JPS58165020A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS58165020A JPS58165020A JP57046381A JP4638182A JPS58165020A JP S58165020 A JPS58165020 A JP S58165020A JP 57046381 A JP57046381 A JP 57046381A JP 4638182 A JP4638182 A JP 4638182A JP S58165020 A JPS58165020 A JP S58165020A
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- Japan
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- voltage
- circuit
- current
- apd
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光波測距儀、光通信システム等の広いダイナ
ミックレンジを有する光を受けて電械信号に変換する光
電変換装置に関するものである。
ミックレンジを有する光を受けて電械信号に変換する光
電変換装置に関するものである。
従来、光波測距儀、光通信システム等の広帯域の微少光
量検出用の受光素子としては、アバランシェフォトダイ
オード（以下、ＡＰＤと略称する）が一般的に用いられ
て来た。これはＡＰＤが電子なだれ効果によって微小な
入射塵量に対早で高い電流増幅を示すからである。
量検出用の受光素子としては、アバランシェフォトダイ
オード（以下、ＡＰＤと略称する）が一般的に用いられ
て来た。これはＡＰＤが電子なだれ効果によって微小な
入射塵量に対早で高い電流増幅を示すからである。
電子なだれ効果に於ける電流増幅度Ｍは第１図に示した
如く逆バイアス電圧■の関数であり、 Ｍ ＝ ｆ （Ｖ） で示される。電流増幅度ＭＦｉ７レークダウン電圧Ｖ、
？、に漸近する関数である。このように、ＡＰＤに於い
ては、逆バイアス電圧をブレークダウン電圧に近づける
雫、よ−り高い−が得られる。従って、一般に逆バイア
ス電圧はブレークダウン−圧に近い値に選ばれる。
如く逆バイアス電圧■の関数であり、 Ｍ ＝ ｆ （Ｖ） で示される。電流増幅度ＭＦｉ７レークダウン電圧Ｖ、
？、に漸近する関数である。このように、ＡＰＤに於い
ては、逆バイアス電圧をブレークダウン電圧に近づける
雫、よ−り高い−が得られる。従って、一般に逆バイア
ス電圧はブレークダウン−圧に近い値に選ばれる。
しかし、ブレークダウン電圧がＡＰＤの各素子ごと−大
きく異なり、又、電流増幅度Ｍと逆バイアス電圧■との
゛特性及びブレークダウン電圧ｖＢＤはそれぞれ温度依
存性を有する。第１図では逆バイアス電圧をＶ、とした
。
きく異なり、又、電流増幅度Ｍと逆バイアス電圧■との
゛特性及びブレークダウン電圧ｖＢＤはそれぞれ温度依
存性を有する。第１図では逆バイアス電圧をＶ、とした
。
ところが、温度変化によシミ流増幅度Ｍの特性がＭ＝ｆ
’（Ｖ）となり、ブレークダウン電圧が予め設定してお
いた逆バイアス電圧ｖ１より低くなる場合には、ＡＰＤ
には多量の電流が流れ込み、ＡＰＤは破損する。
’（Ｖ）となり、ブレークダウン電圧が予め設定してお
いた逆バイアス電圧ｖ１より低くなる場合には、ＡＰＤ
には多量の電流が流れ込み、ＡＰＤは破損する。
従って、ＡＰＤを機器に組み込む際には、素子毎にブレ
ークダウン電圧を測定し、その測定に合わせて逆バイア
ス電圧を調節しなければならないばかシでなく、精度の
よい温度補正回路を付加しなければならないという欠点
があった。
ークダウン電圧を測定し、その測定に合わせて逆バイア
ス電圧を調節しなければならないばかシでなく、精度の
よい温度補正回路を付加しなければならないという欠点
があった。
本発明は、これらの欠点を解消し、ＡＰＤの各素子ごと
の逆バイアス電圧の調整及び温度補正回路を必要としな
い光電変換装置を提供することを目的とする。
の逆バイアス電圧の調整及び温度補正回路を必要としな
い光電変換装置を提供することを目的とする。
第２図にて本発明の実施例に於ける回路構成を示す。
第２図の回路は、ＡＰＤＩと、ＡＰＤｌに流れる電流ｉ
、を電圧ｖ０に変換するトランスインピーダンスアンプ
２と、トランスインピーダンスアンプ２の出力であるコ
レクタ電圧ｖｃのピークをホールドする検出回路３と、
検出回路３の出力である直流電圧Ｖ、と基準電圧ｖｂと
