JP3186560B2 - 多重モード弾性表面波フィルタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、簡易携帯電話機な
どの通信機器において、比帯域巾の狭い１ｓｔＩＦ用と
して使用される多重モード弾性表面波フィルタに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、通信機器用のＩＦ用のフィルタと
しては、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと
もいう）が多数使用されている。このＳＡＷフィルタの
基板材料としては、周波数に対する温度特性の良好な水
晶が使用されている。近年の通信機器の小型化の要請に
伴って、これを構成する部品の小型化が進展し、ＳＡＷ
フィルタにおいても同様である。ＳＡＷフィルタにおい
ては、その基板材料として、四硼酸リチュウム（Ｌｉ2
Ｂ4 Ｏ7 ）単結晶（以下、ＬＢＯ単結晶又は単にＬＢＯ
ともいう）が、近年注目されている。それは、ＬＢＯ単
結晶が、水晶基板より、電気機械結合係数が大きい圧電
材料であり、通常使われている水晶基板を用いるより
は、高効率で小型のＳＡＷフィルタが作れる可能性があ
る材料であるためである。そして、現在、携帯電話やペ
−ジャ用ＳＡＷフィルタの材料として使用され始めてい
る。さらに、他の基板材料としては、タンタル酸リチュ
ウム（以下、ＬＴともいう）がある。ＬＴは、ＬＢＯに
比べて、電気機械結合係数は大きいが、温度特性が悪い
のが特徴である。従って、後に説明するが、ＬＢＯは、
特性上は、水晶とＬＴの中間に位置する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＢＯ単結
晶を用いたＳＡＷフィルタは、水晶を用いたＳＡＷフィ
ルタと比較して、中心周波数の温度係数が大きい。以
下、添付図面を用いて、具体的に説明する。図１２は、
従来例のＬＢＯ基板、水晶基板又はＬＴ基板を用いたＳ
ＡＷフィルタの中心周波数の温度依存性を示すグラフ図
である。図１２中にＬＢＯと表示されるのは、４５度回
転ＸカットしたＺ軸伝搬ＬＢＯ単結晶基板を使用したＳ
ＡＷフィルタの特性測定より得られたものであり、この
グラフより（１）式が得られる。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．２７（Ｔa −３３）2 （１）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ表
す。これより、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィルタの２
次の温度係数は０．２７ｐｐｍ／℃であることが分か
る。

【０００４】さらに、図１２中で水晶と表示されるの
は、ＳＴカットのＸ軸伝搬水晶基板を使用したＳＡＷフ
ィルタの特性測定より得られたものであり、このグラフ
より（２）式が得られる。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．０３（Ｔa −３３）2 （２）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ表
す。これより、水晶基板を用いたＳＡＷフィルタの２次
の温度係数は０．０３ｐｐｍ／℃であり、ＬＢＯ基板を
用いたものに比べて９分の１の大きさであることが分か
る。また、両方のグラフから、放物線の頂点温度は３３
℃であることが分かっている。

【０００５】これらのことより、ＬＢＯ基板を用いたＳ
ＡＷフィルタは、温度係数の影響が比較的小さい、中心
周波数に対し通過帯域幅の比率（比帯域幅）が比較的大
きい仕様の携帯電話やペ−ジャでの使用に限定されてい
る。簡易携帯電話機（パーソナル・ハンディフォン・シ
ステム、以下、ＰＨＳともいう）の１ｓｔＩＦフィルタ
用途のように、比帯域幅の小さいＳＡＷフィルタでは、
使用温度範囲（−１０℃〜６０℃）で通過帯域幅・群遅
延特性・通過帯域外減衰特性等の仕様を満足させること
は困難であった。そのため、上記用途の小型化に寄与す
るＬＢＯ単結晶基板を用いたＳＡＷフィルタを実現する
ことができなかった。

