JPS60114010A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPS60114010A JPS60114010A JP22183983A JP22183983A JPS60114010A JP S60114010 A JPS60114010 A JP S60114010A JP 22183983 A JP22183983 A JP 22183983A JP 22183983 A JP22183983 A JP 22183983A JP S60114010 A JPS60114010 A JP S60114010A
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- acoustic wave
- electrode
- resonator
- wave resonator
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、電圧制御発根器に用いた場合に周波数可変
幅を広帯域となし得る弾性表面波共振子に関するもので
ある。
幅を広帯域となし得る弾性表面波共振子に関するもので
ある。
弾性表面波共振子は、一般に第1図に示すように、弾性
表面波を伝搬する圧電基板1上に弾性表面波励振用のイ
ンターディジタル電極2と、弾性癖面波伝搬方向に直角
に多数本のストリップを周期的に配列したグレーティン
グ反射器3,4を形成して構成されている。
表面波を伝搬する圧電基板1上に弾性表面波励振用のイ
ンターディジタル電極2と、弾性癖面波伝搬方向に直角
に多数本のストリップを周期的に配列したグレーティン
グ反射器3,4を形成して構成されている。
このような弾性表面波共振子は電気的等価回路で表わす
と、水晶振動子の場合と同様に第2図1alまたは(b
)のように表わすことができる。第2図1a+において
、CTは電極間の静電容量と端子間の浮遊容量を加算し
たものであり、インダクタンスLn。
と、水晶振動子の場合と同様に第2図1alまたは(b
)のように表わすことができる。第2図1a+において
、CTは電極間の静電容量と端子間の浮遊容量を加算し
たものであり、インダクタンスLn。
容量CO+および抵抗曳の直列共振回路は共振子の共振
現象を現わしている。また同図1blにおいて、R,e
は角周波数ωの場合の等価抵抗、Xeは同じく等価リア
クタンスを示している。したがって、弾性表面波共振子
による発振器は、水晶発振器の場合型の電圧制御発振器
を示している。@3図において5は共振子、6は破線よ
り右側の発振用トランR,,はそれぞれ抵抗を示してい
る。
現象を現わしている。また同図1blにおいて、R,e
は角周波数ωの場合の等価抵抗、Xeは同じく等価リア
クタンスを示している。したがって、弾性表面波共振子
による発振器は、水晶発振器の場合型の電圧制御発振器
を示している。@3図において5は共振子、6は破線よ
り右側の発振用トランR,,はそれぞれ抵抗を示してい
る。
この発振器は、破線で示したようlこ共振器5の側と、
それμ外の回路6とに区分して考えれば、第4図のよう
に表わすことができる。回路6側のインピーダンスZr
、(=4r、+jXL)は単純化した場合(1)式のよ
うに表わせる。
それμ外の回路6とに区分して考えれば、第4図のよう
に表わすことができる。回路6側のインピーダンスZr
、(=4r、+jXL)は単純化した場合(1)式のよ
うに表わせる。
・・・・・・・・・・・・−・if)
ただし、上式lζおいて、gmは相互コンダクタンス、
Ceはエミッタ容量、ωは角周波数である。
Ceはエミッタ容量、ωは角周波数である。
発振が定常状態にあるときは、共振子5側のインピーダ
ンスと回路6側のインピーダンスの間には次式が成立す
る。
ンスと回路6側のインピーダンスの間には次式が成立す
る。
コルピッツ型発振器においては、共振子5を共振−反共
振の間の周波数で誘導性リアクタンスすなわちインダク
タンスLとして動力)せているので、この場合回路6側
のリアクタンスXLは(1)式のようj(容量性リアク
タンスとなる。しt=がってリアクタンスXLは容量C
Lで表わすことができ、発振周波数はr21式のように
おおむねインダクタンスLと容量CLの直列共振周波数
となる。
振の間の周波数で誘導性リアクタンスすなわちインダク
タンスLとして動力)せているので、この場合回路6側
のリアクタンスXLは(1)式のようj(容量性リアク
タンスとなる。しt=がってリアクタンスXLは容量C
Lで表わすことができ、発振周波数はr21式のように
おおむねインダクタンスLと容量CLの直列共振周波数
となる。
そこで、共振子5に直列に接続したバラクタ(可変容量
ダイオード)7に印加される逆方向電圧(制御電圧)を
変えることにより、発振周波数fを(3)式にしたがっ
て可変することができる。
ダイオード)7に印加される逆方向電圧(制御電圧)を
変えることにより、発振周波数fを(3)式にしたがっ
て可変することができる。
ただし、frは共振子5の共振周波数、rは共振子5の
容量比Cr/C−np CL’ = (Cr、−t +
Cx−1) −1い。
容量比Cr/C−np CL’ = (Cr、−t +
Cx−1) −1い。
しかし、容量比は共振子に使用する圧電基板の電気機械
結合係数でほぼ決定されるため、より広い周波数可変幅
を得るためには、第5図に示すようにインダクタし、を
共振子5に直列に挿入して共振周波数を低下させ見かけ
上の容量比「を小さく使用していた。この手段によると
、個別のインダクタL、を外部において接続しなければ
ならないので、発振回路の形状が大きくなり価格も力)
さむという欠点へあった。
結合係数でほぼ決定されるため、より広い周波数可変幅
を得るためには、第5図に示すようにインダクタし、を
共振子5に直列に挿入して共振周波数を低下させ見かけ
上の容量比「を小さく使用していた。この手段によると
、個別のインダクタL、を外部において接続しなければ
ならないので、発振回路の形状が大きくなり価格も力)
さむという欠点へあった。
この発明は上記の欠点を除去し、個別素子としてのイン
