JPH0213488B2 - - Google Patents
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- JPH0213488B2 JPH0213488B2 JP53117011A JP11701178A JPH0213488B2 JP H0213488 B2 JPH0213488 B2 JP H0213488B2 JP 53117011 A JP53117011 A JP 53117011A JP 11701178 A JP11701178 A JP 11701178A JP H0213488 B2 JPH0213488 B2 JP H0213488B2
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- surface acoustic
- frequency
- acoustic wave
- selection device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面弾性波を用いた能動的な周波数選
択装置に関する。
択装置に関する。
従来、高選択度で共振中心周波数が可変な共振
器は存在せず、また従来の共振器は挿入損失が避
けられない欠点があつた。
器は存在せず、また従来の共振器は挿入損失が避
けられない欠点があつた。
本発明はこのような事由に鑑みて、表面弾性波
とポンプ電力とのパラメトリツク相互作用を利用
した従来とは全く異なる原理の共振器を提供しよ
うとするもので、以下図面に示す実施例を参照し
て説明する。
とポンプ電力とのパラメトリツク相互作用を利用
した従来とは全く異なる原理の共振器を提供しよ
うとするもので、以下図面に示す実施例を参照し
て説明する。
第１図に示す本発明の実施例において、１及び
２はそれぞれ電気信号の入出力手段（信号入出力
トランスジユーサ）であつて、例えば櫛形電極か
らなる表面弾性波トランスジユーサにより構成さ
れ、入力手段１により電気信号を表面弾性波に変
換し、出力手段２により表面弾性波を電気信号に
変換する。
２はそれぞれ電気信号の入出力手段（信号入出力
トランスジユーサ）であつて、例えば櫛形電極か
らなる表面弾性波トランスジユーサにより構成さ
れ、入力手段１により電気信号を表面弾性波に変
換し、出力手段２により表面弾性波を電気信号に
変換する。
３は直流バイアス電圧及びポンプ電力印加用の
電極で、表面弾性波の伝播経路上に配設されてお
り、高周波電流阻止用のチヨークコイル１１及び
直流バイアス電圧印加用の電圧可変直流電源１２
を介して接地され、また直流電流阻止用コンデン
サ及びポンプ電力供給用高周波電源９を介して接
地されている。７，８は吸収材、１３はオーミツ
ク接触用電極である。
電極で、表面弾性波の伝播経路上に配設されてお
り、高周波電流阻止用のチヨークコイル１１及び
直流バイアス電圧印加用の電圧可変直流電源１２
を介して接地され、また直流電流阻止用コンデン
サ及びポンプ電力供給用高周波電源９を介して接
地されている。７，８は吸収材、１３はオーミツ
ク接触用電極である。
４は酸化亜鉛（ZnO）等により形成された圧電
体膜、５はシリコン酸化膜（SiO2）等よりなる
絶縁膜、６はシリコン（Si）等より形成された半
導体基板で、これらは積層体を構成する。なお絶
縁膜５は原理的には不要なものであるが、これを
設けておくと半導体基板表面の安定化に有効であ
る。
体膜、５はシリコン酸化膜（SiO2）等よりなる
絶縁膜、６はシリコン（Si）等より形成された半
導体基板で、これらは積層体を構成する。なお絶
縁膜５は原理的には不要なものであるが、これを
設けておくと半導体基板表面の安定化に有効であ
る。
今、選択希望周波数の２倍の周波数2のポン
プ電圧を、ポンプ電源９から直流阻止用コンデン
サ１０を介してポンプ電極３に印加し、半導体基
板６の表面の空間電荷層容量を周波数2のポンプ
電圧で励振する。この容量は印加するポンプ電圧
の大きさに応じて変化するため、周波数2で変化
することになる。
プ電圧を、ポンプ電源９から直流阻止用コンデン
サ１０を介してポンプ電極３に印加し、半導体基
板６の表面の空間電荷層容量を周波数2のポンプ
電圧で励振する。この容量は印加するポンプ電圧
の大きさに応じて変化するため、周波数2で変化
することになる。
一方、充分に帯域の広い信号入力トランスジユ
ーサ１の端子に入力電気信号を印加すると、その
電気信号は表面弾性波信号に変換されて圧電膜４
の表面を左右に伝播する。そして信号入力トラン
スジユーサ１から左に伝播する表面弾性波は吸収
材７で吸収され、反射による悪影響はない。
ーサ１の端子に入力電気信号を印加すると、その
電気信号は表面弾性波信号に変換されて圧電膜４
の表面を左右に伝播する。そして信号入力トラン
スジユーサ１から左に伝播する表面弾性波は吸収
材７で吸収され、反射による悪影響はない。
また信号入力トランスジユーサ１から右に伝播
する表面弾性波のうちで周波数の成分の波はポ
ンプ電極３を伝播している間に、その圧電ポテン
シヤルが半導体基板６の表面の空間電荷層容量の
非線形効果によりポンプ電圧とパラメトリツク相
互作用を行なうために増幅される。この時の増幅
周波数特性は第２図のようになる。同図から明ら
かなように、この増幅特性における通過帯域幅は
非常に狭くすることができ、その場合には下記の
特徴が得られる。
する表面弾性波のうちで周波数の成分の波はポ
ンプ電極３を伝播している間に、その圧電ポテン
シヤルが半導体基板６の表面の空間電荷層容量の
非線形効果によりポンプ電圧とパラメトリツク相
互作用を行なうために増幅される。この時の増幅
周波数特性は第２図のようになる。同図から明ら
