JPH02224514A - 表面弾性波デバイス及び高次横モード抑制方法 - Google Patents

表面弾性波デバイス及び高次横モード抑制方法

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JPH02224514A
JPH02224514A JP1334643A JP33464389A JPH02224514A JP H02224514 A JPH02224514 A JP H02224514A JP 1334643 A JP1334643 A JP 1334643A JP 33464389 A JP33464389 A JP 33464389A JP H02224514 A JPH02224514 A JP H02224514A
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surface wave
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JP1334643A
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James A Greer
ジェームズ・エイ・グリーア
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Raytheon Co
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は一般的には表面弾性波デバイスに、更に詳細
には狭帯域表面弾性波共振子に関係している。
(背景技術〕 技術上既知のように、SAW表面弾性波共振子は高精密
高安定低雑音発振器に使用されている。
SAWデバイスは電子制御式発振器及び自走発振器の帰
還ループにおいて周波数安定化素子として使用されてい
る。このような発振器はレーダシステム、電子妨害シス
テム、並びにその他の通信及び電気的システムに使用さ
れている。
レーダシステムにおいては、すべてのレーダ信号を位相
及び周波数において同期させるために多くの場合低雑音
高安定発振器が使用されている。
進歩したレーダシステムに対する一つの要件は比較的遠
距離にある小さい物体を検出するレーダの能力な増大す
ることである。レーダの検出能力は。
発振器の出力電力及び雑音′#性に関係づけられている
システム雑音に関係していることを示すことができる。
発振器の雑音レベルな増大させることなく発振器からよ
り多くの出力電力な取り出丁ことができるならば、レー
ダシステムの雑音フロアが低減される。システム雑音の
減小はシステムの信号対雑音比を且つこれに付随してレ
ーダの検出能力を増大させる。それゆえ、SAW安定式
発振器から低雑音レベルでより高い出力電力な供給して
レーダのシステムフロア雑音な減小させ且つそれの検出
能力な増大させることが望ましい。
一般にこれらの応用装置におい℃は1発振器の帰還ルー
プにSAW共振子を使用して帰還ループの発振の周IB
t、al’安定させている。SAW共振子は一般に表面
弾性波伝搬を支える面を備えていて。
この面上に1ま一対の隔置されたくし形(インターディ
ジタル)変換器が配置されており、この変換器は表面波
伝搬面に結合されている。それぞれのインターディジタ
ル変換器は複数の導電性部材を持った一対の端子を備え
ていて、一方の端子に関連した導電性部材は他方の端子
に関連した導電性部材と相互に入り込まされている。や
はり既知のように表面波伝搬を制限するために一対の反
射格子が配置されている。
比較的高いパワーで動作することのできるSAW共振子
な与えるために42.SAW共振子の音響開口な増大す
ることが一般に必要である。音響開口は導電性条片の長
さを増大することによって増大される。しかしながら、
導電性条片の長さな増大すると1条片の抵抗値が増大し
て、これが変換器の挿入損を増大するという効果が生じ
る。挿入損の増大は一般に望ましくない。それゆえ、S
AW共振子の挿入損な前に与えられたものに戻すために
は、導電性部材の数を増大することか多くの場合必要で
ある。これは1部材の抵抗値における有効な総合減小な
与えて、これにより変換器を比較できる程度の低挿入損
失に戻丁ために、より多くの導電性部材か並列に接続さ
れることになる。
普通、比較的低い挿入損を持ったSAW共振子を提供す
ることも又望まれるつこれには上に示されたように変換
器における導電性条片の数な増大することによって行わ
れる。挿入損を減小させると、共振子のQを低下させ且
つ又共振子の雑音特性を劣化させるという効果が生じる
応用物理学学会誌、第48巻第12号、1977年12
月号、49.55ページ所載、H,ノーウス著の「sA
W格子共振子における諸モード」と題する論文(a p
aper by H,Haus anti tied’
Modes  in  SAW Grating  R
e5onators”Journal  Of  Ap
plied  physIcs、voi、48゜711
12 、December 1977 、pg−49、
55)に記載されたように、高次の横モードがSAW共
振子において伝搬することはかなり萌から知られている
