JPS6214689Y2 - - Google Patents
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- JPS6214689Y2 JPS6214689Y2 JP1984004773U JP477384U JPS6214689Y2 JP S6214689 Y2 JPS6214689 Y2 JP S6214689Y2 JP 1984004773 U JP1984004773 U JP 1984004773U JP 477384 U JP477384 U JP 477384U JP S6214689 Y2 JPS6214689 Y2 JP S6214689Y2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 19
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体集積回路装置、特に音響用電力
増幅半導体集積回路装置に内蔵された半導体チツ
プ上のボンデイングパツドの配置構造に関する。
増幅半導体集積回路装置に内蔵された半導体チツ
プ上のボンデイングパツドの配置構造に関する。
従来、音響用電力増幅半導体集積回路装置(以
下、パワーICという)の実装において、パワー
ICのリードをプリント基板へ半田付けした後放
熱板にネジ止めされるのが一般的であるが、最近
では、プリント基板の設計の容易さや実装密度の
向上、あるいは放熱板への取り付けのやり易さ等
の理由で、第1図a,bに示される様なパワー
IC11,12を第2図のように放熱板13を介
して背中合わせに取り付けられることが行なわれ
ており、特にBTL(balanced trausformerless)
回路等で広く行なわれている。第2図は放熱板1
3へ背中合わせに取り付けられたパワーIC1
1,12のリード方向からみた図である。パワー
IC11,12はパツケージ形状およびその電気
特性は同一であるが、接地、電源および出力端子
がパワーIC11では3,5および7、パワーIC
12では5′,3′,1′というふうに各々の端子
配列が互いに逆転している。従つて、第2図のよ
うにパワーIC11,12が放熱板13へ背中合
わせに取り付けられると、両パワーIC11,1
2の出力、電源および接地端子7,1′、5,
3′および3,5′がそれぞれ一直線に対向するよ
うになる。このためプリント基板上の電源供給配
線や接地配線は各々1本で済むと共に、パワー
IC11,12の各端子と接続されるプリント配
線が対称になるため、プリント基板の設計が容易
になり、しかも同一放熱板13へ取り付けられる
ため実装密度も向上する。
下、パワーICという)の実装において、パワー
ICのリードをプリント基板へ半田付けした後放
熱板にネジ止めされるのが一般的であるが、最近
では、プリント基板の設計の容易さや実装密度の
向上、あるいは放熱板への取り付けのやり易さ等
の理由で、第1図a,bに示される様なパワー
IC11,12を第2図のように放熱板13を介
して背中合わせに取り付けられることが行なわれ
ており、特にBTL(balanced trausformerless)
回路等で広く行なわれている。第2図は放熱板1
3へ背中合わせに取り付けられたパワーIC1
1,12のリード方向からみた図である。パワー
IC11,12はパツケージ形状およびその電気
特性は同一であるが、接地、電源および出力端子
がパワーIC11では3,5および7、パワーIC
12では5′,3′,1′というふうに各々の端子
配列が互いに逆転している。従つて、第2図のよ
うにパワーIC11,12が放熱板13へ背中合
わせに取り付けられると、両パワーIC11,1
2の出力、電源および接地端子7,1′、5,
3′および3,5′がそれぞれ一直線に対向するよ
うになる。このためプリント基板上の電源供給配
線や接地配線は各々1本で済むと共に、パワー
IC11,12の各端子と接続されるプリント配
線が対称になるため、プリント基板の設計が容易
になり、しかも同一放熱板13へ取り付けられる
ため実装密度も向上する。
第3図a,bはそれぞれ第1図a,bのパワー
IC11,12の内部構造を示す図である。第3
図aのパワーIC11に於いて、放熱板15へ固
着された半導体ペレツト14上のボンデイングパ
ツド18−1〜18−7とリード16−1〜16
−7とを金線等のボンデイング線17を用いて接
続する際に接地端子GND16−3とボンデイン
グパツド18−3との間、電源端子Vcc16−5
とボンデイングパツド18−5との間および出力
端子OUT16−7とボンデイングパツド18−
7との間は動作上大電流が流れ、また所要の特性
を得るため、あるいは負荷短絡などの異常時にお
けるボンデイング線17の破壊を防止するために
2本以上のボンデイング線17で配線するか特に
太いボンデイング線を用いて配線される。尚、全
ての端子を2本以上のあるいは太いボンデイング
線を用いて配線することは製品価格上の損失が大
