JP2764955B2 - アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 - Google Patents
アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路Info
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- JP2764955B2 JP2764955B2 JP63279416A JP27941688A JP2764955B2 JP 2764955 B2 JP2764955 B2 JP 2764955B2 JP 63279416 A JP63279416 A JP 63279416A JP 27941688 A JP27941688 A JP 27941688A JP 2764955 B2 JP2764955 B2 JP 2764955B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信に用いられるアバランシェフォトダイ
オード（APD）のバイアス電圧を制御するためのAPDバイ
アス電圧制御回路に関する。
オード（APD）のバイアス電圧を制御するためのAPDバイ
アス電圧制御回路に関する。
一般に，光ファイバによる高速ディジタル通信システ
ムでは，受光素子としてAPDが用いられている。
ムでは，受光素子としてAPDが用いられている。
ところで,APDは光電流を増倍する作用をもっており，
この増倍率はAPDのバイアス電圧に依存する。従って，
受光信号レベルが変動した場合,APDの増倍率（APDバイ
アス電圧）を操作して，出力電気信号の振幅が一定とな
るように帰還をかけることが行われている。一般に,APD
のバイアス電圧制御のためには，第２図に示すように,A
PD21の出力端に結合された等化増幅回路22,等化増幅回
路22の出力のピーク値を検出するためのピーク検出回路
23及びこの検出ピーク値に基づいてAPD21のバイアス電
圧を制御するAPDバイアス制御回路６で構成される装置
が用いられる。
この増倍率はAPDのバイアス電圧に依存する。従って，
受光信号レベルが変動した場合,APDの増倍率（APDバイ
アス電圧）を操作して，出力電気信号の振幅が一定とな
るように帰還をかけることが行われている。一般に,APD
のバイアス電圧制御のためには，第２図に示すように,A
PD21の出力端に結合された等化増幅回路22,等化増幅回
路22の出力のピーク値を検出するためのピーク検出回路
23及びこの検出ピーク値に基づいてAPD21のバイアス電
圧を制御するAPDバイアス制御回路６で構成される装置
が用いられる。
ここで第３図を参照して，従来のAPDバイアス制御回
路について説明する。APDバイアス制御回路は発振回路3
1,昇圧トランス32及び整流・平滑回路33を備えており，
第２図に示すピーク検出回路23の出力は発振電圧制御端
子34に入力される。発振回路31から出力される交流電圧
は昇圧トランス32で昇圧され，整流平滑回路33でリップ
ル除去された後,APD21のバイアス電圧となる。
路について説明する。APDバイアス制御回路は発振回路3
1,昇圧トランス32及び整流・平滑回路33を備えており，
第２図に示すピーク検出回路23の出力は発振電圧制御端
子34に入力される。発振回路31から出力される交流電圧
は昇圧トランス32で昇圧され，整流平滑回路33でリップ
ル除去された後,APD21のバイアス電圧となる。
従来のAPDバイアス制御回路では，第２図に示すピー
ク検出回路23からの出力電圧（電気信号振幅に比例した
電圧）を発振電圧制御端子34に印加することによって発
振回路31から出力される交流電圧振幅が制御され，これ
によって,APD21の電気信号振幅が一定となるようにAPD
のバイアス電圧が制御される。
ク検出回路23からの出力電圧（電気信号振幅に比例した
電圧）を発振電圧制御端子34に印加することによって発
振回路31から出力される交流電圧振幅が制御され，これ
によって,APD21の電気信号振幅が一定となるようにAPD
のバイアス電圧が制御される。
上述したAPDバイアス制御回路の場合,APDバイアス電
圧を制御する際，整流平滑回路からの出力電圧を直接用
いているから,APDバイアス電圧の応答は平滑回路の時定
数により制限を受ける。通常，この時定数は数秒である
ため，光ファイバ伝送路に機械的外乱が加わる等の理由
で,APDの受光レベルが急激に変化した場合,APDのバイア
ス電圧がこの変化に追従できず，その結果，信号電圧振
幅が変化してしまう。このため，識別回路（図示せず）
でAPDからの出力が正しく再生されず，誤りが発生する
という問題点がある。
圧を制御する際，整流平滑回路からの出力電圧を直接用
いているから,APDバイアス電圧の応答は平滑回路の時定
数により制限を受ける。通常，この時定数は数秒である
ため，光ファイバ伝送路に機械的外乱が加わる等の理由
で,APDの受光レベルが急激に変化した場合,APDのバイア
ス電圧がこの変化に追従できず，その結果，信号電圧振
幅が変化してしまう。このため，識別回路（図示せず）
でAPDからの出力が正しく再生されず，誤りが発生する
という問題点がある。
本発明の目的はAPD受光レベルの急激な変化に追従で
きるAPDバイアス制御回路を提供することにある。
きるAPDバイアス制御回路を提供することにある。
本発明によるAPDバイアス電圧制御回路は，第１及び
第２のトランジスタで差動増幅回路を構成し，第１のト
ランジスタのコレクタをコレクタ抵抗を介して回路電源
に接続し，第２のトランジスタのコレクタをコレクタ抵
抗を介して高電圧発生回路に接続する。そして，第２の
トランジスタのコレクタ電圧を第３のトランジスタのベ
ース電圧として，高電圧発生回路の出力電圧をエミッタ
ホロワで制御して出力し,APDのバイアス電圧とする。一
方，第１のトランジスタのベース電圧を制御することに
よってAPDバイアス電圧が制御されるようにしたことを
特徴としている。
第２のトランジスタで差動増幅回路を構成し，第１のト
ランジスタのコレクタをコレクタ抵抗を介して回路電源
に接続し，第２のトランジスタのコレクタをコレクタ抵
抗を介して高電圧発生回路に接続する。そして，第２の
トランジスタのコレクタ電圧を第３のトランジスタのベ
ース電圧として，高電圧発生回路の出力電圧をエミッタ
ホロワで制御して出力し,APDのバイアス電圧とする。一
方，第１のトランジスタのベース電圧を制御することに
よってAPDバイアス電圧が制御されるようにしたことを
特徴としている。
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して，本発明によるAPDバイアス電圧制
御回路は差つのトランジスタTR1〜3,抵抗器R1〜R5,高圧
発生回路11を備えており，トランジスタTR1及びTR2によ
って差動回路が構成され，トランジスタTR1のコレクタ
はコレクタ抵抗R1を介して回路電源に接続され，トラン