かなように、この増幅特性における通過帯域幅は
非常に狭くすることができ、その場合には下記の
特徴が得られる。
(イ) 選択度Ｑ（共振中心周波数／通過帯域幅）を
非常に大きくすることができる。伝播に伴なう
損失を無視した場合の計算では増幅度20dBの
時、Ｑ＝22200であり、また同じ条件での実験
においてＱ＝11100を得ている。
非常に大きくすることができる。伝播に伴なう
損失を無視した場合の計算では増幅度20dBの
時、Ｑ＝22200であり、また同じ条件での実験
においてＱ＝11100を得ている。
(ロ) ポンプ周波数2を変化させることにより、通
過帯域中心周波数が変化するので可変同調が可
能である。
過帯域中心周波数が変化するので可変同調が可
能である。
(ハ) ポンプ電圧もしくは直流バイアス電圧を変化
させることにより、増幅度が変化しこれに伴な
いＱも変化させ得る。
させることにより、増幅度が変化しこれに伴な
いＱも変化させ得る。
なお前記入出力トランスジユーサとして一方向
性の表面弾性波トランスジユーサ（その端子間に
適当な位相差をもたせる等の方法により一方向の
みに音波を発生させるようにする。）を用いれば
トランスジユーサ部分における不要波の反射によ
る悪影響を軽減することができる。
性の表面弾性波トランスジユーサ（その端子間に
適当な位相差をもたせる等の方法により一方向の
みに音波を発生させるようにする。）を用いれば
トランスジユーサ部分における不要波の反射によ
る悪影響を軽減することができる。
またポンプ電極を複数個設け、各電極を同一の
ポンプ電源９に接続すれば、共振中心周波数にお
ける利得が大きくなり、不要周波数成分応答の中
心周波数応答に対する比が小さくなり、共振器と
しての特性が向上する。
ポンプ電源９に接続すれば、共振中心周波数にお
ける利得が大きくなり、不要周波数成分応答の中
心周波数応答に対する比が小さくなり、共振器と
しての特性が向上する。
或いは各ポンプ電極をそれぞれ異なつたポンプ
周波数のポンプ電源に接続すれば、表面弾性波信
号がそれぞれの電極部を通過する間に第３図に示
す如く異なる共振中心周波数を有する増幅を受け
るため、増幅帯域を自由に設計できる。
周波数のポンプ電源に接続すれば、表面弾性波信
号がそれぞれの電極部を通過する間に第３図に示
す如く異なる共振中心周波数を有する増幅を受け
るため、増幅帯域を自由に設計できる。
もしくは第１図において、複数の周波数の異な
るポンプ電源を設け、ポンプ電極３に同時に複数
の周波数成分のポンプ電力を供給した場合も第３
図と同様の周波数特性が得られ、増幅帯域を自由
に設計できる。
るポンプ電源を設け、ポンプ電極３に同時に複数
の周波数成分のポンプ電力を供給した場合も第３
図と同様の周波数特性が得られ、増幅帯域を自由
に設計できる。
更に第１図において、ポンプ電源として時間ｔ
と共に周波数の変化する信号（例えば第４図に
示すチヤープ信号）を用いると、表面弾性波がポ
ンプ電極の端から端まで伝播して行く間に、増幅
中心周波数が変化するので出力周波数帯域は広が
る。この出力周波数帯域はポンプ電源の周波数の
時間変化の仕方により変化し、任意に設定するこ
とができる。
と共に周波数の変化する信号（例えば第４図に
示すチヤープ信号）を用いると、表面弾性波がポ
ンプ電極の端から端まで伝播して行く間に、増幅
中心周波数が変化するので出力周波数帯域は広が
る。この出力周波数帯域はポンプ電源の周波数の
時間変化の仕方により変化し、任意に設定するこ
とができる。
例えば時間と共に直線的に周波数の変化するチ
ヤープ信号をポンプ信号として用いた場合、その
くり返し周期Ｔを表面弾性波がポンプ電極を通過
するのに要する時間ｔに設計すると、第５図に示
す如くその周波数変化帯域1〜2において平坦な
周波数特性が得られる。
ヤープ信号をポンプ信号として用いた場合、その
くり返し周期Ｔを表面弾性波がポンプ電極を通過
するのに要する時間ｔに設計すると、第５図に示
す如くその周波数変化帯域1〜2において平坦な
周波数特性が得られる。
以上説明した所から明らかなように本発明によ
れば下記のような優れた効果が得られる。
れば下記のような優れた効果が得られる。
(イ) Ｑを大きくできる。
(ロ) 共振中心周波数を可変にできる。
(ハ) Ｑを可変にできる。
(ニ) 従来の共振器は温度や、経年変化による中心
周波数のずれが大きな問題であつたが、本発明
の装置では共振中心周波数がポンプ電源周波数
の1/2に決定されるため、このポンプ電源とし
て安定性の高い水晶発振器、シンセサイザ共振
器等を使用すれば前記問題は解消する。
周波数のずれが大きな問題であつたが、本発明
の装置では共振中心周波数がポンプ電源周波数
の1/2に決定されるため、このポンプ電源とし
て安定性の高い水晶発振器、シンセサイザ共振
器等を使用すれば前記問題は解消する。
(ホ) 本発明の共振器は本質的にパラメトリツク増
幅作用を利用したものだから、表面弾性波トラ
ンスジユーサ部分による損失等を増幅利得で補
償できるばかりでなくその出力端子において増
幅された電気出力を得ることも可能である。
幅作用を利用したものだから、表面弾性波トラ
ンスジユーサ部分による損失等を増幅利得で補
償できるばかりでなくその出力端子において増
幅された電気出力を得ることも可能である。
なお本発明において入出力トランスジユーサは
必須の要件ではなく、例えば適当なウエーブガイ
ドを用いて表面弾性波を入出力せしめるようなこ
とも可能である。
必須の要件ではなく、例えば適当なウエーブガイ
ドを用いて表面弾性波を入出力せしめるようなこ
とも可能である。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２