【０００６】そこで、本発明は、上記の従来例に係わる
問題点を解消するためになされたものであり、多重モー
ドＳＡＷフィルタにおいて、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷ
フィルタを、パッケージに用いるセラミックの容量を用
いて自己温度補償できるようにし、これにより、小型で
しかもＰＨＳの１ｓｔＩＦフィルタのように比帯域幅の
小さいＬＢＯ基板を用いた多重モードＳＡＷフィルタを
提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために以下の１）及び２）に記載の構成より成
る。すなわ、 １）セラミックからなるパッケージと、λ回転Ｘカット
したＺ軸伝搬四硼酸リチュウム単結晶基板表面上に形成
した、一対の入力ＩＤＴ群、一対の出力ＩＤＴ群及び２
つの反射器群からなる、入力部となる第１の２ポートの
共振子型フィルタと出力部となる第２の２ポートの共振
子型フィルタを、弾性表面波の伝搬方向に沿って接続部
を設けて２段縦列接続して構成した、多重モード弾性表
面波フィルタ素子とから成り、前記多重モード弾性表面
波フィルタ素子の温度係数の補償を行うための、前記接
続部に前記出力部の一部をフィードバックする静電容量
を、前記のパッケージを構成する前記セラミックを所定
形状とすることによって、前記パッケージ内に構成した
多重モード弾性表面波フィルタであって、 前記静電容量
を、前記パッケージの電極ランドとグラウンド間の容量
であるＣ2 と、前記パッケージ上に形成した前記第２の
２ポートの共振子型フィルタの前記出力部となるシグナ
ルランドと前記接続部のシグナルランド間の容量である
Ｃ1 とから構成したことを特徴とする多重モード弾性表
面波フィルタ。 ２）請求項１に記載の多重モード弾性表面波フィルタに
おいて、Ｃ2 の値を、１．１〜２．４ｐＦの範囲とした
ことを特徴とする多重モード弾性表面波フィルタ。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷフィルタの実施の
形態を、添付図面を参照して、好ましい実施例によって
説明する。はじめに、本発明に至る過程を説明する。Ｐ
ＨＳの１ｓｔＩＦ用ＳＡＷフィルタの仕様温度範囲は、
−１０℃〜６０℃である。この温度範囲で、ＳＡＷフィ
ルタの通過帯域幅・群遅延特性・通過帯域外減衰特性等
の仕様を満足させるために、温度係数の影響を検討す
る。図１２に示したように、ＬＢＯ単結晶を用いたＳＡ
Ｗフィルタの中心周波数ｆ0 の温度依存性は、放物線を
なす。したがって、この放物線の対称性を考えると、頂
点温度が２５℃であるとき、−１０℃及び６０℃で同じ
中心周波数値となる。このとき、仕様温度範囲内での中
心周波数値の幅の広がりが最小となる。前記の（１）式
のように頂点温度が３３℃では、２５℃より高いので低
温側、特に０℃付近以下の温度で、温度係数の影響が温
度の２乗で効いてくるため、仕様温度範囲内での、中心
周波数値の幅の広がりが益々大きくなり不利である。

【０００９】温度係数を改良する方策として、中心周波
数ｆ0 の温度依存性を示す放物線の頂点温度を仕様温度
範囲の−１０℃〜６０℃のセンタである２５℃にシフト
することにより、中心周波数、群遅延特性、通過帯域外
減衰量が仕様に入るようにすることができる。これを実
現する方法としては、次の２つが考えられる。 （１）ＬＢＯ単結晶基板の切出しカット角度を変える
（オイラ−角を変える）。ＬＢＯ単結晶基板で作製した
ＳＡＷフィルタの中心周波数は、２次の負の温度係数を
持つ。ＳＡＷフィルタとして最も良く使われている、λ
回転ＸカットのＺ軸伝搬ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィ
ルタの中心周波数の温度特性は、いずれも放物線カ−ブ
を示し、その頂点温度は３３℃付近である。この頂点温
度は、λ回転角に比例して低温側にシフトし、λ＝２８
°で、頂点温度は室温（２０℃）付近になる。ただし、
室温付近が頂点温度となっているλ＝２８°のλ回転角
でカットした基板を用いたＳＡＷフィルタの場合には、
λ＝４５°カットと比較して、挿入損失が非常に大き
く、又反射も大きい。従って、ＳＡＷフィルタ用のカッ
ト角度を変えて、頂点温度を変更する方法は、得策では
ない。