ダクタを用いることなく容量比を小さくして発振器を小
型に構成し得るとともに周波数可変幅を広くすることの
できる弾性表面波共振子を提供しようとするものである
。
ダクタを用いることなく容量比を小さくして発振器を小
型に構成し得るとともに周波数可変幅を広くすることの
できる弾性表面波共振子を提供しようとするものである
。
この発明は、弾性表面波共振子が構成される圧電基板上
に、弾性表面波励振用のインタディジタル電極を設ける
ととも一ζ特にこの電栢に接続してインダクタ形成用電
極を設けたことを特徴としている。
に、弾性表面波励振用のインタディジタル電極を設ける
ととも一ζ特にこの電栢に接続してインダクタ形成用電
極を設けたことを特徴としている。
この発明によれば、上記のようにして基板上に形成され
たインダクタが弾性表面波共振子と直列に接続されるた
め、従来のように個別素子としてのインダクタを外部に
設ける必要がなく容量比の小さな弾性表面波共振子を構
成することができる。
たインダクタが弾性表面波共振子と直列に接続されるた
め、従来のように個別素子としてのインダクタを外部に
設ける必要がなく容量比の小さな弾性表面波共振子を構
成することができる。
したがってこれを発振子として用いた場合、広帯域可変
可能な発振器を容易に構成することができる。
可能な発振器を容易に構成することができる。
またインダクタ形成用電極は弾性表面波共捜子の製造過
程で同時に形成が可能であるから製造が容易であり全体
としての価格を低減し得るとともに全体の構成を小型化
することができる。
程で同時に形成が可能であるから製造が容易であり全体
としての価格を低減し得るとともに全体の構成を小型化
することができる。
以下図面を参照し、この発明の一実施例について説明す
る。
る。
第6図は、この発明を900MHz帯パーソナル無線l
とおけるチャンネル切換用電圧制御発振器に使用する発
振子に適用した場合を示している。
とおけるチャンネル切換用電圧制御発振器に使用する発
振子に適用した場合を示している。
図において、11は弾性表面波を伝搬するための例えば
タンタル酸リチウム(LiTaO,)よりなる圧電基板
であり、この基板11上に例えば0.1μm厚のアルミ
薄膜力)らなる弾性表面波共振子のインターディジタル
電極12が設けられ、さらにその両側には弾性表面波波
長の174の幅約1.0μmのストリップ導体を1/2
波長間隔で200本ずつ配列してなるグレーティング反
射器13.14を設けて、一端子対型の弾性表面波共振
子が構成されている。
タンタル酸リチウム(LiTaO,)よりなる圧電基板
であり、この基板11上に例えば0.1μm厚のアルミ
薄膜力)らなる弾性表面波共振子のインターディジタル
電極12が設けられ、さらにその両側には弾性表面波波
長の174の幅約1.0μmのストリップ導体を1/2
波長間隔で200本ずつ配列してなるグレーティング反
射器13.14を設けて、一端子対型の弾性表面波共振
子が構成されている。
また、前記インターディジタル電極12の一端(この実
施例では図示右端)に渦巻状をなしたストリップ導体よ
りなるインダクタ形成用電極15がこれに接続されて設
けられている。
施例では図示右端)に渦巻状をなしたストリップ導体よ
りなるインダクタ形成用電極15がこれに接続されて設
けられている。
この電極15は、第5図のインダクタL、に相当し、弾
性表面波共振子を構成する圧電性基板11上に形成され
、この共振子に直列に接続された構成となる。したがっ
て容量化の小さな弾性表面波共振子を得ることができ、
発振子として用いた場合に、広帯域可変可能な発振器と
することかで峠る。
性表面波共振子を構成する圧電性基板11上に形成され
、この共振子に直列に接続された構成となる。したがっ
て容量化の小さな弾性表面波共振子を得ることができ、
発振子として用いた場合に、広帯域可変可能な発振器と
することかで峠る。
また個別素子としてのインデノを別に設ける必要がない
ので全体きして構成を小型化しかつ価格低減し得る特長
がある。
ので全体きして構成を小型化しかつ価格低減し得る特長
がある。
第7図ないし第9図は、いずれもこの発明の他の実施例
を示すものである。
を示すものである。
第7図の実施例は、インターディジタル電極棒の両側に
インダクタ形成用電極15a、15bを設けたものであ
り、このようにすることにより、一層大きなインダクタ
を得ることができこの発明の効果をさらに助長すること
ができろ。
インダクタ形成用電極15a、15bを設けたものであ
り、このようにすることにより、一層大きなインダクタ
を得ることができこの発明の効果をさらに助長すること
ができろ。
第8図の実施例は、インダクタ形成用電極15の一部を
グレーティング反射器13僕兼ねたものであり、インダ
クタ形成用電4@15のインターディジタル電極12に
対する接続部をグレーティング反射器13の一部を利用
して構成している。
グレーティング反射器13僕兼ねたものであり、インダ
クタ形成用電4@15のインターディジタル電極12に
対する接続部をグレーティング反射器13の一部を利用
して構成している。
また第9図の実施例は、インダクタ形成用電極15′の
インターディジタル電極】2に対する接続部をグレーテ
ィング反射器13の一部を利用して構成する他、グレー
ティング反射器1Q13.14の間1した構成のもので
ある。
インターディジタル電極】2に対する接続部をグレーテ
ィング反射器13の一部を利用して構成する他、グレー
ティング反射器1Q13.14の間1した構成のもので
ある。
なお、理解の便宜上、第7図ないし第9図において、第
1図に対応する部分は同一符号によって表示した。
1図に対応する部分は同一符号によって表示した。
この発明は上記各実施例に限定されるものではなく要旨
を変更しない範囲において櫨々変形して実施するこきが
できる。
を変更しない範囲において櫨々変形して実施するこきが
できる。
上記実施例はいずれもグレーティング反射器を用いた場
合が示されているが、この発明はグレーティング反射器
がなく弾性表面波励振用インターディジタル電極のみか
らなる多対型共振子を構成した場合にも適用が可能であ