の差に基づいた増幅電圧Ｖ ｕ を出力する差動回路４
と、差動回路４の出力に基づきＡＰＤＩに負帰還をかけ
るバイアス回路５とによって構成されている。
、を電圧ｖ０に変換するトランスインピーダンスアンプ
２と、トランスインピーダンスアンプ２の出力であるコ
レクタ電圧ｖｃのピークをホールドする検出回路３と、
検出回路３の出力である直流電圧Ｖ、と基準電圧ｖｂと
の差に基づいた増幅電圧Ｖ ｕ を出力する差動回路４
と、差動回路４の出力に基づきＡＰＤＩに負帰還をかけ
るバイアス回路５とによって構成されている。
トランスインピーダンスアンプ２は、トランジスタＱ１
ｓＱｔと抵抗Ｒｔ ｚ Ｒｚ ％ Ｒｓ為Ｒ４と出力電
圧Ｖ。の引き出し用端子Ｐから成る。抵抗Ｒｚｔｉトラ
ンスインピーダンスアンプ２のトラレ、スインピーダン
スであシ、負帰還をかけ、人、′１カインピーダンスを
−小さくするためにトランジスタスタＱｌのベースとト
ランジスタＱ２のエミッターの間に接続されている。
ｓＱｔと抵抗Ｒｔ ｚ Ｒｚ ％ Ｒｓ為Ｒ４と出力電
圧Ｖ。の引き出し用端子Ｐから成る。抵抗Ｒｚｔｉトラ
ンスインピーダンスアンプ２のトラレ、スインピーダン
スであシ、負帰還をかけ、人、′１カインピーダンスを
−小さくするためにトランジスタスタＱｌのベースとト
ランジスタＱ２のエミッターの間に接続されている。
トランジスタＱ！のコレクタはトランジスタＱ２のベー
スに接続されている。トランジスタＱｌのコレクタには
抵抗Ｒ１が接続されている。トランジスタＱ２のコレク
タ、エミ゛ ツタには、それぞれ抵抗Ｒ３、Ｒ４が接
続されている。
スに接続されている。トランジスタＱｌのコレクタには
抵抗Ｒ１が接続されている。トランジスタＱ２のコレク
タ、エミ゛ ツタには、それぞれ抵抗Ｒ３、Ｒ４が接
続されている。
検出回路３はダイオードＤとコンデンサＣ１から成る。
差動回路４は、抵抗Ｒ５、Ｒ６と回路の調整用としての
可変抵抗ＶＲとオペアンプＵとから成る。
可変抵抗ＶＲとオペアンプＵとから成る。
抵抗ｖＲ％Ｒ５はオペアンプＵの反転入力端子に接続さ
れ、抵抗Ｒ６はオペアンプＵの負帰還路を成す。
れ、抵抗Ｒ６はオペアンプＵの負帰還路を成す。
バイアス回路５はトランジスタＱｓ 、Ｑ４と抵抗Ｒ７
、Ｒ８とコンデンサＣ！、Ｃ３とから成る。
、Ｒ８とコンデンサＣ！、Ｃ３とから成る。
ＡＰＤｌは、トランジスタＱ４のエミッタとトランジス
タＱ・ｌのベースとの間に逆バイアス電圧がかかる如く
接続されている。
タＱ・ｌのベースとの間に逆バイアス電圧がかかる如く
接続されている。
電源ｖ４は、トランスインピーダンスアンプ２と差動回
路４の電源であり、電源ｖＢは、バイアス回路５の電源
である。
路４の電源であり、電源ｖＢは、バイアス回路５の電源
である。
ところで、光波測距儀に於いては、所定の周期で光量が
変化する光（以下、信゛号光とする）を目標地点に出力
し、信号光を目標地点で反射させ、反射して戻ってきた
信号光に基づいて測距を行なう。しかし、信号光を受光
する際に、周囲から信号光とは無関係な光、即ち背景光
をも受光することになる。
変化する光（以下、信゛号光とする）を目標地点に出力
し、信号光を目標地点で反射させ、反射して戻ってきた
信号光に基づいて測距を行なう。しかし、信号光を受光
する際に、周囲から信号光とは無関係な光、即ち背景光
をも受光することになる。
本発明の実施例を光波測距儀に使用した場合、ＡＰＤＩ
は前述した信号光及び背景光を受光し、受光した光量に
基づき電流ｉ を出カする。
は前述した信号光及び背景光を受光し、受光した光量に
基づき電流ｉ を出カする。
以下、本実施例の動作を説明する。
抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の抵抗値をそれぞれＲ２′、Ｒ３
′、Ｒ，／ とし、トランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間の電圧をｖＢＥ とし、電源ｖＡの電圧をｙ 、
／とし、トランジスタＱ２のコレクタの電位をＷｅ
とすると、ＡＰＤＩが電流ｉｐ を出力しているとき、
出力電圧Ｖ。は０式の如く示される。
′、Ｒ，／ とし、トランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間の電圧をｖＢＥ とし、電源ｖＡの電圧をｙ 、
／とし、トランジスタＱ２のコレクタの電位をＷｅ
とすると、ＡＰＤＩが電流ｉｐ を出力しているとき、
出力電圧Ｖ。は０式の如く示される。
