JPS584485B2 - 周波数選択装置 - Google Patents
周波数選択装置Info
- Publication number
- JPS584485B2 JPS584485B2 JP53067289A JP6728978A JPS584485B2 JP S584485 B2 JPS584485 B2 JP S584485B2 JP 53067289 A JP53067289 A JP 53067289A JP 6728978 A JP6728978 A JP 6728978A JP S584485 B2 JPS584485 B2 JP S584485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- surface acoustic
- selection device
- frequency selection
- pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000652704 Balta Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、弾性表面波を用いた周波数選択装置に関する
ものである。
ものである。
信号から特定の周波数成分を選択するための周波数選択
装置における周波数選択素子として、従来から、（１）
電気的なインダクタンス（コイル）と容量（コンデンサ
）による共振回路、（２）機械的な共振を用いたもの（
メカニカルフィルタ）、（３）圧電体のバルタ共振を用
いたもの（セラミツクフィルタ、水晶フィルタ）、（４
）性表面波フィルタ、共振器などが知られている。
装置における周波数選択素子として、従来から、（１）
電気的なインダクタンス（コイル）と容量（コンデンサ
）による共振回路、（２）機械的な共振を用いたもの（
メカニカルフィルタ）、（３）圧電体のバルタ共振を用
いたもの（セラミツクフィルタ、水晶フィルタ）、（４
）性表面波フィルタ、共振器などが知られている。
これらの内、（１）のものは選択周波数が広い範囲に旦
って可変にできるという利点がある反面、素子の抵抗成
分のために、選択度Ｑを大きくとることが難しく、また
、温度変化によって選択周波数が変化し易いという欠点
があった。
って可変にできるという利点がある反面、素子の抵抗成
分のために、選択度Ｑを大きくとることが難しく、また
、温度変化によって選択周波数が変化し易いという欠点
があった。
一方、（２）〜（４）のものは、選択度Ｑを大きくとる
ことは比較的簡単であるという利点がある反面、本質的
に固定周波数選択素子であるため、可変にできる周波数
範囲は狭いという欠点があった。
ことは比較的簡単であるという利点がある反面、本質的
に固定周波数選択素子であるため、可変にできる周波数
範囲は狭いという欠点があった。
本発明の目的は、可変にできる周波数範囲を広くとるこ
とができるとともに、選択度Ｑを著るしく大きくするこ
とができる周波数選択装置を提供することにある。
とができるとともに、選択度Ｑを著るしく大きくするこ
とができる周波数選択装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明では、音波伝
播線路上に設けられた、少なくとも１個の弾性表面波ト
ランスジューサに近接して、少なくとも１個の反射電極
を設け、この反射電極に印加する交流電気信号によるパ
ラメトリック相互作用によって選択された周波数成分を
反射させることによって、周波数選択を行なうようにし
たことに特徴がある。
播線路上に設けられた、少なくとも１個の弾性表面波ト
ランスジューサに近接して、少なくとも１個の反射電極
を設け、この反射電極に印加する交流電気信号によるパ
ラメトリック相互作用によって選択された周波数成分を
反射させることによって、周波数選択を行なうようにし
たことに特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は、本発明による周波数選択装置の一実施例の構
成を示すものである。
成を示すものである。
図において、１は信号入力トランスジューサ、２は信号
出力トランスジューサ、３および４はポンプ電極、５は
圧電膜、６は絶縁膜、７は半導体基板、８および９は弾
性表面波吸収材、１０はポンプ電源、１１は直流阻止用
コンデンサ、１２は交流阻止用インダクタ、１３は直流
バイアス電源を示す。
出力トランスジューサ、３および４はポンプ電極、５は
圧電膜、６は絶縁膜、７は半導体基板、８および９は弾
性表面波吸収材、１０はポンプ電源、１１は直流阻止用
コンデンサ、１２は交流阻止用インダクタ、１３は直流
バイアス電源を示す。
このような装置を製作するに際しては、シリコンＳｉな
どからなる半導体基板７上に、熱酸化により、シリコン
酸化膜ＳｉＯ２などの絶縁膜６を形成し、その上に、ス
パツタ法等により酸化亜鉛ＺｎＯなどの圧電膜５を付着
させる。
どからなる半導体基板７上に、熱酸化により、シリコン
酸化膜ＳｉＯ２などの絶縁膜６を形成し、その上に、ス
パツタ法等により酸化亜鉛ＺｎＯなどの圧電膜５を付着
させる。
さらに、その上にアルミニウムＡｌ等の金層を蒸着し、
フォトエッチングにより各電極１〜４を形成する。
フォトエッチングにより各電極１〜４を形成する。
圧電膜表面中央部に形成される電極１および２は櫛形電
極で、信号入力および信号出力トランスジューサを構成
している。
極で、信号入力および信号出力トランスジューサを構成
している。
また、この電極１および２に近接して、周辺部に形成さ
れる電極３および４はポンプ電極で、交流阻止用インダ
クタ１２を介して直流バイアス電源１３に接続されると
ともに、直流阻止用コンデンサ１１を介してポンプ電源
１０に接続されている。
れる電極３および４はポンプ電極で、交流阻止用インダ
クタ１２を介して直流バイアス電源１３に接続されると
ともに、直流阻止用コンデンサ１１を介してポンプ電源
１０に接続されている。
また、圧電膜５の音波伝播線路の両端面には弾性表面波