きく、通常は大電流が流れる端子のみに限つて行
なわれる。
IC11,12の内部構造を示す図である。第3
図aのパワーIC11に於いて、放熱板15へ固
着された半導体ペレツト14上のボンデイングパ
ツド18−1〜18−7とリード16−1〜16
−7とを金線等のボンデイング線17を用いて接
続する際に接地端子GND16−3とボンデイン
グパツド18−3との間、電源端子Vcc16−5
とボンデイングパツド18−5との間および出力
端子OUT16−7とボンデイングパツド18−
7との間は動作上大電流が流れ、また所要の特性
を得るため、あるいは負荷短絡などの異常時にお
けるボンデイング線17の破壊を防止するために
2本以上のボンデイング線17で配線するか特に
太いボンデイング線を用いて配線される。尚、全
ての端子を2本以上のあるいは太いボンデイング
線を用いて配線することは製品価格上の損失が大
きく、通常は大電流が流れる端子のみに限つて行
なわれる。
一方、第3図bのパワーIC12においても半
導体ペレツト14′上のボンデイングパツド18
−1′〜18−7′の配列が反転するのみで第3図
a同様ボンデイング線17′により上述した配線
が行なわれる。この場合ボンデイングパツド18
−7′が出力端子16−1′に、ボンデイングパツ
ド18−5′が電源端子16−3′、ボンデイング
パツド18−3′が接地端子16−5′にそれぞれ
2本以上のボンデイング線17′又太いボンデイ
ング線で接続される。
導体ペレツト14′上のボンデイングパツド18
−1′〜18−7′の配列が反転するのみで第3図
a同様ボンデイング線17′により上述した配線
が行なわれる。この場合ボンデイングパツド18
−7′が出力端子16−1′に、ボンデイングパツ
ド18−5′が電源端子16−3′、ボンデイング
パツド18−3′が接地端子16−5′にそれぞれ
2本以上のボンデイング線17′又太いボンデイ
ング線で接続される。
しかしながら、第1図a,bに示されるような
パワーIC11,12では、第3図a,bに示さ
れるように2本以上の、あるいは太い金線を用い
て熱圧着により配線する端子位置は双方のパワー
IC11,12において異なり、従つてボンデイ
ングパツドとリードとの間を金属細線で接続する
ボンデイング作業を共通したプログラムによつて
機械的に行うことは不可能であつた。そのため、
ボンデイング工程は手作業になつたり、別々のプ
ログラムによる機械的作業によらざるを得ず、合
理化などによる製品価格低減ができなかつた。そ
の上、また、異なる作業を行うためにボンデイン
グパツド18−1…18−7,18−1′…18
−7′とリード16−1…16−7,16−1′…
16−7′間を接続するボンデイング線17,1
7′の密着性や長さが異なつてしまい、それに伴
なうボンデイング線17,17′の抵抗寄生容量
および容生インダクタンス等の相違のため、パワ
ーIC11,12間の特性の不一致などの欠点が
生じている。しかも、2本以上の又は他と比して
太いボンデイング線が接続されるパツド18−
3,18−5および18−7は、ペレツト14の
中心線に対して対称でないため、ペレツト14上
の片寄つた部分でこれらのパツドに流れる電流に
より発生する熱の影響を受けたり、2本以上のま
たは太いボンデイング線を接続するときの応力が
ペレツト14に局部的に加わつて傷つけたりする
ことがある。これは、第3図bで示したペレツト
14′についても言えることである。
パワーIC11,12では、第3図a,bに示さ
れるように2本以上の、あるいは太い金線を用い
て熱圧着により配線する端子位置は双方のパワー
IC11,12において異なり、従つてボンデイ
ングパツドとリードとの間を金属細線で接続する
ボンデイング作業を共通したプログラムによつて
機械的に行うことは不可能であつた。そのため、
ボンデイング工程は手作業になつたり、別々のプ
ログラムによる機械的作業によらざるを得ず、合
理化などによる製品価格低減ができなかつた。そ
の上、また、異なる作業を行うためにボンデイン
グパツド18−1…18−7,18−1′…18
−7′とリード16−1…16−7,16−1′…
16−7′間を接続するボンデイング線17,1
7′の密着性や長さが異なつてしまい、それに伴
なうボンデイング線17,17′の抵抗寄生容量
および容生インダクタンス等の相違のため、パワ
ーIC11,12間の特性の不一致などの欠点が
生じている。しかも、2本以上の又は他と比して
太いボンデイング線が接続されるパツド18−
3,18−5および18−7は、ペレツト14の
中心線に対して対称でないため、ペレツト14上
の片寄つた部分でこれらのパツドに流れる電流に
より発生する熱の影響を受けたり、2本以上のま
たは太いボンデイング線を接続するときの応力が
ペレツト14に局部的に加わつて傷つけたりする
ことがある。これは、第3図bで示したペレツト
14′についても言えることである。
本考案の目的は上述した欠点をボンデイングパ
