JPS60116052A - 不良デ−タ修復方式 - Google Patents

不良デ−タ修復方式

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JPS60116052A
JPS60116052A JP58223938A JP22393883A JPS60116052A JP S60116052 A JPS60116052 A JP S60116052A JP 58223938 A JP58223938 A JP 58223938A JP 22393883 A JP22393883 A JP 22393883A JP S60116052 A JPS60116052 A JP S60116052A
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JP
Japan
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data
word
error
section
parity
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Pending
Application number
JP58223938A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Sakamaki
坂巻 勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS60116052A publication Critical patent/JPS60116052A/ja
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ICメモリを使用した補助記憶装置において
データネ良が発生したときの不良データ修復方式に関す
るものである。
〔発明の背景〕
従来、補助記憶装置は磁気ドラム、磁気ディスク、磁気
テープ等が使用され、ICメモリが使用されることはな
かった。この理由として、a)、ICメモリの集積密度
が低く、磁気ディスク等と同一容量のメモリを作成した
場合、体積の上から競争にならないこと、b)、ICメ
モリの価格が磁気ディスク等と比べ高価であり、経済的
な競争力がないこと、C)、停電時に記憶内容が破壊さ
れてしまうために電源を無停電化する必要があること、
d)、多数個のICメモリを使った場合、信頼性が低下
してしまい、実用的でないこと、等である。
しかし、ICメモリの持つ特徴としてa)、アクセスタ
イムが短い、b)、装置全体が電気部品のみで構成でき
、可動部分1回転部分が無いことからメンテナンスフリ
ーの装置を構成できること、等の大きな利点があシ、速
急に前記欠点が除かれることが期待されていた。
ところで、最近、ICメモリの集積密度が飛躍的に向上
したことから、19メモリを使った補助記憶装置の実現
が急がれている。
しかし、ICメモリを使った補助記憶装置を実現するに
当って解決しておかなければならない技術的な問題とし
て、素子不良時の装置信頼性確保の点がある。
従来の補助記憶装置は磁気記憶が主であり、そのデータ
記録法はシリアル方式が採用−され、そして磁気記憶の
場合、素子不良の考え方はなく、読出しデータのエラー
の有無のみを判定すればよく、エラー有9の場合は再書
込みすることでデータネ良を修復していた。
これに対して、ICメモリの場合、素子不良発生時の救
済法が必要となる。この場合、その救済法はデータの記
憶方式に応じて2つに大別することができる。
1つはデータをバイト単位、ワード単位のパラレル記憶
する場合のもので、ノ・ミングコードを用いた修正方式
である。他の1つはバイト単位あるいはワード単位のデ
ータをシリアルに記憶する場合のもので、ファイヤコー
ドを用いた修正方式である。
ところが、前者の修正方式においては、例えば1ワード
が16ビツト構成の場合で1ビツトのエラー修正を行う
場合であってもチェックビットとして5ビツト必要であ
シ、効率が悪いという問題がある。一方、後者において
はチェックビットはブロック当シ32ビットで済み効率
が良いが、記憶方式がシリアルであるために一部ブロッ
ク単位で読込んだ後でないと修正が不可能であるという
欠点を持っている。これは、ICメモリが本来持ってい
る高速性に反するものとなる。
要約すると、ICメモリを用いて高速の補助記憶装置を
実現しようとすると、素子不良に対しての修正論理が必
要になるが、高速で修正可能なノ・ミングコードは、修
正のために必要とするチェックビット数が大きくなると
いう欠点を有し、またチェックピット数の少ないファイ
ヤコードはアクセス速度が遅いシリアルアクセス方式で
なければ使用できないという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、−ICメモリを用いた大容量記憶装置
を構成するにあたり、ICメモリが持つ高速性を殺すこ
となく、かつ少数のチェック用データにより不良データ
の修復を行うことができる不良データ修復方式を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明は、処理装置からのアクセスをブロック単位とし
、装置4内での記憶装置へのアクセスはワード単位とし
、エラー検出はワード単位で行い、エラー修正はブロッ
ク単位で行うように構成したものである。
〔発明の実施例〕
以下、第1図〜第6図を用いて本発明の詳細な説明する
。第1図は小型コンピュータ等に一般的に使用されてい
る補助記憶装置の接続方式を示す図であり、処理装置1
のパスライン6には主記憶装置2および入出力機器制御
回路3が接続されており、補助記憶装置5と処理装置1
とは補助記憶制御回路4を介して接続されている。
第2図は補助記憶装置5をICメモリで構成した場合の
構成図である。
この補助記憶装置5は複数の記憶装置52と外部インタ
ーフェイス53、これらを制御する制御部51および全
体を接続するパスライン54で構成される。記憶装置5