図はその周波数特性図、第３図及び第５図は夫々
本発明の他の実施例の周波数特性図、第４図はチ
ヤープ信号を示す図である。 １，２：表面弾性波トランスジユーサ、３：ポ
ンプ電極、４：圧電膜、９：ポンプ電源。
図はその周波数特性図、第３図及び第５図は夫々
本発明の他の実施例の周波数特性図、第４図はチ
ヤープ信号を示す図である。 １，２：表面弾性波トランスジユーサ、３：ポ
ンプ電極、４：圧電膜、９：ポンプ電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体部材の一方の表面上に絶縁膜を介して
圧電部材が積層された素子上に形成された音波伝
播経路上に配列されたポンプ電極と、上記素子に
表面弾性波を入力する手段と、上記半導体部材の
他方の表面上に形成されたオーミツク電極と、前
記素子から表面弾性波を出力する手段と、上記入
力する手段と上記出力する手段との間に位置し前
記ポンプ電極とオーミツク電極との間に交流信号
を印加するポンプ電源と、を備えたことを特徴と
する周波数選択装置。 ２ 入力手段及び出力手段が夫々前記ポンプ電極
の両側に設けた表面弾性波トランスジユーサから
成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の周波数選択装置。 ３ 弾性表面波トランスジユーサが一方向性であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
周波数選択装置。 ４ 前記ポンプ電極が複数個の電極から成ること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の周波数
選択装置。 ５ 各ポンプ電極に夫々異なるポンプ周波数の電
源を接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
４項記載の周波数選択装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53067289A JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
| US06/044,513 US4288765A (en) | 1978-06-06 | 1979-06-01 | Frequency selector apparatus |
| FR7914310A FR2428349B1 (fr) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Appareil selecteur de frequence |
| GB7919500A GB2024554B (en) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Frequency selector apparatus |
| NLAANVRAGE7904423,A NL188194C (nl) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Frequentie selectieve inrichting. |
| DE19792922946 DE2922946A1 (de) | 1978-06-06 | 1979-06-06 | Frequenzwaehler |
| GB08137336A GB2106347B (en) | 1978-06-06 | 1981-12-10 | Frequency selector apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53067289A JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544246A JPS5544246A (en) | 1980-03-28 |
| JPH0213488B2 true JPH0213488B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=26408475
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53067289A Expired JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A Granted JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53067289A Expired JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4288765A (ja) |
| JP (2) | JPS584485B2 (ja) |
| DE (1) | DE2922946A1 (ja) |
| FR (1) | FR2428349B1 (ja) |
| GB (2) | GB2024554B (ja) |
| NL (1) | NL188194C (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4471255A (en) * | 1978-10-05 | 1984-09-11 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave parametric device |
| GB2068672B (en) * | 1979-12-24 | 1984-11-07 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave parametric device |