吸収材８および９が配列されている。
吸収材８および９が配列されている。
なお、圧電嘆５の材料としては、酸化亜鉛ＺｎＯに限ら
ず、ニオブ酸リチウムＬｉＮ６Ｏ３、窒化アルミニウム
ＡｌＮ，硫化カドミウムＣｄＳ、硫化亜鉛ＺｎＳなどの
圧電体材料を使用でき、また、半導体基板７としては、
Ｐ型、Ｎ型半導体のいずれかを用いてもよく、Ｐ型、Ｎ
型のそれぞれに対応させて直流バイアス電源１３の電圧
の極性を、半導体基板７の表面に適当な空間電荷層容量
が生ずるような極性とすればよい。
ず、ニオブ酸リチウムＬｉＮ６Ｏ３、窒化アルミニウム
ＡｌＮ，硫化カドミウムＣｄＳ、硫化亜鉛ＺｎＳなどの
圧電体材料を使用でき、また、半導体基板７としては、
Ｐ型、Ｎ型半導体のいずれかを用いてもよく、Ｐ型、Ｎ
型のそれぞれに対応させて直流バイアス電源１３の電圧
の極性を、半導体基板７の表面に適当な空間電荷層容量
が生ずるような極性とすればよい。
さらに、図では、半導体基板７と圧電膜５の間に安定化
膜としての絶縁膜６を介在させているが、圧電膜の材質
によっては、この絶縁膜６を省略することもでき、また
、圧電体基板上に半導体膜を付着させたものを用いるこ
ともできる。
膜としての絶縁膜６を介在させているが、圧電膜の材質
によっては、この絶縁膜６を省略することもでき、また
、圧電体基板上に半導体膜を付着させたものを用いるこ
ともできる。
上述したような構成において、直流バイアス電源１３に
よって、直流バイアス電圧をポンプ電極３および４に印
加し、これら電極３および４直下の半導体基板７の表面
に適当な空間電荷層容量が生ずるようにする。
よって、直流バイアス電圧をポンプ電極３および４に印
加し、これら電極３および４直下の半導体基板７の表面
に適当な空間電荷層容量が生ずるようにする。
また、選択希望周波数ｆの２倍の周波数２ｆのポンプ電
圧を生ずるポンプ電源１０の出力を直流阻止用コンデン
サ１１を通してポンプ電極３および４に印加し、半導体
基板７表面の空間電荷層容量をポンプ電圧の周波数２ｆ
で励振する。
圧を生ずるポンプ電源１０の出力を直流阻止用コンデン
サ１１を通してポンプ電極３および４に印加し、半導体
基板７表面の空間電荷層容量をポンプ電圧の周波数２ｆ
で励振する。
この容量は印加する電圧に応じて変化するため、周波数
２ｆで変化することになる。
２ｆで変化することになる。
一方、充分に帯域の広い信号入力トランスジューサ１の
端子１′に入力電気信号を印加すると、その入力信号は
、弾性表面波信号に変換されて、圧電膜５の表面を図の
左右に伝播する。
端子１′に入力電気信号を印加すると、その入力信号は
、弾性表面波信号に変換されて、圧電膜５の表面を図の
左右に伝播する。
入力トランスジューサ１から図の左方へ伝播する弾性表
面波のうちで、周波数ｆの成分は、ポンプ電極３を伝播
している時に、その圧電ポテンシャルが基板表面の空間
電荷層容量非線形効果によりポンプ電千とパラメトリッ
ク相互作用を行なうために、増幅される。
面波のうちで、周波数ｆの成分は、ポンプ電極３を伝播
している時に、その圧電ポテンシャルが基板表面の空間
電荷層容量非線形効果によりポンプ電千とパラメトリッ
ク相互作用を行なうために、増幅される。
同時に、ポンプ電極３から図の右方に伝播する、入力信
号の大きさに対応した周波数ｆの弾性表面波が発生する
。
号の大きさに対応した周波数ｆの弾性表面波が発生する
。
この弾性表面波は図の右方に伝播され、信号出力トラン
スジューサ２により再び電気信号に変換され、その端子
２′から希望周波数ｆの信号が出力される。
スジューサ２により再び電気信号に変換され、その端子
２′から希望周波数ｆの信号が出力される。
同様に、入力トランスジューサ１から図の右方に伝播さ
れた弾性表面波の内、周波数ｆの成分の信号の大きさに
対応した周波数ｆの反射波がポンプ電極４から図の左方
に伝播され、出力トランスジューサ２により電気信号に
変換される。
れた弾性表面波の内、周波数ｆの成分の信号の大きさに
対応した周波数ｆの反射波がポンプ電極４から図の左方
に伝播され、出力トランスジューサ２により電気信号に
変換される。
すなわち、ポンプ電極３および４により反射される弾性
表面波は、主に周波数ｆの成分であり、その大きさは入
力信号に対応し、また、ポンプ電圧およびバイアス電圧
の大きさに依存している。
表面波は、主に周波数ｆの成分であり、その大きさは入
力信号に対応し、また、ポンプ電圧およびバイアス電圧
の大きさに依存している。
したがって、出力トランスジューサ２の出力の周波数特
性は第２図ａのようになり、極めて選択度Ｑの大きな周
波数選択ができる。
性は第２図ａのようになり、極めて選択度Ｑの大きな周
波数選択ができる。
また、ポンプ電源１ａのポンプ電圧周波数２ｆを変化さ
せることにより、出力トランスジュース２から取り出さ
れる通過帯域中心周波数ｆを可変させることができる。
せることにより、出力トランスジュース２から取り出さ
れる通過帯域中心周波数ｆを可変させることができる。
なお、ポンプ電極３および４から図の左および右にそれ
ぞれ伝播される通過弾性表面波は弾性表面波吸収材８お
よび９で吸収される。
ぞれ伝播される通過弾性表面波は弾性表面波吸収材８お
よび９で吸収される。
第３図〜第７図はそれぞれ本発明による周波数選択装置
の他の実施例の概略構成を示すものである。
の他の実施例の概略構成を示すものである。
第３図の例では、１個の弾性表面波トランスジューサ１
４の両側に近接して、ポンプ電源１０の交流ポンプ電圧
のみを印加する反射電極（ポンプ電極）３および４を配
列し、トランスジューサ１４の周波数による電気インピ
ーダンスの変化を利用するようになっている。
４の両側に近接して、ポンプ電源１０の交流ポンプ電圧
のみを印加する反射電極（ポンプ電極）３および４を配
列し、トランスジューサ１４の周波数による電気インピ
ーダンスの変化を利用するようになっている。
第４図の例では、弾性表面波トランスジューサとしての
入力および出力トランスジューサ１および２に近接して
、一方側に機械的反射を行なう周期的な凹凸部材２０を
