JP3243472B2 - 可変減衰器 - Google Patents
可変減衰器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波帯で使用
する可変減衰器に関し、特にピンダイオードを用いた可
変減衰器に関するものである。
する可変減衰器に関し、特にピンダイオードを用いた可
変減衰器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の可変減衰器について図６を参照し
ながら説明する。図６は、例えば実開昭６２−４４５２
４号公報に示された従来の可変減衰器の構成を示す図で
ある。
ながら説明する。図６は、例えば実開昭６２−４４５２
４号公報に示された従来の可変減衰器の構成を示す図で
ある。
【０００３】同図において、１は高周波の入力端子、２
は高周波の出力端子、３はピンダイオードＤ４と可変抵
抗Ｒ１を直列接続した回路、４は誤差増幅器、５は制御
用トランジスタである。また、Ｄ１〜Ｄ３はπ型減衰器
を構成するピンダイオードである。
は高周波の出力端子、３はピンダイオードＤ４と可変抵
抗Ｒ１を直列接続した回路、４は誤差増幅器、５は制御
用トランジスタである。また、Ｄ１〜Ｄ３はπ型減衰器
を構成するピンダイオードである。
【０００４】つぎに、前述した従来の可変減衰器の動作
について説明する。図６において、ピンダイオードＤ４
と可変抵抗Ｒ１を直列接続した回路３に、抵抗Ｒ２を介
して電流を流すことにより制御電圧Ｖｂが得られる。ま
た、誤差増幅器４は、制御用トランジスタ５のエミッタ
電圧Ｖｅが、この制御電圧Ｖｂと等しくなるように動作
する。
について説明する。図６において、ピンダイオードＤ４
と可変抵抗Ｒ１を直列接続した回路３に、抵抗Ｒ２を介
して電流を流すことにより制御電圧Ｖｂが得られる。ま
た、誤差増幅器４は、制御用トランジスタ５のエミッタ
電圧Ｖｅが、この制御電圧Ｖｂと等しくなるように動作
する。
【０００５】これより、周囲の温度変化により制御用ト
ランジスタ５のＶBE（ベース・エミッタ間電圧）が変化
しても、エミッタ電圧Ｖｅは、誤差増幅器４により制御
電圧Ｖｂと等しくなるように制御されることにより温度
補償が可能である。また、ピンダイオードＤ１の順方向
電圧ＶFが変化しても、制御電圧Ｖｂも同様に変化し、
温度変動を相殺するように動作する。
ランジスタ５のＶBE（ベース・エミッタ間電圧）が変化
しても、エミッタ電圧Ｖｅは、誤差増幅器４により制御
電圧Ｖｂと等しくなるように制御されることにより温度
補償が可能である。また、ピンダイオードＤ１の順方向
電圧ＶFが変化しても、制御電圧Ｖｂも同様に変化し、
温度変動を相殺するように動作する。
【０００６】以上より、ピンダイオードＤ１及びＤ４と
して特性の揃ったものを使用し、可変抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ
２を適当な値に選ぶことにより、制御用トランジスタ５
のＶBE及びピンダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温度
特性の補償が可能である。
して特性の揃ったものを使用し、可変抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ
２を適当な値に選ぶことにより、制御用トランジスタ５
のＶBE及びピンダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温度
特性の補償が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
可変減衰器では、ピンダイオードＤ１の温度特性をピン
ダイオードＤ４により補償する必要があるが、ピンダイ
オードの特性のバラツキがあると補償精度が悪くなり温
度特性の劣化を招く恐れがあるという問題点があった。
可変減衰器では、ピンダイオードＤ１の温度特性をピン
ダイオードＤ４により補償する必要があるが、ピンダイ
オードの特性のバラツキがあると補償精度が悪くなり温
度特性の劣化を招く恐れがあるという問題点があった。
【０００８】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、温度特性の良い可変減衰器を得る
ことを目的とする。
めになされたもので、温度特性の良い可変減衰器を得る
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る可変減衰器は、３個のピンダイオードからなるπ型減
衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する誤差増幅
器及び制御用トランジスタからなるバイアス回路とを備
えた可変減衰器において、前記バイアス回路が、温度変
化に基づいて前記π型減衰器に流れるバイアス電流を制
御する温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記
π型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオ
ード全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗の
両端の電圧を前記誤差増幅器にフィードバックするもの
である。
る可変減衰器は、３個のピンダイオードからなるπ型減
衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する誤差増幅
器及び制御用トランジスタからなるバイアス回路とを備
えた可変減衰器において、前記バイアス回路が、温度変
化に基づいて前記π型減衰器に流れるバイアス電流を制
御する温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記
π型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオ
ード全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗の
両端の電圧を前記誤差増幅器にフィードバックするもの
である。
【００１０】また、この発明の請求項２に係る可変減衰
器は、３個のピンダイオードからなるπ型減衰器と、前
記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トランジスタ
を含むバイアス回路とを備えた可変減衰器において、前
記π型減衰器は、前記π型減衰器のバイアス電流が流れ
るバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を含
み、前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接
続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流
が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続されたサーミ
スタである。
器は、３個のピンダイオードからなるπ型減衰器と、前
記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トランジスタ
を含むバイアス回路とを備えた可変減衰器において、前
記π型減衰器は、前記π型減衰器のバイアス電流が流れ
るバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を含
み、前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接
続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流
が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続されたサーミ
スタである。
【００１１】
【００１２】また、この発明の請求項３に係る可変減衰
器は、３個のピンダイオードからなるπ型減衰器と、前
記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トランジスタ
を含むバイアス回路とを備えた可変減衰器において、前
記π型減衰器が、前記π型減衰器のバイアス電流が流れ
るバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を含
み、前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接
続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流
が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第１の
サーミスタと、かつ前記３個のピンダイオードの内の２
個のピンダイオードのバイアス電流が流れるバイアス用
固定抵抗と並列に接続された第２のサーミスタとからな
るものである。
器は、３個のピンダイオードからなるπ型減衰器と、前
記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トランジスタ
を含むバイアス回路とを備えた可変減衰器において、前
記π型減衰器が、前記π型減衰器のバイアス電流が流れ
るバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を含
み、前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接
続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流
が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第１の
サーミスタと、かつ前記３個のピンダイオードの内の２
個のピンダイオードのバイアス電流が流れるバイアス用
固定抵抗と並列に接続された第２のサーミスタとからな
るものである。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【作用】この発明の請求項１に係る可変減衰器において
は、温度補償回路が、π型減衰器の出力側に接続された
前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流れる
バイアス用固定抵抗の両端の電圧を前記誤差増幅器にフ
ィードバックするので、制御用トランジスタ及びピンダ
イオードの温度特性に依らずバイアス電流を一定に保
ち、温度特性の向上を実現できる。
は、温度補償回路が、π型減衰器の出力側に接続された
前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流れる
バイアス用固定抵抗の両端の電圧を前記誤差増幅器にフ
ィードバックするので、制御用トランジスタ及びピンダ
イオードの温度特性に依らずバイアス電流を一定に保
ち、温度特性の向上を実現できる。
【００１８】また、この発明の請求項２に係る可変減衰
器においては、温度補償回路を、π型減衰器の出力側に
接続された３個のピンダイオード全てのバイアス電流が
流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続されたサーミス
タとしたので、このサーミスタの温度特性により制御用
トランジスタ及びピンダイオードの温度特性を補償し、
温度特性の向上を実現できる。
器においては、温度補償回路を、π型減衰器の出力側に
接続された３個のピンダイオード全てのバイアス電流が
流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続されたサーミス
タとしたので、このサーミスタの温度特性により制御用