ｖｏ＝ ＶＢＨ−Ｒ２” ｉ −■但し、ＡＰＤｌ
の出力電流ｉ、はトランジスタＱ１のベースには、はと
んど流れ込まないので、抵抗Ｒ２に流れる電流はｉ、と
なる。
の出力電流ｉ、はトランジスタＱ１のベースには、はと
んど流れ込まないので、抵抗Ｒ２に流れる電流はｉ、と
なる。
更に、ｖｃは０式の如く示される。
３
ｖｃ＝ Ｖ７ ｖ
４
・・・■
又、ＡＰＤｌへの入射光量をｐとすれば、電流１ｐは電
流増幅度Ｍにより■式の如く示される。
流増幅度Ｍにより■式の如く示される。
ｉｐ ＝Ｍ・、 、・、１ ・・・■従って、
ＡＰＤｌに所定の逆バイアス電圧をかけている際には、
ＡＰＤＩＩｆｉ光ｔｐに応じた電流ｌ、を出力し、出力
端子Ｐから電流ｉ、に応じた電圧ｖ０ を取り出せる。
ＡＰＤｌに所定の逆バイアス電圧をかけている際には、
ＡＰＤＩＩｆｉ光ｔｐに応じた電流ｌ、を出力し、出力
端子Ｐから電流ｉ、に応じた電圧ｖ０ を取り出せる。
ところが、温度変化によりＡＰＤｌのブレークダウン電
圧がＡＰＤｌのバイアス電圧以下に変化すると、電流増
幅度Ｍが無限大に変化し、電流ｉ、が増大する。このと
き、ＡＰＤ１＃′ｉ、所定時間多量の電流ｉ、が流れる
と破損してしまうが、検出回路３と差動回路４とバイア
ス回路５がＡＰＤｌに負帰還をかけて電流ｉ、が一定に
保たれているので、ＡＰＤｌは破損しない。
圧がＡＰＤｌのバイアス電圧以下に変化すると、電流増
幅度Ｍが無限大に変化し、電流ｉ、が増大する。このと
き、ＡＰＤ１＃′ｉ、所定時間多量の電流ｉ、が流れる
と破損してしまうが、検出回路３と差動回路４とバイア
ス回路５がＡＰＤｌに負帰還をかけて電流ｉ、が一定に
保たれているので、ＡＰＤｌは破損しない。
以下、検出回路・３と差動回路４とバイアス回路５の動
作を説明する。
作を説明する。
温度変化に応じて電流増幅度Ｍが増加し、■式で示した
如く・電流ｉ、が増大すると、電圧Ｗｅ も増加する＝
電圧Ｖ６は、ダイオードＤとコンデンサＣｌ ｌ’ｊｌ
から°成る検出回路３を介し□ 。
如く・電流ｉ、が増大すると、電圧Ｗｅ も増加する＝
電圧Ｖ６は、ダイオードＤとコンデンサＣｌ ｌ’ｊｌ
から°成る検出回路３を介し□ 。
てオペアンプＵに大力され、オペアンプＵは基準電圧ｖ
ｂ に基づき電圧Ｗｅ を増幅し出力する。従って、
抵抗Ｒ７に流れる電流は増加し、トランジスタＱ３のベ
ース・エミッタ間の電流も増加し、抵抗Ｒ８の電圧降下
も増加する。抵抗Ｒ８の電圧降下の増大により、トラン
ジスタＱ４のベースの電位は下がり、ＡＰＤｌにかかる
逆バイアス電圧は下がる。
ｂ に基づき電圧Ｗｅ を増幅し出力する。従って、
抵抗Ｒ７に流れる電流は増加し、トランジスタＱ３のベ
ース・エミッタ間の電流も増加し、抵抗Ｒ８の電圧降下
も増加する。抵抗Ｒ８の電圧降下の増大により、トラン
ジスタＱ４のベースの電位は下がり、ＡＰＤｌにかかる
逆バイアス電圧は下がる。
従って、電流増幅度Ｍも低下し、電流ｉ も低下し、Ａ
ＰＤｌは破損しない。
ＰＤｌは破損しない。
検出回路３は前述した如くピークホールド回路であシ、
コレクタ電圧ｖｃのピーク値を検出し、ピーク値に相当
する直流電圧ｖｄ を出力する。差動回路４とバイアス
回路５は直流電圧ｖｄ に基づき、電流１ が常に一定
になるように逆バイアス電圧Ｖｌを制御し、結果として
電圧Ｖ、は一定、になる。又、回路の調整用としての可
変抵抗ＶＲを調節することにより、電流ｊｐ及び直流電
圧Ｖ、を調節できる。従って、電圧ｖｄ を電源ｖ４の
電圧ｙ 、／に近くなるように調節すればトランスイン
ピーダンスアンプ２のゲインは最も高い状態を保つこと
ができる。但し、電圧Ｖ、３が電源ｖＡの電圧に等しく
なるように可変抵抗’ＶＲを調節した場合、電流ｉ、が
増加してもコレクタ電圧ｖｃは電源ｖＡのつ壕り、電圧
Ｖｄ を越えられず、電流ｉ、の増加を検出できない。
コレクタ電圧ｖｃのピーク値を検出し、ピーク値に相当
する直流電圧ｖｄ を出力する。差動回路４とバイアス
回路５は直流電圧ｖｄ に基づき、電流１ が常に一定
になるように逆バイアス電圧Ｖｌを制御し、結果として
電圧Ｖ、は一定、になる。又、回路の調整用としての可
変抵抗ＶＲを調節することにより、電流ｊｐ及び直流電
圧Ｖ、を調節できる。従って、電圧ｖｄ を電源ｖ４の
電圧ｙ 、／に近くなるように調節すればトランスイン
ピーダンスアンプ２のゲインは最も高い状態を保つこと
ができる。但し、電圧Ｖ、３が電源ｖＡの電圧に等しく
なるように可変抵抗’ＶＲを調節した場合、電流ｉ、が
増加してもコレクタ電圧ｖｃは電源ｖＡのつ壕り、電圧