上の論文は高次の横モードのレイリー波形伝搬がSAW
格子式共振子において生じること?示している。
高次の横モード伝i$’!偶数次横モード及び奇数次横
モードを含んでいる。偶数次横モードは、これの位相が
デバイスの音響開口を横切って対称的に分布しているの
で、一般に問題ではない。しかしながら、奇数次横モー
ドの位相は、対称的に分布しているので1問題である。
高次の奇数次モード ドで共振空調に蓄積された音響エネルギーは基本モード
の周波数とは異なった空間分布を持っている。更に、高
次横モードの共振周波数は基本共振モードの周波数より
高い。
そのような高次モードは標準低電力発振器応用装置にお
いて使用されたときのSAW共振子においては一般に問
題に1工なっていない。これは、標準共振子デバイスに
おいては、三次横モードが典型的には基本モードの周波
数より約50−100ppm 高い周波数において基本
モードの最小挿入損の下約2〜1QdBの間の大きさを
持−てい六ためである。高パワー及び/又は低挿入損の
共振子では、より広い開口及び余分の指状部が三次横モ
ードの周波数及び挿入損特注を変えることが判明してい
る。
例えば高パワー共振子では、三次モードの挿入損は基本
モードの周波数より約35 ppm 上の周波数におい
て基本モードの挿入損よりわずか1dB下に現れること
がある。基本モード周波数は一般にその1 dB帯域幅
、すなわち挿入損が基本モードの最小挿入損の1 dB
内にある周波数範囲、によ・って決定される。それゆえ
、高パワー/低挿入損の共振子では、三次横モードは共
振子の1 dB帯域幅内に含まれ得て、共振子のQをか
なり減小させることが明らかになる。この構成はそのよ
うなSAW共振子を用いた発振器の位相雑音特注を劣化
させることになる。
従って、新しい高パワー/低挿入損共振子に対する要件
によりSAW共振子において三次横モード及びより高い
奇数次モードに注意な向ける必要性が生じた。
(発明の要約) この発明による表面弾性波デバイスは1表面波伝搬を支
える面を備え、この表面波伝搬面に結合された一対の変
換器な備えた基部、及び前記の表面波伝搬面の、奇数次
慣モードがエネルキー最太値を持っている領域上に配置
されていて、奇数次横モードの周波数な基本横モードの
それに実質上等しくなるように調整することによって前
記の領域における表面波速度特注を局部的に変化させる
ことのできる装置を備えている。この特定の構成では、
奇数次横モードの周波数は基本モードの周波数に実質上
等しくなるように調整される。これはSAW共振子にお
けるこれらの高次の横モードの存在に起因する位相雑音
の劣化を除去する。
この発明の更なる態様による表面弾性波共振子(器)は
1表面弾性波伝搬を支える面を備え、この表面弾性波伝
搬面に結合された一対の変換器であって前記の面の第1
選択部分を横切って配置されたインターディジタル導電
性条片な備えた前記の変換器を備えた基S、を備えてい
る、前記σ)基部の上方にはこの基部を包囲するために
カバーが配置されている。このカバー%ニ一般に約0.
185〜4、Q、amの波長範囲における電磁エネルギ
ーに対して光学的に透明である材料からなっている。
前記の赤面波伝搬面上方において前記の一対の変換器の
間に配置されたそれの領域にはカバーの内側部分に材料
の層が配置されている。前記の層の第1及び第2の選択
部分は前記の表面波伝搬面上で。
望まれない奇数次横モードがエネルギー最大値な持って
いる前記の面の領域に配置されていて、前記の奇数次横
モードの周波数な基本横モードのそれに実質上等しくな
るように変化させることができる。この特定の構成では
、SAW共振子は改善された帯域通過特注及び基本周波
数における低減された挿入損を持っていて、電圧制御発
振器及び自走発振器応用装置のために一層有効である。
更に、三次横モードの周波数が基本モードのそれに実質
上等しくなるように偏移させられて、基本モードの周波
数におけるデバイスのエネルギーが増大しているので、
基本周波数における挿入損が低減され且つQが増大され
る。
この発明の史なる態様によれば、SAW共振子の帯域通
過特注を改善する方法は1表面波伝搬面の一対の選択部
分上に一対の材料層を付着させて前記の共振子の選択さ
れた高次の横モードの周波数を変化させるステップな含
んでいる。この特定の構成では、SAW共振子の帯域通
過特注を改善する技法が与えられる。これに付随して、
SAW共振子に対する基本モード伝搬での挿入損も又改
善されるが、これは高次モードの周波数が基本モードの
それに実質上一致するように選択され、従って高次モー
ドにおけるエネルギーが基本モードにおけるエネルギー
に加えられて、基本モードの周波数においてより低い挿
入損を生じることになるためである。
この発明の更なる態様による表面弾性波共振子は1表面
弾性波伝搬な支える面な備え、この表面弾性波伝搬面に
結合された一対の変換器であって前記の面の第1選択部
分を横切って配置されたインターディジタル導電性条片
を備えている前記の変換器な備えた基部を備えている。
前記の基部の上にはこの基部な包囲するためにカバーが
配置されているうこのカバーは一般に0.185〜4.
