JPS60111448A - リ−ドフレ−ム材料 - Google Patents

リ−ドフレ−ム材料

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JPS60111448A
JPS60111448A JP21907083A JP21907083A JPS60111448A JP S60111448 A JPS60111448 A JP S60111448A JP 21907083 A JP21907083 A JP 21907083A JP 21907083 A JP21907083 A JP 21907083A JP S60111448 A JPS60111448 A JP S60111448A
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JP
Japan
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resin
oxide film
alloy
thickness
less
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JP21907083A
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English (en)
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JPH0523064B2 (ja
Inventor
Tsutomu Inui
乾　勉
Kazu Sasaki
計 佐々木
Daiji Sakamoto
坂本　大司
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49586—Insulating layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、たとえばレジンモールド型ＩＣにおいて樹
脂との密着性およびハンダ性にすぐれたリードフレーム
材料に関するものである。現在リードフレーム用金属材
料として４２合金（４２Ｎｉ−Ｆｅ）鋼合金および純鉄
系が使用されているが、ＭＯ８型ＩＣでは４２合金が８
ｉチツプとの熱膨張の合致性、リード強度の点から多く
使用されている。
ＩＣはその素子を外部から保護するために、セラミック
や樹脂などの外囲器により一般に封止密閉されている。
そして耐湿性の優れたセラミック型は高信頼度のものに
使用されるがノくツケージのコストが高くなる欠点があ
る。一方樹脂封止型は生産性にすぐれ安価なため、近年
多量に使用さ名。
るに至やているが耐湿性がセラミック型に比べて劣る欠
点が残されていた。この解決の為、樹脂サイドの研究や
封止条件の検討も行われて（・るが、リードフレーム材
料側でも各種の改善が行わ４４ている。
本発明は４２合金と樹脂との密着性と／％ンダ付は性を
研究したところリードフレーム表面６〕酸化膜と材料組
成が特許請求の範囲にあるとき、従来合金に比べて樹脂
密着性が優れかつノ＼ンダ付は性も良好なものが得られ
た発見に基づくものである。
以下本発明の限定理由を述べる。
Ｎ１５ｏ％未満または５０％を越えると熱膨張係数が大
ぎくなりすぎ、Ｓｉチッグと整合性が劣ってくるためＮ
１５ｏ〜５０％に限定した。
ＳｉとＭｎはリードフレーム上に樹脂との密着性のすぐ
れた酸化膜を形成させる元素であるが、ＳｉとＭｎの合
計が０．２％未満では形成される酸化膜が薄く、樹脂と
の密着性向上に効果がなく、１５％を越えると酸化膜が
厚くなり、地金と剥離しやすくなる。そしてＭｎ／Ｓｉ
比が１０を越えると表面酸化物がＭｎ−ｒｉｃｈとな−
て樹脂との密着性が悪くなり、２未満ではリードフレー
ムとしてメッギ欠陥のもとになるＳｉ系の介在物比が多
くなるため、５１−ｌ−Ｍｎを０．２、、．１．５％で
Ｍｎ／Ｓｉ比を２〜１０に限定した。
ｈｔ＆’ｚ酸化膜形成を促進する元素であるが、０．０
０１％未満ではその効果が少なく、０．１％を越えると
酸化膜が厚くなりすぎ、リードフレームとして要求され
るハンダ性が劣ってくるため、樹脂密着性の良好な範囲
として０．００１〜０．１％に限定した。
表面酸化膜の厚みはイオンマイクロアナライザーで深さ
方向にＳｉ、Ｍｎ、ｋｌを分析しめたもので、２０〜１
ｓｏｉに限定したのは、２０１未満では樹脂との密着性
が弱く、１’５０Ｘを越えるとハンダ性が劣ってくるた
めである。
次に実施例により具体例を示す。
表に化学組成を示す合金を７ｋｇ高周波真空誘導炉で溶
解後、鍛造、熱間圧延および冷間圧延によりて板厚０．
２５ｍ１＋のス）リップを得た。
樹脂との密着性は上−配材よりＱ、　２５　ＮＩＫ厚×
２５ｍｍＸ２５ｍｍの試料を採取し、９００°ＣＸ　３
ｍ　Ｈ２ガス中で熱処理を行った。しかるのち 図に示すように、試料１の上に１１φの穴を有する樹脂
モールド用薄板治具２（１１φの穴つき）ヲ重ネ、ホラ
）ブレー）６上で１６８’ＣＸ２ｍｍ加熱し、粉末樹脂
４を硬化させた。常温に冷却後、試料１を固定し、樹脂
モールド用薄板治具２を矢印方向に引張−で密着強度を
測定した。
またハンダ性は樹脂密着性テスＦと同じ試料を２４０°
ＩＣ加熱した溶融ノ１ンダ槽中に２ＳｅＣ浸浸Ｃ浸種後
で９０％以上ハンダがぬれたものをノ＼ンタ゛性良好と
した。
特性評価を行った結果を表に示す。表より明らかなごと
く本発明合金は比較合金に比べて樹脂との密着強度は約
２倍以上の値を示し、かつ酸化膜厚みが１５０大以下で
はノ・ンダ性が優れて（・る結果かえられた。
・　３　・ 以上の如く５本発明は樹脂モールド型）くツケージにお
いて、樹脂とリードの接着強度を高め、ノ（ツケージの
信頼性を大巾に向上させるもので工業上の効果は大きい
ものである。
弄
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂密着強度テストの原理図である。 １　：試料、　２：樹脂モールド用薄板治具、３二ホツ
トプレート、４：樹脂。 ・　４　・ す１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｎｉ　３０１５０　（重量％以下同じ）−Ｆｅ合金にお
    いてＳ　ｉ　＋　Ｍｎ　０．２〜１．５％（ただしＭｎ
    ／５ｉ＝２〜１０）。 ＡｊＯ，００１〜０．１％と製造上不可避的に混入する
    不純物を含む合金において、その表面酸化膜の厚みが２
    ０−１５０λであることを特徴とする樹脂との密着性お
    よびへンダ性のすぐれたリードフレーム材料。
JP21907083A 1983-11-21 1983-11-21 リ−ドフレ−ム材料 Granted JPS60111448A (ja)

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JPS60111448A true JPS60111448A (ja) 1985-06-17
JPH0523064B2 JPH0523064B2 (ja) 1993-03-31

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JPH0523064B2 (ja) 1993-03-31

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