Ｖｄ を越えられず、電流ｉ、の増加を検出できない。
従って、電圧Ｖｄは電源■４ の電圧■Ａ′より低くな
るよう調節する。
るよう調節する。
本実施例に於いて、検出回路３はピークホールド回路で
あったが、ピークホールド回路の代りに入力信号の直流
成分を出力する積分回路であってもかまわない。検出回
路３を積分回路に置き換えた場合、コレクタ電圧ｖｃの
直流成分は常に一定であるように差動回路４とバイアス
回路５により制御される。又、コレクタ電圧ｖｃ の直
流成分は可変抵抗ＶＲにより調節することができる。可
変抵抗ＶＲの調整は、信号光だけがＡＰＤに入射する場
合にコレクタ電圧Ｖ のピーク値が電圧ｖＡ′より低く
なるように行なう。信号光の変調度が１００９６であれ
ば、コレクタ電圧Ｖｃ の直流成分が０式で示した電圧
（ＶＡ’−輛Ｖ Ｂ Ｈ）４ と電圧ｙ 、／の平均値以下になるように可変抵抗ＶＲ
を調整する。
あったが、ピークホールド回路の代りに入力信号の直流
成分を出力する積分回路であってもかまわない。検出回
路３を積分回路に置き換えた場合、コレクタ電圧ｖｃの
直流成分は常に一定であるように差動回路４とバイアス
回路５により制御される。又、コレクタ電圧ｖｃ の直
流成分は可変抵抗ＶＲにより調節することができる。可
変抵抗ＶＲの調整は、信号光だけがＡＰＤに入射する場
合にコレクタ電圧Ｖ のピーク値が電圧ｖＡ′より低く
なるように行なう。信号光の変調度が１００９６であれ
ば、コレクタ電圧Ｖｃ の直流成分が０式で示した電圧
（ＶＡ’−輛Ｖ Ｂ Ｈ）４ と電圧ｙ 、／の平均値以下になるように可変抵抗ＶＲ
を調整する。
又、可変抵抗ＶＲは前述の如く本発明の実施例の調整を
するものであり、予め設定すべき抵抗値が明らかであれ
ば代わりに固定抵抗を設けても良い。
するものであり、予め設定すべき抵抗値が明らかであれ
ば代わりに固定抵抗を設けても良い。
光波測距儀やファイバーを使わない光通信システムの場
合、信号光の強度はもちろん背景光強度のダイナミック
レンジも非常に広い。
合、信号光の強度はもちろん背景光強度のダイナミック
レンジも非常に広い。
信号光に比べ背景光の量が多い場合でも本発明の回路を
用いれば背景光によってトランスインピーダンスアンプ
が飽和しない範囲でＡＰＤの電流増幅度Ｍは常に最大に
なっており高い信号出力電圧が得られる。また信号光
・に比べ背景光が少ない場。、合本回路は信号光に対す
る増幅度の制御回路、、として働く為ＡＰＤ１ の電流増幅能力を充分１．←、、：利用でき特に近距離
の通信、測距で過大光□信舟が入る場合でもバイアス電
圧をコントロールしＭを１近くまで下げることができる
ので広いダイナミックレンジの光量を扱うことができる
。
用いれば背景光によってトランスインピーダンスアンプ
が飽和しない範囲でＡＰＤの電流増幅度Ｍは常に最大に
なっており高い信号出力電圧が得られる。また信号光
・に比べ背景光が少ない場。、合本回路は信号光に対す
る増幅度の制御回路、、として働く為ＡＰＤ１ の電流増幅能力を充分１．←、、：利用でき特に近距離
の通信、測距で過大光□信舟が入る場合でもバイアス電
圧をコントロールしＭを１近くまで下げることができる
ので広いダイナミックレンジの光量を扱うことができる
。
第１図はアバランシェホトダイオードの逆バイアス電圧
と電流増幅度との特性を示したグラフを示す図、第２図
は本発明の一実施例の回路図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・アバランシェフォトダイオード２・・・
・・・変換回路 ３・・・・・・検出回路 ４・・・・・・差動回路 ５・・・・・・バイアス電圧 ｉ、・・・・・・出力電流 ｖｃ ・・・・・・変換された電圧 ■ｂ ・・・・・・基準電圧 ■、・・・・・・直流電圧 ・９ ・・・・・・差−圧 Ｖｌ・・・・・・逆パ・イアス電圧
と電流増幅度との特性を示したグラフを示す図、第２図
は本発明の一実施例の回路図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・アバランシェフォトダイオード２・・・
・・・変換回路 ３・・・・・・検出回路 ４・・・・・・差動回路 ５・・・・・・バイアス電圧 ｉ、・・・・・・出力電流 ｖｃ ・・・・・・変換された電圧 ■ｂ ・・・・・・基準電圧 ■、・・・・・・直流電圧 ・９ ・・・・・・差−圧 Ｖｌ・・・・・・逆パ・イアス電圧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アバランシェフォトダイオードと、 該アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変
