979-04-06 半導体集積回路装置の実装構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6011643Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55145048U (ja) 1980-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6831353B2 (en) Interdigitated leads-over-chip lead frame and device for supporting an integrated circuit die
US6344976B1 (en) Interdigitated leads-over-chip lead frame device and method for supporting an integrated circuit die
US7772044B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including plural semiconductor chips
US20020140070A1 (en) Packaging system for die-up connection of a die-down oriented integrated circuit
KR970006529B1 (ko) 반도체 장치
US20020027271A1 (en) Dual LOC semiconductor assembly employing floating lead finger structure
JP2961673B2 (ja) 直接式マイクロ回路の減結合装置
JP2509027B2 (ja) 半導体装置
JPH08213546A (ja) 積層形パッケージ
JPH0445981B2 (ja)
JPH04273451A (ja) 半導体装置
JPH01235264A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6011643Y2 (ja) 半導体集積回路装置の実装構造
JPH061801B2 (ja) リ−ドフレ−ム
JPS6214689Y2 (ja)
JPH01143246A (ja) 半導体装置
JPH07312404A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH06349973A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2896223B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS5828359Y2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2614681B2 (ja) 半導体装置
JP3193788B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH0442942Y2 (ja)
JPH05121631A (ja) リードフレーム
JPH0521691A (ja) 半導体装置及びその組立方法