配列し、他方側に、ポンプ電源１０からの交流電圧を印
加する反射電極４を設けている。
入力および出力トランスジューサ１および２に近接して
、一方側に機械的反射を行なう周期的な凹凸部材２０を
配列し、他方側に、ポンプ電源１０からの交流電圧を印
加する反射電極４を設けている。
第５図の実施例は、２つの希望周波数ｆ１，ｆ２を選択
するもので、２つのポンプ電極３および４に別個のポン
プ電源１５および１６を接続し、それぞれのポンプ電源
１５および１６のポンプ電圧周波数を２ｆ１および２ｆ
２にした例である。
するもので、２つのポンプ電極３および４に別個のポン
プ電源１５および１６を接続し、それぞれのポンプ電源
１５および１６のポンプ電圧周波数を２ｆ１および２ｆ
２にした例である。
それによって、出力トランスジューサ２から取り出され
る出力の周波数特性は第２図ｂのようになる。
る出力の周波数特性は第２図ｂのようになる。
第６図の実施例は、出力トランスジューサ２の出力端子
２′への出力を帰還回路１７に通して直流バ券アス電源
１３およびポンプ電源１０に帰還し、反射電極としての
ポンプ電極３および４に加える直流バイアス電圧の大き
さおよび交流電圧の大きさ、周波数を変化させ、出力信
号の振幅制御および周波数制御を行なう例である。
２′への出力を帰還回路１７に通して直流バ券アス電源
１３およびポンプ電源１０に帰還し、反射電極としての
ポンプ電極３および４に加える直流バイアス電圧の大き
さおよび交流電圧の大きさ、周波数を変化させ、出力信
号の振幅制御および周波数制御を行なう例である。
この場合、帰還信号を電源１３および１０のいずれか一
方に印加するようにしてもよい。
方に印加するようにしてもよい。
第７図の実施例は、可変利得増幅器１８および自動利得
制御（ＡＧＣ）回路１９を出力トランスジューサ２の出
力側に設け、出力信号の振幅値を制御可能にしたもので
ある。
制御（ＡＧＣ）回路１９を出力トランスジューサ２の出
力側に設け、出力信号の振幅値を制御可能にしたもので
ある。
なお、これらの装置を入力トランスジューサ１の入力側
に設けるようにしてもよい。
に設けるようにしてもよい。
なお、上述した第６図および第７図の装置は第４図およ
び第５図の構成の装置にも適用できることは言うまでも
ない。
び第５図の構成の装置にも適用できることは言うまでも
ない。
また、上述した実施例では、反射電極の構造として均一
厚さのものを使用する場合について述べたが、反射電極
の構造を周期的構造、例えば櫛形構造にしてもよい。
厚さのものを使用する場合について述べたが、反射電極
の構造を周期的構造、例えば櫛形構造にしてもよい。
なお、その場合には、ポンプ電源の周波数は必ずしも選
択希望周波数の２倍にはならない。
択希望周波数の２倍にはならない。
以上述べたように、本発明によれば、ポンプ電源の周波
数を変えるだけで選択周波数の範囲を広範に変化でき、
また、選択周波数の選択度を著るしく大きくできる。
数を変えるだけで選択周波数の範囲を広範に変化でき、
また、選択周波数の選択度を著るしく大きくできる。
さらに、選択周波数の安定度は外部発振器の安定度で決
定できるので、非常に高安定にすることができる。
定できるので、非常に高安定にすることができる。
第１図は本発明による周波数選択装置の一実施例の構成
図、第２図は本発明による周波数特性の一例を示す特性
図、第３図〜第７図はそれぞれ本発明による周波数選択
装置の他の実施例の概略構成図である。 １は信号トランスジューサ、２は信号出力トランスジュ
ーサ、３，４はポンプ電極、５は圧電膜、１０はポンプ
電源、１３は直流バイアス電源を示す。
図、第２図は本発明による周波数特性の一例を示す特性
図、第３図〜第７図はそれぞれ本発明による周波数選択
装置の他の実施例の概略構成図である。 １は信号トランスジューサ、２は信号出力トランスジュ
ーサ、３，４はポンプ電極、５は圧電膜、１０はポンプ
電源、１３は直流バイアス電源を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電素子上に形成される音波伝播線路上に、信号入
力及び信号出力弾性表面波トランスジューサを配列し、
かつ両弾性表面波トランスジューサ間以外でかつ前記音
波伝播線路上に、反射電極を配列し、該反射電極に交流
信号を印加するポンプ電源を設けたことを特徴とする周
波数選択装置。 ２ 前記圧電素子が半導体部材と圧電部材との積層構造
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
周波数選択装置。 ３ 前記反射電極が、前記両弾性表面波トランスジュー
サに近接して、両側に配列されたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の周波数選択装置。 ４ 前記ポンプ電源が前記反射電極に夫々異なる周波数
の交流信号を印加するようにした特許請求の範囲第１項
記載の周波数選択装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53067289A JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
| US06/044,513 US4288765A (en) | 1978-06-06 | 1979-06-01 | Frequency selector apparatus |
| NLAANVRAGE7904423,A NL188194C (nl) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Frequentie selectieve inrichting. |
| GB7919500A GB2024554B (en) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Frequency selector apparatus |