換する変換回路を含む光、電変換装置において、 前記変換された電圧に基づいて直流電圧を中力する検出
！路と、 基準電圧を有し、前記置体電圧と該基準電圧との差に基
づいた差電圧を出力する差動回路と、 前記差電圧に基づいて前記アバランシェフォトダイオー
ドに印加する逆バイアス電圧を制御するバイアス回路と
を設けたことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046381A JPS58165020A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046381A JPS58165020A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165020A true JPS58165020A (ja) | 1983-09-30 |
Family
ID=12745558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046381A Pending JPS58165020A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165020A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2571148A1 (fr) * | 1984-09-28 | 1986-04-04 | Electricite De France | Detecteur de faisceau lumineux a photodiode a circuit de reglage du point de fonctionnement |
| JP2002050784A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | アバランシェホトダイオードのバイアス回路 |
| JP2007078424A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Topcon Corp | 測量装置及び測量方法 |
| JP2008215878A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Yamaha Motor Co Ltd | 受光装置、レーザレーダ装置および乗り物 |
| JP2008286669A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sokkia Topcon Co Ltd | 光波距離計 |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57046381A patent/JPS58165020A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2571148A1 (fr) * | 1984-09-28 | 1986-04-04 | Electricite De France | Detecteur de faisceau lumineux a photodiode a circuit de reglage du point de fonctionnement |
| JP2002050784A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | アバランシェホトダイオードのバイアス回路 |
| JP2007078424A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Topcon Corp | 測量装置及び測量方法 |
| JP2008215878A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Yamaha Motor Co Ltd | 受光装置、レーザレーダ装置および乗り物 |
| JP2008286669A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sokkia Topcon Co Ltd | 光波距離計 |
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