JPH01126032A - Ａｐｄのバイアス回路 - Google Patents
Ａｐｄのバイアス回路Info
- Publication number
- JPH01126032A JPH01126032A JP62283150A JP28315087A JPH01126032A JP H01126032 A JPH01126032 A JP H01126032A JP 62283150 A JP62283150 A JP 62283150A JP 28315087 A JP28315087 A JP 28315087A JP H01126032 A JPH01126032 A JP H01126032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- temperature
- apd
- temperature compensation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 101710170231 Antimicrobial peptide 2 Proteins 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 101710170230 Antimicrobial peptide 1 Proteins 0.000 description 1
- AVKUERGKIZMTKX-NJBDSQKTSA-N ampicillin Chemical compound C1([C@@H](N)C(=O)N[C@H]2[C@H]3SC([C@@H](N3C2=O)C(O)=O)(C)C)=CC=CC=C1 AVKUERGKIZMTKX-NJBDSQKTSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信に関し、特にＡＰＤ（アバランシェフォ
トダイオード、以下ＡＰＤと呼ぶ）を受光素子とした光
受信回路の中のＡＰＤバイアス回路に関する。
トダイオード、以下ＡＰＤと呼ぶ）を受光素子とした光
受信回路の中のＡＰＤバイアス回路に関する。
従来、この種のＡＰＤバイアス回路としては。
電気信号に変換された光信号の変動を検出してＡＰＤＯ
増倍率を負帰還により制御するＦＵＬＬ −ＡＧＣとい
う方法がある。
増倍率を負帰還により制御するＦＵＬＬ −ＡＧＣとい
う方法がある。
上述した従来の技術は、光の入力レベル変動によるＡＰ
Ｄを流れる電流の変動と温度変化によるＡＰＤのブレー
クダウン電圧の温度変動の両方を補償できるという利点
がある。しかし、負帰還制御であるので９発振を防ぐた
め時定数をあまり小さくすることができない。これは、
電源のオン、オフ光入力の急激な変動に対する応答がお
そいという欠点を意味する。
Ｄを流れる電流の変動と温度変化によるＡＰＤのブレー
クダウン電圧の温度変動の両方を補償できるという利点
がある。しかし、負帰還制御であるので９発振を防ぐた
め時定数をあまり小さくすることができない。これは、
電源のオン、オフ光入力の急激な変動に対する応答がお
そいという欠点を意味する。
本発明はＡＰＤを受光素子とする光受信回路において、
前記ＡｐＤにバイアス電圧を与える高電圧発生回路とし
て、出力電圧を制御することのできる制御端子付直流変
圧回路と、基準電圧を入力とする温度補償回路、および
前記直流変圧回路の出力を入力とする第１の入力端子と
前記温度補償回路の出力を入力とする第２の入力端子と
を有し出力が前記直流変圧回路の制御端子に接続された
増幅回路とを備えたことを特徴とする。
前記ＡｐＤにバイアス電圧を与える高電圧発生回路とし
て、出力電圧を制御することのできる制御端子付直流変
圧回路と、基準電圧を入力とする温度補償回路、および
前記直流変圧回路の出力を入力とする第１の入力端子と
前記温度補償回路の出力を入力とする第２の入力端子と
を有し出力が前記直流変圧回路の制御端子に接続された
増幅回路とを備えたことを特徴とする。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明によるＡｐＤのバイアス回路は、第１図に示すよ
うに、直流変圧回路１．増幅回路２゜ＡＰＤの温度変動
による特性変動を補償する温度補償回路３から構成され
る。
うに、直流変圧回路１．増幅回路２゜ＡＰＤの温度変動
による特性変動を補償する温度補償回路３から構成され
る。
直流変圧回路１の出力は、常に温度補償回路３の出力に
比例するように増幅回路２により制御がかけられている
。すなわち、温度が一定のとき温度補償回路３の出力は
一定となるので。
比例するように増幅回路２により制御がかけられている
。すなわち、温度が一定のとき温度補償回路３の出力は
一定となるので。
直流変圧回路１の出力はＡＰＤの電流変動に対し安定化
されている。温度補償回路３は、 ＡＰＤのブレークダ
ウン電圧の温度係数に一致するように設定されている。
されている。温度補償回路３は、 ＡＰＤのブレークダ
ウン電圧の温度係数に一致するように設定されている。
これによシ、直流変圧回路１の出力は、ＡＰＤのブレー
クダウン電圧の温度変動を補償することができる。
クダウン電圧の温度変動を補償することができる。
第２図は第１図の構成を詳細に表わす回路図である。直
流変圧回路１は発振回路等を含む周知の回路である。増
幅回路２は抵抗器Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ６，Ｒ７および演算増
幅器ＡＭＰ ２からなり、温度補償回路３は抵抗器Ｒ３
，Ｒ４，Ｒ５とＡＰＤの近くに配設されたダイオードＲ
ＣＩおよび演算増幅器ＡＭＰＩからなる。
流変圧回路１は発振回路等を含む周知の回路である。増
幅回路２は抵抗器Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ６，Ｒ７および演算増
幅器ＡＭＰ ２からなり、温度補償回路３は抵抗器Ｒ３
，Ｒ４，Ｒ５とＡＰＤの近くに配設されたダイオードＲ
ＣＩおよび演算増幅器ＡＭＰＩからなる。
温度補償回路３は、ダイオードＲＣＩの順方向電圧の温
度変動を抵抗器Ｒ３，Ｒ５および演算増幅器ＡＭＰ １
からなる反転増幅回路で増幅することにより任意の温度
係数を設定できる。一方。
度変動を抵抗器Ｒ３，Ｒ５および演算増幅器ＡＭＰ １
からなる反転増幅回路で増幅することにより任意の温度
係数を設定できる。一方。
抵抗器Ｒ１，Ｒ２によシ分圧された直流変圧回路１の出
力は、温度補償回路３の出力に比例するように、抵抗器
Ｒ６，Ｒ７と演算増幅器ＡＭＰ２よりなる増幅回路２に
よシ制御される。すなわち。
力は、温度補償回路３の出力に比例するように、抵抗器
Ｒ６，Ｒ７と演算増幅器ＡＭＰ２よりなる増幅回路２に
よシ制御される。すなわち。
温度が一定のときは温度補償回路３の出力は−れる。温
度補償回路３は、ＡＰＤのブレークダウン電圧の温度係
数に一致するように設定され。
度補償回路３は、ＡＰＤのブレークダウン電圧の温度係
数に一致するように設定され。
温度の変動に応じて出力が変化する。これにより直流変
圧回路１の出力は、 ＡＰＤのブレークダウン電圧の温
度変動を補償することができる。
圧回路１の出力は、 ＡＰＤのブレークダウン電圧の温
度変動を補償することができる。
以上説明したように本発明は、光入力レベルの変動によ
るＡＰＤを流れる電流の変動に対し出力電圧を安定化し
、 ＡＰＤのブレークダウン電圧の温度補償を行なうこ
とができる。しかも。
るＡＰＤを流れる電流の変動に対し出力電圧を安定化し
、 ＡＰＤのブレークダウン電圧の温度補償を行なうこ
とができる。しかも。
Ｆｕｌｌ−ＡＧＣのような帰還ループを持たないため、
応答時間を早くすることができる利点を持つ。
応答時間を早くすることができる利点を持つ。
第１図は本発明の基本構成を示すブロック図。
第２図は第１図を詳細に示す回路図である。
１・・・直流変圧回路、２・・・増幅回路、３・・・温
度補償回路。
度補償回路。
Claims (1)
- １、ＡＰＤを受光素子とする光受信回路において、前記
ＡＰＤにバイアス電圧を与える高電圧発生回路として、
出力電圧を制御することのできる制御端子付直流変圧回
路と、基準電圧を入力とする温度補償回路、および前記
直流変圧回路の出力を入力とする第１の入力端子と前記
温度補償回路の出力を入力とする第２の入力端子とを有
し出力が前記直流変圧回路の制御端子に接続された増幅
回路とを備えたことを特徴とするＡＰＤのバイアス回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283150A JPH01126032A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ａｐｄのバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283150A JPH01126032A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ａｐｄのバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126032A true JPH01126032A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17661860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283150A Pending JPH01126032A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ａｐｄのバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126032A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587684A (en) * | 1995-05-12 | 1996-12-24 | Exar Corporation | Power down circuit for use in intergrated circuits |
| US7556884B2 (en) | 2001-09-27 | 2009-07-07 | Sony Corporation | Battery pack and thermostat used therefor |
| US8178235B2 (en) * | 2005-04-26 | 2012-05-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery with cap plate having inclined edge |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62283150A patent/JPH01126032A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587684A (en) * | 1995-05-12 | 1996-12-24 | Exar Corporation | Power down circuit for use in intergrated circuits |
| US7556884B2 (en) | 2001-09-27 | 2009-07-07 | Sony Corporation | Battery pack and thermostat used therefor |
| US8178235B2 (en) * | 2005-04-26 | 2012-05-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery with cap plate having inclined edge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5053605A (en) | Device for thermal regulation of an enclosure | |
| US4207475A (en) | Efficient bipolar regulated power supply | |
| JPH08236850A (ja) | 光学デバイスの発光制御装置 | |
| NL8005153A (nl) | Inrichting voor het moduleren van het uitgangssignaal van een omzetter, bijvoorbeeld een electro-optische omzetter. | |
| JPH01126032A (ja) | Ａｐｄのバイアス回路 | |
| JPH0645674A (ja) | 温度補償回路つきレーザダイオード駆動回路 | |
| JPS6190487A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JPS60198907A (ja) | トランスレス式プツシユプル出力回路 | |
| JPS6151887A (ja) | 半導体レ−ザの駆動装置 | |
| JPH0222873A (ja) | アバランシエホトダイオードのバイアス回路の温度補償回路 | |
| JPH10321935A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JPS61277236A (ja) | 光変調回路 | |
| JPH07111355A (ja) | 光送信器 | |
| CA1123130A (en) | Variable loop length compensated optocoupled circuit | |
| JP2536412B2 (ja) | 光ａｇｃ回路 | |
| JPS63226088A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JPS60111540A (ja) | Ａｐｄの温度補償回路 | |
| JP2764955B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 | |
| SU1096621A2 (ru) | Стабилизатор переменного напр жени | |
| JPS59218520A (ja) | 自動制御回路 | |
| JPS5995711A (ja) | アバランシエフオトダイオ−ドの駆動回路 | |
| JPS6238044A (ja) | マ−ク率補償用自動出力制御装置 | |
| JP2840276B2 (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
| JPH0340532A (ja) | 光受信回路 | |
| JPS62208724A (ja) | 光受信器 |