トランジスタ及びピンダイオードの温度特性を補償し、
温度特性の向上を実現できる。
【００１９】
【００２０】また、この発明の請求項３に係る可変減衰
器においては、温度補償回路が、π型減衰器の出力側に
接続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電
流が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第１
のサーミスタと、かつ３個のピンダイオードの内の２個
のピンダイオードのバイアス電流が流れるバイアス用固
定抵抗と並列に接続された第２のサーミスタとからなる
ので、これらのサーミスタの温度特性により制御用トラ
ンジスタ及び全てのピンダイオードの温度特性を補償
し、温度特性の向上を実現できる。
器においては、温度補償回路が、π型減衰器の出力側に
接続された前記３個のピンダイオード全てのバイアス電
流が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第１
のサーミスタと、かつ３個のピンダイオードの内の２個
のピンダイオードのバイアス電流が流れるバイアス用固
定抵抗と並列に接続された第２のサーミスタとからなる
ので、これらのサーミスタの温度特性により制御用トラ
ンジスタ及び全てのピンダイオードの温度特性を補償
し、温度特性の向上を実現できる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
実施例１．以下、この発明の一実施例について図１を参
照しながら説明する。図１は、この発明の実施例１の構
成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は
相当部分を示す。
照しながら説明する。図１は、この発明の実施例１の構
成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は
相当部分を示す。
【００２６】図１において、１は高周波の入力端子、２
は高周波の出力端子、４は誤差増幅器、５は制御用トラ
ンジスタ、６は減衰量制御電圧入力端子である。また、
Ｄ１〜Ｄ３はπ型減衰器を構成するピンダイオードであ
る。さらに、Ｒ１はピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイア
ス用固定抵抗、Ｒ２及びＲ３は誤差増幅器４の利得設定
用抵抗である。なお、各抵抗の抵抗値をＲ１、Ｒ２、Ｒ
３とする。
は高周波の出力端子、４は誤差増幅器、５は制御用トラ
ンジスタ、６は減衰量制御電圧入力端子である。また、
Ｄ１〜Ｄ３はπ型減衰器を構成するピンダイオードであ
る。さらに、Ｒ１はピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイア
ス用固定抵抗、Ｒ２及びＲ３は誤差増幅器４の利得設定
用抵抗である。なお、各抵抗の抵抗値をＲ１、Ｒ２、Ｒ
３とする。
【００２７】つぎに、この実施例１の動作について説明
する。誤差増幅器４は、減衰量制御電圧Ｖｂに対応し
て、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１の電圧Ｖ１を、以下の値となるように動作する。 Ｖ１＝−Ｒ３／Ｒ２×Ｖｂ ‥‥‥式１
する。誤差増幅器４は、減衰量制御電圧Ｖｂに対応し
て、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１の電圧Ｖ１を、以下の値となるように動作する。 Ｖ１＝−Ｒ３／Ｒ２×Ｖｂ ‥‥‥式１
【００２８】これより、バイアス用固定抵抗Ｒ１を流れ
る電流Ｉ１は以下の値となる。 Ｉ１＝−Ｒ３／Ｒ２／Ｒ１×Ｖｂ ‥‥‥式２
る電流Ｉ１は以下の値となる。 Ｉ１＝−Ｒ３／Ｒ２／Ｒ１×Ｖｂ ‥‥‥式２
【００２９】また、電流Ｉ１とピンダイオードＤ１を流
れる電流Ｉ２、ピンダイオードＤ２、Ｄ３を流れる電流
Ｉ３との間には以下の関係が成り立つ。 Ｉ１＝Ｉ２＋Ｉ３ ‥‥‥式３
れる電流Ｉ２、ピンダイオードＤ２、Ｄ３を流れる電流
Ｉ３との間には以下の関係が成り立つ。 Ｉ１＝Ｉ２＋Ｉ３ ‥‥‥式３
【００３０】さらに、通常、ピンダイオードを用いた可
変減衰器では、Ｉ２＞＞Ｉ３であるので以下の式が成り
立つ。 Ｉ２≒Ｉ１＝−Ｒ３／Ｒ２／Ｒ１×Ｖｂ ‥‥‥式４
変減衰器では、Ｉ２＞＞Ｉ３であるので以下の式が成り
立つ。 Ｉ２≒Ｉ１＝−Ｒ３／Ｒ２／Ｒ１×Ｖｂ ‥‥‥式４
【００３１】これより、ピンダイオードＤ１を流れる電
流Ｉ２は、制御用トランジスタ５のベース・エミッタ間
電圧ＶBE及びピンダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温
度特性に依らず、減衰量制御電圧Ｖｂのみにより決定さ
れ、温度特性の優れた可変減衰器が実現できる。
流Ｉ２は、制御用トランジスタ５のベース・エミッタ間
電圧ＶBE及びピンダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温
度特性に依らず、減衰量制御電圧Ｖｂのみにより決定さ
れ、温度特性の優れた可変減衰器が実現できる。
【００３２】この実施例１は、３個のピンダイオードＤ
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記バイアス回路に誤差増幅器４を設け、
前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流れる
バイアス用固定抵抗Ｒ１の両端の電圧Ｖ１を前記誤差増
幅器４にフィードバックするように構成したものであ
る。
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記バイアス回路に誤差増幅器４を設け、
前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流れる