ツドの配置に着目して解決し、装置間の電気的特
性のバラツキがなく、しかも製品価格が低れした
半導体集積回路装置を提供するものである。
ツドの配置に着目して解決し、装置間の電気的特
性のバラツキがなく、しかも製品価格が低れした
半導体集積回路装置を提供するものである。
本考案は、外部導出用リードと大きな電流容量
をもつ配線で接続される半導体ペレツト上のボン
デイングパツドが半導体ペレツトの中心線に対し
て対称に位置付けされていることを特徴とする。
対称になつているから、熱源も対称になつたこと
になり、パツドに流れる電流により発生する熱の
影響も抑制できるし、対称になつているから、ボ
ンデイング時に加わる応力の局部的集中も緩和で
きる。また、BTL回路を構成するための二つの
装置に本考案を適用すれば、二つの装置間のボン
デイング作用を共用できる。
をもつ配線で接続される半導体ペレツト上のボン
デイングパツドが半導体ペレツトの中心線に対し
て対称に位置付けされていることを特徴とする。
対称になつているから、熱源も対称になつたこと
になり、パツドに流れる電流により発生する熱の
影響も抑制できるし、対称になつているから、ボ
ンデイング時に加わる応力の局部的集中も緩和で
きる。また、BTL回路を構成するための二つの
装置に本考案を適用すれば、二つの装置間のボン
デイング作用を共用できる。
以下、図面を用いて本考案をより詳細に説明す
る。
る。
第4図a,bは本考案によるパワーICの一実
施例であり、第1図のようにパツケージの形状お
よび電気特性は同一であり、端子配列は互いに逆
転している。第5図a,bはそれぞれパワーIC
19,20の内部構造を示す図である。素子が形
成された半導体ペレツト40と50はボンデイン
グパツド21〜27と31〜37が機能的に配置
されており、放熱板45,55方へ固着されてい
る。出力OUT端子46−1,56−7に接続さ
れるボンデイングパツド21,31、接地GND
端子46−4,56−4と接続されるボンデイン
グパツド24,34、電源Vcc端子46−7,5
6−1に接続されるボンデイングパツド27,3
7は動作上大電流が流れるため2本以上のあるい
は太い金線等の電流容量が大きいボンデイング線
47′,57′を用いて配線されるべきボンデイン
グパツドでありこれらボンデイングパツド21,
31、24,34および27,37は半導体ペレ
ツト40,50の中心とボンデイングパツド2
4,34を通る中心線に対して対称に位置付けさ
れている。各ボンデイングパツド21〜27,3
1〜37は金等のボンデイング線47,57で各
リード46−1〜46−7,56−1〜56−7
へ配線され、樹脂等でモールドされる。この時放
熱板45,55はその裏面が外部へ露出する状態
になる様に形成され、第2図の様に他の放熱板へ
取り付けられて放熱効果が優れたものとなる。パ
ツド21,24,27がペレツト40の中心線に
対して対称であるから、熱源も対称となり得て熱
的影響が抑制され、また、ボンデイング時の応力
が分散されてペレツト14を傷けることがない。
ペレツト50においても、パツド37,34,3
1が中心線に対して対称であるから同じような効
果を奏する。しかも、IC19,20を、第2図
のように他の放熱板と背中合わせに取り付ける
と、相方の端子配列が互いに逆転しているので出
力、接地および電源端子46−1,56−7、4
6−4,56−4および46−7,56−1等の
端子46−1…46−7,56−7はそれぞれ一
直線に向い合う様になる。それ故これらをプリン
ト基板へ実装するとき、各パワーIC19,20
の電源端子46−7,56−1、接地端子46−
4,56−4と接続されるプリント基板上の電源
配線および接地配線はそれぞれ1本の共通したプ
リント配線でよく、しかも他の端子と接続され得
るプリント配線はパワーIC19,20とで対称
に形成すればよいためプリント基板の設計が容易
となり、さらに同じ放熱板へ2個のパワーIC1
9,20が取り付けられるため実装密度も向上す
る。尚且つ、許容電流容量を大きくする必要のあ
るボンデイングパツド21,24,27,31,
34,37は半導体ペレツト40,50の中に対
称に設けられているため半導体ペレツト40,5
0とリード46−1…46−7,56−1…56
−7との配線作業を共通のプログラムによる機械
的作業で行なうことができる。従つて、配線作業
条件がパワーIC19,20の双方で同一となる
ため、ボンデイング線47,57の密着性および
長さが等しくなりボンデイング線47,57の抵
抗値やこれによる寄性容量および寄性インダクタ
ンス等が同等になり、両パワーIC19,20間
の特性は非常に良く一致する。又、手作業による
配線作業も2本以上のあるいは他より太いボンデ
イング線を施すべきボンデイングパツドはチツプ
の中に対称に位置づけされているため、作業ミス
ガ激減し信頼性が著しく向上する。
施例であり、第1図のようにパツケージの形状お
よび電気特性は同一であり、端子配列は互いに逆