| FR7914310A FR2428349B1 (fr) | 1978-06-06 | 1979-06-05 | Appareil selecteur de frequence |
| DE19792922946 DE2922946A1 (de) | 1978-06-06 | 1979-06-06 | Frequenzwaehler |
| GB08137336A GB2106347B (en) | 1978-06-06 | 1981-12-10 | Frequency selector apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53067289A JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14423182A Division JPS5837728B2 (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 周波数選択装置 |
| JP14423082A Division JPS5837727B2 (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 周波数選択装置 |
| JP14422982A Division JPS5837726B2 (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 周波数選択装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55610A JPS55610A (en) | 1980-01-07 |
| JPS584485B2 true JPS584485B2 (ja) | 1983-01-26 |
Family
ID=26408475
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53067289A Expired JPS584485B2 (ja) | 1978-06-06 | 1978-06-06 | 周波数選択装置 |
| JP11701178A Granted JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11701178A Granted JPS5544246A (en) | 1978-06-06 | 1978-09-22 | Frequency selection unit |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4288765A (ja) |
| JP (2) | JPS584485B2 (ja) |
| DE (1) | DE2922946A1 (ja) |
| FR (1) | FR2428349B1 (ja) |
| GB (2) | GB2024554B (ja) |
| NL (1) | NL188194C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195986U (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-16 | ||
| JPH0427751Y2 (ja) * | 1988-03-30 | 1992-07-03 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4471255A (en) * | 1978-10-05 | 1984-09-11 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave parametric device |
| GB2068672B (en) * | 1979-12-24 | 1984-11-07 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave parametric device |
| JPS5835404B2 (ja) * | 1979-12-27 | 1983-08-02 | クラリオン株式会社 | 弾性表面波パラメトリック装置 |
| JPS56100510A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Clarion Co Ltd | Elastic surface wave device |
| FR2499336B1 (fr) * | 1981-02-05 | 1986-09-05 | Clarion Co Ltd | Radio-recepteur |
| JPS57131132A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-13 | Clarion Co Ltd | Receiver |
| JPS57131133A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-13 | Clarion Co Ltd | Receiver |
| US4485363A (en) * | 1981-12-28 | 1984-11-27 | Gould, Inc. | Signal processor using surface acoustic waves |
| JPS5941911A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Clarion Co Ltd | パラメトリツク弾性表面波増幅器 |
| JPS5941910A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Clarion Co Ltd | パラメトリツク増幅器 |