2はICメモリが実装されたモジュールであシ、データ
はこの部分に記憶される。制御部51は、外部インター
フェイス53を経由して補助記憶制御回路4がら与えら
れた制御指令55に従って各記憶装置52のアクセスを
制御する。
第3図は記憶装置52の構成図である。この記憶装置5
2はデータ記憶のためのデータ部521とエラーチェッ
クの邂めのパリティ部522およびデータ書込時にパリ
ティ部を生成し、読出し時にパリティチェックを行い、
その結果を制御部51に知らせるパリティチェッカジェ
ネレータ部523から構成される。
第4図はデータ修正論理の説明図である。ここで前提と
して、処理装置からのアクセス単位を64ワード(n=
64)とし、まだ、1ワードは16ピソトとする。
まず、記憶装置52内のデータ部521にデータの書込
みが行われると、1ワード毎にパリティ部522でパリ
ティデータ522が生成されてデータ部分と同時にデー
タ部521に書込まれる。
一方、制御部51内では1ワードのデータ書込みが行わ
れる毎にその書込みデータの加算が行われておシ、64
回のデータ書込みが終了するとその結果がチェックデー
タ部513に書込まれる。この時、チェックデータは2
3ビツト必要である。
従って、チェックデータは記憶容量全体を64で割った
数だけ必要となシ、各64ワードに対応したチェックデ
ータが記憶される。(なお、チェックデータの生成は書
込み時に行われる。)次に、読出し動作が行われた場合
、1ワード読出す毎にパリティチェックが行われ、その
パリティチェックの結果は制御部51に報告される。制
御部51ではパリティチェックでエラーが検出された場
合、エラー発生データがブロックの先頭から何ソード目
に当たるかを記憶する。又、制御部51では、パリティ
エラーの状態監視と共に、読出されたデータの加算を行
っている。ただし、パリティエラーが発生した場合のデ
ータは加算しない。従って、64ワードのデータ読出し
が終了とその加算結果が残る。まだ、読出されたデータ
は、制御部51内のデータバッファに記憶されている。
例えば、64ワードのデータ読出し中にパリティエラー
が無かった場合は全データ共に正常であるため、制御部
51内のデータバッファの内容は外部インターフェイス
53を介して処理装置側(通常は主記憶)に送られる。
しかし64ワードのデータ読出し中にパリティニジ−が
あった場合(第4図では藍番目のデータ読出し時にパリ
ティエラーがあったことを斜線で示している)、制御部
51内の加算結果はi番目のデータを除いだ63ワ一ド
分の加算値である。
そこで、今回読出したブロックに対応するチェックデー
タ513から加算値を減算することにより、i番目の正
しいデータを得ることができる。また、i番目の位置は
読出し時に記憶されているので正しい修正が可能となる
第5図は制御部51の詳細構成を示すブロック図であり
、以下、この図を用いて上記のような修正法に対しての
動作を説明する。
捷ず、書込時の動作は次の通りである。外部インターフ
ェイス部53を経由してレジスタ515には記憶アドレ
スが設定される。すると、制御部51はレジスタ515
に書込みアドレスが設定されたことを検出してカウンタ
516に設定値514をセットし、またカウンタ517
に書込みアドレスをセットする。この時、カウンタ51
6にセットされる設定値514ば「64」である。この
ような動作と同時に修正論理内の加算値レジスタおよび
パリティエラーレジスタの内容もクリアされる。この状
態で外部インターフェイス部53を介して処理装置1か
ら書込みデータが1ワードずつ送られてくると、制御部
51はカウンタ517の内容をパスライン54に出力し
、記1意アドレスの指定を行う。すると、記憶装置52
はパスライン54上のデータを制御部51から送られて
きたアドレスデータに従って書込む。−力制御部51は
、パスライン54上のデータの加算を行う。以上の動作
がおわると、カウンタ516,517はそれぞれその内
容が−1,+1される。
このような動作がj岨次64回行われ、64回目の動作
がおわると、カウンタ516の内容は「0」となる。こ
のため、修正論理部518はカウンタ516の内容が「
0」となったことを検出し、レジスタ512の内容から
チェックデータエリア513を決めて加算値をチェック
データエリア513にセットする。以上で1ブロツクの
データの書込みが終了する。そして、続いて書込みがあ
る場合は、再度レジスタ515のセットが行われる。レ
ジスタ515のセットは補助記憶制御回路4によって行
われる。
次に読出しの場合を説明する。
レジスタ515に読出しアドレスがセットされた後、カ
ウンタ516,517がセットされ、修正論理部518
内の加算値レジスタとパリティエラーレジスタがクリア
される(ここまでの動作は書込み時と同じである)。
すると、制御部51はカウンタ517の内容をパスライ
ン54上に出力する。これによシ、記憶装置52はカウ
ンタ517の内容で指定されたアドレスのデータをバク
ライ/−54上に出力する。
この時、パリティチェックも行われ、エラーがあればバ
スライ154上へパリティエラー信号が出力される。一
方、制御部51はパスライン54上の読出しデータをデ
ータバッファ512へ記憶するl(この時、データバッ
ファの記憶位置はカウンタ516によって指定される)
と共に修正論理部518で加算値レジスタの内容と加算
を行い結果を加算値レジスタにセットする。以上の動作
がおわるとカウンタ516、カウンタ517の内容がそ
れぞれ−1,+1される。これはカウンタ517の内容
が「0」になるまで(64市)〈シ返し行われる。その
後、パリティエラーレジスタがセットされているか否か
が判断され、セットされていなければカウンタ51G、
カウンタ517を再度セットし、データバッファ512
の内容をパスライン54上に出力する。この時、カウン
タ517の内容は意味を持っていない。この動作を〈シ
返した結果、カウンタ516の内容が10」になれば1
ブロツクの転送が終了するので、必要に応じてレジスタ
515が再度セットされる。
しかし、パリティエラーレジスタがセットされている場