バイアス用固定抵抗Ｒ１の両端の電圧Ｖ１を前記誤差増
幅器４にフィードバックするように構成したものであ
る。
【００３３】すなわち、この実施例１に係る可変減衰器
は、減衰量制御電圧Ｖｂを増幅する誤差増幅器４により
３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗
Ｒ１の電圧Ｖ１を一定に保つことにより、制御用トラン
ジスタ５及びピンダイオードＤ１〜Ｄ３の温度特性に依
らずバイアス電流を一定に保ち、温度特性の向上を図る
ことができる。
は、減衰量制御電圧Ｖｂを増幅する誤差増幅器４により
３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗
Ｒ１の電圧Ｖ１を一定に保つことにより、制御用トラン
ジスタ５及びピンダイオードＤ１〜Ｄ３の温度特性に依
らずバイアス電流を一定に保ち、温度特性の向上を図る
ことができる。
【００３４】実施例２．この発明の実施例２について図
２を参照しながら説明する。図２は、この発明の実施例
２の構成を示す図である。
２を参照しながら説明する。図２は、この発明の実施例
２の構成を示す図である。
【００３５】図２において、７はピンダイオードＤ１〜
Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列に接続された正特
性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）で
ある。
Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列に接続された正特
性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）で
ある。
【００３６】この実施例２では、ピンダイオードＤ１を
流れる電流Ｉ２について以下の式が成り立つ。 Ｉ２≒Ｉ１＝Ｖ１×（Ｒ１＋Ｒ４）／Ｒ１／Ｒ４ ‥‥‥式５
流れる電流Ｉ２について以下の式が成り立つ。 Ｉ２≒Ｉ１＝Ｖ１×（Ｒ１＋Ｒ４）／Ｒ１／Ｒ４ ‥‥‥式５
【００３７】ここで温度が上昇した場合、制御用トラン
ジスタ５のベース・エミッタ間電圧ＶBE及びピンダイオ
ードＤ１の順方向電圧ＶFが減少するため電圧Ｖ１は増
加するが、サーミスタ７の抵抗値Ｒ４も増加するので、
式５からわかるとおり、電流Ｉ２の変動は抑圧される。
これより、ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧Ｖ
Fと電圧Ｖ１の温度特性が相殺するようにバイアス用固
定抵抗の抵抗値Ｒ１、及びサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を
適当に選ぶことにより、温度補償が可能である。
ジスタ５のベース・エミッタ間電圧ＶBE及びピンダイオ
ードＤ１の順方向電圧ＶFが減少するため電圧Ｖ１は増
加するが、サーミスタ７の抵抗値Ｒ４も増加するので、
式５からわかるとおり、電流Ｉ２の変動は抑圧される。
これより、ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧Ｖ
Fと電圧Ｖ１の温度特性が相殺するようにバイアス用固
定抵抗の抵抗値Ｒ１、及びサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を
適当に選ぶことにより、温度補償が可能である。
【００３８】この実施例２は、３個のピンダイオードＤ
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオード全てのバイアス
電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列にサーミス
タ７を接続するように構成したものである。
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオード全てのバイアス
電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列にサーミス
タ７を接続するように構成したものである。
【００３９】すなわち、この実施例２に係る可変減衰器
は、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１に並列にサーミスタ７を接続し、このサーミスタ７の
温度特性により制御用トランジスタ５及びピンダイオー
ドＤ１〜Ｄ３の温度特性を補償し、温度特性の向上を図
ることができる。
は、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１に並列にサーミスタ７を接続し、このサーミスタ７の
温度特性により制御用トランジスタ５及びピンダイオー
ドＤ１〜Ｄ３の温度特性を補償し、温度特性の向上を図
ることができる。
【００４０】実施例３．この発明の実施例３について図
３を参照しながら説明する。図３は、この発明の実施例
３の構成を示す図である。
３を参照しながら説明する。図３は、この発明の実施例
３の構成を示す図である。
【００４１】図３において、７はピンダイオードＤ１の
バイアス用固定抵抗Ｒ５と並列に接続された正特性のサ
ーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）である。
バイアス用固定抵抗Ｒ５と並列に接続された正特性のサ
ーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）である。
【００４２】この実施例３では、上記実施例２と同様、
ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧ＶFと電圧Ｖ
１の温度特性が相殺するようバイアス用固定抵抗の抵抗
値Ｒ５とサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を適当に選ぶことに
