JPS60113480A - ホトインタラプタの製造方法 - Google Patents
ホトインタラプタの製造方法Info
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- JPS60113480A JPS60113480A JP58222388A JP22238883A JPS60113480A JP S60113480 A JPS60113480 A JP S60113480A JP 58222388 A JP58222388 A JP 58222388A JP 22238883 A JP22238883 A JP 22238883A JP S60113480 A JPS60113480 A JP S60113480A
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- Japan
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- light
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- molding
- resin
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 20
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はモールド一体成形方式よりなるホトインタラプ
タの構造に関するものである。
タの構造に関するものである。
〈発明の背景及び従来技術〉
ホトインタラプタは、発光素子（多くは赤外発光ダイオ
ード）と、受光素子であるホトトランジスタやホトダイ
オード、あるいはこれに信号増幅器、波形整形回路等を
集積化した素子を対向させその間に遮光性検出物が入る
構造となっており、物体の移動及び位置の検出や、外周
部にスリ、ットを刻んだ円板の回転により回転角度１回
転数の検出などを無接触で行なえる光電デバイスである
。
ード）と、受光素子であるホトトランジスタやホトダイ
オード、あるいはこれに信号増幅器、波形整形回路等を
集積化した素子を対向させその間に遮光性検出物が入る
構造となっており、物体の移動及び位置の検出や、外周
部にスリ、ットを刻んだ円板の回転により回転角度１回
転数の検出などを無接触で行なえる光電デバイスである
。
ホトインタラプタは近年、オーディオ機器、ＯＡ機器を
はじめ広く用いられており、機器の小型化に伴いホトイ
ンタラプタ自体の小型化も要望されている。
はじめ広く用いられており、機器の小型化に伴いホトイ
ンタラプタ自体の小型化も要望されている。
第１図に従来のホトインタラプタの断面構造を示す。発
光素子、受光素子をそれぞれ透光性樹脂でモールドした
デバイス５，５′を、これとは別に形成されたホルダー
ケース（枠体）６に挿入し接着剤７，７又はこれに代わ
る方法でホルダーケース６に固定して構成される。この
構造では、発光素子デバイス５．受光素子デバイス５′
とホルダーケース６という３つの部材を最底限必要とし
各部材を小型化していくと組立て時の作業性を困難にし
、また自動化のさまたげとなった。
光素子、受光素子をそれぞれ透光性樹脂でモールドした
デバイス５，５′を、これとは別に形成されたホルダー
ケース（枠体）６に挿入し接着剤７，７又はこれに代わ
る方法でホルダーケース６に固定して構成される。この
構造では、発光素子デバイス５．受光素子デバイス５′
とホルダーケース６という３つの部材を最底限必要とし
各部材を小型化していくと組立て時の作業性を困難にし
、また自動化のさまたげとなった。
〈発明の目的〉
本発明は」二連した要望に答え、二重モールド法の採用
により、ホルダーケースを必要とせず生産性を考慮して
かつ小型化の容易なホトインタラプタの構造を提供する
ものである。
により、ホルダーケースを必要とせず生産性を考慮して
かつ小型化の容易なホトインタラプタの構造を提供する
ものである。
〈実施例〉
以下第２図〜第１１図に従って本発明の詳細な説明する
。
。
第２図、第３図に示す如くテップ１（ここでは赤外発光
ダイオード又はホトトランジスタ）をリードフレーム２
に搭載し、他のリードフレーム２にワイヤ接続３を行な
った上で、透光性樹脂４により１次モールドする。チッ
プ１が例えばホトダイオードと信号増幅器、波形整形回
路等を集積化するような場合であっても同様である。後
述するようにスリットを形成したい場合は、第４図の符
号Ｓで示す如く、チップ１上を含む限られた部分のみ突
出させ、左右を段を設けて低くなるように１次モールド
するとよい。
ダイオード又はホトトランジスタ）をリードフレーム２
に搭載し、他のリードフレーム２にワイヤ接続３を行な
った上で、透光性樹脂４により１次モールドする。チッ
プ１が例えばホトダイオードと信号増幅器、波形整形回
路等を集積化するような場合であっても同様である。後
述するようにスリットを形成したい場合は、第４図の符
号Ｓで示す如く、チップ１上を含む限られた部分のみ突
出させ、左右を段を設けて低くなるように１次モールド
するとよい。
第２図、第３図又は第２図、第４図において、リードは
フレーム状に連続して結ばれており、タイバーは１次モ
ールド後に金型等を用いて切断除去される。１次モール
ドの形成はトランスファ成形法あるいは注型法いずれで
もかまわない。１次モールドまでのデバイスは、基本的
には第１を図で示された従来構造の発光素子デバイス５
．受光素子デバイス５′としても使用し得るもので、製
造法においてはほぼ同様である。