転している。第5図a,bはそれぞれパワーIC
19,20の内部構造を示す図である。素子が形
成された半導体ペレツト40と50はボンデイン
グパツド21〜27と31〜37が機能的に配置
されており、放熱板45,55方へ固着されてい
る。出力OUT端子46−1,56−7に接続さ
れるボンデイングパツド21,31、接地GND
端子46−4,56−4と接続されるボンデイン
グパツド24,34、電源Vcc端子46−7,5
6−1に接続されるボンデイングパツド27,3
7は動作上大電流が流れるため2本以上のあるい
は太い金線等の電流容量が大きいボンデイング線
47′,57′を用いて配線されるべきボンデイン
グパツドでありこれらボンデイングパツド21,
31、24,34および27,37は半導体ペレ
ツト40,50の中心とボンデイングパツド2
4,34を通る中心線に対して対称に位置付けさ
れている。各ボンデイングパツド21〜27,3
1〜37は金等のボンデイング線47,57で各
リード46−1〜46−7,56−1〜56−7
へ配線され、樹脂等でモールドされる。この時放
熱板45,55はその裏面が外部へ露出する状態
になる様に形成され、第2図の様に他の放熱板へ
取り付けられて放熱効果が優れたものとなる。パ
ツド21,24,27がペレツト40の中心線に
対して対称であるから、熱源も対称となり得て熱
的影響が抑制され、また、ボンデイング時の応力
が分散されてペレツト14を傷けることがない。
ペレツト50においても、パツド37,34,3
1が中心線に対して対称であるから同じような効
果を奏する。しかも、IC19,20を、第2図
のように他の放熱板と背中合わせに取り付ける
と、相方の端子配列が互いに逆転しているので出
力、接地および電源端子46−1,56−7、4
6−4,56−4および46−7,56−1等の
端子46−1…46−7,56−7はそれぞれ一
直線に向い合う様になる。それ故これらをプリン
ト基板へ実装するとき、各パワーIC19,20
の電源端子46−7,56−1、接地端子46−
4,56−4と接続されるプリント基板上の電源
配線および接地配線はそれぞれ1本の共通したプ
リント配線でよく、しかも他の端子と接続され得
るプリント配線はパワーIC19,20とで対称
に形成すればよいためプリント基板の設計が容易
となり、さらに同じ放熱板へ2個のパワーIC1
9,20が取り付けられるため実装密度も向上す
る。尚且つ、許容電流容量を大きくする必要のあ
るボンデイングパツド21,24,27,31,
34,37は半導体ペレツト40,50の中に対
称に設けられているため半導体ペレツト40,5
0とリード46−1…46−7,56−1…56
−7との配線作業を共通のプログラムによる機械
的作業で行なうことができる。従つて、配線作業
条件がパワーIC19,20の双方で同一となる
ため、ボンデイング線47,57の密着性および
長さが等しくなりボンデイング線47,57の抵
抗値やこれによる寄性容量および寄性インダクタ
ンス等が同等になり、両パワーIC19,20間
の特性は非常に良く一致する。又、手作業による
配線作業も2本以上のあるいは他より太いボンデ
イング線を施すべきボンデイングパツドはチツプ
の中に対称に位置づけされているため、作業ミス
ガ激減し信頼性が著しく向上する。
以上の様に、本考案によるボンデイングパツド
の配置により、ペレツトの熱的影響およびボンデ
イング応用を抑制し、しかも、BTL回路を構成
する二つのICに本考案を適用すれば、ボンデイ
ング作業の共通化が可能となり合理化が達成でき
る。
の配置により、ペレツトの熱的影響およびボンデ
イング応用を抑制し、しかも、BTL回路を構成
する二つのICに本考案を適用すれば、ボンデイ
ング作業の共通化が可能となり合理化が達成でき
る。
尚、本考案は上記実施例に限定されないことは
言うまでもなく、他のあらゆる半導体装置に適当
でき汎用性の高いものである。
言うまでもなく、他のあらゆる半導体装置に適当
でき汎用性の高いものである。
第1図a,bは従来の音響用電力増幅半導体集
積回路装置の一例の外形図、第2図は第1図a,
bの音響用電力増幅半導体集積回路装置の実装例
を示す説明図、第3図a,bはそれぞれ第1図
a,bに示す音響用電力増幅半導体集積回路装置
の内部を説明する説明図、第4図a,bは本考案
の一実施例を示す音響用電力増幅半導体集積回路
装置の外形図、第5図a,bはそれぞれ第4図
a,bに示される音響用電力増幅半導体集積回路
装置の内部を説明する説明図である。 11,12,19,20……音響用電力増幅半
導体集積回路装置、13……放熱板、14,1
4′,40,50……半導体ペレツト、15,1
5′,45,55……放熱板、16−1…16−
7,16−1′…16−7′,46−1…46−
7,56−1…56−7……リード、17,1
7′,47,57,47′,57′……ボンデイン
グ線、18−1…18−7,18−1′…18−
7′,21〜27,31〜37……ボンデイング
パツド。