0μmの波長範囲における電磁エネルギーに対して光学
的に透明である材料からなっ℃いる。前記の表面波伝搬
面上において前記の一対の変換器の間に配置されたそれ
の領域にはカバーの内側部分に材料の層が配置されてい
る。前記の層の第1及び第2の選択部分は前記の嵌面波
伝搬面上において前記の開口な横切って、望まれない奇
数次横モードがエネルギー最大値な持っている所に配置
されていて、前記の奇数次横モードの周波数な基本モー
ドを 横波のそれに実質上等しくなるように変化されることが
できる。前記の材料層の第6部分は前記の表面弾性波伝
搬面上で前記のSAWデバイスの音響開口9t@切って
配置されていて、デバイスの基本周波数及びデバイスの
抑制された高次の横モード周波数の両方を変化させるS
AW共振子を所望の周波数特注に同調させるようにする
ことができる。この特定の構成では、高ト・奇数次の横
モードが抑制され、そして基本モード周波数は選択され
又は調整された基本周波歓待aな伴った改善された挿入
損及び帯域通過′#注を持ったデバイスな与えるように
調整される。
(実施例の説明) 今度は図1に言及すると、電圧制御、SAW共振共振子
式定式フロア雑音発振器10が示されており、これには
ループ増幅器12a及び12b。
電圧制御発振514.[圧リミタ16.ループ信からな
る帰還ループ13のような低雑音構成要素が図示のよう
に含まれている。、SAW共振子60は帰還ループ16
において増幅Fi12a及び12bの周りに使用されて
いて、帰還ループにおい℃伝搬する信号の必要な位相偏
移特?l:ヲ与え且つ前記のループによって発生される
信号の周波数を安定化する。電子式移相器18は発振器
10の周波数を所定の帯域幅にわたって電気的に微同調
させるために使用される。リミタ16.減衰器18゜及
びループ位相調整器22も又発振器10のループ特注に
おける調整を行うために設けられている。
既知のように、持続発振は増幅器が帰還ループにおける
損失を補償するために十分な利得を与え且つループが2
πラジアンの倍数に等しい位相特注を持っている周波数
において与えられる。電子式移相器14はこの特注に比
較的小さい可変の位相偏移な与え、これにより発振器1
0の周波数を電子的に変化させる。
多くの応用装置においては、比較的高電力の増幅器す準
備することによってループ13における電力を増大させ
ることが望ましいであろう。しかしながら、ループ電力
な増大するためには、SAW共振子の電力処理能力も又
増大されなければならない。結合器24の出力における
出力信号1ま、回路の残りの部分からの発振器のローテ
ィングを防止するために使用される緩衝増幅器25に供
給される。任意選択として、この信号は発振器10の出
力端子27に結合される前に信号の純度を改善するため
に低域フィルタ26を通し℃供給されることもできる。
出力信号はこの場合にはレーダシステムであるような負
荷29に供給される。
図1に示されたような低雑音フロア発振器回路10のた
めに有効なSAW共振子30に対する採択実施例が今度
は図2〜4に関連して説明される。
今度は図2に言及すると、SAW共振子60はここでは
1表面波伝搬な支える面31aを備えた基部61を含む
ように示されている。この場合前記の基s31は水晶の
STカット又は回転STカットからなっているが、他の
材料(例えばニオブ酸リチウム)も代替的に使用され得
る。水晶基部31上にはここでは一対の変換器62.6
4が配置されており、この場合変換器62が入力変換器
であり且つ変換器34が出力変換器である。前記の変換
器のそれぞれのものは一対の端子32’ 、32”及び
34’ 、34”並びに複数の導電性条片又は条片導体
32 a 、 32a’及び34a、341)を図示の
ように備えている。それゆえ変換器62な前記の変換器
の例示的なものとして考えると、変換器62は一対の導
電性端子32’ 、32”は備えており、前記の導体端
子のそれぞれのものは複数の導電性条片32 a 、5
2atに接続していて、前記の条片は相互に入り込んで
いる(インターディジタル構造〕。
この場合前記の条片はアルミニウムからなっていて、S
AW面31aに設けられた溝に入れ込まれている。すな
わち、端子62′からの条片は面61aft横切って、
端子32#からの対応する条片の間If交互に隔置され
て配置されている。共振子30にhz2に一対の反射格
子、ここでは35a、35bかあり、これS”Lここで