ジスタTR2のコレクタはコレクタ抵抗R2を介して高電圧
発生回路11の出力に接続される。トランジスタTR2のベ
ースは抵抗R3及びR4で定まる電圧に固定され，トランジ
スタTR1のベースは制御端子２とされる。
御回路は差つのトランジスタTR1〜3,抵抗器R1〜R5,高圧
発生回路11を備えており，トランジスタTR1及びTR2によ
って差動回路が構成され，トランジスタTR1のコレクタ
はコレクタ抵抗R1を介して回路電源に接続され，トラン
ジスタTR2のコレクタはコレクタ抵抗R2を介して高電圧
発生回路11の出力に接続される。トランジスタTR2のベ
ースは抵抗R3及びR4で定まる電圧に固定され，トランジ
スタTR1のベースは制御端子２とされる。
一方，トランジスタTR3のコレクタは，高電圧発生回
路11の出力に接続され，トランジスタTR3のエミッタが
出力端子３とされる。
路11の出力に接続され，トランジスタTR3のエミッタが
出力端子３とされる。
制御端子２に印加されたピーク検出回路21の出力電圧
はトランジスタTR1及びTR2で構成される差動回路によっ
て差動増幅され，この差動増幅出力によってトランジス
タTR3のエミッタ出力電圧が制御される。そして，トラ
ンジスタTR3のエミッタ出力電圧をAPDのバイアス電圧と
して,APDの光電流増倍率を制御する。
はトランジスタTR1及びTR2で構成される差動回路によっ
て差動増幅され，この差動増幅出力によってトランジス
タTR3のエミッタ出力電圧が制御される。そして，トラ
ンジスタTR3のエミッタ出力電圧をAPDのバイアス電圧と
して,APDの光電流増倍率を制御する。
以上説明したように本発明では，高電圧発生回路の出
力電圧をエミッタホロワで制御し，しかもこの出力電圧
制御を回路電源電圧以下でできるように差動回路を備
え，ピーク検出出力電圧の変化に対して高電圧発生回路
出力電圧を直接制御しているため，その応答は時定数が
極めて小さく，受光レベルの急変に対しても信号電圧の
振幅を一定に保つことができるという効果がある。
力電圧をエミッタホロワで制御し，しかもこの出力電圧
制御を回路電源電圧以下でできるように差動回路を備
え，ピーク検出出力電圧の変化に対して高電圧発生回路
出力電圧を直接制御しているため，その応答は時定数が
極めて小さく，受光レベルの急変に対しても信号電圧の
振幅を一定に保つことができるという効果がある。
第１図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一実
施例を示す回路図，第２図はAPD制御系の一例を示すブ
ロック図，第３図は従来のAPDバイアス電圧制御回路を
示す図である。 11…高電圧発生回路,2…制御端子,3…出力端子,21…AP
D,22…等化増幅器,23…ピーク検出回路,24…APDバイア
ス制御回路。
施例を示す回路図，第２図はAPD制御系の一例を示すブ
ロック図，第３図は従来のAPDバイアス電圧制御回路を
示す図である。 11…高電圧発生回路,2…制御端子,3…出力端子,21…AP
D,22…等化増幅器,23…ピーク検出回路,24…APDバイア
ス制御回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/26 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03F 3/08 H03F 17/00 H04B 10/04 H04B 10/145 H04B 10/155 H04B 10/28 H01L 31/167
Claims (1)
- 【請求項１】アバランシェフォトダイオードに与えるバ
イアス電圧を制御するためのバイアス電圧制御回路であ
って、第１及び第２のトランジスタを有する差動増幅回
路を備え、前記第１のトランジスタのコレクタが第１の
コレクタ抵抗を介して回路電源に接続され前記第２のト
ランジスタのコレクタが第２のコレクタ抵抗を介して高
電圧発生回路に接続されており、さらに、第３のトラン
ジスタを有し前記第２のトランジスタのコレクタ電圧が
前記第３のトランジスタのベース電圧として与えられ前
記高電圧発生回路の出力電圧をエミッタホロワで制御し
て前記アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路を有し、前記第１のトランジス
タのベースに前記アバランシェフォトダイオードの出力
ピークを示すピーク値電圧が与えられて、前記バイアス
電圧を制御するようにしたことを特徴とするアバランシ
ェフォトダイオードバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279416A JP2764955B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279416A JP2764955B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126710A JPH02126710A (ja) | 1990-05-15 |
| JP2764955B2 true JP2764955B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17610785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63279416A Expired - Lifetime JP2764955B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764955B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6605211B2 (ja) | 2015-03-19 | 2019-11-13 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 光子検出装置及び放射線分析装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911216A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-20 | Kawasaki Steel Corp | 合成樹脂被覆鋼管の外周面凹凸加工装置 |
| JP2501319B2 (ja) * | 1985-12-26 | 1996-05-29 | 株式会社東芝 | 角度変調信号用光受信回路 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63279416A patent/JP2764955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02126710A (ja) | 1990-05-15 |
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