JPH0340532A - 光受信回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、アバランシェホトダイオードを受光素子とす
る光受信回路に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、アバランシェホトダイオードの温度特性の補償に
は、全ＡＧＣ方式を用いない場合は、バイアス電圧発生
回路にダイオードを用いて、ダイオードの温度特性を利
用していた。例えば、特開昭６０−７９８３９号公報に
おいて論じられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術では、アバランシェホトダイオードの温度
条件を補償するようにバイアス電圧発生回路の定数を設
定する事が複雑であり柔軟性に欠けていた。

本発明の目的は、アバランシェホトダイオードの温度特
性の補償を容易に行ない、かつ補償精度の向上を図った
光受信回路を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、アバランシェホトダイオードの温度特性の
補償を、バイアス電圧発生回路に所定の温度係数を有す
るサーミスタを用い、サーミスタと並列に抵抗を設けて
行なうことで遠戚される。

〔作用〕

サーミスタは、アバランシェホトダイオードの温度係数
に合わせて選択できる。また、サーミスタと並列に抵抗
を設ける事でサーミスタの非線形性を補正する事ができ
る。また該抵抗値を変化させる事で、容易に温度係数を
変化させる事もできる。よって、アバランシェホトダイ
オードの温度特性の補償が容易となり、補償精度も向上
する。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例図面により詳細に説明する。

第１図に本発明の光受信回路の一実施例を示す。

アバランシェホトダイオード１のバイアス電圧■ｒは、
ａ点の電位がＶ　ｒｅｆと等しくなる様に、演算増幅器
２とＤＣ／ＤＣコンバータ３によって制御される。ａ点
の電位は、サーミスタ４とＲ１なる抵抗Ｓの並列合成抵
抗値とＲ２なる抵抗６の和と電流ｉの積により決まる。

本回路において、サーミスタ４の温度特性によりＶｒを
変化せしめ、アバランシェホトダイオード１の温度特性
の補償を行なう。

第２図、第３図は横幅に温度、縦軸にバイアス電圧Ｖｒ
をとっである。ここで抵抗５が無い場合のＶｒの温度特
性は、サーミスタ４の非線形性の為、（サーミスタ単体
の抵抗値Ｒｔは、絶対温度Ｔｏ・・・基準温度、Ｒｏ、
Ｂ・・・サーミスタ固有の定数） 第２図すのように直線とはならない、Ｒ１なる抵抗５を
設けた場合、基準温度Ｔｏでのサーミスタの抵抗値をＲ
ｏ、並列抵抗をＲＰとし、サーミスタ４の抵抗を基準温
度Ｔｏのまわりで展開すれば、並列合成抵抗値をＲｔ’
とすると、 と表され、Ｔ−Ｔｏが±３０に程度の範囲であれば、は
ぼ線形化され、サーミスタ４の非線形性を補正すること
ができる。よってＶｒの温度特性は第２図Ｃのようにほ
ぼ直線となる。また、Ｒ１なる抵抗５の値を変える事で
第３図ｄ、ｓのようにＶｒの温度係数を容易に変える事
もできる。アバランシェホトダイオード１の増倍率の温
度特性もほぼ直線であり、上記方法で容易にアバランシ
ェホｌ−ダイオード１の温度特性の補償が可能となる。

〔発明の効果〕

本発明しこよれば全ＡＧＣ方式を用いなくとも、アバラ
ンシェホトダイオード１の温度特性の補償を容易に行な
う事ができ、温度変動に対し安定な特性を得る事ができ
る光受信回路を構成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はサー
ミスタ４と並列にＲ１なる抵抗５を入れた場合（Ｃ）と
入れない場合（ｂ）のバイアス電圧Ｖｒの温度特性を示
す図、第３図はＲ１なる抵抗５の値を変化させた場合の
Ｖｒの温度特性を示す図である。 工・・・アバランシェホトダイオード、２・・・演算増
幅器、 ３・・・ＤＣ／ＤＣコンバータ、 ４・・・サーミスタ、　　　　５．６・・・抵抗。 Ｖｒ・・・バイアス電圧、　　Ｔ・・・周囲温度６馬１
３０ ヒ一一一一一一

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、アバランシェホトダイオードを受光素子とし、バイ
   アス電圧発生回路を有する光受信回路において、アバラ
   ンシェホトダイオードの温度特性の補償用として上記バ
   イアス電圧発生回路に、サーミスタ及びサーミスタと並
   列に抵抗を設けたことを特徴とする光受信回路。