は面31aに配置された複数の溝穴又は溝からなってい
る、ここでは前記の溝及び導電性部材は幅が波長の4分
の1にほぼ等しくなっており且つ又一般に知られ℃いる
ように、波長のほぼ4分の1離して隔置されている。
反射格子35a、35b及び変換器の組合せは非常に筒
いQ及び非常に鋭い周波数通過帯域特性を持った共振構
造な与えるう望ましくは、共振子13は全石英ハゲケー
ジ内に密閉されており、ここではガラスフリットからな
っている密閉部材37及びここでは基部61の材料に結
晶学的に整合した材料からなっているカバ一部材38、
を備えている、カバー38の内側部分には、ここでハ後
述されるように三層の膜からなっているパッド69が配
置され℃いる。
やはり図2に言及すると、パッド40′及び40#は面
31aに配置されて示されている。パッド40′及ヒ4
0#j!、 fバイス10の音響開口の比較的小部分に
おける表面波速度特注に小さい局部化された変化な与え
て、基本横モードの周波数な有意に変えることなく三次
横モードの同調な可能にするために使用される。この場
合同調は三次横モードの周波数を低減してこれが基本横
モードの周波数に実質上等しくなるようにすることによ
って行われる。
今度は図4に言及すると、三次横モードの周波数を変え
て、これにより三次横モードを抑制するために領域40
′及び40”を設けるための好適な構成例が示されてい
る。カバー68の内側部分上に配置されたパッド69は
ここでは三NI複合パッドであって、熱絶縁緩*層sq
a、熱放射1i139b及び熱除去層39Cからなって
おり、ここでは層39a及び39C4!酸化アルミニウ
ムからなっており且つ層39bS!アルミニウムからな
っている。
入射レーザエネルギー50はカバー68及び層39aを
通して層39bに導かれてこれの局部的加熱領域を与え
、これは図示のようにデポジット40′又は40“を与
えるように複合層39の一部分な除去するために使用さ
れる。
図5は基本横モード伝搬72及び三次横モード74に対
する音響開口におけるエネルギー分布な示している。三
次横モードが最大エネルギーを持っている音響開口の領
域に音響開口の比較(へ)小さい部分を横切って材料の
小さい領域な置くことによって、三次横モードの周波数
は基本モードのそれにほぼ等しくなるように偏移させら
れる。
インターディジタル導電性部材62の有効長。
すなわち導電性部材が横方向に重なり合っている区域は
デバイスの有効又は音響開口として定義され1図5に符
号AAで示されている。
この表面弾性波デバイスは入力変換器62に入力信号を
供給して電極端子32’ 、32“間に電位な与えるこ
とによって動作する。これは表面弾性波面!11aにお
ける結晶構造変形を生じさせる。この変形は表面波デバ
イス60に宿って横波として出力端子64に伝搬する。
波は反射格子65a。
35bによって閉じ込められて、変換器64の出力対電
極34’ 、34”に結合される。圧電相互作用による
表面弾性波の結晶構造の又互の圧縮伸長は電極34’、
34”間に対応する電圧変動な生じさせ、これにより変
換器32に結合された信号の複製を与える。
上記の文献に述べられているように、基本横モード以外
の他のモードがこのようなデバイスにおいて伝搬するこ
とが示された。このようなデバイスにおいて伝搬する偶
数モードは、SAWデバイスの音響開口における非対称
位相分布な持っているので、出力変換器64において発
生する出力に究極的な影響な及はさない。しかしながら
、奇数モードはデバイスの音響開口における対称位相分
布な持っているので、奇数モードの伝搬からのエネルギ
ー$1 S A W共振子の挿入損特注における摂動と
して税れる。
実例として、標準形式のSAW共娠子(図9)及び高パ
ワーSAW共振子の周波数特性が図1OA及び10Bに
示されている。
図9は標準SAW共振子に対する挿入損特注を示してい
る。基本モードに対する周波数の関数としての挿入損は
曲1131soとして示されているう三次横モードは曲
脚50における摂動52として生じる。この摂動の挿入
損は基本モードにおけるそれ51より約7dB高い。こ
の摂動の亀波数は基本モードの尚波数より約toopp
mgい。この%注は402.171 hA)lzの中心
周波数な有し、且つそれぞれ510指状部を持ち且つ各
指状部が150音響波長の長さを持った変換器な有する
標準SAW共振子から与えられた。
図1OAは610指状部を持ち且つ200音響波長に等
しい音響開ロ又%工指状部長な持った変換器を有する高
パワー低損失SAW共振子に対する周波数の関数として
の挿入損特注を示している。
挿入損!15注60はSAW共振子の中心周波数に一致
する61において最小損失を持っている。三次横モード
は62において摂動を与えるが、これは基本横モード6
1の最小挿入損より1 dB高いだけである。災に周波
数は基本モードにおける周波数の近くに偏移させられて
いる、すなわち基本モードの周波数の約35 ppm 
内にある。SAW共振子61の周波b’p注は基本周波
数61におけるSAW共振子の1 dB帯域幅によって
決定されるので、三次横モードは今度は基本モードにお
ける1 dB帯域幅内に又は実負上これの近くに偏移さ
せられる。この共振子は発掘型応用装置に使用されたと
きには発振器動作に有害な効果を与えることかある。
三次モードの最大エネルギーが音!#開口の周辺部分が
近くの且つ一般に音響面の中心部分から離れた領域に閉
じ込みもれるという高次横モード分布の知識によって、
挿入損特注を監視しながらそれらの領域に選択的デポジ
ットを設けて、これらのSAWデバイスを同調させ1図
10Bに示されたような挿入損特注を与えるように1−
ることかできる。図10Bにおいて、三次横モードのエ
ネルギーは基本モードのエネルギーに加えられており。
これにより摂動72(図1OA、挿入損特注70におけ
る三次横モード)のない、基本モードの周波数において
より低い挿入損のデバイスか与えられる。三次横モード
の周波数は基本モードの周波数に実賞上等しくなるよう
にわ1°かに低い周波数に偏移させられている。これも
又材料のデポジット40′及び40す)付加後の、基本
モードの周波数における挿入損のわずかな減小(−4,
346dBないし−4,202dB)によって示されて
いる。
図5に示された例において、パッド40′及び40“は
それぞれ音l!1開口の約15%の開口を横切った長さ
を持っていて、音!#開口の縁部から約10%離れた距
離から始まって配置されている。
三次横モード波伝搬な抑制するだめの好適な技法は完成
したSAWデバイスを回路網アナライザに挿入して、S
AWデバイスの中心周波数範囲についての挿入損特性を
監視することである。そのような監視中1図1OAに示
されたように、基本横モードに対する挿入損%注に対応
する曲に70の72において示された最小挿入損特性を
持った特注が現れる。三次横モードに対応するわずかに
島い方の周波数における第1摂動74.及び三次モード
に対応する後続の摂動76も又示されている。材料デポ
ジット40′及び40“はカバーを通してエキシマレー
ザビームを当ててパッド69の選択された部分な表面波
伝搬面へと除去することによって与えられるう材料が正
しい位置に(1′なわち中心から離れて)付着させられ
たならば、摂動74は三次モードのエネルギーか基本モ
ードのそれに加えられるまで72における最小挿入損に
より近く移動する。五次横モードな抑制することが望ま
れたならば、より一般には四つのデポジット(図示され
ていない)が使用され、やはりこれらのテポジットハ音
響開口の中心から離れて配置されるであろう。
図6〜8に示されたように、材料のデポジット40’ 
、 40“が三次横モードの周波数を基本モードのそれ
に対応するように同調させるために使用された後、基本
モード周波数を選択的に変史してそれの周波数特注にお
ける選択された偏移を与えるようにすることができる。
図6−8に示されたように、−本線の材料42か表面波
伝搬面41上で表面波デバイスの音響開口全体な横切っ
℃付着させられている。層42は音響開口全体における
表面波速度′#性の変化の局部的領域を与えて基本横モ
ードの周波数を同調させ、これによりデバイスの中心周
波数を選択的に良化させる。
付着技術の完全な説明並びに層42及び層40′40”
’r与えるためのその他の付着の例は、1988年2月
8日出願されてこの発明の譲受人に譲渡された一同時出
願係属中の米国出願連続番号第153186号に記述さ
れており、この出りなこの明細誉に抜用する。
この発明における採択実施例な説明したので。
これの概念を真木化した他の実施例が使用され得ること
は当業者には明らかなになるであろう。
【図面の簡単な説明】
図1はSAW共振子を周波数安定化素子として利用した
電圧制御発振器の構成図である。 図2はこの発明に従って製作された図1のSAW安定式
発振器に使用され得るSAW共振子の平面図である。 図6は図20h3二3に浴って取られた断面図である。 図4は図6の線4−4に泡って取られた図3の一部分の
分解拡大図である。 図5を工具型的なSAW共嵌子の音響開口における基本
横モード及び三次横モードのエネルギー分布の典型的な
関係な示した線図である。 図6は共振子の基本筒波数を変化させるために配置され
た層を備えた図2のSAW共振子である。 図7は図6の線7−7に沿って取られた断面図である。 図8は図7・の#8−8に沿うljられた分解拡大図で
ある。 図9は三次横モードを持った標準SAW共振子の基本モ
ードの大きさ及び位相に対する大きさ対周波数のプロッ
トである。 図10Ast基本モードのほぼldB帯域幅内に三次横
モードな持った高パワーSAW共振子の基本モードに対
する大きさ対周波数のプロットである。 因10Bはこの発明の一態様に従って調整された三次横
モードな持った図1OAのデバイスのプロットである。 (外4名) 第 図 第 図

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.表面波伝搬を支えるための面を備え、前記の表面波
    伝搬面に結合された少なくとも一つの変換器を備えた基
    部、及び 前記の表面波伝搬面において奇数次横モードが最大エネ
    ルギーを持っている所に配置されていて、表面波速度特
    性を局部的に変化させる前記の奇数次横モードの周波数
    を調整する手段、 を備えている表面弾性波デバイス。
  2. 2.表面波速度を局部的に変化させる前記手段が前記の
    面に配置された一対の隔置された材料の領域からなって
    いる、請求項1のデバイス。
  3. 3.前記の一対の材料の領域が前記の変換器の音響開口
    の比較的小さい部分に配置されている、請求項2のデバ
    イス。
  4. 4.前記の奇数モード横波が三次横波であり、且つこれ
    の周波数が基本モードのそれに実質上等しくなるように
    低減されている、請求項3のデバイス。
  5. 5.前記の材料の領域が前記の変換器の音響開口の中心
    部分から離れて前記の音響開口の周辺部分の方へ外され
    ている、請求項3のデバイス。
  6. 6.SAW共振器面上で前記の三次横モードがエネルギ
    ー最大値を持っている所に一対の材料の層を被着させて
    前記のモードの周波数を基本モードのそれに実質上等し
    くなるように低下させるステップ、 を含んでいるSAW共振器の三次横モード周波数を調整
    する方法。
  7. 7.前記のSAW共振器が 表面波伝搬を支える基部であってこれの上に前記の一対
    の材料の層を配置している前記の基部、及び 前記の一対の層が被着させられた材料のパッドを上に配
    置しているカバー、 を備えている、請求項6の方法。
  8. 8.被着するステップが更に、 前記のSAW共振器のカバーを通してパッドの方へレー
    ザビームを導いてパッドからこれの選択された部分を除
    去して前記の面上に前記の一対の材料の層を形成するス
    テップ、 を含んでいる、請求項7の方法。
  9. 9.前記のパッドが、カバー上に配置された第1誘電体
    層、この誘電体層上に配置された金属層、及びこの金属
    層上に配置された第2誘電体層を含む三つの層からなっ
    ている、請求項8の方法。
  10. 10.表面波伝搬を支える面を備え、この表面波伝搬面
    に結合された一対の変換器を含む基部、前記の基部の上
    方に配置され、前記の表面波伝搬面を包囲するカバーで
    あって、一般的に約0.185μmないし4μmの波長
    範囲における電磁エネルギーに対して光学的に透明であ
    る材料からなっている前記のカバー、 前記のカバーの内側部分上且つ前記の表面波伝搬面の上
    方で前記の一対の変換器の間に配置されたそれの領域に
    配置された材料の層、並びに前記の表面波伝搬面上で不
    所望な奇数次横モードが最大エネルギーを持っている前
    記の表面波伝搬面の領域に配置されていて前記の奇数次
    横モードの周波数を変化させることができる前記の層の
    材料の第1及び第2の選択された部分、 を備えている表面弾性波共振器。
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