より、温度補償が可能である。また、この実施例３では
ピンダイオードＤ１のバイアス電流Ｉ２を直接制御する
ことが可能である。
ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧ＶFと電圧Ｖ
１の温度特性が相殺するようバイアス用固定抵抗の抵抗
値Ｒ５とサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を適当に選ぶことに
より、温度補償が可能である。また、この実施例３では
ピンダイオードＤ１のバイアス電流Ｉ２を直接制御する
ことが可能である。
【００４３】この実施例３は、３個のピンダイオードＤ
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３の内
の１個のバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ５
と並列にサーミスタ７を接続するように構成したもので
ある。
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３の内
の１個のバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ５
と並列にサーミスタ７を接続するように構成したもので
ある。
【００４４】すなわち、この実施例３に係る可変減衰器
は、ピンダイオードＤ１のバイアス用固定抵抗Ｒ５に並
列にサーミスタ７を接続し、このサーミスタ７の温度特
性により制御用トランジスタ５及び信号系に直列に接続
されたピンダイオードＤ１の温度特性を補償し、温度特
性の向上を図ることができる。
は、ピンダイオードＤ１のバイアス用固定抵抗Ｒ５に並
列にサーミスタ７を接続し、このサーミスタ７の温度特
性により制御用トランジスタ５及び信号系に直列に接続
されたピンダイオードＤ１の温度特性を補償し、温度特
性の向上を図ることができる。
【００４５】実施例４．この発明の実施例４について図
４を参照しながら説明する。図４は、この発明の実施例
４の構成を示す図である。
４を参照しながら説明する。図４は、この発明の実施例
４の構成を示す図である。
【００４６】図４において、７はピンダイオードＤ１〜
Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列に接続された正特
性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）、
８はピンダイオードＤ２、Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
６と並列に接続された正特性のサーミスタ（温度上昇に
より抵抗値Ｒ７も増加）である。
Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列に接続された正特
性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値Ｒ４も増加）、
８はピンダイオードＤ２、Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
６と並列に接続された正特性のサーミスタ（温度上昇に
より抵抗値Ｒ７も増加）である。
【００４７】この実施例４では、上記実施例２と同様、
ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧ＶFと電圧Ｖ
１の温度特性が相殺するようバイアス用固定抵抗の抵抗
値Ｒ１とサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を適当に選ぶことに
より、電流Ｉ１に対する温度補償が可能である。また、
バイアス用固定抵抗の抵抗値Ｒ６とサーミスタ８の抵抗
値Ｒ７を適当に選ぶことにより、電流Ｉ３に対する温度
補償が可能であり、電流Ｉ１、Ｉ３を両方制御すること
により、より精度の高い温度補償が可能である。
ベース・エミッタ間電圧ＶBE、順方向電圧ＶFと電圧Ｖ
１の温度特性が相殺するようバイアス用固定抵抗の抵抗
値Ｒ１とサーミスタ７の抵抗値Ｒ４を適当に選ぶことに
より、電流Ｉ１に対する温度補償が可能である。また、
バイアス用固定抵抗の抵抗値Ｒ６とサーミスタ８の抵抗
値Ｒ７を適当に選ぶことにより、電流Ｉ３に対する温度
補償が可能であり、電流Ｉ１、Ｉ３を両方制御すること
により、より精度の高い温度補償が可能である。
【００４８】この実施例４は、３個のピンダイオードＤ
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバ
イアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列にサ
ーミスタ７を接続し、かつ２個のピンダイオードＤ２、
Ｄ３のバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ６と
並列にサーミスタ８を接続するように構成したものであ
る。
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、前記３個のピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバ
イアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ１と並列にサ
ーミスタ７を接続し、かつ２個のピンダイオードＤ２、
Ｄ３のバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗Ｒ６と
並列にサーミスタ８を接続するように構成したものであ
る。
【００４９】すなわち、この実施例４に係る可変減衰器
は、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１及びＲ６に並列にサーミスタ７及び８を接続し、この