| US4748364A (en) * | 1984-10-15 | 1988-05-31 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US4636678A (en) * | 1985-03-01 | 1987-01-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Compensation of acoustic wave devices |
| US4767198A (en) * | 1987-06-24 | 1988-08-30 | Unisys Corporation | SAW/BAW Bragg cell |
| US4934860A (en) * | 1988-07-13 | 1990-06-19 | Honeywell Inc. | Pivotal shaft frictionless support arrangement |
| US5077545A (en) * | 1990-05-02 | 1991-12-31 | Sawtek, Inc. | Surface acoustic wave waveguide-coupled resonator notch filter |
| US8594342B2 (en) * | 2009-03-12 | 2013-11-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Transducer device including feedback circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917689A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3388334A (en) * | 1967-09-21 | 1968-06-11 | Zenith Radio Corp | Solid state traveling wave devices |
| US3648081A (en) * | 1970-06-30 | 1972-03-07 | Ibm | Piezoelectric acoustic surface wave device utilizing an amorphous semiconductive sensing material |
| US3679985A (en) * | 1970-06-30 | 1972-07-25 | Ibm | Acoustic wave parametric amplifier/converter |
| US3696312A (en) * | 1970-06-30 | 1972-10-03 | Ibm | Cyclotron resonance devices controllable by electric fields |
| US3715674A (en) * | 1971-07-23 | 1973-02-06 | Stanford Research Inst | Electrically controlled reflection of acoustic surface waves |
| US3816753A (en) * | 1971-10-18 | 1974-06-11 | Univ Leland Stanford Junior | Parametric acoustic surface wave apparatus |
| US3794939A (en) * | 1973-04-02 | 1974-02-26 | Hughes Aircraft Co | Nonlinear surface wave convolution filter |
| US3827002A (en) * | 1973-05-18 | 1974-07-30 | Us Navy | Tunable electroacoustic transducers |
| US3882408A (en) * | 1973-05-18 | 1975-05-06 | Univ Stanford | Parametric acoustic surface wave amplifier |
| US3851280A (en) * | 1973-08-01 | 1974-11-26 | Texas Instruments Inc | Non-linear signal processing device using square law detection of surface elastic waves with insulated gate field effect transistor |
| US4128615A (en) | 1974-11-08 | 1978-12-05 | Thomson-Csf | Method for processing an electric signal using elastic surface waves |
| US3961293A (en) * | 1975-02-03 | 1976-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Multi-resonant surface wave resonator |
| US4047214A (en) * | 1975-09-04 | 1977-09-06 | Westinghouse Electric Corporation | Electrostatically bonded dielectric-on-semiconductor device, and a method of making the same |
| FR2345007A1 (fr) * | 1976-03-16 | 1977-10-14 | Thomson Csf | Dispositif acousto-electrique de traitement de signal par correlation ou convolution |
| US4081769A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response |