| JPS5835404B2 (ja) * | 1979-12-27 | 1983-08-02 | クラリオン株式会社 | 弾性表面波パラメトリック装置 |
| JPS56100510A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Clarion Co Ltd | Elastic surface wave device |
| JPS57131133A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-13 | Clarion Co Ltd | Receiver |
| FR2499336B1 (fr) * | 1981-02-05 | 1986-09-05 | Clarion Co Ltd | Radio-recepteur |
| JPS57131132A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-13 | Clarion Co Ltd | Receiver |
| US4485363A (en) * | 1981-12-28 | 1984-11-27 | Gould, Inc. | Signal processor using surface acoustic waves |
| JPS5941910A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Clarion Co Ltd | パラメトリツク増幅器 |
| JPS5941911A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Clarion Co Ltd | パラメトリツク弾性表面波増幅器 |
| US4748364A (en) * | 1984-10-15 | 1988-05-31 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US4636678A (en) * | 1985-03-01 | 1987-01-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Compensation of acoustic wave devices |
| JPS63195986U (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-16 | ||
| US4767198A (en) * | 1987-06-24 | 1988-08-30 | Unisys Corporation | SAW/BAW Bragg cell |
| JPH0427751Y2 (ja) * | 1988-03-30 | 1992-07-03 | ||
| US4934860A (en) * | 1988-07-13 | 1990-06-19 | Honeywell Inc. | Pivotal shaft frictionless support arrangement |
| US5077545A (en) * | 1990-05-02 | 1991-12-31 | Sawtek, Inc. | Surface acoustic wave waveguide-coupled resonator notch filter |
| US8594342B2 (en) * | 2009-03-12 | 2013-11-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Transducer device including feedback circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917689A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3388334A (en) * | 1967-09-21 | 1968-06-11 | Zenith Radio Corp | Solid state traveling wave devices |
| US3679985A (en) * | 1970-06-30 | 1972-07-25 | Ibm | Acoustic wave parametric amplifier/converter |
| US3696312A (en) * | 1970-06-30 | 1972-10-03 | Ibm | Cyclotron resonance devices controllable by electric fields |
| US3648081A (en) * | 1970-06-30 | 1972-03-07 | Ibm | Piezoelectric acoustic surface wave device utilizing an amorphous semiconductive sensing material |
| US3715674A (en) * | 1971-07-23 | 1973-02-06 | Stanford Research Inst | Electrically controlled reflection of acoustic surface waves |
| US3816753A (en) * | 1971-10-18 | 1974-06-11 | Univ Leland Stanford Junior | Parametric acoustic surface wave apparatus |