サーミスタ７及び８の温度特性により、制御用トランジ
スタ５及び全てのピンダイオードＤ１〜Ｄ３（可変減衰
器の構成に必要な３個）の温度特性を補償し、温度特性
の向上を図ることができる。
は、ピンダイオードＤ１〜Ｄ３のバイアス用固定抵抗Ｒ
１及びＲ６に並列にサーミスタ７及び８を接続し、この
サーミスタ７及び８の温度特性により、制御用トランジ
スタ５及び全てのピンダイオードＤ１〜Ｄ３（可変減衰
器の構成に必要な３個）の温度特性を補償し、温度特性
の向上を図ることができる。
【００５０】実施例５．この発明の実施例５について図
５を参照しながら説明する。図５は、この発明の実施例
５の構成を示す図である。
５を参照しながら説明する。図５は、この発明の実施例
５の構成を示す図である。
【００５１】図５において、４は誤差増幅器、５は制御
用トランジスタ、６は減衰量制御電圧入力端子、９は温
度補償用の負特性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値
Ｒ１１が減少）である。また、Ｒ２及びＲ３は誤差増幅
器４の利得設定用抵抗、Ｒ８は誤差増幅器４の入力にて
減衰量制御電圧Ｖｂと温度補償用基準電圧Ｖｒとを加算
するための抵抗、Ｒ９、Ｒ１０は温度補償用基準電圧Ｖ
ｒ用の分圧抵抗である。
用トランジスタ、６は減衰量制御電圧入力端子、９は温
度補償用の負特性のサーミスタ（温度上昇により抵抗値
Ｒ１１が減少）である。また、Ｒ２及びＲ３は誤差増幅
器４の利得設定用抵抗、Ｒ８は誤差増幅器４の入力にて
減衰量制御電圧Ｖｂと温度補償用基準電圧Ｖｒとを加算
するための抵抗、Ｒ９、Ｒ１０は温度補償用基準電圧Ｖ
ｒ用の分圧抵抗である。
【００５２】つぎに、この実施例５の動作について説明
する。温度補償用基準電圧Ｖｒは、以下の式で表せる。 Ｖｒ＝−Ｒ１０・Ｒ１１／｛Ｒ９・（Ｒ１０＋Ｒ１１）＋Ｒ１０・Ｒ１１｝・ Ｖｃｃ ‥‥‥式６
する。温度補償用基準電圧Ｖｒは、以下の式で表せる。 Ｖｒ＝−Ｒ１０・Ｒ１１／｛Ｒ９・（Ｒ１０＋Ｒ１１）＋Ｒ１０・Ｒ１１｝・ Ｖｃｃ ‥‥‥式６
【００５３】誤差増幅器４は、減衰量制御電圧Ｖｂ及び
温度補償用基準電圧Ｖｒに対応して、ピンダイオードＤ
１のバイアス用固定抵抗Ｒ５の電圧Ｖ２を、以下の値と
なるように動作する。但し、ここで誤差増幅器４の加算
は１：１加算とし、Ｒ２＝Ｒ８とする。 Ｖ２＝−Ｒ３／Ｒ２×（Ｖｂ＋Ｖｒ） ‥‥‥式７
温度補償用基準電圧Ｖｒに対応して、ピンダイオードＤ
１のバイアス用固定抵抗Ｒ５の電圧Ｖ２を、以下の値と
なるように動作する。但し、ここで誤差増幅器４の加算
は１：１加算とし、Ｒ２＝Ｒ８とする。 Ｖ２＝−Ｒ３／Ｒ２×（Ｖｂ＋Ｖｒ） ‥‥‥式７
【００５４】さらに、上記実施例１と同様に、Ｉ２＞＞
Ｉ３とすると以下の式が成り立つ。 Ｉ２≒（Ｖ２−ＶF）／（Ｒ１＋Ｒ５） ‥‥‥式８
Ｉ３とすると以下の式が成り立つ。 Ｉ２≒（Ｖ２−ＶF）／（Ｒ１＋Ｒ５） ‥‥‥式８
【００５５】ここで、温度上昇によりピンダイオードＤ
１の順方向電圧ＶFが減少した時を考える。この時、負
特性のサーミスタ９は抵抗値Ｒ１１が減少し、式６よ
り、Ｖ２も減少する。よって、式８より電圧Ｖ２と共に
順方向電圧ＶFも減少するため電流Ｉ２は一定に保たれ
る。以上のとおり、抵抗値Ｒ９、Ｒ１０及びサーミスタ
９の抵抗値Ｒ１１を適当な値に選ぶことにより、制御用
トランジスタ５のベース・エミッタ間電圧ＶBE及びピン
ダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温度特性に依らず、
減衰量制御電圧Ｖｂのみにより減衰量を設定可能であ
り、温度特性の優れた可変減衰器が実現できる。
１の順方向電圧ＶFが減少した時を考える。この時、負
特性のサーミスタ９は抵抗値Ｒ１１が減少し、式６よ
り、Ｖ２も減少する。よって、式８より電圧Ｖ２と共に
順方向電圧ＶFも減少するため電流Ｉ２は一定に保たれ
る。以上のとおり、抵抗値Ｒ９、Ｒ１０及びサーミスタ
９の抵抗値Ｒ１１を適当な値に選ぶことにより、制御用
トランジスタ５のベース・エミッタ間電圧ＶBE及びピン
ダイオードＤ１の順方向電圧ＶFの温度特性に依らず、
減衰量制御電圧Ｖｂのみにより減衰量を設定可能であ
り、温度特性の優れた可変減衰器が実現できる。
【００５６】この実施例５は、３個のピンダイオードＤ
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、バイアス回路に誤差増幅器４と、サーミス
タ９と抵抗Ｒ９、Ｒ１０に電流を流すことにより温度補
償用基準電圧Ｖｒを発生する基準電圧発生回路とを設
け、前記誤差増幅器４により減衰量制御電圧Ｖｂと前記
基準電圧Ｖｒを加算し、この加算電圧により前記ピンダ
イオードＤ１のバイアス電流を制御するように構成した
ものである。
１〜Ｄ３で構成されたπ型減衰器と、前記π型減衰器へ
のバイアスを供給するバイアス回路とを備えた可変減衰
器において、バイアス回路に誤差増幅器４と、サーミス
タ９と抵抗Ｒ９、Ｒ１０に電流を流すことにより温度補
償用基準電圧Ｖｒを発生する基準電圧発生回路とを設
け、前記誤差増幅器４により減衰量制御電圧Ｖｂと前記
基準電圧Ｖｒを加算し、この加算電圧により前記ピンダ
イオードＤ１のバイアス電流を制御するように構成した
ものである。
【００５７】すなわち、この実施例５に係る可変減衰器
は、減衰量制御電圧Ｖｂを増幅する誤差増幅器４により
減衰量制御電圧Ｖｂと温度補償用基準電圧Ｖｒを加算
し、これにより制御用トランジスタ５及びピンダイオー
ドＤ１の温度特性を補償し、温度特性の向上を図ること
ができる。
は、減衰量制御電圧Ｖｂを増幅する誤差増幅器４により
減衰量制御電圧Ｖｂと温度補償用基準電圧Ｖｒを加算
し、これにより制御用トランジスタ５及びピンダイオー
ドＤ１の温度特性を補償し、温度特性の向上を図ること
ができる。
【００５８】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る可変減衰器