【００１０】そこで、 （２）外付け部品で温度補償する方法 を検討し、これにより、ＰＨＳの１ｓｔＩＦ用の、ＬＢ
Ｏ単結晶基板を用いたＳＡＷフィルタを実現した。以
下、この内容を詳細に説明する。図１は、本発明のＳＡ
Ｗフィルタの一実施例の内部構造を示す上面図である。
図２は、図１のＹ−Ｙ´断面図である。図３は、本発明
のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ素子パターンを
示す上面図である。図４は、本発明のＳＡＷフィルタの
一実施例のフィルタ構成を示す上面図である。図５は、
図４のＡで示される回路の等価回路を示す。

【００１１】図１、図３及び図４に示すように、４５°
回転ＸカットしたＺ軸伝搬ＬＢＯ単結晶基板３６の表面
に、弾性表面波を伝搬させるためのフィルタ素子２０が
形成されている。フィルタ素子２０は、一対の入力ＩＤ
Ｔ（インターデジタル・トランスデューサ）群、一対の
出力ＩＤＴ群、及び２つの反射器群からなる２ポートの
共振子型フィルタを伝搬方向に沿って２段縦列接続して
構成された多重モードＳＡＷフィルタ素子である。一対
の入力ＩＤＴ群とは、入力端子２１、櫛歯電極部２３及
びグラウンド端子２２より構成されるＩＤＴと、グラウ
ンド端子２５、櫛歯電極部２６及び出力端子２７から構
成されるＩＤＴである。

【００１２】一対の出力ＩＤＴ群とは、グラウンド端子
２９、櫛歯電極部３０及び出力端子３１より構成される
出力ＩＤＴと、出力端子２７、櫛歯電極部３４及びグラ
ウンド端子３３とから構成される出力ＩＤＴである。２
つの反射器群は、一対の入力ＩＤＴ群用の一対の共振部
２４、２８と、一対の出力ＩＤＴ群用の一対の共振部３
２、３５より構成されている。図４には、各端子間の電
気的接続については、模式的に表示してある。

【００１３】従来から、バタ−ワ−スフィルタ、チェビ
シェフフィルタ、またはその他の多重型帰還型フィルタ
等の、低次のフィルタを２段縦列に接続し、２段目の出
力をコンデンサで適当な比率に分割して２段目の頭にフ
ィードバックをかけ、減衰特性の急峻な（Ｑの高い）高
次のフィルタを形成している。本発明では、２段縦列接
続部の段間に、出力の一部を容量を介してフィードバッ
クして、さらに急峻な減衰特性を得ている。その構成
を、図４を参照して説明する。出力端子３１から出力さ
れた信号は、分岐ｂで分岐し、一方は容量Ｃ1 、分岐
ｄ、及び容量Ｃ2 を介してグラウンドに接続され、他方
は分岐ｃで再度分岐し、再分岐した一方はインダクタＬ
2 を介してグラウンドに接続されており、再分岐した他
方は容量Ｃ6 を介して出力端ＯＵＴに達する。分岐ｂ
は、出力端子２７と接続されている。なお、容量Ｃ5 及
びインダクタＬ1 は入力側と、容量Ｃ6 及びインダクタ
Ｌ2は、出力側と、それぞれＳＡＷフィルタのインピー
ダンスマッチングを取るために接続されている。

【００１４】次に、本発明のＳＡＷフィルタにおいて、
上述の構成によって、２段縦列接続部の段間に出力の一
部をフィードバックする際の容量の作り方を説明する。
このＳＡＷフィルタの載置されるパッケ−ジは、従来の
カンタイプのステムではなく、よりいっそうの小型化が
可能な表面実装タイプにするため、セラミックから構成
される表面実装用のパッケ−ジを使用している。従来、
セラミックの表面実装用のパッケ−ジ内の電極ランドと
グラウンド間容量は、極力小さくするの普通であり、補
正用の容量をパッケージの外部に設ける構成としてい
る。しかし、本発明のＳＡＷフィルタにおいては、各ラ
ンド間の容量が所定の値になるように、各ランドの寸法
値を定め、パッケージの内部にその容量を設け、ＳＡＷ
フィルタ全体として一層の小型化を達成した。

【００１５】これを、図１、図２及び図５を参照して説
明する。図５は、図４のＡで示される、Ｃ1 とＣ2 の直
列接続と等価な回路を示している。Ｃ1 をパッケージ内
の各ランド間の容量Ｃ4aとＣ4bの並列接続で構成し、Ｃ
2 をパッケージ内の各ランド間の容量Ｃ3aとパッケージ
内のランドとコバール体間の容量Ｃ3bで構成している
が、その方法を以下に説明する。図示しないパッケージ
内に所定形状のセラミックベース１３が配置されてい
る。このセラミックベース１３の所定の位置に、所定形
状のグラウンドランド９、シグナルランド８がそれぞれ
形成されている。セラミックベース１３上には、厚さが
Ｌ2 である四角筒状のセラミック中間体１２が配置され
ている。セラミック中間体１２の上面の所定の位置に、
所定形状のグラウンドランド２、５、７、シグナルラン
ド３、４、６がそれぞれ形成されている。セラミック中
間体１２の四角筒内のセラミックベース１３上の所定位
置に、フィルタ素子２０が固定して配置されている。フ
ィルタ素子の上面と各ランドは、ほぼ同一高さになって
いる。

【００１６】フィルタ素子２０中の各端子と、セラミッ
ク中間体１２上の各ランドは所定の関係で、Ａｌワイヤ
ボンディングにより、Ａｌワイヤで電気的に接続されて
いる。すなわち、グラウンドランド２はグラウンド端子
２２とＡｌワイヤ４４で、シグナルランド３と出力端子
３１はＡｌワイヤ４５で、シグナルランド４は出力端子
２７とＡｌワイヤ４６で、グラウンド端子５はグラウン
ド端子２２とＡｌワイヤ４３で、シグナルランド６は入
力端子２１とＡｌワイヤ４２で、グラウンドランド７は
グラウンド端子２５とＡｌワイヤ４１と、それぞれ電気
的に接続されている。グラウンドランド３はセラミック
中間体１２の所定値に形成されたスルーホール１６によ
りシグナルランド８と電気的に接続されている。セラミ
ック中間体１５の上には、四角筒状のセラミック体１５
とコバール体１４が順次、固定配置されている。コバー
ル体１５は、導電性であり、グラウンドに接続されてい
る（図示せず）。

【００１７】なお、グラウンドランド２、９、５、８、
シグナルランド３、６は、セラミックベース上に形成さ
れている図示しない各パッドと、セラミック体１５、セ
ラミック中間帯１２及びセラミックベース１３の外周部
を貫いて設けられた、図示しない各側面リード１０、１
１と電気的に接続されている。容量Ｃ2 は、容量Ｃ3aと
容量Ｃ3bの並列接続で構成される。Ｃ3aは、所定の距離
Ｌ2 離れた、セラミック中間体１２で挟まれたグラウン
ドランド９とシグナルランド４の間に形成される容量と
する。Ｃ3bは、所定の距離Ｌ3 離れた、セラミック体１
５で挟まれたコバール体１４とシグナルランド４の間に
形成される容量とする。一方、容量Ｃ1 は、容量Ｃ4aと
容量Ｃ4bに並列接続で構成される。Ｃ4aは、セラミック
中間体１２を介して所定距離Ｌ1 離れたシグナルランド
３とシグナルランド４の間に形成される容量とする。Ｃ
4bは、所定の距離Ｌ2 離れた、セラミック中間体１２で
挟まれたグラウンドランド８とシグナルランド４の間に
形成される容量とする。

【００１８】次に、容量Ｃ2 の最適範囲について説明す
る。図６は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の周波
数変化率の温度変化を示すグラフである。ＳＡＷフィル
タの中心周波数の温度依存性曲線において、ＳＡＷフィ
ルタの仕様温度範囲を−１０〜６０℃とするとき、その
頂点温度が２５℃であるのが最良である。図６には、頂
点温度が、２２℃、２５℃及び２８℃の場合の周波数変
化率の温度依存性が示してある。図６より分かる通り、
２５℃±３℃の場合には、中心周波数の低域側へのシフ
ト量（すなわち周波数変化率）は、最大４００ｐｐｍで
ある。

【００１９】ＳＡＷフィルタの仕様によって、中心周波
数、通過帯域幅等の内容が異なってくるが、例えば、絶
対的に必要な信号（中心周波数）が、２４８．４５±
０．１１ＭＨｚのとき、頂点温度が２５℃±３℃である
ならば、周波数の変化量は１００ｋＨｚとなる。従っ
て、ＳＡＷフィルタの通過帯域幅が４２０ｋＨｚであれ
ば、１００ｋＨｚのクリアランスがあり、フィルタ特性
は満足できるものになる。

【００２０】図１０は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例におけるパッケージの素材であるセラミックの容量
と温度係数の関係を示すグラフである。このグラフよ
り、０℃から３００℃の温度範囲で、約５．５０ｎＦか
ら約５．７５ｎＦまで、約２．５ｎＦ変化しているのが
分かる。この値を温度係数に換算すると、 （５．５０−５．７５）／（（（５．５０＋５．７５）／２）３００） ＝−１４８．１４８（ｐｐｍ／℃） …… （３）式 となる。

【００２１】図１４は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例におけるパッケージの内部で構成された容量と温度
係数の関係を示すグラフである。この容量は、図１０に
示すセラミックからなるパッケージの内部の所定形状の
部分で形成される容量Ｃ2 である。図１４に示すよう
に、温度が下がると、この容量Ｃ2 は小さくなり、温度
が上がると静電容量は大きくなる。例えば、３３℃で
２．０００ｐＦの容量Ｃ2 は、−１０℃では、１．９８
７ｐＦになる。図８は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例の中心周波数と静電容量Ｃ2 の関係を示すグラフで
ある。これは、実験的に得られたもので、容量Ｃ2 を変
化させたときのＳＡＷフィルタの中心周波数の変化を示
す。

【００２２】図１３は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例において、パッケージの内部で構成された容量があ
るときの温度と中心周波数の関係を示すグラフである。
これは、パッケージの内部に所定の容量を形成したと
き、温度を変化させるとこれに伴い中心周波数が変化す
る様子を示す。この関係は、図１４と図８から得られ
る。図９は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におけ
る温度補償メカニズムを説明するための図である。ここ
で、白丸実線の曲線は、上述したように、容量Ｃ2 がな
いときのＳＡＷフィルタの中心周波数の温度変化を示す
もので、ＬＢＯ基板の温度依存性が反映しており、頂点
温度は３３℃である。一方、図１３の特性を示す容量Ｃ
2 を加えると、白丸実線の曲線は、黒丸実線の曲線にシ
フトする。

【００２３】すなわち、３３℃から温度が下がると、容
量Ｃ2 が小さくなり、図８に示すように、中心周波数は
高くなる。この効果は、２５℃までは中心周波数が高く
なる方向へ補償し、２５℃より低い温度では、中心周波
数の温度依存性の２次曲線で効いてくるため、容量Ｃ2
による中心周波数の上昇よりも、ＬＢＯ基板の中心周波
数の低下が勝り、下がっていく。

【００２４】逆に、３３℃以上では、温度が高くなると
容量Ｃ2 も大きくなり、図８に示すように、容量が大き
くなると中心周波数は低くなるので、中心周波数は益々
さがる方向に作用する。その結果、容量値の最適値を選
定することにより、中心周波数の特性式は、以下の式に
なるように頂点温度を設定することが可能である。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．２７（Ｔa −２５）2 （４）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ示
す。図１１は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例にお
いて、Ｃ1 ＝０．６ｐＦ，Ｃ2 ＝２．０ｐＦとした場合
の周波数特性を示すグラフである。ここでは、Ｃ1，Ｃ2
とも好適な数値範囲内であり、良好な特性を示してい
る。図７は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のＣ2
と頂点温度の関係を示すグラフであり、実験的に得られ
たものである。図７より、頂点温度の範囲を２５℃±３
℃とするには、Ｃ2 の範囲を１．１〜２．４ｐＦとすれ
ば良いことが分かる。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように、本願各請求項に係
る多重モード弾性表面波フィルタによれば、ＬＢＯ基板
を用いたＳＡＷフィルタを、パッケージの容量を用いる
ことにより自己温度補償できるようにし、これにより、
小型でしかもＰＨＳの１ｓｔＩＦフィルタのように比帯
域幅の小さいＬＢＯ基板を用いた多重モードＳＡＷフィ
ルタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の内部構造
を示す上面図である。

【図２】図１のＹ−Ｙ´断面図である。

【図３】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ
素子パターンを示す上面図である。

【図４】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ
構成を示す図である。

【図５】図４のＡで示される回路の等価回路を示す。

【図６】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の周波数変
化率の温度変化を示すグラフである。

【図７】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のＣ2 値と
頂点温度の関係を示すグラフである。

【図８】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の中心周波
数と静電容量Ｃ2 の関係を示すグラフである。

【図９】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における温
度補償メカニズムを説明するための図である。

【図１０】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における
パッケージの素材であるセラミックの容量と温度係数の
関係を示すグラフである。

【図１１】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におい
て、Ｃ1 ＝０．６ｐＦ，Ｃ2 ＝２．０ｐＦとした場合の
周波数特性を示すグラフである。

【図１２】従来例のＬＢＯ基板、水晶基板又はＬＴ基板
を用いたＳＡＷフィルタの中心周波数の温度依存性を示
すグラフ図である。

【図１３】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におい
て、パッケージの内部で構成された容量があるときの温
度と中心周波数の関係を示すグラフである。

【図１４】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における
パッケージの内部で構成された容量と温度係数の関係を
示すグラフである。

【符号の説明】

１…フィルタ、２…グラウンドランド、３…シグナルラ
ンド、４…シグナルランド、５…グラウンドランド、６
…シグナルランド、７…グラウンドランド、８…シグナ
ルランド、９…グラウンドランド、１０…側面リード、
１１…側面リード、１２…セラミック中間帯、１３…セ
ラミックベース、１３ａ…ベース底面、１４…コバール
体、１５…セラミック体、１６…スルーホール、２０…
フィルタ素子、２１…入力端子、２２…グラウンド端
子、２３…電極部、２４…共振部、２５…グラウンド端
子、２６…電極部、２７…出力端子、２８…共振部、２
９…グラウンド端子、３０…電極部、３１…出力端子、
３２…共振部、３３…グラウンド端子、３４…電極部、
３５…共振部、３６…ＬＢＯ単結晶基板、４１…ワイヤ
ー、４２…ワイヤー、４３…ワイヤー、４４…ワイヤ
ー、４５…ワイヤー、４６…ワイヤー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−202612（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−217006（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−115042（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭48−19569（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 9/145 H03H 9/64

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミックからなるパッケージと、 λ回転ＸカットしたＺ軸伝搬四硼酸リチュウム単結晶基
   板表面上に形成した、一対の入力ＩＤＴ群、一対の出力
   ＩＤＴ群及び２つの反射器群からなる、入力部となる第
   １の２ポートの共振子型フィルタと出力部となる第２の
   ２ポートの共振子型フィルタを、弾性表面波の伝搬方向
   に沿って接続部を設けて２段縦列接続して構成した、多
   重モード弾性表面波フィルタ素子とから成り、 前記多重モード弾性表面波フィルタ素子の温度係数の補
   償を行うための、前記接続部に前記出力部の一部をフィ
   ードバックする静電容量を、前記のパッケージを構成す
   る前記セラミックを所定形状とすることによって、前記
   パッケージ内に構成した多重モード弾性表面波フィルタ
   であって、 前記静電容量を、前記パッケージの電極ランドとグラウ
   ンド間の容量であるＣ2 と、前記パッケージ上に形成し
   た前記第２の２ポートの共振子型フィルタの前記出力部
   となるシグナルランドと前記接続部のシグナルランド間
   の容量であるＣ1 とから構成したことを特徴とする多重
   モード弾性表面波フィルタ。
2. 【請求項２】請求項１に記載の多重モード弾性表面波フ
   ィルタにおいて、Ｃ2 の値を、１．１〜２．４ｐＦの範囲と したことを特
   徴とする多重モード弾性表面波フィルタ。