フレーム状に連続して結ばれており、タイバーは１次モ
ールド後に金型等を用いて切断除去される。１次モール
ドの形成はトランスファ成形法あるいは注型法いずれで
もかまわない。１次モールドまでのデバイスは、基本的
には第１を図で示された従来構造の発光素子デバイス５
．受光素子デバイス５′としても使用し得るもので、製
造法においてはほぼ同様である。
次いで、１次モールドした後の発光素子デバイス５．受
光素子デバイス５′を対向させて別の抜型ケースに挿入
し、遮光性樹脂を注入して一体化モールドを行なう。第
５図に２次モールド後の斜視図、第６図に縦断面図、第
７図および第８図に横断面図を示す。第５図及び第８図
の例は前記第４図の如くスリットを形成した場合である
。
光素子デバイス５′を対向させて別の抜型ケースに挿入
し、遮光性樹脂を注入して一体化モールドを行なう。第
５図に２次モールド後の斜視図、第６図に縦断面図、第
７図および第８図に横断面図を示す。第５図及び第８図
の例は前記第４図の如くスリットを形成した場合である
。
２次モールドに用いられる遮光性樹脂９は、２つのデバ
イス５，５′を一体化する構造上の役割と、外乱光を遮
ぎる役割を兼ねている。デバイス５．５′の背面それぞ
れに設けられた溝部１０゜１０は、２次モールド時の抜
型ケースに設けられた凸部に対応し、この凸部によりデ
バイス５，５′の１次モールド成型部が前方に押されて
、発光。
イス５，５′を一体化する構造上の役割と、外乱光を遮
ぎる役割を兼ねている。デバイス５．５′の背面それぞ
れに設けられた溝部１０゜１０は、２次モールド時の抜
型ケースに設けられた凸部に対応し、この凸部によりデ
バイス５，５′の１次モールド成型部が前方に押されて
、発光。
受光の窓となる部分１１．１１が型に押し当てられ窓部
分１１．１１への遮光性樹脂９のまわり込みを防止する
。
分１１．１１への遮光性樹脂９のまわり込みを防止する
。
溝部１０．１０は、部分的に遮光性樹脂９におおわれる
ことなく、１次モールド成型部が露出することになるが
、第７図、第８図の横断面でも明らかなように、チップ
１の塔載されたり−ド２の背面直後に溝を形成すること
により、小さなパッケージにおいては事実上、外乱光が
チップ１に達するなどの不都合はほとんど生じない。ま
たこの溝部１０．１０はインクラブタの他の装置又は機
器の位置決めガイドとして利用でき便利である。
ことなく、１次モールド成型部が露出することになるが
、第７図、第８図の横断面でも明らかなように、チップ
１の塔載されたり−ド２の背面直後に溝を形成すること
により、小さなパッケージにおいては事実上、外乱光が
チップ１に達するなどの不都合はほとんど生じない。ま
たこの溝部１０．１０はインクラブタの他の装置又は機
器の位置決めガイドとして利用でき便利である。
一方、第４図の如く、透光性樹脂４のチップ正面側に所
定幅の突出部８を設け、周囲をこれより低く形成するこ
とにより、断面構造は第８図に示すように、遮光性樹脂
９が正面側の突出部以外にまわって光の透過する部分を
制限し、いわゆるスリットを形成する構造となって分解
能を向上させることができる。
定幅の突出部８を設け、周囲をこれより低く形成するこ
とにより、断面構造は第８図に示すように、遮光性樹脂
９が正面側の突出部以外にまわって光の透過する部分を
制限し、いわゆるスリットを形成する構造となって分解
能を向上させることができる。
第９図〜第１１図に他の実施例を示す。第９図は１次モ
ールドした発光素子又は受光素子デバイス５，５′の斜
視図であり、透光性樹脂４による１次モールド成型部の
背面に突起１２を形成している。この突起１２は降伏も
のであってもかまわない。第１Ｏ図は遮光性樹脂９によ
る２次モールド後の斜視図、第１１図は同縦断面を示し
ている。
ールドした発光素子又は受光素子デバイス５，５′の斜
視図であり、透光性樹脂４による１次モールド成型部の
背面に突起１２を形成している。この突起１２は降伏も
のであってもかまわない。第１Ｏ図は遮光性樹脂９によ
る２次モールド後の斜視図、第１１図は同縦断面を示し
ている。
上記突起１２は、先の実施例において２次モールドの抜
型ケースに設けられた突起と同様に、２次モールドのと
きデバイス５，５′の１次モールド成型部を前面に押し
出し、発光、受光の窓となる部分１１．１１への遮光性
樹脂９のまわり込めを防ぐ働きをする。
型ケースに設けられた突起と同様に、２次モールドのと
きデバイス５，５′の１次モールド成型部を前面に押し
出し、発光、受光の窓となる部分１１．１１への遮光性
樹脂９のまわり込めを防ぐ働きをする。
以上の各実施例でいう透光性樹脂４は１発光素子として
赤外発光ダイオードを用いる場合、可視光を遮光するタ
イプの樹脂であってもかまわない。
赤外発光ダイオードを用いる場合、可視光を遮光するタ
イプの樹脂であってもかまわない。
〈発明の効果〉
このように本発明によれば、従来構造では実現−Ｊ−ａ
、砧、−４重刑のキにノ・７〃−イーも 市〜・つ量産
性に優れた方法で生産できる。
、砧、−４重刑のキにノ・７〃−イーも 市〜・つ量産
性に優れた方法で生産できる。
第１図は従来例を示す縦断面図、第２図は本発明−実施
例の１次モールド前の状態を示す斜視図。 第３図及び第４図は１次モールド後の異なる各デバイス
例を示す斜視図、第５図は２次モールドした後の斜視図
、第６図は縦断面図、第７図及び第８図は容具なる横断
面図、第９図は本発明に・おける他の実施例の１次モー
ルド前の状態を示す斜視図、第１０図は２次モールドし
た後の斜視図、第１１図は縦断面図である。 ４・・・透光性樹脂、５・・・発光素子デバイス、５′
・・・受光素子デバイス、９・・・遮光性樹脂、１０・
・・溝部、１１・・・窓部、１２・・・突起。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第７図 ｍ− 第８図 Ｉ ２ 第ｔｏｎ ２ 舞 ｑ ｉｌ１図
例の１次モールド前の状態を示す斜視図。 第３図及び第４図は１次モールド後の異なる各デバイス
例を示す斜視図、第５図は２次モールドした後の斜視図
、第６図は縦断面図、第７図及び第８図は容具なる横断
面図、第９図は本発明に・おける他の実施例の１次モー
ルド前の状態を示す斜視図、第１０図は２次モールドし
た後の斜視図、第１１図は縦断面図である。 ４・・・透光性樹脂、５・・・発光素子デバイス、５′
・・・受光素子デバイス、９・・・遮光性樹脂、１０・
・・溝部、１１・・・窓部、１２・・・突起。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第７図 ｍ− 第８図 Ｉ ２ 第ｔｏｎ ２ 舞 ｑ ｉｌ１図
Claims (1)
- １、透光性樹脂により１次モールドした各発光素子デバ
イス及び受光素子デバイスを対向して配置し、上記両デ
バイスを遮光性樹脂により一体化モールドするものであ
り、上記遮光性樹脂によるモールド時に上記両デバイス
を前面に押し出し、上記遮光性樹脂の発光・受光の窓部
分へのまわり込みを防止するための構造部を有してなる
ことを特徴とするホトインタラプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222388A JPS60113480A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ホトインタラプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222388A JPS60113480A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ホトインタラプタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113480A true JPS60113480A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0224387B2 JPH0224387B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=16781576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222388A Granted JPS60113480A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ホトインタラプタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145877A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Sharp Corp | 透過型ホトインタラプタの製造方法 |
| JPH0240970A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホトインタラプタの形成方法 |
| JPH0316360U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-19 | ||
| US5391346A (en) * | 1991-11-20 | 1995-02-21 | Rohm Co., Ltd. | Method for making molded photointerrupters |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58222388A patent/JPS60113480A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145877A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Sharp Corp | 透過型ホトインタラプタの製造方法 |
| JPH0240970A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホトインタラプタの形成方法 |
| JPH0316360U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-19 | ||
| US5391346A (en) * | 1991-11-20 | 1995-02-21 | Rohm Co., Ltd. | Method for making molded photointerrupters |
| US5509794A (en) * | 1991-11-20 | 1996-04-23 | Rohm Co., Ltd. | Method and apparatus for making molded photointerrupters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224387B2 (ja) | 1990-05-29 |
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