は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードからな
るπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する
誤差増幅器及び制御用トランジスタからなるバイアス回
路とを備えた可変減衰器において、前記バイアス回路
が、温度変化に基づいて前記π型減衰器に流れるバイア
ス電流を制御する温度補償回路を含み、前記温度補償回
路は、前記π型減衰器の出力側に接続された前記３個の
ピンダイオード全てのバイアス電流が流れるバイアス用
固定抵抗の両端の電圧を前記誤差増幅器にフィードバッ
クするので、制御用トランジスタ及びピンダイオードの
温度特性に依らずバイアス電流を一定に保ち、温度特性
の向上を実現できるという効果を奏する。
は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードからな
るπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する
誤差増幅器及び制御用トランジスタからなるバイアス回
路とを備えた可変減衰器において、前記バイアス回路
が、温度変化に基づいて前記π型減衰器に流れるバイア
ス電流を制御する温度補償回路を含み、前記温度補償回
路は、前記π型減衰器の出力側に接続された前記３個の
ピンダイオード全てのバイアス電流が流れるバイアス用
固定抵抗の両端の電圧を前記誤差増幅器にフィードバッ
クするので、制御用トランジスタ及びピンダイオードの
温度特性に依らずバイアス電流を一定に保ち、温度特性
の向上を実現できるという効果を奏する。
【００５９】また、この発明の請求項２に係る可変減衰
器は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードから
なるπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給す
る制御用トランジスタを含むバイアス回路とを備えた可
変減衰器において、前記π型減衰器は、前記π型減衰器
のバイアス電流が流れるバイアス用抵抗と並列に接続さ
れた温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記π
型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオー
ド全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗と並
列に接続されたサーミスタであるので、制御用トランジ
スタ及びピンダイオードの温度特性に依らずバイアス電
流を一定に保ち、温度特性の向上を実現できるという効
果を奏する。
器は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードから
なるπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給す
る制御用トランジスタを含むバイアス回路とを備えた可
変減衰器において、前記π型減衰器は、前記π型減衰器
のバイアス電流が流れるバイアス用抵抗と並列に接続さ
れた温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記π
型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオー
ド全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗と並
列に接続されたサーミスタであるので、制御用トランジ
スタ及びピンダイオードの温度特性に依らずバイアス電
流を一定に保ち、温度特性の向上を実現できるという効
果を奏する。
【００６０】
【００６１】また、この発明の請求項３に係る可変減衰
器は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードから
なるπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給す
る制御用トランジスタを含むバイアス回路とを備えた可
変減衰器において、前記π型減衰器が、前記π型減衰器
のバイアス電流が流れるバイアス用抵抗と並列に接続さ
れた温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記π
型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオー
ド全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗と並
列に接続された第１のサーミスタと、かつ前記３個のピ
ンダイオードの内の２個のピンダイオードのバイアス電
流が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第２
のサーミスタとからなるので、この温度補償回路の温度
特性により制御用トランジスタ及びピンダイオードの温
度特性を補償し、温度特性の向上を実現できるという効
果を奏する。
器は、以上説明したとおり、３個のピンダイオードから
なるπ型減衰器と、前記π型減衰器へバイアスを供給す
る制御用トランジスタを含むバイアス回路とを備えた可
変減衰器において、前記π型減衰器が、前記π型減衰器
のバイアス電流が流れるバイアス用抵抗と並列に接続さ
れた温度補償回路を含み、前記温度補償回路は、前記π
型減衰器の出力側に接続された前記３個のピンダイオー
ド全てのバイアス電流が流れるバイアス用固定抵抗と並
列に接続された第１のサーミスタと、かつ前記３個のピ
ンダイオードの内の２個のピンダイオードのバイアス電
流が流れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第２
