JPS60111540A - Apdの温度補償回路 - Google Patents
Apdの温度補償回路Info
- Publication number
- JPS60111540A JPS60111540A JP58217829A JP21782983A JPS60111540A JP S60111540 A JPS60111540 A JP S60111540A JP 58217829 A JP58217829 A JP 58217829A JP 21782983 A JP21782983 A JP 21782983A JP S60111540 A JPS60111540 A JP S60111540A
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- JP
- Japan
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- circuit
- apd
- amplifier
- converter
- temperature compensation
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光受信回路におけるAPD (アバランシェ
・フォト・ダイオード)の温度補償回路に関する。
・フォト・ダイオード)の温度補償回路に関する。
従来、APDを用いた光受信回路として、第1図(二示
すごとき回路が多(採用されている。
すごとき回路が多(採用されている。
ソ
この図において、APDの力4−ド側は、抵抗R1を介
して地気に接続され、さら(=コンデンサC1を介して
AMP 1に接続されている。また。
して地気に接続され、さら(=コンデンサC1を介して
AMP 1に接続されている。また。
APDのアノード側は、バイパスコンデンf02により
地気に接続され、さらに抵抗R2を介してDC−DC!
変換器2の出力側に接続されている。
地気に接続され、さらに抵抗R2を介してDC−DC!
変換器2の出力側に接続されている。
このDC−DC変換器2は、直流の低電圧を入力して直
流の高電圧を出力側、すなわちA点に出力する。このD
C−DI:!変換器2の入力側はAMP6の出力側およ
び抵抗R4に接続される。また。
流の高電圧を出力側、すなわちA点に出力する。このD
C−DI:!変換器2の入力側はAMP6の出力側およ
び抵抗R4に接続される。また。
AMP3の正入力端子は抵抗R5を介して地気に接続さ
れ、負入力端子は抵抗R4の他端および抵抗R5に接続
されている。そして、抵抗R5の他端を介して可変抵抗
RVの可変端B点に接続される。可変抵抗RVの固定側
は、一端が地気に接続され、他端が温度補償用ダイオー
ドRCを介して電源Vccに接続されている。このよう
な従来の光を電気に変換する光受信回路において。
れ、負入力端子は抵抗R4の他端および抵抗R5に接続
されている。そして、抵抗R5の他端を介して可変抵抗
RVの可変端B点に接続される。可変抵抗RVの固定側
は、一端が地気に接続され、他端が温度補償用ダイオー
ドRCを介して電源Vccに接続されている。このよう
な従来の光を電気に変換する光受信回路において。
増倍率Mで表わせるAPDに必要な電圧を上記DC−D
C変換器2により与えると、APDに低いエネルギーの
光が入射した場合、このAPD内を流れる電流はM倍さ
れてAMPlにより増幅することが出来る。また9周囲
温度の変化:二よって生ずるAPDの特性の変化を補償
するために、APDに与えられるDC!−DC変換器2
の出力電圧が、温度補償用ダイオードRCの温度変化(
二対応して変化する入力電圧にしたがって自動的に制御
されている。また、可変抵抗RVは、その調整によって
増倍率Mの値を好ましい値に設定するために用いられる
。
C変換器2により与えると、APDに低いエネルギーの
光が入射した場合、このAPD内を流れる電流はM倍さ
れてAMPlにより増幅することが出来る。また9周囲
温度の変化:二よって生ずるAPDの特性の変化を補償
するために、APDに与えられるDC!−DC変換器2
の出力電圧が、温度補償用ダイオードRCの温度変化(
二対応して変化する入力電圧にしたがって自動的に制御
されている。また、可変抵抗RVは、その調整によって
増倍率Mの値を好ましい値に設定するために用いられる
。
しかしながら、このような回路では、APDの増倍率M
の温度変動は、RCの温度特性とDC−DC変換器2の
温度特性との関連によって決まることになる。すなわち
、第1図(=おいて。
の温度変動は、RCの温度特性とDC−DC変換器2の
温度特性との関連によって決まることになる。すなわち
、第1図(=おいて。
A点の電位な■。ut、B点の電位な■、。とじ、又。
DC−DC変換器2自身の利得をGOとしたとき。
B点からA点までの回路の利得G1は。
G、−と−−シー・G・ ・・・・・・(1)Vよn
R5 となる。なお、R4とR5は抵抗R4およびR5の抵抗
値としてそれぞれ流用したものである。この(1)式か
ら明らかなように、温度変化によりDC−DC変換器2
の利得Goが変動すると、上記B点からA点までの回路
の利得G1も変化することになり、Reの温度特性だけ
で補正することができないという欠点があった。
R5 となる。なお、R4とR5は抵抗R4およびR5の抵抗
値としてそれぞれ流用したものである。この(1)式か
ら明らかなように、温度変化によりDC−DC変換器2
の利得Goが変動すると、上記B点からA点までの回路
の利得G1も変化することになり、Reの温度特性だけ
で補正することができないという欠点があった。
本発明の目的は、 DC!−DC変換器と増幅器との縦
続回路に帰還ループを付加することによって、DC−D
C変換器の温度変動による影響を除き、補償用ダイオー
ドの特性のみに依存させてAPD(7)温度による変動
を補正するとともに。
続回路に帰還ループを付加することによって、DC−D
C変換器の温度変動による影響を除き、補償用ダイオー
ドの特性のみに依存させてAPD(7)温度による変動
を補正するとともに。
増倍率Mを自由に可変することのできるAPDの温度補
償回路を提供することにある。
償回路を提供することにある。
本発明によれば、温度補償用ダイオードと増倍率調整用
可変抵抗器とを接続してなる可変人力電圧発生回路と、
該可変人力電圧発生回路の出力電圧をうけ、APDの増
倍用バイアス電圧を発生するための増幅器とDC−DC
変換器とからなる縦続回路と、該縦続回路の出力電圧を
バイアスとしてAPDに供給する回路とにより構成され
るAPDの温度補償回路において、前記縦続回路の出力
側から前記増幅器の入力側に帰還回路を介して負帰還を
かけるループを付加したことを特徴とするAPDの温度
補償回路が得られる。
可変抵抗器とを接続してなる可変人力電圧発生回路と、
該可変人力電圧発生回路の出力電圧をうけ、APDの増
倍用バイアス電圧を発生するための増幅器とDC−DC
変換器とからなる縦続回路と、該縦続回路の出力電圧を
バイアスとしてAPDに供給する回路とにより構成され
るAPDの温度補償回路において、前記縦続回路の出力
側から前記増幅器の入力側に帰還回路を介して負帰還を
かけるループを付加したことを特徴とするAPDの温度
補償回路が得られる。
次に9本発明によるAPDの温度補償回路について実施
例を挙げ、肉面を参照して説明する。
例を挙げ、肉面を参照して説明する。
第2図は本発明による実施例の回路図を示したものであ
る。この図において、第1因と同一の機能はそれぞれ同
一の符号で示し、特に、その説明を繰り返えさない。第
2因において。
る。この図において、第1因と同一の機能はそれぞれ同
一の符号で示し、特に、その説明を繰り返えさない。第
2因において。
DC,−DC変換器2の出力側は、直列に接続された抵
抗RjjとR12とを介して地気に接続されている。ま
た、抵抗R++およびR12の直列の接続点はA M
P ’3の正入力端子に接続されている。そのほか、D
C−DC変換器2とAMP3.との間の接続。
抗RjjとR12とを介して地気に接続されている。ま
た、抵抗R++およびR12の直列の接続点はA M
P ’3の正入力端子に接続されている。そのほか、D
C−DC変換器2とAMP3.との間の接続。
およびAMP3の負入力端子と可変抵4元1sRvを経
て温度補償用ダイオードReとの間の接続については、
第1図の従来例と変iJ力1な+7)。
て温度補償用ダイオードReとの間の接続については、
第1図の従来例と変iJ力1な+7)。
上記のごとく構成されたAPDの温度補償回路(−おい
て、DC−DC変換器2の第1」得をG11+AMP3
の増幅率をμ、帰還回路の減衰率をβとすれば、B点か
らA点までの回路のオH尋G2tよ。
て、DC−DC変換器2の第1」得をG11+AMP3
の増幅率をμ、帰還回路の減衰率をβとすれば、B点か
らA点までの回路のオH尋G2tよ。
“0° ・・・・・・(2)
1+μβGO
となる。(2)式(=おいて、μ=(R4+ R5)
/ Rs +β−RI2 / (Rjj +RI2 )
である。なお、 R4+ R5およびR11,Ra2は
いずれも回路図の抵抗R4,RsおよびRjj 、 R
12の抵抗値としてそれぞれ流用した。
/ Rs +β−RI2 / (Rjj +RI2 )
である。なお、 R4+ R5およびR11,Ra2は
いずれも回路図の抵抗R4,RsおよびRjj 、 R
12の抵抗値としてそれぞれ流用した。
ここで、ループ回路全体のオリイ尋分μGOを14より
充分太きくとれば、ループ回路全体のオI」得G2は。
充分太きくとれば、ループ回路全体のオI」得G2は。
、1 (RII +R+2 ) 、、、 、、、 (3
)02” 73 = Ra2 により表わされる。但し、1/l?(−μGOである。
)02” 73 = Ra2 により表わされる。但し、1/l?(−μGOである。
この(6)式によって、上記全体の回路のオlJ?lG
2カ一抵抗R11とR12の電圧分割比だけで定められ
。
2カ一抵抗R11とR12の電圧分割比だけで定められ
。
DC!−DC変換器2の利得の変化に影響されないこと
が判る。その結果、APDの温度特性を補償するような
温度特性を持っRCのみによって温度による変動を補正
することが出来る。又。
が判る。その結果、APDの温度特性を補償するような
温度特性を持っRCのみによって温度による変動を補正
することが出来る。又。
M調整用の可変抵抗RVにより自由に増倍率Mの値を設
定することが出来る。
定することが出来る。
以上の説明により明らかなように2本発明によれば、温
度補償用のダイオードを介して入力電圧をうけ、APD
の増倍用バイアス電圧を発生するための増幅器とDC−
DC変換器とからなる縦続回路に帰還ループを付加する
ことによって、APDの温度による変動を補償用ダイオ
ードの特性のみに依存させて補正できることは勿論、可
変抵抗器RVの調整により増倍率の自由な選定が可能と
なり、温度補償の信頼性を向上すべく、得られる効果は
太きい。
度補償用のダイオードを介して入力電圧をうけ、APD
の増倍用バイアス電圧を発生するための増幅器とDC−
DC変換器とからなる縦続回路に帰還ループを付加する
ことによって、APDの温度による変動を補償用ダイオ
ードの特性のみに依存させて補正できることは勿論、可
変抵抗器RVの調整により増倍率の自由な選定が可能と
なり、温度補償の信頼性を向上すべく、得られる効果は
太きい。
第1図は従来の温度補償機能を備えたAPD使用の光受
信回路を示す図、第2図は本発明による実施例の光受信
回路を示す図である。因において、1.3は増幅器、2
はDC−DC変換器。 APDはアバランシェ・フォト・ダイオード。 C,、C2はコンデンサ、R1−R5、Rlj 、 R
12は抵抗。
信回路を示す図、第2図は本発明による実施例の光受信
回路を示す図である。因において、1.3は増幅器、2
はDC−DC変換器。 APDはアバランシェ・フォト・ダイオード。 C,、C2はコンデンサ、R1−R5、Rlj 、 R
12は抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、温度補償用ダイオードと増倍率調整用可変抵抗器と
を接続してなる可変人力電圧発生回路と、該可変人力電
圧発生回路の出方電圧をうけ。 A’PDの増倍用バイアス電圧を発生するための増幅器
とDC−DC変換器とからなる縦続回路と。 該縦続回路の出力電圧をバイアスとしてAPDに供給す
る回路とにより構成されるAPDの温度補償回路におい
て、前記縦続回路の出力側がら前記増幅器の入力側に帰
還回路を介して負帰還をかけるループを付カルたことを
特徴とするAPDの温度補償回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58217829A JPS60111540A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | Apdの温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58217829A JPS60111540A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | Apdの温度補償回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60111540A true JPS60111540A (ja) | 1985-06-18 |
JPH0345940B2 JPH0345940B2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=16710397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58217829A Granted JPS60111540A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | Apdの温度補償回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60111540A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140710U (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-16 | ||
EP0633517A2 (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Bias circuit for avalanche photodiode |
US5548112A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecting circuit using avalanche photodiode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101443A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Bias controlling circuit |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58217829A patent/JPS60111540A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101443A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Bias controlling circuit |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140710U (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-16 | ||
EP0633517A2 (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Bias circuit for avalanche photodiode |
US5578815A (en) * | 1993-07-09 | 1996-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Bias circuit for maintaining a constant potential difference between respective terminals of more than one avalanche photodiode |
EP0633517A3 (en) * | 1993-07-09 | 1996-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | Polarization circuit for avalanche photodiode. |
US5548112A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecting circuit using avalanche photodiode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0345940B2 (ja) | 1991-07-12 |
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