積回路装置の一例の外形図、第2図は第1図a,
bの音響用電力増幅半導体集積回路装置の実装例
を示す説明図、第3図a,bはそれぞれ第1図
a,bに示す音響用電力増幅半導体集積回路装置
の内部を説明する説明図、第4図a,bは本考案
の一実施例を示す音響用電力増幅半導体集積回路
装置の外形図、第5図a,bはそれぞれ第4図
a,bに示される音響用電力増幅半導体集積回路
装置の内部を説明する説明図である。 11,12,19,20……音響用電力増幅半
導体集積回路装置、13……放熱板、14,1
4′,40,50……半導体ペレツト、15,1
5′,45,55……放熱板、16−1…16−
7,16−1′…16−7′,46−1…46−
7,56−1…56−7……リード、17,1
7′,47,57,47′,57′……ボンデイン
グ線、18−1…18−7,18−1′…18−
7′,21〜27,31〜37……ボンデイング
パツド。
Claims (1)
- 実質的に矩形の半導体ペレツトに形成された多
数のボンデイングパツドが第1の電流容量をもつ
導電路で外部導出用リードに接続される複数の第
1のボンデイングパツドと前記第1の電流容量よ
りも大きな第2の電流容量をもつ第2の導電路で
外部導出用リードに接続される複数の第2のボン
デイングパツドとで構成されている半導体集積回
路装置において、前記複数の第2のボンデイング
パツドには、第1の電源電位供給用ボンデイング
パツド、第2の電源電位供給用ボンデイングパツ
ドおよび出力信号取出用ボンデイングパツドが含
まれており、かつ前記複数の第2のボンデイング
パツドは前記半導体ペレツトの対向する二つの辺
の夫々の中心を通る線に対して対称に配置されて
いることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984004773U JPS59128736U (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984004773U JPS59128736U (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59128736U JPS59128736U (ja) | 1984-08-30 |
JPS6214689Y2 true JPS6214689Y2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=30136373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984004773U Granted JPS59128736U (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59128736U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940006585B1 (ko) * | 1985-02-28 | 1994-07-22 | 소니 가부시키가이샤 | 반도체 회로장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49131381A (ja) * | 1973-04-18 | 1974-12-17 | ||
JPS523384A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | Siemens Ag | Comb teeth shaped conductor for semiconductor elements or integrated circuits |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49131381U (ja) * | 1973-03-14 | 1974-11-12 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP1984004773U patent/JPS59128736U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49131381A (ja) * | 1973-04-18 | 1974-12-17 | ||
JPS523384A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | Siemens Ag | Comb teeth shaped conductor for semiconductor elements or integrated circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59128736U (ja) | 1984-08-30 |
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