のサーミスタとからなるので、この温度補償回路の温度
特性により制御用トランジスタ及びピンダイオードの温
度特性を補償し、温度特性の向上を実現できるという効
果を奏する。
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【図１】 この発明の実施例１に係る可変減衰器を示す
図である。
図である。
【図２】 この発明の実施例２に係る可変減衰器を示す
図である。
図である。
【図３】 この発明の実施例３に係る可変減衰器を示す
図である。
図である。
【図４】 この発明の実施例４に係る可変減衰器を示す
図である。
図である。
【図５】 この発明の実施例５に係る可変減衰器を示す
図である。
図である。
【図６】 従来の可変減衰器の構成を示す図である。
１ 入力端子、２ 出力端子、４ 誤差増幅器、５ ト
ランジスタ、６ 減衰量制御電圧入力端子、７、８、９
サーミスタ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ ピンダイオード、Ｒ
１、Ｒ５、Ｒ６ バイアス用固定抵抗。
ランジスタ、６ 減衰量制御電圧入力端子、７、８、９
サーミスタ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ ピンダイオード、Ｒ
１、Ｒ５、Ｒ６ バイアス用固定抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 7/25 H03G 1/00 - 3/34
Claims (3)
- 【請求項１】 ３個のピンダイオードからなるπ型減衰
器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する誤差増幅器
及び制御用トランジスタからなるバイアス回路とを備え
た可変減衰器において、 前記バイアス回路は、温度変化に基づいて前記π型減衰
器に流れるバイアス電流を制御する温度補償回路を含
み、 前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接続さ
れた前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流
れるバイアス用固定抵抗の両端の電圧を前記誤差増幅器
にフィードバックすることを特徴とする可変減衰器。 - 【請求項２】 ３個のピンダイオードからなるπ型減衰
器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トラ
ンジスタを含むバイアス回路とを備えた可変減衰器にお
いて、 前記π型減衰器は、前記π型減衰器のバイアス電流が流
れるバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を
含み、 前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接続さ
れた前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流
れるバイアス用固定抵抗と並列に接続されたサーミスタ
であることを特徴とする可変減衰器。 - 【請求項３】 ３個のピンダイオードからなるπ型減衰
器と、前記π型減衰器へバイアスを供給する制御用トラ
ンジスタを含むバイアス回路とを備えた可変減衰器にお
いて、 前記π型減衰器は、前記π型減衰器のバイアス電流が流
れるバイアス用抵抗と並列に接続された温度補償回路を
含み、 前記温度補償回路は、前記π型減衰器の出力側に接続さ
れた前記３個のピンダイオード全てのバイアス電流が流
れるバイアス用固定抵抗と並列に接続された第１のサー
ミスタと、かつ前記３個のピンダイオードの内の２個の
ピンダイオードのバイアス電流が流れるバイアス用固定
抵抗と並列に接続された第２のサーミスタとからなるこ
とを特徴とする可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897695A JP3243472B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897695A JP3243472B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 可変減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0923129A JPH0923129A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3243472B2 true JP3243472B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=15878057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16897695A Expired - Fee Related JP3243472B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243472B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062745A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Hochiki Corp | 自動利得制御回路 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16897695A patent/JP3243472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0923129A (ja) | 1997-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |