JPS5844809A - 周波数選択装置 - Google Patents

周波数選択装置

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JPS5844809A
JPS5844809A JP14422982A JP14422982A JPS5844809A JP S5844809 A JPS5844809 A JP S5844809A JP 14422982 A JP14422982 A JP 14422982A JP 14422982 A JP14422982 A JP 14422982A JP S5844809 A JPS5844809 A JP S5844809A
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JP
Japan
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frequency
signal
transducer
surface acoustic
pump
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JP14422982A
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JPS5837726B2 (ja
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Nobuo Mikoshiba
皆川昭一
Shoichi Minagawa
御子柴宣夫
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Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、弾性表面波を用いた周波数選択装置に関する
ものである。
信号から特定の周波数成分を選択するための周波数選択
装置における周波数選択素子として、従来から、(1)
電気的なインダクタンス(コイル)と容量(コンデンサ
)による共振回路、(2)機械的な共振を用いたもの(
メカニカルフィルタ)、(3)圧電体のバルク共振を用
いたもの(セラミックフィルタ、水晶フィルタ)、(4
1弾性表面波フィルタ、共嵌器などが知られている。
これらの内、(1)のものは選択周波数が広い範囲に旦
って可変にできるという利点がある反面、素子の抵抗成
分のために、選択度QV:大きくEることか難しく、ま
た、温度変化によって選択周波数が変化し易いという欠
点かあった。
一方、(2)〜(4)のものは、選択度Qを大きくとる
ことは比較的簡単であるという利点がある反面、本質的
に固定周波数選択素子であるため、可変にできる周波数
範囲は狭いという欠点があった。
本発明の目的は、可変にできる周波数範囲を広くとるこ
とができるとともに、選択度Q Y著るしく太き(する
ことができる周波数選択装置を提供することにある。
このような目的ン達成するために、本発明では、音波伝
播線路上に設けられた、少くとも1個の弾性衣面波ト)
ンスジューサに近接して、少くとも1個の反射電極ぞ設
け、この反射電極に印加する交流電気信号によるパラメ
トリック相互作用によって選択された周波数成分を反射
させることによって、周波数選択ン行なうようにしたこ
とに特徴がある。
以下、本発明の実施例な図面により詳細に説明する。
第1図は、本発明による周波数選択装置の基本的構成ン
示すものである。
図において、1は信号入カドランスジューサ、2は信号
用カドランスジューサ、3および4はポンプ電極、5は
圧電膜、6は絶縁膜、7は半導体基板、8および9は弾
性表面波吸収材、10はポンプ電源、11は直流阻止用
コンデンサ、12は交流阻止用インダクタ、13は直流
バイアス電源を示す。
このような装置ン製作するに際しては、シリコン3iな
どからなる半導体基板7上に、熱酸化により、シリコン
酸化膜8i02などの絶縁膜6ン形成し、その上に、ス
パッタ法等により酸化亜鉛ZnOなどの圧電膜5ン付着
させる。さらに、その上にアルミニウムAJ等の金層ン
蒸着し、フォトエツチングにより各電極1〜4を形成す
る。圧電膜表面中火部に形成される電極1および2は櫛
形%極で、信号入力および伯゛号出カドランスシューサ
ン構成1〜ている。
また、この電極1および2に近接して、周辺部に形成さ
れる電極3および4はポンプ電極で、交流阻止用インダ
クタ12馨介して直流バイアス電源13に接続されると
ともに、直流阻止用コンデンサ1】馨介してポンプ電源
lOに接続されている。
また、圧電膜5の音波伝線線路の両端部には弾性表面波
吸収材8および9が配列されている。
ナオ、圧電膜5の材料としては、酸化亜鉛ZnOに限ら
ず、ニオブ酸リチウムIi r N 603、窒化アル
ミニウムA/N 、硫化カドばウムCdS、硫化亜鉛Z
n8などの圧電体拐科を使用でき、−また、半導体基板
7としては、P型、N型半導体のいずれかを用いてもよ
く、P型、N型のそれぞれに対応させて直流バイアス″
電源13の′電圧の極性ン、半導体基板70表面に適当
な空間電荷層容量が生ずるような極性とすればよい。
さらに、図では、半導体基板7と圧電膜5の間に安定化
膜としての絶縁膜6ン介在させているが、圧電膜の材質
によっては、この絶縁膜6乞省略することもでき、また
、圧電体基板上に半導体膜ン付着させたものを用いるこ
ともできる。
上述したような構成において、直流バイアス電源13に
よって、直流バイアス電圧ンポンプ電極3および4に印
加し、これら電極3および4直下の半導体基板7の表面
に適当な空間電荷層容量が生ずるようにする。
また、選択希望周波数fの2倍の周波数2fのポンプ電
圧ン生ずるポンプ電源10の出力を直流阻止用コンデン
サ11 Y通してポンプ電極3および4に印加し、半導
体基板7表面のを間電荷層容量なポンプ電圧の周波数2
fで励振する。この容量は印加するt!I:に応じて変
化するため、周波数2fで変化することになる。
一方、充分に帯域の広い信号入カドランスジューサlの
端子1′に入力電気信号な印加すると、その入力信号は
、弾性天面波信号に変換されて、舎−5−^^ 圧電膜5の表面を図の左右に伝播する。入カドランスジ
ューサ1から図の左方へ伝播する弾性表面波のうちで、
周波数fの成分は、ポンプ電極3を伝播している時に、
その圧電ポテンシャルが基板表面の壁間電荷層容量非線
形効呆によりポンプ電圧とパラメトリック相互作用を行
なうために、増幅される。同時に、ポンプ電極3から図
の右方に伝播する、入力信号の大きさに対応した周波数
fの弾性表面波が発生する。この弾性表面波は図の右方
に伝播され、信号用カドランスジューサ2により再び電
気信号に変換され、その端子2′から希望周波数fの信
号が出力される。
同様に、入カドランスジューサ1から図の右方に伝播さ
れた弾性表面波の内、周波数fの成分の信号の大きさに
対応した周波数fの反射波がポンプ電極4から図の左方
に伝播され、出カドランスジューサ2により電気信号に
変換される。
すなわち、ポンプ電極3および4により反射される弾性
表面波は、主に周波数fの成分であり、その大きさは入
力信号に対応し、また、ポンプ電 6− 圧およびバイアス電圧の大きさに依存している。
シタがって、出カドランスジューサ2の出力の周波数特
性は第2図(a)のようになり、極めて選択度Qの大き
な周波数選択ができる。
また、ポンプ電源10のポンプ電圧周波数2fyr変化
さセることにより、出カドランスジューサ2から取り出
される通過帯域中心周波数fw可変させることができる
なお、ポンプ電極3および4から図の左および右にそれ
ぞれ伝播される通過弾性表面波は弾性表面波吸収材8お
よび9で吸収される。
第3図は上述した構成原理に基づく本発明の一実施例で
、弾性表面波トランスジューサとしての入力および出カ
ドランスジューサ1および2に近接して、一方側に機械
的反射を行なう周期的な凹凸部材20ヲ配列し、他方側
に、ポンプ電源10からの交流電圧ン印加する反射電極
4を設けている。
第4図の実施例は、出カドランスジューサ2の出力端子
2′への出カン帰還回路17に通して直流バイアスt 
ffj 13およびポンプ電源10に帰還し、反射電極
としてのポンプ電極3および4に加える直流バイアス電
圧の大きさおよび交流電圧の大きさ、周波数な変化させ
、出力信号の振幅制御および周波数制御火打なう例であ
る。この場合、帰還信号を電源13および10のいずれ
か一方に印加するようにしてもよい。
第5図の実施例は、可変利得増幅器18および自動利得
制御(AGC)回路19ン出カドランスジユーサ2の出
力側に設け、出力信号の娠幅値7制御可能にしたもので
ある。なお、これらの装置な入カドランスジューサ1の
入力側に設けるようにしてもよい。
なお、上述した第4図および第5図の装置は第3図の構
成の装置にも適用できることは言うまでもない。
また、上述した実施例では、反射電極の構造として均一
厚さのものを使用する場合について述べたが、反射電極
の構造Y周期的構造、例えば櫛形構造にしてもよい。
なお、その場合には、ポンプ電源の周波数は必すしも選
択希望周波数の2倍にはならない。
さらK、上述した実施例では、2つの弾性表面波トラン
スジューサの外側に反射電極を設けるようにしたが、そ
れらの間に設けるようにしてもよ℃1゜ 以上述べたように、本発明によれば、ポンプ電源の周波
数を変えるだけで選択周波数の範囲を広範に変化でき、
また、選択周波数の選択度ン着るしく大きくできる。
さらに、選択周波数の安定度は外部発蚕器の安定度で決
定できるので、非常に高安定にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による周波数選択装置の基本的構成図、
第2図は本発明による周波数特性の一例を示す特性図、
第3図乃至第5図はそれぞれ本発明による周波数選択装
置の実施例の概略構成図である。 1は信号)ランスジューサ、2は信号用カドランスジュ
ーサ、3,4はポンプ電極、5は圧電膜、10はポンプ
電源、13は直流バイアス電源ン示す。 特許出願人  クラリオン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 圧電累子上に形成される音波伝播線路上に、信号入力及
    び信号出力用弾性表面波トランスシューサン配列し、か
    つ該弾性表面波トランスジューサに近接して前記音波伝
    播線路上に一方のトランスジューサの外側に機械的反射
    ン与える部材及び他方のトランスジューサの外側に交流
    信号が印加される反射電極を夫々配列してなることケ特
    徴とする周波数選択装置。
JP14422982A 1982-08-19 1982-08-19 周波数選択装置 Expired JPS5837726B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP14422982A JPS5837726B2 (ja) 1982-08-19 1982-08-19 周波数選択装置

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JP14422982A JPS5837726B2 (ja) 1982-08-19 1982-08-19 周波数選択装置

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JP53067289A Division JPS584485B2 (ja) 1978-06-06 1978-06-06 周波数選択装置

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Publication Number Publication Date
JPS5844809A true JPS5844809A (ja) 1983-03-15
JPS5837726B2 JPS5837726B2 (ja) 1983-08-18

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JP14422982A Expired JPS5837726B2 (ja) 1982-08-19 1982-08-19 周波数選択装置

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JP (1) JPS5837726B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4615616A (en) * 1983-10-14 1986-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Measuring distance apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4615616A (en) * 1983-10-14 1986-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Measuring distance apparatus

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JPS5837726B2 (ja) 1983-08-18

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