| US3794939A (en) * | 1973-04-02 | 1974-02-26 | Hughes Aircraft Co | Nonlinear surface wave convolution filter |
| US3827002A (en) * | 1973-05-18 | 1974-07-30 | Us Navy | Tunable electroacoustic transducers |
| US3882408A (en) * | 1973-05-18 | 1975-05-06 | Univ Stanford | Parametric acoustic surface wave amplifier |
| US3851280A (en) * | 1973-08-01 | 1974-11-26 | Texas Instruments Inc | Non-linear signal processing device using square law detection of surface elastic waves with insulated gate field effect transistor |
| US4128615A (en) | 1974-11-08 | 1978-12-05 | Thomson-Csf | Method for processing an electric signal using elastic surface waves |
| US3961293A (en) * | 1975-02-03 | 1976-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Multi-resonant surface wave resonator |
| US4047214A (en) * | 1975-09-04 | 1977-09-06 | Westinghouse Electric Corporation | Electrostatically bonded dielectric-on-semiconductor device, and a method of making the same |
| FR2345007A1 (fr) * | 1976-03-16 | 1977-10-14 | Thomson Csf | Dispositif acousto-electrique de traitement de signal par correlation ou convolution |
| US4081769A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response |
| JPS5441089A (en) | 1977-09-08 | 1979-03-31 | Clarion Co Ltd | Surface elastic wave amplifier |
-
1978
- 1978-06-06 JP JP53067289A patent/JPS584485B2/ja not_active Expired
- 1978-09-22 JP JP11701178A patent/JPS5544246A/ja active Granted
-
1979
- 1979-06-01 US US06/044,513 patent/US4288765A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-05 NL NLAANVRAGE7904423,A patent/NL188194C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-06-05 GB GB7919500A patent/GB2024554B/en not_active Expired
- 1979-06-05 FR FR7914310A patent/FR2428349B1/fr not_active Expired
- 1979-06-06 DE DE19792922946 patent/DE2922946A1/de active Granted
-
1981
- 1981-12-10 GB GB08137336A patent/GB2106347B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917689A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2106347B (en) | 1983-08-03 |
| JPS55610A (en) | 1980-01-07 |
| GB2106347A (en) | 1983-04-07 |
| NL7904423A (nl) | 1979-12-10 |
| DE2922946C2 (ja) | 1993-04-29 |
| FR2428349B1 (fr) | 1987-02-13 |
| GB2024554A (en) | 1980-01-09 |
| DE2922946A1 (de) | 1979-12-20 |
| JPS584485B2 (ja) | 1983-01-26 |
| NL188194B (nl) | 1991-11-18 |
| JPS5544246A (en) | 1980-03-28 |
| NL188194C (nl) | 1992-04-16 |
| GB2024554B (en) | 1983-04-27 |
| US4288765A (en) | 1981-09-08 |
| FR2428349A1 (fr) | 1980-01-04 |
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