合は、レジスタ515の内容に従ってチェックデータ5
13が読出され、加算値レジスタの内容が減算される。
この結果はパリティエラーレジスタの内容に従ってデー
タバッファ512に書込まれる。その後、カウンタ51
6,517のセットが行われて正常時と同一のデータ転
送が行われる。
以上のようにしてエラーデータの修正が行われるが、こ
のような方式を用いることにより次のような利点が得ら
れる。
a)ハミングコードを用いた場合に比べ、チェック用ピ
ット数が少なくて済み、かつ、ワード単位での修正が可
能である。このため、4ビツト。
8ビット等の複数ビットアクセス方式のiCメモリを利
用した場合の検出効果が高くなる。
b) ファイヤーコードを使用した場合に比べ、記憶装
置へのアクセスがワード単位となシ高速化できる。ちな
みに、1ワード16ビツト構成であれば16倍の速度に
なる。
また、ブロック当りのワード数が変った場合、チェック
データの太きさも変えることかでき、ブロック当りの語
数が小さくても使用できる。
C) データチェックを行う論理が加?f2算のみで簡
単であシ、ハードウェア化も容易である。
d)記憶装置をワード単位でアクセスすることや上記C
)の条件から、制御部51をコンピユータ化してもあま
り速度が低下することがない。
なお、修正論理部518は例えば第6図のブロック図に
示すように構成され、この構成によって上述のようなデ
ータ修復が行われる。
なお、また、実施例ではデータのエラー検出をハリティ
チェックによって行っているが、これ以外のチェック方
法を用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、チェッ
ク用データが少なく済み、かつアクセス速度を低下させ
ることなくエラー修復が可能となるため’I ICメモ
リを用いた信頼性の商い高速の補助記憶装置を実現する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は補助記憶装置を用いる場合の一般的なシステム
構成図、第2図はICメモリを使用しだ補助記憶装置の
構成図、第3図は記憶用モジュールの構成図、第4図は
エラー修正方式の説明図、第5図は修正動作説明図、第
6図は修正論理の構成図である。 1・・・処理装置、5・・・補助記憶装置、51・・・
制御部、52・・・記憶装置、512・・・データバッ
ファ、513・・・チェックデータ部、516,517
・・・カウンタ、521・・・データ部、522・・・
パリティ部、523・・・パリティチェッカジェネレー
タ部。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 第1 図 第2 図 、り 茅3 目 2 ン 第4 囚 5/3 第5ス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、複数語をアクセス単位とする補助記憶装置の不良デ
    ータ修復方式であって、語単位でのデータエラー検出手
    段と、アクセス単位毎の修正用データを生成する修正デ
    ータ生成手段と、語単位でのデータエラー検出時に尚該
    データがアクセス単位の中の何番目の語に相当するかを
    記憶する記憶手段とを有し、データ書込み時には修正用
    データを生成して書込みデータと共に記憶させ、データ
    読出し時にも修正用データを生成すると共に語単位でエ
    ラー検出を行い、アクセス単位での読出し終了後エラー
    があれば書込み時に生成した修正用データと読出し時に
    生成した修正用データに基づいてエラーデータに対する
    修正データを作成し、この修正データに基づき前記記憶
    手段の記憶内容に対応するアクセス順位のデータを修正
    して出力するようにした不良データ修復方式。
JP58223938A 1983-11-28 1983-11-28 不良デ−タ修復方式 Pending JPS60116052A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58223938A JPS60116052A (ja) 1983-11-28 1983-11-28 不良デ−タ修復方式

Applications Claiming Priority (1)

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JP58223938A JPS60116052A (ja) 1983-11-28 1983-11-28 不良デ−タ修復方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60116052A true JPS60116052A (ja) 1985-06-22

Family

ID=16806054

Family Applications (1)

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JP58223938A Pending JPS60116052A (ja) 1983-11-28 1983-11-28 不良デ−タ修復方式

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JP (1) JPS60116052A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0470941A (ja) * 1990-07-04 1992-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自己訂正機能付き端末装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53148928A (en) * 1977-05-31 1978-12-26 Ibm Memory system

Patent Citations (1)

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