る。
合が示されているが、この発明はグレーティング反射器
がなく弾性表面波励振用インターディジタル電極のみか
らなる多対型共振子を構成した場合にも適用が可能であ
る。
第1図は従来の弾性表面波共振子の一例の斜視図、第2
図fat山1は第1図の弾性表面波共振子の電気的等価
回路図、第3図は従来のコルピッツ型電圧制御発振器の
基本的構成図、第4図はその2端子表現により等価回路
図、第5図は共振子に直列にインダクタを挿入し広帯域
可変にした従来のコルピッツ型′4圧制御発振器の構成
図、第6図はこの発明の一実施例の斜視図、第7図ない
し第9図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す斜視図
である。 1・・・圧電基板 2・・・インク4デイジタル電極 3.4・・・グレーティング反射器 5・・・共振子 6・・・回路 7・・り寸うクタ 11・・・圧電基板 12・・・インターディジタル電
極13.14・・・グレーティング反射器15、15’
、 15a、 15b−4ンダクタ形成用電極出願人
東京芝浦電気株式会社 1N1図 第2V!J (a) I b) 第3図 第4図 : 1!6図 第7図 第8図 I9vlJ
図fat山1は第1図の弾性表面波共振子の電気的等価
回路図、第3図は従来のコルピッツ型電圧制御発振器の
基本的構成図、第4図はその2端子表現により等価回路
図、第5図は共振子に直列にインダクタを挿入し広帯域
可変にした従来のコルピッツ型′4圧制御発振器の構成
図、第6図はこの発明の一実施例の斜視図、第7図ない
し第9図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す斜視図
である。 1・・・圧電基板 2・・・インク4デイジタル電極 3.4・・・グレーティング反射器 5・・・共振子 6・・・回路 7・・り寸うクタ 11・・・圧電基板 12・・・インターディジタル電
極13.14・・・グレーティング反射器15、15’
、 15a、 15b−4ンダクタ形成用電極出願人
東京芝浦電気株式会社 1N1図 第2V!J (a) I b) 第3図 第4図 : 1!6図 第7図 第8図 I9vlJ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)弾性表面波を伝搬する圧電基板と、この基板上に
設けられた電気信号を弾性表面波lど変換させる弾性表
面波励振用のインターディジタル電極と、前記基板上に
このインターディジタル電極と接続して設けられたイン
ダクタ形成用電極とをうばメも具備したことを特徴とす
る弾性表面ターディジタル電極の他に弾性表面波を反射
させるグレーティング反射器が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波共振子
。 (3)上記グレーティング反射器はインターディジタル
電極の両側に2個設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の弾性表面波共振子。 (4)上記インダクター形成用電極はその少くとも振子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22183983A JPS60114010A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22183983A JPS60114010A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60114010A true JPS60114010A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=16772997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22183983A Pending JPS60114010A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60114010A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998012803A1 (de) * | 1996-09-19 | 1998-03-26 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Oberflächenwellen-bauelement |
USRE37375E1 (en) | 1991-10-28 | 2001-09-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
USRE40036E1 (en) | 1991-10-28 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22183983A patent/JPS60114010A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE37375E1 (en) | 1991-10-28 | 2001-09-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
USRE37790E1 (en) | 1991-10-28 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
USRE40036E1 (en) | 1991-10-28 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
WO1998012803A1 (de) * | 1996-09-19 | 1998-03-26 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Oberflächenwellen-bauelement |
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