| JPS5448492A (en) | 1977-09-08 | 1979-04-17 | Clarion Co Ltd | Elastic surface wave transducer |
-
1978
- 1978-06-06 JP JP53067289A patent/JPS584485B2/ja not_active Expired
- 1978-09-22 JP JP11701178A patent/JPS5544246A/ja active Granted
-
1979
- 1979-06-01 US US06/044,513 patent/US4288765A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-05 GB GB7919500A patent/GB2024554B/en not_active Expired
- 1979-06-05 FR FR7914310A patent/FR2428349B1/fr not_active Expired
- 1979-06-05 NL NLAANVRAGE7904423,A patent/NL188194C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-06-06 DE DE19792922946 patent/DE2922946A1/de active Granted
-
1981
- 1981-12-10 GB GB08137336A patent/GB2106347B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917689A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195986U (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-16 | ||
| JPH0427751Y2 (ja) * | 1988-03-30 | 1992-07-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5544246A (en) | 1980-03-28 |
| DE2922946C2 (ja) | 1993-04-29 |
| NL188194B (nl) | 1991-11-18 |
| GB2106347B (en) | 1983-08-03 |
| US4288765A (en) | 1981-09-08 |
| GB2024554B (en) | 1983-04-27 |
| JPH0213488B2 (ja) | 1990-04-04 |
| NL7904423A (nl) | 1979-12-10 |
| GB2106347A (en) | 1983-04-07 |
| JPS55610A (en) | 1980-01-07 |
| FR2428349B1 (fr) | 1987-02-13 |
| DE2922946A1 (de) | 1979-12-20 |
| NL188194C (nl) | 1992-04-16 |
| FR2428349A1 (fr) | 1980-01-04 |
| GB2024554A (en) | 1980-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS584485B2 (ja) | 周波数選択装置 | |
| US4567393A (en) | Surface acoustic wave device having AlN and ZnO layers on a Si substrate | |
| JPS6135716B2 (ja) | ||
| JP2000216632A (ja) | 表面弾性波発振器 | |
| US4348650A (en) | Surface-acoustic-wave parametric device | |
| GB2068672A (en) | Surface-acoustic-wave parametric device | |
| US4254388A (en) | Frequency selector apparatus | |
| US3582837A (en) | Signal filter utilizing frequency-dependent variation of input impedance of one-port transducer | |
| US4233530A (en) | Elastic surface wave device | |
| Toda et al. | A Lamb wave voltage sensor | |
| JPS6161563B2 (ja) | ||
| JPH0410764B2 (ja) | ||
| JPS5837726B2 (ja) | 周波数選択装置 | |
| JPS5837727B2 (ja) | 周波数選択装置 | |
| JPS5837728B2 (ja) | 周波数選択装置 | |
| JPH0311686B2 (ja) | ||
| JPH0247889B2 (ja) | Sutonriihasoshi | |
| JPH0419850Y2 (ja) | ||
| Kirchner | Deposited transducer technology for use with acousto-optic bulk wave devices | |
| JP3222965B2 (ja) | エラスティックコンボルバ装置 | |
| JPH0311685B2 (ja) | ||
| JPH05183379A (ja) | 超音波遅延素子 | |
| JPS63132513A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS5837725B2 (ja) | 弾性表面波パラメトリック装置 | |
| JPH0314362B2 (ja) |